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用于在渦輪機(jī)硬件上選擇性地產(chǎn)生熱障涂層的方法

文檔序號(hào):3308704閱讀:150來源:國知局
用于在渦輪機(jī)硬件上選擇性地產(chǎn)生熱障涂層的方法
【專利摘要】提供一種在翼型部件上沉積陶瓷涂層并由此形成部件的方法。該方法包括在翼型部件上沉積粘結(jié)涂層,包括在翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、在定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且與后緣間隔開的孔內(nèi)以及在定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且位于孔之間的地帶上沉積粘結(jié)涂層。然后將陶瓷涂層沉積在粘結(jié)涂層上,包括沉積在翼型部件的后緣區(qū)域上、定位在后緣區(qū)域內(nèi)的孔內(nèi)以及孔之間的地帶上。在不完全去除后緣區(qū)域和孔之間的地帶上的陶瓷涂層的情況下,選擇性地去除孔內(nèi)的陶瓷涂層。
【專利說明】用于在渦輪機(jī)硬件上選擇性地產(chǎn)生熱障涂層的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請要求于2012年6月30日提交的美國臨時(shí)申請N0.61/666,840和于2012年6月30日提交的美國臨時(shí)申請N0.61/666,838的權(quán)益,其內(nèi)容通過引用方式結(jié)合到本文中。

【背景技術(shù)】
[0003]本發(fā)明大致涉及從部件中的通孔或槽中選擇性地去除涂層。更具體地,本發(fā)明涉及從由熱障涂層(TBC)保護(hù)的翼型部件中的通孔或槽中選擇性地去除陶瓷熱障涂層TBC。
[0004]位于燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的某些部分中的部件,比如渦輪機(jī)、燃燒器和增壓器(augmentor)部分,通常利用陶瓷層熱絕緣以便降低其工作溫度,這使得發(fā)動(dòng)機(jī)能夠在更高的溫度下更加有效地操作。這些涂層通常被稱為熱障涂層(TBC),其必須具有低的導(dǎo)熱率、強(qiáng)力地粘附物品并且在整個(gè)許多加熱和冷卻循環(huán)中保持粘著。能夠滿足這些要求的涂層系統(tǒng)一般包括將熱絕緣陶瓷層粘著至部件的金屬粘結(jié)涂層,形成所謂的TBC系統(tǒng)。例如為部分或完全由氧化釔(Y203)、氧化鎂(MgO)和/或其他氧化物保持穩(wěn)定的氧化鋯(Zr02)的金屬氧化物已被廣泛地用作用于TBC系統(tǒng)的陶瓷層的熱絕緣材料。陶瓷層一般通過熱噴鍍技術(shù)沉積,例如空氣等離子體噴鍍(APS)或者比如為電子束物理汽相沉積(EBPVD)的物理汽相沉積(PVD)技術(shù)。粘結(jié)涂層一般由抗氧化擴(kuò)散涂層形成,比如擴(kuò)散鋁化物或鉬鋁化物,或者抗氧化疊加涂層,比如為通常由MCrAlX合金(其中,Μ是鐵、鈷和/或鎳,X是釔、稀土元素和/或活性元素)形成的類型。
[0005]雖然TBC系統(tǒng)對(duì)下層部件基體提供顯著的熱保護(hù),但是對(duì)于比如為燃燒器襯套以及高壓渦輪(ΗΡΤ)葉片(斗葉)和輪葉(噴嘴)的內(nèi)部冷卻通常是必要的,并且可以與TBC組合使用或者替代TBC使用。燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的空氣冷卻部件通常要求冷卻氣流通過精細(xì)地配置的冷卻孔或槽排出,冷卻孔或槽在部件表面上方分配冷卻膜以提高冷卻流的有效性。旨在提供膜冷卻效應(yīng)的冷卻孔通常被稱為擴(kuò)散器(后緣區(qū)域)孔,并且具有截面沿下游方向增大的形狀以降低在部件表面處由孔排出的空氣的速度,由此提高部件表面的膜冷卻的有效性。冷卻孔的效率可以通過排放系數(shù)Cd進(jìn)行量化,排放系數(shù)Cd是冷卻孔的基于流量測量的有效面積與孔的實(shí)際面積的比值。由于孔內(nèi)的表面狀態(tài)(包括孔的入口和出口,這為通過孔的氣流提供阻力),使得有效面積小于實(shí)際面積。由于每個(gè)開口的尺寸、形狀和表面狀態(tài)確定排出開口的空氣流的量并且影響包含孔的冷卻回路內(nèi)的整體氣流分布,因此,形成和配置冷卻孔的方法是關(guān)鍵的。
[0006]對(duì)于不需要TBC的部件,冷卻孔一般通過比如為電子放電加工(EDM)和激光加工的常規(guī)鉆孔技術(shù)形成,或者利用產(chǎn)生具有尺寸上正確的開口的鑄件的復(fù)雜先進(jìn)鑄造操作形成。EDM技術(shù)不能被用于在具有TBC的部件中形成冷卻孔,這是由于陶瓷是不導(dǎo)電的,激光加工技術(shù)易于通過使部件基體與陶瓷之間的分界面產(chǎn)生裂縫而使脆性陶瓷TBC剝落。因此,冷卻孔通常在應(yīng)用粘結(jié)涂層或TBC之前通過EDM和激光鉆孔進(jìn)行加工。雖然一般期望在冷卻孔的內(nèi)部沉積粘結(jié)涂層用于防氧化,但是由于TBC通過改變形狀和減小冷卻孔開口的尺寸以及通過在冷卻空氣排出時(shí)使金屬與冷卻空氣絕熱而減小了排放系數(shù),因此沉積在空氣冷卻部件的冷卻孔中的TBC的存在可以有害地影響部件的使用壽命。具有TBC的冷卻孔的阻塞不僅隨著新制造的空氣冷卻部件而發(fā)生,而且在修復(fù)從現(xiàn)場返回的部件上的TBC時(shí)也發(fā)生。在修復(fù)期間,一般去除所有現(xiàn)有粘結(jié)涂層和TBC,在此之后新的粘結(jié)涂層和TBC被沉積,因此能夠通過TBC材料的沉積阻塞冷卻孔。
[0007]如上所述,能夠看出,由于需要使冷卻孔保持恰當(dāng)?shù)某叽绾托螤睿虼耸沟脤?duì)由TBC保護(hù)的空氣冷卻部件的制造和修復(fù)復(fù)雜化。通常的方案是將冷卻孔進(jìn)行掩模處理以保持其想要的大小和形狀。例如,通常的做法是對(duì)渦輪機(jī)葉片的后緣進(jìn)行掩模處理,以免沿著冷卻孔的后緣在冷卻孔內(nèi)沉積TBC。根據(jù)這一方案,翼型部件沒有將降低翼型部件的后緣處的表面溫度的TBC。
[0008]已經(jīng)提出各種技術(shù)用于從冷卻孔去除TBC。日本專利公開N0.平9-158702公開了一種方法,通過該方法將高壓流體引入空氣冷卻部件的內(nèi)部,使得流體通過冷卻孔開口流出,并且在這種情況下去除由于在形成冷卻孔之后使部件涂覆有陶瓷材料而已經(jīng)阻塞冷卻孔的陶瓷材料。另一種技術(shù)在授予Camm的美國專利N0.6,004,620中公開,其中,利用朝向孔的無覆蓋表面射出的射流去除冷卻孔中聚集的陶瓷。雖然如上所述類型的技術(shù)已被用于從冷卻孔去除陶瓷沉積,但是當(dāng)前的挑戰(zhàn)涉及產(chǎn)生具有期望的空氣動(dòng)力性能的冷卻孔的能力,例如這是在陶瓷沉積的去除期間避免破壞或者以其他方式改變冷卻孔及其周圍TBC的表面特性而實(shí)現(xiàn)的。這種挑戰(zhàn)適用于后緣區(qū)域孔,后緣區(qū)域孔的增大的橫截面形狀必須被謹(jǐn)慎地控制以實(shí)現(xiàn)部件表面的有效的膜冷卻。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]根據(jù)本發(fā)明,提供一種在翼型部件上沉積涂層并由此形成部件的方法,以及一種用于去除翼型部件中的孔內(nèi)的陶瓷沉積物的方法。翼型部件的具體的但非限制的示例是燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)的空氣冷卻部件。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第一方面,一種方法包括在翼型部件上沉積粘結(jié)涂層,包括在翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、在定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且與后緣間隔開的孔內(nèi)、以及在定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且位于孔之間的地帶(land)上沉積粘結(jié)涂層。然后在粘結(jié)涂層上沉積陶瓷涂層,包括在翼型部件的后緣區(qū)域上、在定位在后緣區(qū)域內(nèi)的孔內(nèi)以及在孔之間的地帶上沉積陶瓷涂層。在不完全去除后緣區(qū)域和孔之間的地帶上的陶瓷涂層的情況下,選擇性地去除孔內(nèi)的陶瓷涂層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第二方面,翼型部件包括限定翼型部件的后緣的后緣區(qū)域??锥ㄎ辉诤缶墔^(qū)域內(nèi)并且與后緣間隔開。地帶定位在后緣區(qū)域內(nèi)和孔之間。陶瓷涂層位于翼型部件的后緣區(qū)域上并在孔之間的地帶上,但不在孔內(nèi)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第三方面,一種方法包括獲得翼型部件,所述翼型部件包括翼型部件上的粘結(jié)涂層和粘結(jié)涂層上的陶瓷涂層。粘結(jié)涂層和陶瓷涂層兩者均位于翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且與后緣間隔開的孔內(nèi)以及定位在后緣區(qū)域內(nèi)并且位于孔之間的地帶上。在不完全去除后緣區(qū)域和孔之間的地帶上的陶瓷涂層的情況下,選擇性地去除孔內(nèi)的陶瓷涂層。
[0013]本發(fā)明的另一方面涉及一種由如上所述的方法形成的翼型部件,其中,在不完全從孔中去除粘結(jié)涂層的情況下選擇性地去除陶瓷涂層。
[0014]本發(fā)明的技術(shù)效果在于能夠利用熱絕緣陶瓷材料涂覆空氣冷卻部件的較大部分,同時(shí)還消除了陶瓷材料在部件中的孔內(nèi)的沉積。作為非限制性示例,本發(fā)明提供涂覆渦輪機(jī)葉片的整個(gè)翼型部分的能力,包括翼型部分的后緣(冷卻孔設(shè)置在后緣中),同時(shí)并不明顯地減低冷卻孔的有效性,使得后緣和葉片作為整體能夠承受更高的操作溫度。
[0015]將從以下的詳細(xì)說明中更好地理解本發(fā)明的其他方面和優(yōu)勢。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1描繪了具有通過傳統(tǒng)的現(xiàn)有技術(shù)的方法沉積以涂覆除翼型部分的后緣之外的全部翼型的TBC的HPT葉片,以及作為對(duì)比,圖2描繪了具有涂覆葉片的整個(gè)翼型部分但沿其后緣的冷卻孔沒有涂覆的TBC的HPT葉片。
[0017]圖3描繪了根據(jù)本發(fā)明的一方面的涂覆鄰近冷卻孔的、HPT葉片的表面的TBC的橫截面視圖。
[0018]圖4描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的涂覆鄰近相鄰的冷卻孔之間的地帶的、HPT葉片的表面的TBC的橫截面視圖。
[0019]圖5表示能夠通過本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的翼型部分的表面上方的熱負(fù)荷的減小。
[0020]圖6和圖7描繪了 HPT葉片的后緣區(qū)域的橫截面,并且示出未涂覆冷卻孔(圖6)而涂覆相鄰的冷卻孔之間的地帶(圖7)的TBC。
[0021]圖8描繪了位于HPT葉片的后緣區(qū)域處的兩個(gè)冷卻孔,并且示出在鄰近每個(gè)冷卻孔的兩個(gè)位置中成錐形的TBC。
[0022]圖9描繪了 HPT葉片的后緣區(qū)域的橫截面,并且示出未涂覆冷卻孔而涂覆鄰近冷卻孔的地帶的TBC,其中TBC沿著地帶的側(cè)部成錐形。

【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明涉及一種方法,通過該方法陶瓷涂層能夠沉積在部件的表面上,但隨后從表面中的孔中去除。在具體示例中,HPT葉片10在圖1中表示為包括限定葉片10的翼型部分的后緣20的后緣區(qū)域18。如圖2中所表示的,陶瓷涂層(TBC) 14能夠沉積在葉片10的后緣區(qū)域18上,包括位于后緣區(qū)域18內(nèi)和冷卻孔(槽)24之間的地帶22,但從孔24中去除以免負(fù)面地影響其性能。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例,TBC14能夠沉積在葉片10的整個(gè)翼型上,包括后緣20和后緣區(qū)域18。此后,燒蝕激光束被用于從后緣區(qū)域18的孔24中選擇性地去除(刻蝕)TBC14。燒蝕激光束優(yōu)選地通過激光發(fā)生器(未示出)產(chǎn)生,激光發(fā)生器的操作參數(shù)被控制并且激光發(fā)生器利用能夠?qū)⒓す馐x擇性地投射在后緣區(qū)域18的表面上的光柵模式,旨在從后緣區(qū)域18的表面部分地或完全地去除TBC14。用于實(shí)現(xiàn)該過程的適當(dāng)?shù)姆绞綄?duì)于圖形識(shí)別與控制程序方法的技術(shù)人員來說是已知的,因此在此將不進(jìn)行詳細(xì)論述。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的方面,可以選擇性地去除TBC14,以使對(duì)TBC14沉積其上的任何粘結(jié)涂層16破壞最小或不對(duì)其造成破壞。據(jù)認(rèn)為所期望的是保持粘結(jié)涂層16以向限定冷卻孔24的金屬表面提供氧化保護(hù)。
[0025]通過對(duì)比圖1和圖2可以領(lǐng)會(huì)本發(fā)明的有益效果,圖1和圖2示出兩個(gè)實(shí)質(zhì)上相同的HPT葉片10。圖1描繪了根據(jù)傳統(tǒng)實(shí)施涂覆葉片10的結(jié)果,其中,對(duì)應(yīng)于葉片10的后緣區(qū)域18的黑色表面區(qū)域沒有通過TBC14涂覆(如葉片10的更淡的表面區(qū)域所看到的)。這樣,后緣區(qū)域18未被TBC14熱保護(hù)。相比之下,圖2中描繪的葉片10的翼型部分的整體,包括后緣區(qū)域18和孔24之間的地帶22,均由TBC14保護(hù),唯一的例外是后緣區(qū)域18內(nèi)的孔24。這顯著地降低了葉片10的翼型表面上的熱負(fù)荷。
[0026]圖5示出由于該方法的熱負(fù)荷的降低??缭饺~片10的表面的陰影變化,表示相對(duì)于葉片10的兩個(gè)相對(duì)地布置的表面區(qū)域26的溫度下降,兩個(gè)相對(duì)地布置的表面區(qū)域26中的每一個(gè)均從葉片10的前緣向下游延伸。位于表面區(qū)域26的下游的兩個(gè)相對(duì)地布置的表面區(qū)域28被表示為具有比區(qū)域26低大約0°C至20°C的溫度,定位在表面區(qū)域28的下游的兩個(gè)相對(duì)地布置的表面區(qū)域30被表示為具有比區(qū)域26低超過20°C的溫度。如能夠看到的,熱減少跨越翼型的整個(gè)表面蔓延,包括后緣區(qū)域18、后緣20以及由最冷的表面區(qū)域30包圍的地帶22。這些結(jié)果涉及葉片10的改善的耐久性能以及全部翼型冷卻流量的8%的潛在節(jié)約。
[0027]在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例中,由磨蝕激光器執(zhí)行的刻蝕可被用于使TBC14圍繞冷卻孔24形成錐形,例如,以減少渦輪機(jī)葉片10周圍的熱氣體與來自冷卻孔24的冷卻空氣的混合。據(jù)認(rèn)為表面之間的TBC14的厚度的相對(duì)急劇的變化趨于產(chǎn)生湍流和氣體的混合。因此,優(yōu)選的是,TBC14的厚度隨著TBC14接近冷卻孔24而逐漸地減小。另外,TBC14可以在后緣20附近成錐形,使得TBC14的厚度隨著TBC14接近后緣20而逐漸地減小。據(jù)認(rèn)為使葉片10的后緣的厚度最小化提高了葉片10的翼型部分的空氣動(dòng)力性能。圖3和圖4分別表示靠近冷卻孔24的上游壁54和地帶22的示例性錐形區(qū)域12。如圖所示,TBC14可以形成錐形,以隨著接近冷卻孔24的上游壁和后緣20而厚度逐漸減小。
[0028]圖8描述了通過當(dāng)前方法執(zhí)行的形成錐形的結(jié)果。包圍孔24的錐形區(qū)域12由更黑的對(duì)比區(qū)域限定。錐形區(qū)域12示出為沿著孔24的邊緣以及孔24和后緣20的上游。
[0029]圖6和圖7是示出葉片10的后緣區(qū)域18的橫截面視圖的掃描圖像。圖6示出具有冷卻孔24的部分,圖7示出具有地帶22的部分。參照圖6,葉片10上的TBC14具有優(yōu)選地是完全近點(diǎn)32 ( S卩,與葉片10的不形成錐形的涂層部分具有大約相同的厚度)、薄的近點(diǎn)34以及完全去除的近點(diǎn)36、38、40和42的厚度。參照圖7,葉片10上的TBC14具有優(yōu)選地是完全近點(diǎn)44、46和48、薄的近點(diǎn)50以及完全近點(diǎn)52的厚度。優(yōu)選地,TBC14在這些點(diǎn)上形成錐形或者完全去除,同時(shí)不會(huì)引起對(duì)TBC14以下的任何層比如粘結(jié)涂層16的顯著的破壞。當(dāng)前試驗(yàn)已經(jīng)表明用這樣的方式去除TBC14以及形成錐形不破壞相鄰TBC14的微觀結(jié)構(gòu)。
[0030]圖9是示出已經(jīng)通過上述方法刻蝕的冷卻孔24和鄰近地帶22的橫截面視圖的掃描圖像。如圖所示,已經(jīng)從孔24中去除TBC14,并且TBC14沿著相鄰地帶22 (相鄰地帶22限定孔24的壁)的壁側(cè)部形成錐形,使得TBC14的厚度從地帶22的側(cè)部朝向孔24的下部部分減小。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的方面,沉積在TBC14與葉片10的表面之間的粘結(jié)涂層16被描述為在完成刻蝕過程之后保持未動(dòng)。如如所述,將粘結(jié)涂層16保持在孔24內(nèi)將可能對(duì)孔24提供氧化保護(hù)。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的另一方面,葉片10可被制造成由于如上所述的方法而具有有利的特性。例如,將TBC14沉積在整個(gè)翼型(包括后緣區(qū)域18)上的能力是有利的特征。由于該特征,對(duì)于葉片10的冷卻流量需求可以顯著地降低。當(dāng)前測試表示了第1級(jí)葉片,其具有全部翼型冷卻流量的8%的節(jié)約潛力。
[0032]雖然已根據(jù)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明,但是很明顯,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用其他形式。例如,葉片10、冷卻孔24和地帶22的實(shí)際結(jié)構(gòu)可能不同于所示出的,葉片10的表面上的涂層的類型可能與所提到的不同。因此,本發(fā)明的范圍僅由以下權(quán)利要求限制。
【權(quán)利要求】
1.一種方法,包括: 在翼型部件上沉積粘結(jié)涂層,包括在所述翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、在位于所述后緣區(qū)域內(nèi)并且與所述后緣間隔開的孔內(nèi)以及在位于所述后緣區(qū)域內(nèi)并且位于所述孔之間的地帶上沉積粘結(jié)涂層; 在粘結(jié)涂層上沉積陶瓷涂層,包括在所述翼型部件的所述后緣區(qū)域上、在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)的所述孔內(nèi)以及在所述孔之間的地帶上沉積陶瓷涂層;以及然后 在不完全去除所述后緣區(qū)域和所述孔之間的所述地帶上的陶瓷涂層的情況下,選擇性地去除所述孔內(nèi)的所述陶瓷涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述選擇性地去除的步驟利用燒蝕激光器執(zhí)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從所述后緣區(qū)域選擇性地去除所述陶瓷涂層以使所述陶瓷涂層成錐形,使得所述孔中的每一個(gè)的上游的陶瓷涂層的厚度沿朝向所述孔中的每一個(gè)的下游方向減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從所述孔之間的所述地帶選擇性地去除所述陶瓷涂層以使所述陶瓷涂層成錐形,使得所述地帶上的所述陶瓷涂層的厚度沿朝向所述后緣的下游方向減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述孔是所述部件的冷卻孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述孔中的至少一個(gè)具有橫截面沿朝向所述后緣的下游方向增大的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述部件是高壓渦輪機(jī)葉片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在不完全從所述孔、所述后緣區(qū)域以及所述孔之間的所述地帶去除所述粘結(jié)涂層的情況下,選擇性地去除所述陶瓷涂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在不破壞所述孔中、所述后緣區(qū)域上以及所述孔之間的所述地帶上的粘結(jié)涂層的情況下,選擇性地去除所述陶瓷涂層。
10.通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的翼型部件。
11.一種翼型部件,包括: 限定所述翼型部件的后緣的后緣區(qū)域; 定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且與所述后緣間隔開的孔; 定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且位于所述孔之間的地帶;以及 陶瓷涂層,所述陶瓷涂層位于所述翼型部件的所述后緣區(qū)域上以及位于所述孔之間的所述地帶上,但不位于所述孔內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述后緣區(qū)域上的所述陶瓷涂層形成錐形,使得所述孔中的每一個(gè)的上游的陶瓷涂層的厚度沿朝向所述孔中的每一個(gè)的下游方向減小。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述孔之間的所述地帶上的所述陶瓷涂層形成錐形,以使所述地帶上的所述陶瓷涂層的厚度沿朝向所述后緣的下游方向減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述孔之間的地帶的側(cè)部上的陶瓷涂層形成錐形,使得所述地帶的側(cè)部上的所述陶瓷涂層的厚度沿朝向所述孔的下部部分的方向減小。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述孔是所述翼型部件的冷卻孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述孔中的至少一個(gè)具有橫截面沿著朝向所述后緣的下游方向增大的形狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,其特征在于,所述部件是高壓渦輪機(jī)葉片。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件,還包括所述孔內(nèi)的所述翼型部件的表面上的以及在所述翼型部件的所述后緣區(qū)域上的所述陶瓷涂層之下的粘結(jié)涂層。
19.一種用于在根據(jù)權(quán)利要求11所述的翼型部件上形成陶瓷涂層的方法,所述方法包括: 在所述翼型部件上沉積粘結(jié)涂層,包括在所述翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且與所述后緣間隔開的孔內(nèi)以及在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且位于所述孔之間的地帶上沉積粘結(jié)涂層; 在所述粘結(jié)涂層上沉積陶瓷涂層,包括在所述翼型部件的所述后緣區(qū)域上、在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)的孔內(nèi)以及在所述孔之間的所述地帶上沉積陶瓷涂層;以及然后 在不完全去除所述后緣區(qū)域和所述孔之間的所述地帶上的所述陶瓷涂層的情況下,利用燒蝕激光器選擇性地去除所述孔內(nèi)的所述陶瓷涂層。
20.—種方法,包括: 獲得翼型部件,所述翼型部件包括:所述翼型部件上的粘結(jié)涂層,包括在所述翼型部件的限定其后緣的后緣區(qū)域上、在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且與所述后緣間隔開的孔內(nèi)以及在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)并且位于所述孔之間的地帶上的粘結(jié)涂層;以及在所述粘結(jié)涂層上的陶瓷涂層,包括在所述翼型部件的所述后緣區(qū)域上、在定位在所述后緣區(qū)域內(nèi)的所述孔內(nèi)以及在所述孔之間的所述地帶上的陶瓷涂層;以及然后 在不完全去除所述后緣區(qū)域和所述孔之間的所述地帶上的所述陶瓷涂層的情況下,選擇性地去除所述孔內(nèi)的所述陶瓷涂層。
【文檔編號(hào)】C23C4/18GK104411858SQ201380035109
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月30日
【發(fā)明者】T.E.曼特科夫斯基, J.M.克羅, S.M.皮爾森, S.M.莫爾特 申請人:通用電氣公司
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