專利名稱：涂層設(shè)備和帶有護(hù)板的涂層設(shè)備的工作方法
涂層設(shè)備和帶有護(hù)板的涂層設(shè)備的工作方法本發(fā)明涉及一種用于給基底涂層的設(shè)備，包括過(guò)程室，溫度可調(diào)的用于將原材料與載氣一起引入過(guò)程室的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)和用于承接要處理的基底的接受器處于過(guò)程室內(nèi)，還包括通過(guò)裝料口與過(guò)程室連接用于存放基底的儲(chǔ)存室，以及為過(guò)程室進(jìn)行基底裝料和卸料的輸送裝置。此外本發(fā)明還涉及這種設(shè)備的工作方法。DE10159702A1介紹了一種設(shè)備，它由一個(gè)具有進(jìn)氣機(jī)構(gòu)和接受器的過(guò)程室組成，過(guò)程室可以借助機(jī)械手進(jìn)行由機(jī)械手從基底儲(chǔ)存室取出的基底的裝料。在過(guò)程室內(nèi)部實(shí)施涂層過(guò)程。為此，氣態(tài)原材料借助載氣通過(guò)進(jìn)氣機(jī)構(gòu)送入過(guò)程室。在基底表面上沉積一個(gè)薄層。在這方面可涉及一種化學(xué)或物理的涂層法。DE102008026974A1例如介紹了一種設(shè)備，它有一個(gè)汽化器用于汽化固體或液體原材料。汽化后的原材料與載氣一起經(jīng)由載氣管送入熱解室內(nèi)。原材料可涉及聚合的Paraxylylene (聚對(duì)苯二亞甲基)。汽化的二聚物在熱解室內(nèi)分解為單體。單體與載氣一起送入進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)處于對(duì)外氣密封閉的過(guò)程室內(nèi)，以及有一個(gè)包括許多排列成篩狀的孔的氣體出口面，輸送原材料的載氣通過(guò)這些孔流入過(guò)程室中。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)是可調(diào)溫的。在那里加熱進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。冷卻的接受器處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)下方?；?，例如玻璃板可安放在接受器冷卻的基底支承面上。通過(guò)送入過(guò)程室內(nèi)的氣態(tài)聚合物在那里冷卻，用聚合物層為基底涂層。DE102008037387介紹了一種掩模裝置。在那里說(shuō)明的遮蔽掩模安放在要涂層的基底表面上，使基底的涂層具有某種結(jié)構(gòu)。DE10232731A1介紹了一種涂層裝置，借助它可沉積由IV，III - IV，II - VI族元素組成的以及有機(jī)物質(zhì)的半導(dǎo)體層。本發(fā)明的目的是，將上述類型的設(shè)備設(shè)計(jì)得更有效。通過(guò)在權(quán)利要求中說(shuō)明的發(fā)明達(dá)到此目的，其中每項(xiàng)權(quán)利要求表示達(dá)到所述目的一種獨(dú)立的技術(shù)方案并可與其他任一權(quán)利要求組合。按本發(fā)明的設(shè)備特別適用于沉積Paraxylylene或多種成分的涂層，例如OLEDs (有機(jī)發(fā)光二極體)或半導(dǎo)體層。原材料在設(shè)在過(guò)程室外部的氣體混合系統(tǒng)或氣體制備裝置中預(yù)處理，以及通過(guò)一個(gè)尤其可調(diào)溫的輸入管進(jìn)入加熱的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)中。后者有一個(gè)空心體，它具有至少一個(gè)腔室，其中引入輸送原材料的載氣。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)有一個(gè)氣體出口面，它有圓形的，但優(yōu)選矩形，尤其正方形的輪廓形狀。所述輪廓形狀與基底的表面基本一致。在氣體出口面上有許多排列成篩狀的出氣孔，過(guò)程氣體通過(guò)它們流入過(guò)程室，過(guò)程室的底由接受器構(gòu)成。具有淋浴頭形狀的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)加熱到溫度為200°C至400°C。過(guò)程室借助真空設(shè)備在O. Imbar與2mbar之間的壓力范圍內(nèi)工作。接受器涉及一種具有基底支承面的冷卻體。支承面選擇為可實(shí)施從基底到接受器方向的熱量輸出。接受器將溫度調(diào)節(jié)在_30°C至80°C之間。涂層過(guò)程在基底有效冷卻的情況下進(jìn)行，所以原材料在那里可以在低的溫度下沉積。在按本發(fā)明的方法中規(guī)定，在加熱進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的同時(shí)進(jìn)行過(guò)程室的裝料和卸料。為了避免基底安放在接受器上前被加熱，在裝料或卸料前將護(hù)板置于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)與接受器之間。按另一種選擇，護(hù)板也可以用于保護(hù)掩模，防止被加熱，掩模安放在基底上用于使要沉積的涂層具有其種結(jié)構(gòu)。護(hù)板直接處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)氣體出口面的下面。護(hù)板有一個(gè)強(qiáng)反射表面，從而使基底或掩模屏蔽進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的輻射。護(hù)板可以兩側(cè)強(qiáng)反射性鍍層。優(yōu)選地，護(hù)板由兩塊互相平行延伸的玻璃或石英板組成，在它們之間放置一個(gè)金屬薄膜。它可以涉及一種由INVAR (因瓦合金)、金或鋁組成的100 μ m厚的薄膜。薄膜可浮動(dòng)地安放在玻璃板與石英玻璃板之間。薄膜有發(fā)射率ε〈0. I。為了在涂層過(guò)程期間將護(hù)板貯藏在過(guò)程室外部，設(shè)另一個(gè)儲(chǔ)存室，護(hù)板存放在其中。所述儲(chǔ)存室可涉及一個(gè)掩模儲(chǔ)存室，其中存放至少一個(gè)放置在基底表面上使基底表面的涂層具有其種結(jié)構(gòu)的掩模。按本發(fā)明一項(xiàng)優(yōu)選的設(shè)計(jì)，護(hù)板是輸送機(jī)構(gòu)，它將掩模從掩模儲(chǔ)存室送入過(guò)程室內(nèi)。為此，護(hù)板有固定裝置。固定裝置可以安裝在護(hù)板下側(cè)以及形狀配合式嚙合在掩模相應(yīng)的相配固定裝置內(nèi)。借助護(hù)板可將掩模從掩模儲(chǔ)存室的掩模料匣中取出。在掩模傳輸期間，掩模借助護(hù)板相對(duì)于加熱的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)屏蔽。由此保護(hù)掩模防止溫度升高。也就是說(shuō)，借助護(hù)板不僅可以保護(hù)基底，而且還可以保護(hù)掩模，防止其溫度升高。掩模料匣可類似于升降機(jī)在掩模儲(chǔ)存室內(nèi)部垂直移動(dòng)。在料匣中可以在垂直地上下疊置的分層內(nèi)儲(chǔ)存不同類型設(shè)計(jì)的掩模。料匣也可以有一個(gè)護(hù)板可插入其中的機(jī)柜。優(yōu)選地，護(hù)板插入掩模也存放在其中的料匣的每一個(gè)料匣機(jī)柜內(nèi)。在料匣儲(chǔ)存室內(nèi)部可以設(shè)護(hù)板移動(dòng)裝置。在這里它可以涉及一種軌道系統(tǒng)。此軌道系統(tǒng)可以有兩對(duì)軌道， 其中一對(duì)軌道安裝在料匣內(nèi)，以及第二對(duì)軌道安裝在過(guò)程室內(nèi)。護(hù)板可以有滑輪導(dǎo)向裝置，護(hù)板借助它在軌道對(duì)上導(dǎo)引。用于使護(hù)板在其在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)下方的防護(hù)位置與其在料匣內(nèi)的存放位置之間移動(dòng)的水平移動(dòng)驅(qū)動(dòng)器，可以是一種氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)器或一種電動(dòng)直線驅(qū)動(dòng)器。在這里它也可以涉及一種主軸驅(qū)動(dòng)器?；變?chǔ)存室同樣可以有料匣，在料匣中上下垂直排列的分層內(nèi)放置不同的基底?；卓砂卜旁谟绕洳嫘蔚幕字Ъ苌希€利用于將基底送入過(guò)程室內(nèi)。兩個(gè)儲(chǔ)存室分別借助可氣密封閉的裝料/卸料口與過(guò)程室連接。裝料口可以用氣密的門關(guān)閉。不僅掩模儲(chǔ)存室，而且基底儲(chǔ)存室，均可借助真空設(shè)備抽成真空。為了從整個(gè)設(shè)備取出基底，基底儲(chǔ)存室可以置于大氣壓力下。接受器可以水冷。接受器可以沿垂直方向移動(dòng)。在裝料/卸料位置，接受器有下降的位置。在此位置支承銷從接受器的基底支承面伸出。在支承銷上可借助輸送裝置，例如叉形的基底支架安放一個(gè)基底。這穿過(guò)裝料口實(shí)施。事先借助上面已說(shuō)明的護(hù)板移動(dòng)裝置將護(hù)板置于加熱的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)下方。通過(guò)提升接受器，使之與基底下側(cè)進(jìn)入面接觸。但也可以借助能下降的支承銷，將基底安放在位置固定的接受器上。在按本發(fā)明的方法中，給過(guò)程室裝卸一個(gè)或多個(gè)基底，在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)加熱和接受器冷卻的同時(shí)進(jìn)行。在裝料/卸料階段中，只將載氣通過(guò)進(jìn)氣機(jī)構(gòu)進(jìn)入過(guò)程室。在開(kāi)始時(shí)，未裝料的接受器離進(jìn)氣機(jī)構(gòu)距離最遠(yuǎn)。通向料匣儲(chǔ)存室的裝料門打開(kāi)。借助護(hù)板移動(dòng)裝置將護(hù)板移入過(guò)程室并定位在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)下方，使它反射由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)發(fā)出的熱輻射。護(hù)板有隔離效果。借助它切斷，但至少阻攔，從進(jìn)氣機(jī)構(gòu)向基底的熱流。然后將料匣置于一個(gè)垂直位置，在此位置使一個(gè)要使用的掩模直接處于裝料口前。借助護(hù)板移動(dòng)裝置將護(hù)板移回料匣中，確切地說(shuō)直接在要使用的掩模上面或固定該掩模的掩?？蚣苌厦?。所述掩?？蚣芑蜓谀＝柚潭ㄑb置固定在護(hù)板下側(cè)并被護(hù)板送入過(guò)程室內(nèi)。接著，通向基底儲(chǔ)存室的裝料口打開(kāi)以及借助輸送裝置將基底置于上面已提及的支承銷上。現(xiàn)在基底處于接受器與護(hù)板之間?；谧o(hù)板的反射或隔離作用，不會(huì)使基底被進(jìn)氣機(jī)構(gòu)散出的熱量有害地加熱。通過(guò)下降支承銷或提升接受器，將基底安放在接受器的基底承接面上，從而使基底被接受器冷卻。然后掩?；蛲ㄟ^(guò)接受器向上移動(dòng)或通過(guò)護(hù)板向下移動(dòng)安放在基底上。接著，護(hù)板重新移回掩模儲(chǔ)存室的料匣內(nèi)。在裝料口的門氣密地關(guān)閉后，將過(guò)程氣體引入過(guò)程室，從而可以在基底上沉積一個(gè)涂層。在將基底安放在接受器上之前，接受器也可以與基底及掩模一起下降。在接受器下降時(shí)，掩模不與接受器接觸。作為原材料可以使用上述有機(jī)或無(wú)機(jī)化合物。優(yōu)選地，借助此設(shè)備在基底上沉積Paraxylylene0但也可以沉積OLED層。原則上本發(fā)明設(shè)備也適用于MOCVD (金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積)。下面借助


本發(fā)明的實(shí)施例。其中圖I用垂直剖面示意表示由過(guò)程室I、掩模儲(chǔ)存室2和基底儲(chǔ)存室3組成處于原始位置的設(shè)備主要構(gòu)件，此時(shí)裝料門8關(guān)閉以及過(guò)程室I是空的； 圖2表示按圖I的視圖，其中從掩模儲(chǔ)存室2的料匣9將護(hù)板11通過(guò)裝料口 6輸入過(guò)程室I中；圖3表示圖2的后續(xù)圖，其中護(hù)板11處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4下方，以及料匣9沿箭頭P2的方向下降，使掩模10處于裝料口 6前；圖4表示圖3的后續(xù)圖，其中護(hù)板11通過(guò)裝料口 6沿處于裝料口 6前的掩模10上方的方向輸送；圖5表示圖4的后續(xù)圖，其中掩模10借助固定裝置固定在護(hù)板11下方；圖6表示圖5的后續(xù)圖，其中掩模10與護(hù)板11 一起通過(guò)裝料口 6輸送到過(guò)程室I內(nèi)；圖7表示圖6的后續(xù)圖，其中護(hù)板11與由它攜帶的掩模10 —起定位在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4下方；圖8表示圖7的后續(xù)圖，其中裝料口 6的門關(guān)閉，裝料口 7的門8打開(kāi)，以及借助基底支架13將一個(gè)要涂層的基底12送入過(guò)程室I內(nèi)的一個(gè)在接受器5上方和掩模10下方的位置；圖9表示圖8的后續(xù)圖，其中掩模10下降到停頓在支承銷14上的基底12上，以及基底支架13從過(guò)程室I重新撤回基底儲(chǔ)存室3內(nèi)；圖10表示圖9的后續(xù)圖，其中在接受器5提升后基底置于接受器5上側(cè)；圖11表示圖10的后續(xù)圖,其中護(hù)板11從過(guò)程室I移入料匣9,從而可以實(shí)施涂層過(guò)程；圖12表示沿圖I中線YD - YD的示意剖視圖；圖13表示護(hù)板11的橫剖面；以及圖14用過(guò)程室橫截面示意表示護(hù)板11和基底12的輸送裝置。附圖所示設(shè)備的組成部分包括相對(duì)于周圍環(huán)境氣密封閉的過(guò)程室I、安裝在過(guò)程室I上方的氣源21和安裝在過(guò)程室I內(nèi)的過(guò)程氣體進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4,過(guò)程氣體可借助載氣輸送到過(guò)程室內(nèi)。借助圖中未表示的真空泵可以將過(guò)程室I抽成真空。圖I在過(guò)程室I右側(cè)表示基底儲(chǔ)存室3，它通過(guò)一個(gè)可以借助門8關(guān)閉的裝料口 7與過(guò)程室I連接。料匣24處于基底儲(chǔ)存室8的內(nèi)部，它可以沿雙向箭頭Ρ3的方向水平移動(dòng)。圖中表不的料匣24有兩層,其中在兩層的每一個(gè)分層內(nèi)各有一個(gè)基底支架13、13',它還實(shí)施基底輸送裝置的功能。在基底支架13、13'上分別安放一個(gè)大面積的基底12、12'。按一種未表示的實(shí)施例，料匣24有更多個(gè)分層并因而可以存放多個(gè)基底12、12'。料匣24的料匣位置可通過(guò)同樣用門8封閉的裝料口 22裝料或卸料?；變?chǔ)存室3同樣可以由真空設(shè)備抽成真空。將圖中未表示的進(jìn)氣管匯入基底儲(chǔ)存室3中，使基底儲(chǔ)存室3涌流一種有大氣壓力的惰性氣體，由此可通過(guò)裝料口 22從事裝料過(guò)程。圖I在過(guò)程室I左側(cè)表示掩模儲(chǔ)存室2。與基底儲(chǔ)存室3—樣，掩模儲(chǔ)存室2有氣密的外殼以及可以借助未表示的真空設(shè)備抽成真空。在這里也設(shè)置氣源，使掩模儲(chǔ)存室2涌流一種惰性氣體。可以沿雙向箭頭P2的方向移動(dòng)的升降機(jī)式料匣9處于掩模儲(chǔ)存室2內(nèi)，它有許多料匣位置。這些分層式上下疊置的料匣位置可配備掩模10、10'、10"、10"'。掩模10、10'、10"、10"'固定在未表示的固定裝置上，為的是，如下面還要詳細(xì)說(shuō)明的那樣，能由一塊放置在最下部分層內(nèi)的護(hù)板11通過(guò)裝料口 6輸送到過(guò)程室I中，掩模儲(chǔ)存室2通過(guò)裝料口 6與過(guò)程室I連接以及裝料口 6與裝料口 7彼此相對(duì)。裝料口 23處于可以用氣密的門8關(guān)閉的裝料口 6的對(duì)置側(cè)，裝料口 23同樣可以用門8氣密地關(guān)閉。圖中未表示的另一個(gè)掩模儲(chǔ)存室2與裝料口 23連接，另一些掩模同樣存放在可垂直移動(dòng)的料匣9中。 通過(guò)裝料口 23掩?？梢栽趦蓚€(gè)掩模儲(chǔ)存室2之間交換。圖11示意表示在過(guò)程室的區(qū)域內(nèi)通過(guò)設(shè)備的水平剖面。料匣24處于圖中右側(cè)的基底儲(chǔ)存室3內(nèi)，它由一個(gè)包括多個(gè)分層的機(jī)架組成。每個(gè)分層帶有一個(gè)叉形基底支架13，放在它上面的基底12可借助它向左通過(guò)打開(kāi)的裝料口 7送入過(guò)程室I內(nèi)。一個(gè)有矩形輪廓形狀的接受器5，在過(guò)程室I中處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4下方，它可以沿圖I所示雙向箭頭Pl的方向垂直移動(dòng)。支承銷14處于接受器5的垂直孔內(nèi)，在接受器5下降后的位置，支承銷14超過(guò)接受器的表面伸出以及基底12可以安放在這些支承銷上。通過(guò)將接受器5提升到圖10或11所示的位置，基底12可以支靠在接受器5面朝進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4的上側(cè)。圖12還表示了圖I中只用虛線表示的軌道15，護(hù)板11可以借助為護(hù)板11配設(shè)的滑輪16在軌道上移動(dòng)。總共設(shè)置兩對(duì)軌道15。一對(duì)軌道15處于過(guò)程室I內(nèi)，大體在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4所在高度的下方。另一對(duì)軌道在料匣9內(nèi)部或在掩模儲(chǔ)存室2內(nèi)部設(shè)置為，使它與設(shè)置在過(guò)程室I內(nèi)的那個(gè)軌道對(duì)15至少在裝料位置對(duì)齊。護(hù)板11可以在軌道15上沿水平方向移動(dòng)。為此設(shè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備25，它例如通過(guò)氣動(dòng)缸、液壓缸或通過(guò)主軸驅(qū)動(dòng)器作用在護(hù)板11上。圖14示意表示通過(guò)過(guò)程室I的橫截面。過(guò)程室I的頂由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4的下側(cè)4'構(gòu)成。下側(cè)4'有多個(gè)圖中沒(méi)有表示的出氣孔，它們?cè)诒砻婢鶆蚍植嫉嘏帕?。在涂層過(guò)程期間，過(guò)程氣體可以通過(guò)在此實(shí)施例中具有矩形輪廓形狀的氣體出口面4'流入過(guò)程室I。在掩模變更、基底變更期間或在靜止?fàn)顟B(tài)，惰性氣體可以通過(guò)氣體出口面4'流入過(guò)程室I。護(hù)板11可以借助表示在圖12中的驅(qū)動(dòng)設(shè)備25，從圖12所示的存放位置，置于圖14所示的作用位置，此時(shí)護(hù)板11位于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4氣體出口面4'的下方。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)借助未表示的加熱裝置加熱到溫度在200°C與400°C之間。但在另一些過(guò)程中進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4也可以加熱到更高的過(guò)程溫度。護(hù)板11在本實(shí)施例中由三層構(gòu)成。面朝進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4方向的板18涉及Imm厚的玻璃板。在玻璃板18與可以有厚度在8mm與IOmm之間的下部石英玻璃板20之間，放置一個(gè)100 μ m厚的薄膜，它可以由一種強(qiáng)反射的材料，尤其由一種金屬組成，尤其是INVAR、金或鋁。由于不同的熱膨脹特性，薄膜19可浮動(dòng)地安放在玻璃板與石英玻璃板20之間。薄膜在熱福射區(qū)域內(nèi)的發(fā)射率小于O. I。借助護(hù)板11屏蔽由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4發(fā)出的、朝接受器5或放在那里的基底12方向的熱輻射。接受器5有冷卻裝置，借助它可以將接受器5的表面溫度冷卻到溫度在_80°C至20°C之間。通過(guò)將基底12安放在接受器5冷卻的表面上，可將基底12保持在低的溫度。如上面已詳細(xì)說(shuō)明的那樣，護(hù)板11構(gòu)成輸送機(jī)構(gòu)，掩模10、10'、10"、10"'可以借助它從掩模儲(chǔ)存室2的料匣9送入過(guò)程室I內(nèi)。為此掩模10或在圖中沒(méi)有表示的掩?？蚣苡兄С醒b置，它們可以與在圖13和14中僅示意表示的護(hù)板11夾緊機(jī)構(gòu)17配合作用。夾緊機(jī)構(gòu)17設(shè)計(jì)為，可以借助它抓住掩模10和重新釋放。設(shè)備的工作方式如下 圖I表示設(shè)備處于靜止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)接受器5占據(jù)下降的位置，裝料口 6、7、22和23的門8關(guān)閉，過(guò)程室I內(nèi)沒(méi)有基底12，沒(méi)有掩模10以及也沒(méi)有護(hù)板11。在過(guò)程室內(nèi)部的總壓力可以在O. Imbar與2mbar之間。過(guò)程室I可用惰性氣體吹掃?；變?chǔ)存室3和掩模儲(chǔ)存室2處于同樣的總壓力下。圖2表示第一步，給過(guò)程室I裝料。從處于裝料口 6前面的料匣9的最下層，將護(hù)板11借助驅(qū)動(dòng)設(shè)備25在軌道15上穿過(guò)打開(kāi)的裝料口 6移入過(guò)程室I內(nèi)。接著，料匣9沿圖3中表示的箭頭P2的方向下降。料匣24同樣沿箭頭P3的方向下降到圖3所示的位置。在圖3所示的工作位置下，護(hù)板11處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4的下方。下一步，護(hù)板11借助驅(qū)動(dòng)設(shè)備25在軌道15上通過(guò)打開(kāi)的裝料口 6移回掩模儲(chǔ)存室2，在那里移入掩模10處于其中的那個(gè)分層內(nèi)。此時(shí)護(hù)板11到達(dá)其在圖5中表示的位置，在此位置掩模10借助夾緊機(jī)構(gòu)17固定在護(hù)板11的下側(cè)。圖6表示護(hù)板11是如何將固定在其下側(cè)的掩模10通過(guò)裝料口 6輸送到過(guò)程室I內(nèi)直至圖7所示的位置的，在此位置，護(hù)板11和由它攜帶的掩模10處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4的下方。現(xiàn)在相對(duì)于接受器5隔離從進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4放出的熱量。圖8表示繼此之后的步驟，其中，在裝料口 7打開(kāi)后，借助輸送裝置13將基底12送入過(guò)程室I中。基底12安放在支承銷14上，所以基底12離接受器5上側(cè)有一個(gè)距離。接著，在本實(shí)施例中涉及一種基底支架的輸送裝置13移回料匣24內(nèi)，以及通過(guò)關(guān)閉門8封閉裝料口 7關(guān)閉。接著，接受器5沿圖10中箭頭P1的方向向上移動(dòng)，直至將基底12支靠在接受器上。最后，護(hù)板11從過(guò)程室I移入儲(chǔ)存室2，從而到達(dá)在圖11中表示的過(guò)程位置。在此過(guò)程位置，當(dāng)氣源21內(nèi)的總壓力在O. Imbar與2mbar之間時(shí)，通過(guò)進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4在過(guò)程室I內(nèi)引入混合或制成的過(guò)程氣體。過(guò)程氣體可以在過(guò)程室I內(nèi)部，例如在基底12的基底表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以便在那里沉積一個(gè)涂層。掩模10涉及一種遮蔽掩模，從而生長(zhǎng)只在沒(méi)有被遮蔽的地方發(fā)生。氣源21尤其有能力給進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4供應(yīng)一種借助載氣輸送的單體。這種單體有在低溫時(shí)凝結(jié)的特性。若與基底12冷卻的基底表面相遇，則它在那里冷凝或聚合為一種聚合物。
若不冷卻進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，則在涂層過(guò)程結(jié)束后，將護(hù)板11從圖11中表示的過(guò)程位置，置于圖10所示的位置。接受器5下降到圖9中表示的位置。掩模10借助護(hù)板11從基底12的基底表面升起，或通過(guò)下降支承銷14使基底12離開(kāi)掩模10。接著，基底12借助基底支架13從過(guò)程室送回料匣24中。然后可以將另一個(gè)基底12'借助基底支架13'送入過(guò)程室I內(nèi)，以便按前面說(shuō)明的方式進(jìn)行涂層。 本發(fā)明設(shè)備也適合 例如使用MOCVD法沉積OLEDs或半導(dǎo)體層。所有公開(kāi)的特征均為(本)發(fā)明的重要內(nèi)容。在本申請(qǐng)所公開(kāi)的內(nèi)容中也全面吸收了相關(guān)的/附上的優(yōu)先權(quán)文件(在先申請(qǐng)文件副本)所公開(kāi)的內(nèi)容，也為此目的，這些文件的特征吸納在本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)中。從屬權(quán)利要求的特征當(dāng)它們分別按可選擇的并列形式撰寫(xiě)時(shí)，都是對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)有其獨(dú)立性的富于創(chuàng)造性的進(jìn)一步發(fā)展，并尤其可分別以這些從屬權(quán)利要求為基礎(chǔ)提交相應(yīng)的分案申請(qǐng)。附圖標(biāo)記清單I過(guò)程室2掩模儲(chǔ)存室3基底儲(chǔ)存室4進(jìn)氣機(jī)構(gòu)5接受器6 裝料口7 裝料口8 門9 料匣10 掩模11 護(hù)板12 基底13基底支架、輸送裝置14支承銷15 軌道16滑輪導(dǎo)向裝置17夾緊機(jī)構(gòu)18石英玻璃板19反射膜20石英玻璃板21 氣源22 裝料口23 裝料口24 料匣25驅(qū)動(dòng)設(shè)備P 箭頭
P箭頭
P2箭頭
P3箭頭。
權(quán)利要求
1.一種用于基底(12)處理尤其涂層的設(shè)備，包括過(guò)程室(I)，至少一個(gè)通過(guò)裝料口(6、7)與該過(guò)程室(I)連接的儲(chǔ)存室(2、3)，該儲(chǔ)存室用于存放要在過(guò)程室(I)中處理的基底(12)或處理時(shí)要使用的掩模(10、10'、10"、10"，)，所述設(shè)備還包括輸送裝置(13)，用于通過(guò)裝料口(7)為過(guò)程室⑴進(jìn)行基底或掩模(10、10'、10"、10"')的裝料和卸料，包括溫度可調(diào)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)，用于將原材料與載氣一起引入過(guò)程室(I)，包括與進(jìn)氣機(jī)構(gòu)對(duì)置的接受器(5)，用于承接要處理的基底(12)，包括護(hù)板(11)，它處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)與接受器(5)或掩模(10)之間的防護(hù)位置，防止基底(12)或掩模(10)受進(jìn)氣機(jī)構(gòu)⑷的溫度影響，包括護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)，用于在基底(12)處理前將護(hù)板(11)從在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)前的防護(hù)位置移到存放位置，而在基底(12)處理后將護(hù)板(11)從存放位置移回防護(hù)位置，其特征為所述護(hù)板(11)處于儲(chǔ)存室(2、3)之一內(nèi)部的存放位置。
2.按照權(quán)利要求I或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備有第一儲(chǔ)存室(3)用于存放至少一個(gè)基底(12)，以及第二儲(chǔ)存室(2)用于在處理過(guò)程中存放護(hù)板(11)。
3.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，第二儲(chǔ)存室是掩模儲(chǔ)存室(2)用于存放至少一個(gè)掩模(10、10'、10"、10"，)，所述掩?？梢越柚?護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)或借助護(hù)板(11)從掩模儲(chǔ)存室(2)送入過(guò)程室(I)中。
4.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，護(hù)板(11)面朝進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)和/或接受器(5)或掩模(10)的表面是強(qiáng)反射的。
5.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，護(hù)板(11)有放置在兩塊玻璃或石英板(18、20)之間的強(qiáng)反射膜(19)。
6.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，掩模儲(chǔ)存室⑵有尤其可沿垂直方向移動(dòng)的料匣(9)，用于存放護(hù)板(11)和至少一個(gè)掩模(10)。
7.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)有設(shè)置在掩模儲(chǔ)存室(2)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)設(shè)備(25)和延伸到過(guò)程室(I)內(nèi)的軌道設(shè)施(15)。
8.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征為，連接過(guò)程室(I)和掩模儲(chǔ)存室(2)的裝料口(7)，與連接過(guò)程室(I)和基底儲(chǔ)存室(3)的裝料口(6)對(duì)置。
9.按照上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其在此以后所述的設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備具有從接受器(5)朝進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)的方向伸出的支承銷(14)，用于借助尤其叉形的基底輸送裝置(13)安放基底(12)，其中，接受器(5)可沿高度移動(dòng)，以便通過(guò)向上移動(dòng)被置于與基底(12)傳熱接觸。
10.一種在過(guò)程室(I)內(nèi)對(duì)基底(12)進(jìn)行處理尤其涂層的方法，其中，將護(hù)板(11)借助護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)置于在用于將原材料與載氣一起引入過(guò)程室(I)可調(diào)溫的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)與用于承接基底(12)的接受器(5)之間的防護(hù)位置，接著借助輸送裝置(13)將基底(12)在過(guò)程室⑴內(nèi)置于防護(hù)位置并放置到接受器(5)上，然后將護(hù)板(11)從防護(hù)位置送入存放位置，在這之后通過(guò)可調(diào)溫的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)引入氣態(tài)的原材料對(duì)基底(12)進(jìn)行處理，尤其在基底(12)上沉積涂層，然后借助護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)將護(hù)板(11)從存放位置送回防護(hù)位置，最后借助輸送裝置(13)將基底(12)從過(guò)程室(I)置入儲(chǔ)存室(3)，其特征為護(hù)板(11)在儲(chǔ)存室(2、3)內(nèi)處于存放位置。
11.按照權(quán)利要求10或尤其在此以后所述的方法，其特征為，掩模在儲(chǔ)存室(2)內(nèi)處于存放位置，以及通過(guò)裝料口(6)被置于防護(hù)位置。
12.按照權(quán)利要求10至11之一或尤其在此以后所述的方法，其特征為，掩模(10)借助護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)或借助護(hù)板(11)從掩模儲(chǔ)存室(2)送入過(guò)程室(I)中?！?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于基底(12)處理尤其涂層的設(shè)備，包括過(guò)程室(1)，包括至少一個(gè)通過(guò)裝料口(6、7)與過(guò)程室(1)連接的儲(chǔ)存室(2、3)，用于存放要在過(guò)程室(1)中處理的基底(12)或處理時(shí)要使用的掩模(10、10′、10″、10″′)，包括輸送裝置(13)，用于通過(guò)裝料口(7)為過(guò)程室(11)進(jìn)行基底或掩模(10、10′、10″、10″′)的裝料和卸料，包括溫度可調(diào)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)，用于將原材料與載氣一起引入過(guò)程室(1)，包括與進(jìn)氣機(jī)構(gòu)對(duì)置的接受器(5)，用于承接要處理的基底(12)，包括護(hù)板(11)，它處于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)與接受器(5)或掩模(10)之間的防護(hù)位置，防止基底(12)或掩模(10)受進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)的溫度影響，包括護(hù)板移動(dòng)裝置(15、16)，用于在基底(12)處理前將護(hù)板(11)從在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(4)前的防護(hù)位置移到存放位置，而在基底(12)處理后將護(hù)板(11)從存放位置移回防護(hù)位置。關(guān)鍵是，護(hù)板(11)處于儲(chǔ)存室(2、3)之一內(nèi)部的存放位置。
文檔編號(hào)C23C16/46GK102859030SQ201180019526
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月17日
發(fā)明者G.K.斯特勞克, W.弗蘭肯, M.科爾伯格, F.基特爾, M.格斯多夫, J.凱佩勒 申請(qǐng)人:艾克斯特朗歐洲公司