一種oled面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ito鍍膜生產(chǎn)設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，它主要包括一真空腔體系統(tǒng)和一控制系統(tǒng)；所述的真空腔體系統(tǒng)由裝卸片臺(tái)、進(jìn)出片室、鍍膜室、緩沖室依次連通組成，所述裝卸片臺(tái)與進(jìn)出片室、進(jìn)出片室與工藝腔體的連接處均設(shè)有插板閥；所述的鍍膜室由減反射層工藝腔體和Si工藝腔體和ITO工藝腔體三個(gè)工藝腔體構(gòu)成；所述的鍍膜室設(shè)有側(cè)面維修門(mén)、鍍膜陰極、工藝氣體系統(tǒng)及位置傳感器；所述的鍍膜陰極設(shè)在所述的側(cè)面維修門(mén)上；所述的真空腔體系統(tǒng)內(nèi)部設(shè)有基底傳送機(jī)構(gòu)；所述的控制系統(tǒng)主要由PLC構(gòu)成；它能夠在現(xiàn)有ITO鍍膜模塊上進(jìn)行改造，具有操作簡(jiǎn)單、成本優(yōu)勢(shì)明顯等特點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及的是一種OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，屬于ITO鍍膜裝備【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)照明由于其顯色性高且屬于面發(fā)光，不僅能呈現(xiàn)自然柔和的光線，而且在造型設(shè)計(jì)上也有相當(dāng)大的發(fā)揮空間，是下一代照明的發(fā)展趨勢(shì)。但是在傳統(tǒng)經(jīng)典的OLED器件結(jié)構(gòu)中，由于各膜層材料的折射率不一致造成的反射，使得通過(guò)器件發(fā)射層發(fā)出的光大部分被限制在器件中不能有效地輸出到器件外。傳統(tǒng)經(jīng)典OLED器件中，外部模式、基底波導(dǎo)模式、ITO/有機(jī)層模式的比例分別為20%、30%及50%，從基底發(fā)出的光僅有20%，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足照明的需求。因此許多研究者將關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移到探索如果提高光取出效率的方法上來(lái)。
[0003]業(yè)界對(duì)OLED出光效率的研究主要對(duì)OLED器件基底的改造、以及對(duì)OLED器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改造。對(duì)OLED器件出光面的改造主要是擾亂基底與空氣界面，減少空氣與基底的全反射。其制作方法是，在基底表面或底部通過(guò)粘合劑貼覆一層光提取膜，從而減少器件內(nèi)發(fā)生的波導(dǎo)損耗。由于OLED器件的工作時(shí)的溫度變化，難免會(huì)產(chǎn)生粘合劑失效、光提取膜脫落的現(xiàn)象。因此將這一層光提取膜直接鍍?cè)贗TO玻璃上顯得尤為必要，但現(xiàn)有的ITO鍍膜生產(chǎn)線并不滿足連續(xù)生產(chǎn)的需求。因此，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)這一要求的基底ITO玻璃及其制備裝備尤為必要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服上述存在的不足，而提供一種在常規(guī)ITO鍍膜生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上進(jìn)行改良的、結(jié)構(gòu)合理、鍍膜質(zhì)量好、生產(chǎn)效率高的OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備。
[0005]本實(shí)用新型是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)完成的，它主要包括一真空腔體系統(tǒng)和一控制系統(tǒng)；所述的真空腔體系統(tǒng)由裝卸片臺(tái)、進(jìn)出片室、鍍膜室、緩沖室依次連通組成，所述裝卸片臺(tái)與進(jìn)出片室、進(jìn)出片室與工藝腔體的連接處均設(shè)有插板閥；所述的鍍膜室由減反射層工藝腔體和Si工藝腔體和ITO工藝腔體三個(gè)工藝腔體構(gòu)成；所述的鍍膜室設(shè)有側(cè)面維修門(mén)、鍍膜陰極、工藝氣體系統(tǒng)及位置傳感器；所述的鍍膜陰極設(shè)在所述的側(cè)面維修門(mén)上；所述的真空腔體系統(tǒng)內(nèi)部設(shè)有基底傳送機(jī)構(gòu)；所述的控制系統(tǒng)主要由PLC構(gòu)成。
[0006]所述的進(jìn)出片室連接有由機(jī)械泵、羅茨泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)以及分子泵高真空抽氣系統(tǒng)；所述的緩沖室連接有加熱系統(tǒng)以及所述的分子泵高真空抽氣統(tǒng)；所述裝卸片臺(tái)進(jìn)行基底交換，并由抽成高真空的進(jìn)出片室將基底自動(dòng)傳送到鍍膜室中。
[0007]所述的ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備還包括:冷卻水系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)，且它們分別被設(shè)置在真空腔體系統(tǒng)下方。
[0008]所述的減反射層工藝腔體131中的靶材采用鋁及其合金，并在其中通入氬氣或氮?dú)庾鳛楣ぷ鳉怏w，沉積減發(fā)射層；所述Si工藝腔體中的靶材采用Si，并在其中通入氧氣作為反應(yīng)氣體，中頻濺射Si02膜；所述ITO工藝腔體中進(jìn)行ITO膜層的制備；所述的緩沖室中維系高真空度。
[0009]本實(shí)用新型具有如下技術(shù)特點(diǎn):所述的真空腔體系統(tǒng)采用插板閥隔開(kāi)，可以有效實(shí)現(xiàn)隔斷，穩(wěn)定工藝氣體，密封性更好、更耐用；新增設(shè)工藝腔體，能夠在基底表面和底面有效地生長(zhǎng)減反射層，提高出光效率；它完全兼容現(xiàn)有ITO鍍膜生產(chǎn)線，無(wú)需另行建設(shè)新的生產(chǎn)線，節(jié)約了大量的硬件投入。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型所述的OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO的鍍膜生產(chǎn)設(shè)備示意圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型所述的進(jìn)出片室結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3是本實(shí)用新型所述的鍍膜室結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖中的標(biāo)號(hào)如下:裝卸片臺(tái)11、進(jìn)出片室12、鍍膜室13、緩沖室14、插板閥15、加熱系統(tǒng)16、前級(jí)抽氣系統(tǒng)121、高真空抽氣系統(tǒng)122、減反射層工藝腔體131、Si工藝腔體132、ITO工藝腔體133。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:圖1所示，本實(shí)用新型主要包括有:真空腔體系統(tǒng)I及控制系統(tǒng)2。所述的真空腔體系統(tǒng)I由裝卸片臺(tái)11、進(jìn)出片室12、鍍膜室13、緩沖室14依次連通組成，所述的裝卸片臺(tái)11與進(jìn)出片室12、進(jìn)出片室12與工藝腔體13連接處均設(shè)有插板閥15 ;所述的鍍膜室13由減反射層工藝腔體131和Si工藝腔體132和ITO工藝腔體133三個(gè)工藝腔體構(gòu)成；所述的鍍膜室13均設(shè)有側(cè)面維修門(mén)、鍍膜陰極、工藝氣體系統(tǒng)及位置傳感器；所述的鍍膜陰極設(shè)在所述的側(cè)面維修門(mén)上；所述的真空腔體系統(tǒng)I內(nèi)部設(shè)有基底傳送機(jī)構(gòu)；所述的真空腔體系統(tǒng)I材料采用SUS304焊接而成；所述的進(jìn)出片室12連接設(shè)有機(jī)械泵、羅茨泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)121和分子泵高真空抽氣系統(tǒng)122 ；本實(shí)用新型中，所述的緩沖室14連接有加熱系統(tǒng)16和分子泵高真空抽氣統(tǒng)122 ;本實(shí)用新型中，還包括冷卻水系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)設(shè)置在真空腔體系統(tǒng)I下方。所述的控制系統(tǒng)2通過(guò)計(jì)算機(jī)操作，由PLC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制。
[0015]本實(shí)用新型提供的一種OLED面光源專(zhuān)用改進(jìn)型ITO的鍍膜生產(chǎn)線具體原理如下:
[0016]正常工作模式下，基底按照以下順序傳送:裝卸片臺(tái)11—進(jìn)出片室12—減反射層工藝腔體131 — Si工藝腔體132 — ITO工藝腔體133 —進(jìn)出片室12 —裝卸片臺(tái)11。
[0017]所述的裝卸片臺(tái)11用于基底交換；所述的進(jìn)出片室12是聞?wù)婵粘闅馐?完成聞?wù)婵粘闅膺^(guò)程，并將基底自動(dòng)傳送到鍍膜室13中；所述的減反射層工藝腔體131，靶材采用鋁及其合金，通入氬氣或氮?dú)庾鳛楣ぷ鳉怏w，沉積減發(fā)射層；所述的Si工藝腔體132，采用Si作為靶材，氧氣作為反應(yīng)氣體，中頻濺射Si02膜；所述的ITO工藝腔體133能夠?qū)崿F(xiàn)ITO膜層的制備；所述的緩沖室14是用于維系高真空度。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，它主要包括一真空腔體系統(tǒng)和一控制系統(tǒng)；其特征在于所述的真空腔體系統(tǒng)(I)由裝卸片臺(tái)(11)、進(jìn)出片室(12)、鍍膜室(13)、緩沖室(14)依次連通組成，所述裝卸片臺(tái)(11)與進(jìn)出片室(12)、進(jìn)出片室(12)與工藝腔體(13)的連接處均設(shè)有插板閥(15);所述的鍍膜室(13)由減反射層工藝腔體(131)和Si工藝腔體(132)和ITO工藝腔體(133)三個(gè)工藝腔體構(gòu)成；所述的鍍膜室(13)設(shè)有側(cè)面維修門(mén)、鍍膜陰極、工藝氣體系統(tǒng)及位置傳感器；所述的鍍膜陰極設(shè)在所述的側(cè)面維修門(mén)上；所述的真空腔體系統(tǒng)(I)內(nèi)部設(shè)有基底傳送機(jī)構(gòu)；所述的控制系統(tǒng)(2)主要由PLC構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于所述的進(jìn)出片室(12)連接有由機(jī)械泵、羅茨泵組成的前級(jí)抽氣系統(tǒng)(121)以及分子泵高真空抽氣系統(tǒng)(122);所述的緩沖室(14)連接有加熱系統(tǒng)(16)以及所述的分子泵高真空抽氣統(tǒng)(122);所述裝卸片臺(tái)(11)進(jìn)行基底交換，并由抽成高真空的進(jìn)出片室(12)將基底自動(dòng)傳送到鍍膜室(13)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于所述的ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備還包括:冷卻水系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)，且它們分別被設(shè)置在真空腔體系統(tǒng)I下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED面光源專(zhuān)用的改進(jìn)型ITO鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于所述的減反射層工藝腔體(131)中的靶材采用鋁及其合金，并在其中通入氬氣或氮?dú)庾鳛楣ぷ鳉怏w，沉積減發(fā)射層；所述Si工藝腔體(132)中的靶材采用Si，并在其中通入氧氣作為反應(yīng)氣體，中頻濺射Si02膜；所述ITO工藝腔體(133)中進(jìn)行ITO膜層的制備；所述的緩沖室(14)中維系高真空度。
【文檔編號(hào)】C23C14/56GK203834013SQ201420201940
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月24日
【發(fā)明者】馬恩高 申請(qǐng)人:馬恩高