氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種氣體反應(yīng)連續(xù)腔以及使用該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的氣體反應(yīng)方法，該氣體反應(yīng)連續(xù)腔包含有依序排列的一預(yù)熱腔室、一反應(yīng)腔室及一冷卻腔室，各個(gè)該腔室位于二隔離裝置之間，該數(shù)個(gè)隔離裝置使該數(shù)個(gè)腔室能呈氣密狀態(tài)，一輸送裝置位于該數(shù)個(gè)腔室及隔離裝置內(nèi)，用以帶動(dòng)一受反應(yīng)物移動(dòng)進(jìn)而通過(guò)該數(shù)個(gè)腔室，該數(shù)個(gè)腔室分別設(shè)置用以朝向受反應(yīng)物的頂面作用而調(diào)整其溫度的上加熱器，反應(yīng)腔室及冷卻腔室分別具有一反應(yīng)氣體輸入口；藉此，本發(fā)明可使受反應(yīng)物進(jìn)行氣體反應(yīng)且具有良好之效率。
【專利說(shuō)明】氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是與用以進(jìn)行氣體反應(yīng)(例如硒化反應(yīng))的裝置有關(guān)，特別是關(guān)于一種氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制程中，時(shí)常包含有進(jìn)行氣體反應(yīng)的步驟，例如CIGS (Copper IndiumGal I ium Se I eni de )太陽(yáng)能電池中的銅銦鎵硒玻璃板，其玻璃基板濺鍍銅、銦、鎵、硒等材料后，需加熱至能使硒產(chǎn)生氣體反應(yīng)(亦即硒化反應(yīng))的溫度，以于玻璃基板上合成出CIGS半導(dǎo)體薄膜。
[0003]現(xiàn)有的進(jìn)行氣體反應(yīng)的方式，是將已鍍有反應(yīng)材料的基板設(shè)置于一呈真空狀態(tài)或設(shè)有特定氣體(例如氮?dú)?的封閉腔室內(nèi)，且該腔室內(nèi)設(shè)有加熱器(例如紅外線加熱器)，然后，先將基板溫度從室溫升高到氣體反應(yīng)所需的溫度(例如硒化反應(yīng)需達(dá)攝氏500?550度)，且升溫速度不可過(guò)快以免基板破裂，氣體反應(yīng)完成之后，需先將基板逐漸降溫到攝氏200度以下，才能將基板自該腔室取出，以避免基板因與室溫的溫差過(guò)大而破裂。
[0004]然而，前述過(guò)程相當(dāng)費(fèi)時(shí)，而且，該腔室內(nèi)必須依序完成加熱、反應(yīng)及冷卻的步驟后，才能再對(duì)另一基板重復(fù)進(jìn)行同樣的過(guò)程，因此其效率不佳而仍有待改進(jìn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]有鑒于上述缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種氣體反應(yīng)連續(xù)腔，以及一種使用該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的氣體反應(yīng)方法，可對(duì)受反應(yīng)物進(jìn)行加熱、氣體反應(yīng)及冷卻的步驟，且具有良好的效率。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔包含有至少三腔室、至少四隔離裝置以及一位于該數(shù)個(gè)腔室及該數(shù)個(gè)隔離裝置內(nèi)的輸送裝置，各個(gè)該腔室位于二該隔離裝置之間，藉以使該數(shù)個(gè)腔室能呈氣密狀態(tài)。該輸送裝置具有一前端、一后端以及能供該隔離裝置穿過(guò)的至少四空隙，該輸送裝置用以設(shè)置一受反應(yīng)物，并帶動(dòng)該受反應(yīng)物朝向該前端移動(dòng)進(jìn)而通過(guò)該數(shù)個(gè)腔室。其中，該數(shù)個(gè)腔室包含有依序排列的一預(yù)熱腔室、一反應(yīng)腔室及一冷卻腔室，該預(yù)熱腔室、該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室分別設(shè)置一位于該輸送裝置上方的上加熱器，用以朝向該受反應(yīng)物的一頂面作用而調(diào)整該受反應(yīng)物的溫度，該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室分別具有一反應(yīng)氣體輸入口。
[0007]本發(fā)明所提供的使用如前述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔的氣體反應(yīng)方法包含有下列步驟:a)將一受反應(yīng)物設(shè)置于該輸送裝置，該受反應(yīng)物的頂面具有反應(yīng)材料；b)在該預(yù)熱腔室內(nèi)將該受反應(yīng)物加熱至第一溫度；c)使該受反應(yīng)物進(jìn)入該反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體；d)將該受反應(yīng)物加熱至一能使該反應(yīng)材料產(chǎn)生氣體反應(yīng)的第二溫度；e)使該受反應(yīng)物進(jìn)入該冷卻腔室，該冷卻腔室內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體；以及f)將該受反應(yīng)物冷卻至第三溫度。
[0008]藉此，該受反應(yīng)物依序在預(yù)熱腔室、反應(yīng)腔室及冷卻腔室分別進(jìn)行加熱、氣體反應(yīng)及冷卻的步驟，而且，完成氣體反應(yīng)的受反應(yīng)物通過(guò)反應(yīng)腔室及冷卻腔室的過(guò)程中，該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體可避免受反應(yīng)物上仍為氣態(tài)的反應(yīng)材料過(guò)度散逸。如此一來(lái)，該氣體反應(yīng)連續(xù)腔及該氣體反應(yīng)方法不但可使受反應(yīng)物的氣體反應(yīng)效果良好；而且，預(yù)熱腔室、反應(yīng)腔室及冷卻腔室內(nèi)的加熱器可分別維持在符合其功能的溫度，因而可較快速地將受反應(yīng)物調(diào)節(jié)至各階段所需的溫度；再者，預(yù)熱腔室、反應(yīng)腔室及冷卻腔室可同時(shí)分別供不同的受反應(yīng)物進(jìn)行不同的步驟，意即，不需等到一受反應(yīng)物完成所有步驟才讓另一受反應(yīng)物開始進(jìn)行該數(shù)個(gè)步驟，因此，本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法具有較現(xiàn)有者更高的效率。
[0009]有關(guān)本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法的詳細(xì)構(gòu)造、特點(diǎn)、組裝或使用方式，將于后續(xù)的實(shí)施方式詳細(xì)說(shuō)明中予以描述。然而，在本發(fā)明領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)能了解，該數(shù)個(gè)詳細(xì)說(shuō)明以及實(shí)施本發(fā)明所列舉的特定實(shí)施例，僅系用于說(shuō)明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的專利申請(qǐng)范圍。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔的示意圖，顯示一受反應(yīng)物位于該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的一預(yù)熱腔室，且該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的一遮蓋裝置的蓋體位于一頂高位置；
[0011]圖2為圖1的局部放大圖，顯示該遮蓋裝置的蓋體位于一遮蓋位置，且該受反應(yīng)物是受:該蓋體遮蓋；
[0012]圖3至圖6類同于圖1，分別顯示使用該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的氣體反應(yīng)方法的不同步驟；以及圖7為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]請(qǐng)先參閱圖1，本發(fā)明第一較佳實(shí)施例所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔10包含有一輸送裝置12，以及依序連接的一第一隔離裝置14、一預(yù)熱腔室16、一第二隔離裝置18、一反應(yīng)腔室20、一第三隔離裝置22、一冷卻腔室24及一第四隔離裝置26，且該輸送裝置12位于該數(shù)個(gè)腔室16、20、24及該數(shù)個(gè)隔離裝置14、18、22、26內(nèi)。
[0014]該輸送裝置12具有一前端122及一后端124，該輸送裝置12用以設(shè)置一受反應(yīng)物28，且主要用以帶動(dòng)該受反應(yīng)物28朝向該前端122移動(dòng)進(jìn)而通過(guò)該數(shù)個(gè)腔室16、20、24 ;然而，該輸送裝置12亦可(但不限于)具有能帶動(dòng)該受反應(yīng)物28朝向該后端122移動(dòng)的功能。
[0015]在本實(shí)施例中，該輸送裝置12包含有多數(shù)平行排列的圓柱126，該數(shù)個(gè)圓柱126的材質(zhì)可為(但不限于)能耐高溫的石英陶瓷，每?jī)上噜張A柱126之間具有一空隙128，該數(shù)個(gè)圓柱126朝順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)時(shí)能帶動(dòng)該受反應(yīng)物28朝向該前端122移動(dòng)，該數(shù)個(gè)圓柱126朝逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)時(shí)能帶動(dòng)該受反應(yīng)物28朝向該后端124移動(dòng)。
[0016]該第一隔離裝置14、該第二隔離裝置18、該第三隔離裝置22及該第四隔離裝置26分別包含有一氣密閥門30及一風(fēng)刀單元32，各個(gè)該氣密閥門30關(guān)閉時(shí)穿過(guò)該輸送裝置12的空隙128，各個(gè)該腔室16、18、24在其二側(cè)的氣密閥門30皆關(guān)閉時(shí)呈氣密狀態(tài)，各個(gè)該氣密閥門30開啟時(shí)可供受反應(yīng)物28通過(guò)，該數(shù)個(gè)風(fēng)刀單元32用以使該數(shù)個(gè)腔室16、20、24即使在氣密閥門30開啟時(shí)仍不相互連通且亦不與外部環(huán)境連通，以避免影響各個(gè)該腔室16、20,24內(nèi)的溫度及氣體濃度。該氣密閥門30及該風(fēng)刀單元32皆具有能使腔室16、18、24呈氣密狀態(tài)的功能，因此各個(gè)該隔離裝置14、18、22、26只要包含有該氣密閥門30及該風(fēng)刀單元32 二者至少其中之一即可。
[0017]該預(yù)熱腔室16、該反應(yīng)腔室20及該冷卻腔室24原先呈真空狀態(tài)，或者亦可充以氮?dú)?。此外，該反?yīng)腔室20及該冷卻腔室24分別具有一反應(yīng)氣體輸入口 202、242，用以供一反應(yīng)氣體源(圖中未示)利用飽和蒸氣壓而將反應(yīng)氣體(例如，欲進(jìn)行硒化反應(yīng)時(shí)，該反應(yīng)氣體即為硒蒸氣)輸入至反應(yīng)腔室20及冷卻腔室24。值得一提的是，在各個(gè)該腔室16、20、24原先已充設(shè)氮?dú)獾那闆r下，反應(yīng)氣體需先與氮?dú)饣旌?，以利用氮?dú)庾鳛閿y帶氣體(carriergas)而一同與反應(yīng)氣體自各該反應(yīng)氣體輸入口 202、242輸入至反應(yīng)腔室20及冷卻腔室24。
[0018]該預(yù)熱腔室16、該反應(yīng)腔室20及該冷卻腔室24分別設(shè)置數(shù)個(gè)位于輸送裝置12上方的上加熱器34，以及數(shù)個(gè)位于輸送裝置12下方的下加熱器36。該數(shù)個(gè)上加熱器34可為(但不限于)紅外線加熱器，用以朝向受反應(yīng)物28的頂面282作用而調(diào)整受反應(yīng)物28的溫度。該數(shù)個(gè)下加熱器36可為(但不限于)紅外線加熱器，用以透過(guò)輸送裝置12的空隙128而朝向受反應(yīng)物28的底面284作用而調(diào)整受反應(yīng)物28的溫度。
[0019]值得一提的是，各個(gè)該腔室16、20、24內(nèi)的上、下加熱器34、36的數(shù)量并無(wú)限制而可依需求設(shè)置，而且，各個(gè)該腔室16、20、24內(nèi)亦可不設(shè)置下加熱器36，該輸送裝置12亦不限為如本實(shí)施例所提供的由很多圓柱126構(gòu)成而形成有很多空隙128的形式，只要具有至少四空隙以供隔離裝置14、18、22、26穿過(guò)即可。惟，設(shè)有下加熱器36的實(shí)施態(tài)樣可使受反應(yīng)物28的溫度更快速地被調(diào)節(jié)至各階段需求的溫度。
[0020]該反應(yīng)腔室20更設(shè)置一遮蓋裝置38,該遮蓋裝置38包含有一頂高單元40及一蓋體42，該頂高單元40包含有一驅(qū)動(dòng)器44、一受該驅(qū)動(dòng)器44驅(qū)動(dòng)而上下移動(dòng)的移動(dòng)平臺(tái)46，以及固設(shè)于該移動(dòng)平臺(tái)46上的之四支撐桿48，該蓋體42可分離地設(shè)置于該數(shù)個(gè)支撐桿48上。藉此,該蓋體42能受該頂高單元40帶動(dòng)而于一頂高位置Pl (如圖1所示)與一遮蓋位置P2 (如圖2所示)之間移動(dòng)，該蓋體42位于頂高位置Pl時(shí)系與輸送裝置12相隔可供受反應(yīng)物28通過(guò)的距離,該蓋體42位于遮蓋位置P2時(shí)蓋設(shè)于受反應(yīng)物28的頂面282，且該蓋體42與受反應(yīng)物28之頂面282之間形成一反應(yīng)空間50。
[0021]使用如前述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔10的氣體反應(yīng)方法包含有下列步驟:
[0022]a)將受反應(yīng)物28設(shè)置于輸送裝置12，該受反應(yīng)物28之頂面282具有反應(yīng)材料。
[0023]舉例而言，該受反應(yīng)物28可為鍍有銅、銦、鎵、硒等材料的玻璃基板，其中硒位于最上層而顯露于頂面282且即為該反應(yīng)材料，下述的步驟可使原本的固態(tài)硒產(chǎn)生氣體反應(yīng)(亦即硒化反應(yīng))，進(jìn)而在玻璃基板上合成出CIGS半導(dǎo)體薄膜。
[0024]b)在該預(yù)熱腔室16內(nèi)將受反應(yīng)物28加熱至一第一溫度。
[0025]延續(xù)前述例子，欲進(jìn)行硒化反應(yīng)之受反應(yīng)物28可在此步驟中加熱至大約攝氏210度，亦即接近硒的熔點(diǎn)。值得一提的是，為了避免受反應(yīng)物28因升溫速度過(guò)快而造成其玻璃基板破裂，該輸送裝置12可在步驟a)與步驟b)之間先反復(fù)前后移動(dòng)，以帶動(dòng)受反應(yīng)物28反復(fù)通過(guò)第一隔離裝置14進(jìn)而反復(fù)進(jìn)出預(yù)熱腔室16，藉以使受反應(yīng)物28在一開始先緩慢升溫。
[0026]c)如圖3所示，使受反應(yīng)物28進(jìn)入反應(yīng)腔室20，該反應(yīng)腔室20內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體。延續(xù)前述例子，該反應(yīng)氣體即為硒蒸氣。
[0027]在本實(shí)施例中，此時(shí)可如圖2所示地將該遮蓋裝置38的蓋體42蓋設(shè)于受反應(yīng)物28的頂面282。請(qǐng)參閱圖4,該頂高單元40在將蓋體42帶動(dòng)至如圖2所示的遮蓋位置P2之后，該移動(dòng)平臺(tái)46可再向下移動(dòng)一段距離，以帶動(dòng)該數(shù)個(gè)支撐桿48向下移動(dòng)并與蓋體42分離，然后，該受反應(yīng)物28再連同蓋體42 —起移動(dòng)至反應(yīng)腔室20內(nèi)的上、下加熱器34、36之間(如圖5所示)，以進(jìn)行下述e)的加熱步驟。然而，該遮蓋裝置38并不限為蓋體42能隨受反應(yīng)物28 —起移動(dòng)的設(shè)計(jì)；例如，該遮蓋裝置38可設(shè)置于一上加熱器34下方，則受反應(yīng)物28被蓋體42遮蓋后不需移動(dòng)即可進(jìn)行加熱。
[0028]值得一提的是，由于上加熱器34系透過(guò)蓋體42而對(duì)受反應(yīng)物28的頂面282進(jìn)行加熱，因此，該蓋體42較佳材質(zhì)為石英玻璃，藉由其可透光的特性，上加熱器34的輻射熱可直接對(duì)受反應(yīng)物28的頂面282作用；然而，該蓋體42亦可為不透光但導(dǎo)熱性佳的材質(zhì)，例如石墨，使得上加熱器34的輻射熱透過(guò)蓋體42傳導(dǎo)而間接對(duì)受反應(yīng)物28加熱。
[0029]d)將受反應(yīng)物28加熱至一能使該反應(yīng)材料產(chǎn)生氣體反應(yīng)的第二溫度。延續(xù)前述例子，該第二溫度大約為攝氏500?550度，以使受反應(yīng)物上的固態(tài)硒產(chǎn)生硒化反應(yīng)。
[0030]在此步驟中，由于該蓋體42蓋設(shè)于受反應(yīng)物28的頂面282，因此受反應(yīng)物28上的反應(yīng)材料加熱后產(chǎn)生的蒸氣會(huì)被限制于該反應(yīng)空間50，使得該反應(yīng)空間50很快達(dá)到飽和蒸氣壓，因此該反應(yīng)材料會(huì)很快地產(chǎn)生氣體反應(yīng)。
[0031]在本實(shí)施例中，在進(jìn)行下述的步驟e)之前需先使該遮蓋裝置38的蓋體42離開受反應(yīng)物28的頂面282，此步驟可先使受反應(yīng)物28連同蓋體42 —起移動(dòng)至如圖4所示的位置，再利用該頂高裝置40將該蓋體42帶動(dòng)至該頂高位置Pl (如圖3所示)。
[0032]e)如圖6所示，使受反應(yīng)物28進(jìn)入冷卻腔室24，該冷卻腔室24內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體。延續(xù)前述例子，該反應(yīng)氣體即為硒蒸氣。
[0033]值得一提的是，該受反應(yīng)物28上的反應(yīng)材料在產(chǎn)生氣體反應(yīng)之后仍為氣態(tài)，因此，該受反應(yīng)物28在不受蓋體42遮蓋之下從圖3所示的位置移動(dòng)至冷卻腔室24的過(guò)程中，需藉由反應(yīng)腔室20內(nèi)的反應(yīng)氣體而防止受反應(yīng)物28上的氣態(tài)反應(yīng)材料散逸；同樣地，該受反應(yīng)物28位于冷卻腔室24內(nèi)且溫度仍高的情況下，亦需藉由反應(yīng)腔室24內(nèi)的反應(yīng)氣體而防止受反應(yīng)物28上的氣態(tài)反應(yīng)材料散逸。
[0034]本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔亦可不包含有該遮蓋裝置38，則該氣體反應(yīng)方法即無(wú)如前述的關(guān)于遮蓋裝置的步驟。然而，該遮蓋裝置38能使該受反應(yīng)物28產(chǎn)生氣體反應(yīng)的效率高且效果良好，并能減少反應(yīng)材料及反應(yīng)氣體的使用量。
[0035]f)將受反應(yīng)物28冷卻至一第三溫度。延續(xù)前述例子，該第二溫度為攝氏200度以下，藉此，受反應(yīng)物28離開冷卻腔室24而進(jìn)入外部環(huán)境時(shí)，受反應(yīng)物28的玻璃基板可避免因與室溫的溫差過(guò)大而破裂。
[0036]藉由前述內(nèi)容可得知，該受反應(yīng)物28依序在預(yù)熱腔室16、反應(yīng)腔室20及冷卻腔室24分別進(jìn)行加熱、氣體反應(yīng)及冷卻的步驟，因此，該預(yù)熱腔室16、該反應(yīng)腔室20及該冷卻腔室24內(nèi)的上、下加熱器34、36可分別維持在符合其功能的溫度，而不需如習(xí)用者配合不同步驟而大幅改變其溫度；藉此，本發(fā)明可較快速地將受反應(yīng)物28調(diào)節(jié)至各階段所需的溫度。而且，該預(yù)熱腔室16、該反應(yīng)腔室20及該冷卻腔室24可同時(shí)分別供不同的受反應(yīng)物28進(jìn)行不同的步驟，意即，不需等到一受反應(yīng)物完成所有步驟才讓另一受反應(yīng)物開始進(jìn)行該數(shù)個(gè)步驟，因此，本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔及氣體反應(yīng)方法具有較習(xí)用者更高的效率。
[0037]值得一提的是，本發(fā)明所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔并不限于僅有前述的三腔室16、20、24，而能具有三個(gè)以上的腔室，且各個(gè)該腔室位于二隔離裝置之間(亦即有四個(gè)以上的隔離裝置)而能達(dá)到氣密狀態(tài)，例如下述本發(fā)明第二較佳實(shí)施例所提供者。
[0038]請(qǐng)參閱圖7，本發(fā)明第二較佳實(shí)施例所提供的氣體反應(yīng)連續(xù)腔60中，該反應(yīng)腔室20及該冷卻腔室24之間更有另一反應(yīng)腔室62，該反應(yīng)腔室62的功用類同于該反應(yīng)腔室20，惟該反應(yīng)腔室62的反應(yīng)氣體輸入口 622用以供與該反應(yīng)腔室20內(nèi)不同的反應(yīng)氣體進(jìn)入該反應(yīng)腔室62，使得同一受反應(yīng)物28在該反應(yīng)腔室20內(nèi)完成一種氣體反應(yīng)之后能再接續(xù)著在該反應(yīng)腔室62內(nèi)進(jìn)行另一種氣體反應(yīng)。
[0039]此外，該數(shù)個(gè)反應(yīng)腔室20、62及該冷卻腔室24之間可更有另一冷卻腔室64，該冷卻腔室64的功用類同于該冷卻腔室24，惟該冷卻腔室64用以使完成氣體反應(yīng)而溫度相當(dāng)高的受反應(yīng)物28先初步降溫后，再到該冷卻腔室24內(nèi)進(jìn)一步降溫；延續(xù)前述該第一較佳實(shí)施例中所舉的例子，該受反應(yīng)物28能在該冷卻腔室64內(nèi)先由大約攝氏500?550度降溫至大約攝氏400?450度，再進(jìn)入該冷卻腔室24而降溫至攝氏200度以下；如此一來(lái)，各個(gè)該冷卻腔室64、24內(nèi)的加熱器溫度變化幅度會(huì)較小，因此可提高降溫效率。不論氣體反應(yīng)連續(xù)腔僅具有單一反應(yīng)腔室，或者具有數(shù)個(gè)反應(yīng)腔室，都可利用數(shù)個(gè)冷卻腔室而達(dá)到多階段式降溫，以提高降溫效率。
[0040]最后，必須再次說(shuō)明，本發(fā)明于前揭實(shí)施例中所揭露的構(gòu)成元件，僅為舉例說(shuō)明，并非用來(lái)限制本案的范圍，其它等效元件的替代或變化，亦應(yīng)為本案申請(qǐng)專利范圍所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，包含有: 至少三腔室及至少四隔離裝置，各個(gè)該腔室位于二該隔離裝置之間，藉以使該數(shù)個(gè)腔室能呈氣密狀態(tài)；以及 一輸送裝置，位于該數(shù)個(gè)腔室及該數(shù)個(gè)隔離裝置內(nèi)，該輸送裝置具有一前端、一后端以及能供該隔離裝置穿過(guò)的至少四空隙，該輸送裝置用以設(shè)置一受反應(yīng)物，并帶動(dòng)該受反應(yīng)物朝向該前端移動(dòng)進(jìn)而通過(guò)該數(shù)個(gè)腔室； 其中，該數(shù)個(gè)腔室包含有依序排列的一預(yù)熱腔室、一反應(yīng)腔室及一冷卻腔室，該預(yù)熱腔室、該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室分別設(shè)置一位于該輸送裝置上方的上加熱器，用以朝向該受反應(yīng)物的一頂面作用而調(diào)整該受反應(yīng)物的溫度，該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室分別具有一反應(yīng)氣體輸入口。
2.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該反應(yīng)腔室更設(shè)置一遮蓋裝置，該遮蓋裝置包含有一頂高單元以及一設(shè)于該頂高單元的蓋體，該蓋體能受該頂高單元帶動(dòng)而于一頂高位置與一遮蓋位置之間移動(dòng)，該蓋體位于該頂高位置時(shí)與該輸送裝置相隔可供該受反應(yīng)物通過(guò)的距離，該蓋體位于該遮蓋位置時(shí)蓋設(shè)于該受反應(yīng)物的頂面，且該蓋體與該受反應(yīng)物的頂面之間形成一反應(yīng)空間。
3.根據(jù)專利權(quán)利要求2所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該遮蓋裝置的蓋體的材質(zhì)為石英玻璃。
4.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，各個(gè)該隔離裝置包含有一氣密閥門及一風(fēng)刀單元二者至少其中之一。
5.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該輸送裝置包含有數(shù)個(gè)平行排列且能旋轉(zhuǎn)的圓柱。
6.根據(jù)專利權(quán)利要求5所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該數(shù)個(gè)圓柱的材質(zhì)為石英陶瓷。
7.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該預(yù)熱腔室、該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室更分別設(shè)置一位于該輸送裝置下方的下加熱器，各個(gè)該下加熱器透過(guò)該輸送裝置的空隙而朝向該受反應(yīng)物的一底面作用而調(diào)整該受反應(yīng)物的溫度。
8.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該輸送裝置亦能帶動(dòng)該受反應(yīng)物朝向該后端移動(dòng)。
9.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室之間更有另一反應(yīng)腔室。
10.根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔，其特征在于，該反應(yīng)腔室及該冷卻腔室之間更有另一冷卻腔室。
11.一種使用根據(jù)專利權(quán)利要求1所述的氣體反應(yīng)連續(xù)腔的氣體反應(yīng)方法，其特征在于，包含有下列步驟: a)將一受反應(yīng)物設(shè)置于該輸送裝置，該受反應(yīng)物的頂面具有反應(yīng)材料； b)在該預(yù)熱腔室內(nèi)將該受反應(yīng)物加熱至第一溫度； c)使該受反應(yīng)物進(jìn)入該反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體； d)將該受反應(yīng)物加熱至一能使該反應(yīng)材料產(chǎn)生氣體反應(yīng)的第二溫度； e)使該受反應(yīng)物進(jìn)入該冷卻腔室，該冷卻腔室內(nèi)設(shè)有反應(yīng)氣體；以及 f)將該受反應(yīng)物冷卻至第三溫度。
12.根據(jù)專利權(quán)利要求11所述的氣體反應(yīng)方法，其特征在于，該冷卻腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體濃度小于該反應(yīng)腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體濃度。
13.根據(jù)專利權(quán)利要求11所述的氣體反應(yīng)方法，其特征在于，該受反應(yīng)物在該步驟a)與該步驟b)之間受該輸送裝置帶動(dòng)而反復(fù)通過(guò)位于該氣體反應(yīng)連續(xù)腔的外部與該預(yù)熱腔室之間的隔離裝置，藉以反復(fù)進(jìn)出該預(yù)熱腔室。
14.根據(jù)專利權(quán)利要求11所述的氣體反應(yīng)方法，其特征在于，該步驟c)與該步驟d)之間更包含有一步驟，系將一遮蓋裝置的蓋體蓋設(shè)于該受反應(yīng)物的頂面；該步驟d)與該步驟e)之間更包含有一步驟，使該遮蓋裝置的蓋體離開該受反應(yīng)物的頂面。
【文檔編號(hào)】C23C14/56GK104233213SQ201310249985
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】曾昭隆, 廖科峰, 邱文鼎, 趙子銘, 黃世壬, 汪宇炎, 黎勝, 何文福 申請(qǐng)人:生陽(yáng)新材料科技（寧波）有限公司