一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種污染極小、工藝操作簡單易懂、環(huán)保的廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，包括如下步驟：A、除電子腳；B、浸出銀銅及賤金屬；C、提取銀；D、濾渣浸出金；E、還原金；本發(fā)明的原材料主要是回收電子廠淘汰的、報廢的及廢電路板上面的芯片、集成塊里面的金銀，金銀主要是以硅晶體金絲引線、厚膜金漿料、含金合金或純金絲等其它金屬存在于芯片中。本發(fā)明采用污染極小的濕法工藝，工藝操作簡單易懂，操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物采用堿吸收以達到環(huán)保目的。
【專利說明】一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，含金廢料中金的回收關(guān)鍵是必須設(shè)法使金與絕大部分其它物料(包括各種有機物質(zhì)、賤金屬物質(zhì)和金以外的其它貴金屬物質(zhì))分開。而目前含金廢料的回收工藝常采用火法工藝，火法工藝因污染太大，已被淘汰。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種污染極小、工藝操作簡單易懂、環(huán)保的廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝。
[0004]本發(fā)明的一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，其特征在于，包括如下步驟:
[0005]A、除電子腳:取廢電路板芯片、集成塊，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成塊外面的電子腳，以電子腳溶解掉為止，然后用清水沖洗干凈芯片、集成塊，用粉碎機粉碎至80目，再放碳化爐里，在400°C的溫度下碳化10-30分鐘，冷卻至黑粉變白色，因芯片、集成炔基本都是用固態(tài)環(huán)氧樹脂封裝的，只有破壞掉環(huán)氧樹脂，才有利于金的浸出。
[0006]B、浸出銀銅及賤金屬:把碳化過的芯片粉料倒在密閉反應(yīng)容器中，按固液比為I: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出銅銀，室溫攪拌反應(yīng)，攪拌速率為300r/min，時間1-2小時(操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物氣體，采用堿吸收法處理)，然后過濾，得到含銀、銅的溶液，濾渣含金；
`[0007]C、提取銀:向含銀、銅溶液里滴加氯化鈉飽合溶液，并攪拌，產(chǎn)生白色絮狀氯化銀沉淀，反復滴加攪拌至沒有白色絮狀氯化銀沉淀為止，再加入0.1 %的絮凝劑攪拌，以便形成大顆粒加速沉淀，靜置60分鐘，倒出液體(液體加鐵粉置換出銅)，白色沉淀即為氯化銀，反復沖洗氯化銀至PH值=6-7，倒干水分，再加入銀的置換液，然后加熱微沸并攪拌，氯化銀生成灰色顆粒，再沖洗兩遍顆粒并濾干水分，用坩堝加助熔劑，在溫度為1100°C的條件下熔煉得純度99.9%的白銀；
[0008]D、濾渣浸出金:把濾渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(體積份數(shù))高錳酸鉀、2份(體積份數(shù))氯化鈉、50份(體積份數(shù))鹽酸、15份(體積份數(shù))硝酸和水混合而成，在溫度80-90°C的條件下，攪拌I 一 2小時，攪拌速率為300r/min，(操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物氣體，采用堿吸收法處理)，冷確30-40°C度,然后過濾,液體含金；
[0009]E、還原金:調(diào)節(jié)含金液體的PH值為1-1.5，保持溫度在45°C，然后再向液體里邊攪拌邊加入保護堿30g/L，攪拌I分種，再加入亞硫酸氫鈉50g/L，邊加邊攪拌，至水變黑，攪拌5分種，再加入0.1 %的絮凝劑，再攪拌5分鐘，以便形成大顆粒金加速沉淀，靜置I小時，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器內(nèi)再加入4mol/L的硝酸，硝酸液體沒過金粉就可，加溫微沸，金粉成紅褐色顆粒，水洗兩遍無酸，過濾掉水份，金粉放坩堝里加助熔劑，在溫度1200°C的條件下熔煉出99.9%的黃金。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明的原材料主要是回收電子廠淘汰的、報廢的及廢電路板上面的芯片、集成塊里面的金銀，金銀主要是以硅晶體金絲引線、厚膜金漿料、含金合金或純金絲等其它金屬存在于芯片中。
[0011]本發(fā)明的廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，采用污染極小的濕法工藝，工藝操作簡單易懂，操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物采用堿吸收以達到環(huán)保目的。
【具體實施方式】
[0012]下面對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0013]實施例1
[0014]一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，包括如下步驟:
[0015]A、除電子腳:取廢電路板芯片、集成塊，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成塊外面的電子腳，以電子腳溶解掉為止，然后用清水沖洗干凈芯片、集成塊，用粉碎機粉碎至80目，再放碳化爐里，在400°C的溫度下碳化10-30分鐘，冷卻至黑粉變白色，因芯片、集成炔基本都是用固態(tài)環(huán)氧樹脂封裝的，只有破壞掉環(huán)氧樹脂，才有利于金的浸出。
[0016]B、浸出銀銅及賤金屬:把碳化過的芯片粉料倒在密閉反應(yīng)容器中，按固液比為
`I: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出銅銀，室溫攪拌反應(yīng)，攪拌速率為300r/min，時間1-2小時(操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物氣體，采用堿吸收法處理)，然后過濾，得到含銀、銅的溶液，濾渣含金；
[0017]C、提取銀:向含銀、銅溶液里滴加氯化鈉飽合溶液，并攪拌，產(chǎn)生白色絮狀氯化銀沉淀，反復滴加攪拌至沒有白色絮狀氯化銀沉淀為止，再加入0.1 %的絮凝劑攪拌，以便形成大顆粒加速沉淀，靜置60分鐘，倒出液體(液體加鐵粉置換出銅)，白色沉淀即為氯化銀，反復沖洗氯化銀至PH值=6-7，倒干水分，再加入銀的置換液，然后加熱微沸并攪拌，氯化銀生成灰色顆粒，再沖洗兩遍顆粒并濾干水分，用坩堝加助熔劑，在溫度為1100°C的條件下熔煉得純度99.9%的白銀；
[0018]D、濾渣浸出金:把濾渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(體積份數(shù))高錳酸鉀、2份(體積份數(shù))氯化鈉、50份(體積份數(shù))鹽酸、15份(體積份數(shù))硝酸和水混合而成，在溫度80-90°C的條件下，攪拌1-2小時，攪拌速率為300r/min，(操作中產(chǎn)生的少量氮氧化物氣體，采用堿吸收法處理)，冷確30-40°C度,然后過濾,液體含金；
[0019]E、還原金:調(diào)節(jié)含金液體的PH值為1-1.5，保持溫度在45°C，然后再向液體里邊攪拌邊加入保護堿30g/L，攪拌I分種，再加入亞硫酸氫鈉50g/L，邊加邊攪拌，至水變黑，攪拌5分種，再加入0.1 %的絮凝劑，再攪拌5分鐘，以便形成大顆粒金加速沉淀，靜置I小時，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器內(nèi)再加入4mol/L的硝酸，硝酸液體沒過金粉就可，加溫微沸，金粉成紅褐色顆粒，水洗兩遍無酸，過濾掉水份，金粉放坩堝里加助熔劑，在溫度1200°C的條件下熔煉出99.9%的黃金。[0020]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，其特征在于，包括如下步驟: A、除電子腳:取廢電路板芯片、集成塊，并按固液比1: 2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成塊外面的電子腳，以電子腳溶解掉為止，然后用清水沖洗干凈芯片、集成塊，用粉碎機粉碎至80目，再放碳化爐里，在400°C的溫度下碳化10-30分鐘，冷卻至黑粉變白色； B、浸出銀銅及賤金屬:把碳化過的芯片粉料倒在密閉反應(yīng)容器中，按固液比為1: 3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出銅銀，室溫攪拌反應(yīng)，攪拌速率為300r/min，時間1-2小時，然后過濾，得到含銀、銅的溶液，濾渣含金； C、提取銀:向含銀、銅溶液里滴加氯化鈉飽合溶液，并攪拌，產(chǎn)生白色絮狀氯化銀沉淀，反復滴加攪拌至沒有白色絮狀氯化銀沉淀為止，再加入0.1 %的絮凝劑攪拌，以便形成大顆粒加速沉淀，靜置60分鐘，倒出液體，白色沉淀即為氯化銀，反復沖洗氯化銀至PH值=6-7，倒干水分，再加入銀的置換液，然后加熱微沸并攪拌，氯化銀生成灰色顆粒，再沖洗兩遍顆粒并濾干水分，用坩堝加助熔劑，在溫度為1100°C的條件下熔煉得純度99.9%的白銀； D、濾渣浸出金:把濾渣按固液比1: 2放入配好的溶金液中，在溫度80-90°C的條件下，攪拌1-2小時，攪拌速率為300r/min，冷確30-40°C度，然后過濾，液體含金； E、還原金:調(diào)節(jié)含金液體的PH值為1-1.5，保持溫度在45°C，然后再向液體里邊攪拌邊加入保護堿30g/L，攪拌2分種，再加入亞硫酸氫鈉50g/L，邊加邊攪拌，至水變黑，攪拌5分種，再加入0.1 %的絮凝劑，再攪拌5分鐘，以便形成大顆粒金加速沉淀，靜置I小時，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH = 7，倒掉水分，在含金粉的容器內(nèi)再加入4mol/L的硝酸，硝酸液體沒過金粉就可，加溫微沸，金粉成紅褐色顆粒，水洗兩遍無酸，過濾掉水份，金粉放坩堝里加助熔劑，在溫度1200°C的條件下熔煉出99.9%的黃金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廢電路板芯片、集成塊提取金銀工藝，其特征在于:所述步驟D中，溶金液是由0.2份(體積份數(shù))高錳酸鉀、2份(體積份數(shù))氯化鈉、50份(體積份數(shù))鹽酸、15份(體積份數(shù))硝酸和水混合而成。
【文檔編號】C22B7/00GK103509951SQ201210214213
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】王金良 申請人:王金良