專利名稱：用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及合金材料，具體為一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料。
背景技術(shù)：
目前，稀土 -鐵-硼系永磁體的輻射磁環(huán)的制備過程中，如圖2所示，通常的方法是將多塊形狀規(guī)則的磁體M排列成完整的圓環(huán)狀，同時(shí)在相鄰的磁體M之間附著粘結(jié)劑 N，然后自然風(fēng)干凝結(jié)或烘烤熱固制作成多極的輻射磁環(huán)。但是，利用上述方法制作的輻射磁環(huán)的缺點(diǎn)是由于粘結(jié)劑的限制，利用粘結(jié)劑制備的輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，輻射磁環(huán)在實(shí)際使用過程中經(jīng)常發(fā)生斷裂，不能滿足實(shí)際工業(yè)的要求。
因此，有必要發(fā)明一種新的用于粘結(jié)永磁體的材料，用以制備高強(qiáng)度的輻射磁環(huán)。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新的用于粘結(jié)稀土 -鐵-硼系永磁體制作輻射磁環(huán)的材料，解決利用現(xiàn)有的粘結(jié)劑制備的輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度不夠的問題，提供了一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料。
本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有60% 100% (重量)的A和O 40% (重量)的B ;所述A是稀土材料中鐠Pr、釹Nd、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、欽Ho中一種或幾種以任意比例混合；所述B是鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn中一種或幾種以任意比例混合。
上述助熔合金材料的制備方法，運(yùn)用本領(lǐng)域通用的技術(shù)方法即可進(jìn)行制備，比如， 將上述幾種需要的合金原料熔化后即可制得符合含量要求的合金材料，可以將合金材料制作成塊狀、片狀等。
稀土元素指化學(xué)元素周期表中鑭系元素一鑭La、鈰Ce、鐠Pr、釹Nd、钷Pm、釤Sm、 銪Eu、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、欽Ho、鉺Er、銩Tm、鐿Yb、镥Lu，以及與鑭系的15個(gè)元素密切相關(guān)的兩個(gè)元素一鈧Sc和釔Y共17種元素。本發(fā)明經(jīng)過充分的試驗(yàn)優(yōu)選出稀土材料中鐠Pr、 釹Nd、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、欽Ho等六種，另外，優(yōu)選出鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn等五種金屬材料與稀土材料配合，制作出符合要求的助熔合金材料。
工作時(shí)，稀土 -鐵-硼系永磁體的輻射磁環(huán)的制備過程中，將切割成薄片狀的上述助熔合金材料夾在相鄰的兩塊形狀規(guī)則的磁體之間，排列成完整的圓環(huán)后，置于夾具中，夾具的作用是為拼合成完整的輻射磁環(huán)提供一種約束模具，然后，放入真空燒結(jié)爐內(nèi)，在符合一定的真空度條件下將其加熱實(shí)施熱處理，首先使助熔合金材料熔化，并逐漸加溫使助熔合金材料與磁體表面發(fā)生共熔態(tài)(溫度不會(huì)引起磁體的熔化)，由于助熔合金材料與磁體之間會(huì)發(fā)生原子的擴(kuò)散作用，助熔合金材料本身可以進(jìn)入磁體的晶界或邊界上，這樣不僅使得輻射磁環(huán)形成具有很高機(jī)械強(qiáng)度的整體，而且有助于提高輻射磁環(huán)的性能。另外，由于永磁體與外面夾具的膨脹系數(shù)不同，在加熱狀態(tài)下，永磁體的膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于夾具的膨脹系數(shù)，那么通過夾具的約束受力，進(jìn)一步有利于輻射磁環(huán)的固結(jié)，提高磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度。從微觀結(jié)構(gòu)上分析，永磁體由主相晶粒和包裹主相晶粒的富釹相組成，所述主相晶粒含有30% 左右的稀土成分，所述富釹相含有70%左右的稀土成分，當(dāng)助熔合金材料與永磁體表面發(fā)生共熔態(tài)后，由于助熔合金材料中稀土成分大于等于60%,這樣與永磁體(表面)富釹相中的稀土成分含量相近或者大于富釹相中的稀土成分含量，都有利于它們之間發(fā)生原子的擴(kuò)散作用，從而起到將永磁體粘結(jié)成符合機(jī)械強(qiáng)度要求的輻射磁環(huán)。而且，助熔合金材料中B 的作用是當(dāng)助熔合金材料與磁體之間發(fā)生原子的擴(kuò)散作用后，有助于永磁體表面富釹相結(jié)構(gòu)的恢復(fù)，另外也可以降低助熔合金材料的熔化溫度。
優(yōu)選地，將助熔合金材料制作成厚度為O. 01 O. Imm的薄膜。優(yōu)點(diǎn)是，將厚度僅為O. 01 O. Imm的薄膜置于相鄰的永磁體之間，在制作輻射磁環(huán)的過程中，由于薄膜的厚度很小，在高溫下磁體表面已經(jīng)發(fā)生共熔的極薄層(例如厚度為20nm)，薄膜已完全滲透進(jìn)入永磁體內(nèi)，而使永磁體之間發(fā)生相互反應(yīng)，進(jìn)行固結(jié)，使輻射磁環(huán)成為一個(gè)“整體”(在磁環(huán)制成后，由于薄膜已滲透進(jìn)入永磁體內(nèi)，所以已看不出磁環(huán)有拼接的痕跡，就像磁環(huán)是整體燒結(jié)而成)。如果沒有助熔合金材料的“誘導(dǎo)”作用，即使在高溫條件下，永磁體之間也不會(huì)發(fā)生反應(yīng)而進(jìn)行固結(jié)。所以，將助熔合金材料制成薄膜狀更有利于提高輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度。
制備上述助熔合金材料的方法有多種，本發(fā)明公開一種上述助熔合金薄膜材料的制備方法，包括如下步驟(I)、原料準(zhǔn)備原料中含有60% 100% (重量)的A和O 40% (重量)的B;所述A 是稀土材料中鐠Pr、釹Nd、釓Gd、 鋱Tb、鏑Dy、欽Ho中一種或幾種以任意比例混合；所述B 是鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn中一種或幾種以任意比例混合。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A與B的混合料置于真空熔煉爐內(nèi)，將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后通入氬氣或氦氣至壓力為O. 35 O. 45MPa,同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng),在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料熔化(約1400 160(TC)，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液 (由于合金剛?cè)刍瘯r(shí)并未能完全發(fā)生金屬之間的相變反應(yīng)，造成合金液未能形成均一，所以需要保溫)。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置浸沒到合金液中，以 O. 5 lm/min的提升速度將裝置從合金液中提出，在裝置的表面形成一層厚度為O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下(輕輕敲打成膜裝置即可將薄膜從其表面取下)， 即制成薄膜材料。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
所述內(nèi)部具有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置，本領(lǐng)域技術(shù)人員均可以實(shí)現(xiàn)，并且，該裝置目前具有很多種公知結(jié)構(gòu)，可以直接運(yùn)用上述薄膜材料的制備方法中。所述該成膜裝置應(yīng)用不與合金液發(fā)生反應(yīng)的材料制作而成，例如可以采用鑰Mo。
另外，運(yùn)用如下的成膜裝置更利于上述助熔合金薄膜材料的制備。
如圖3、4、5、6、7所示，一種熔融合金的成膜裝置，包括上端開口的外殼20和置于外殼20內(nèi)的內(nèi)芯10，所述內(nèi)芯10頂部延伸有封閉外殼20開口的外邊沿11，所述外殼20 和內(nèi)芯10之間形成空腔30 ;所述內(nèi)芯10頂部的外邊沿11上開有至少一個(gè)出水孔12，縱向貫穿內(nèi)芯10本體開有至少一個(gè)進(jìn)水孔13。
具體實(shí)施時(shí)，將外殼20的外表面制作成粗糙狀，這樣在制備合金薄膜材料時(shí)，當(dāng)本成膜裝置浸沒在合金液中，外殼20上粗糙的外表面有利于在其上形成薄膜。外殼20和內(nèi)芯10的外邊沿11可以通過螺栓緊固。
所述冷軋工藝已經(jīng)是一種成熟的加工工藝。
本發(fā)明設(shè)計(jì)合理，運(yùn)用本發(fā)明所述的助熔合金材料制作的稀土 -鐵-硼系永磁體的輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度大大提高，完全滿足了實(shí)際工業(yè)的要求。


圖I是在中頻真空感應(yīng)熔煉爐中制備薄膜材料的示意圖。
圖2是輻射磁環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是成膜裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是內(nèi)芯的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是圖4的正面縱向剖視圖。
圖6是圖3的正面縱向剖視圖。
圖7是圖3的側(cè)面縱向剖視圖。
圖中，I-排氣系統(tǒng)，2-中頻感應(yīng)圈，3-氣體調(diào)節(jié)閥，4-混合料，5-成膜裝置， 膜材料，M-磁體，N-粘結(jié)劑，10-內(nèi)芯，20-外殼，30-空腔，11-外邊沿，12-出水孔，13-孔。S-薄 -進(jìn)水具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
實(shí)施例I一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有100% (重量)的A ;所述A是稀土材料中的鐠Pr。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述鐠Pr原料。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的鐠Pr原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 35MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使原料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 7m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置5表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例2一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有80% (重量)的A和20% (重量)的B ;所述A由釹Nd、釓Gd、鏑Dy以比例I :6:9組成；所述8由鋁Al、錫Sn以比例13:7組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟(I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B混合料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng) 1，將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 42MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 5m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例3一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有90% (重量)的A和10% (重量)的B ;所述A由鏑Dy、釓Gd以比例5:3組成；所述8由鋁Al、鎵Ga以比例1:1組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 45MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 8m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例4一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有60% (重量)的A和40% (重量)的B ;所述A由鋱Tb組成；所述B由鋁Al、鎂Mg、錫Sn以比例25:12:3組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 37MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 6m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例5一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有75% (重量)的A和25% (重量)的B ;所述A由鋱Tb、欽Ho以比例8:7組成;所述B由鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg以比例3:4:7:11組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 45MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以lm/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例6一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有100% (重量)的A ;所述A中含有5% (重量)的鐠Pr、20% (重量)的釹Nd、17% (重量)的釓Gd、28% (重量)的鏑Dy、30% (重量) 的欽Ho。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1，將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 4MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 9m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例7一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有65% (重量)的A和35% (重量)的B ;所述A由釹Nd、鏑Dy JLGd、欽Ho以比例3:7:2:1組成；所述B由鋁Al、鎵Ga、鎂Mg、銅Cu 以比例10:12:5:8組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟 (I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 38MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 6m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例8一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有82% (重量)的A和18% (重量)的B ;所述A由鐠Pr、釹Nd、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、欽Ho以比例7 :34:21:4:5:11組成;所述B由鋁Al、 鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn以比例3:2:9:1:3組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟(I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 44MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以O(shè). 5m/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
實(shí)施例9一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有79% (重量)的A和21% (重量)的B ;所述A由鐠Pr、釓Gd、鏑Dy、欽Ho以比例19:22:6:32組成;所述B由鎵Ga、銅Cu、錫Sn以比例17:3:1組成。
如圖I所示，利用上述助熔合金材料制成薄膜材料的制作方法，包括如下步驟(I)、原料準(zhǔn)備準(zhǔn)備上述原料A和B。
(2)、將步驟(I)準(zhǔn)備的A和B原料置于中頻真空感應(yīng)熔煉爐內(nèi)，啟動(dòng)排氣系統(tǒng)1， 將爐內(nèi)壓力調(diào)至5Pa以下，然后開啟氣體調(diào)節(jié)閥3，通入氬氣或氦氣至壓力為O. 35MPa，同時(shí)啟動(dòng)熔煉爐加熱系統(tǒng)(中頻感應(yīng)圈2)，在氬氣或氦氣保護(hù)下使混合料4熔化(約1400 1600°C )，然后在熔化溫度下保溫至形成均一的合金液。
(3)、利用升降系統(tǒng)將內(nèi)部設(shè)置有冷卻循環(huán)系統(tǒng)的成膜裝置5浸沒到合金液中， 以lm/min的提升速度將成膜裝置從合金液中提出，在成膜裝置的表面形成一層厚度為 O. 01 O. Imm的薄膜。
(4)、將薄膜從成膜裝置表面取下，即制成薄膜材料S。
(5)、利用冷軋的方法將步驟(4)制備的薄膜材料制作成平整均一的薄膜材料。
權(quán)利要求
1.一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，其特征在于含有60% 100% (重量)的A 和O 40% (重量)的B ;所述A是稀土材料中鐠Pr、釹Nd、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、欽Ho中一種或幾種以任意比例混合；所述B是鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn中一種或幾種以任意比例混合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，其特征在于呈厚度為O.01 O. Imm的薄膜狀。
3.一種用于制備權(quán)利要求2所述的用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料的成膜裝置，其特征在于包括上端開口的外殼(20)和置于外殼(20)內(nèi)的內(nèi)芯(10),所述內(nèi)芯(10)頂部延伸出封閉外殼(20 )開口的外邊沿(11)，所述外殼(20 )和內(nèi)芯(10 )之間形成空腔(30 );所述內(nèi)芯(10)頂部的外邊沿(11)上開有至少一個(gè)出水孔(12)，縱向貫穿內(nèi)芯(10)本體開有至少一個(gè)進(jìn)水孔(13)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置，其特征在于所述外殼(20)的外表面呈粗糙狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及合金材料，具體為一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，解決了利用現(xiàn)有的粘結(jié)劑制備的輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度不夠的問題。一種用于粘結(jié)永磁體的助熔合金材料，含有60％～100％(重量)的A和0～40％(重量)的B；所述A是稀土材料中鐠Pr、釹Nd、釓Gd、鋱Tb、鏑Dy、鈥Ho中一種或幾種以任意比例混合；所述B是鋁Al、鎵Ga、銅Cu、鎂Mg、錫Sn中一種或幾種以任意比例混合。本發(fā)明設(shè)計(jì)合理，運(yùn)用本發(fā)明所述的助熔合金材料制作的稀土-鐵-硼系永磁體的輻射磁環(huán)的機(jī)械強(qiáng)度大大提高，完全滿足實(shí)際工業(yè)的要求。
文檔編號(hào)C23C26/02GK102925778SQ201210454269
公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者徐建波, 祁三文, 張鋒銳, 張燕慶, 馬靳河, 柯文燕 申請(qǐng)人:山西匯鏹磁性材料制作有限公司