專(zhuān)利名稱(chēng)：托盤(pán)及具有其的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種托盤(pán)及具有其的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
MOCVD (金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積)溫度均勻性，尤其是承載基片的托盤(pán)上溫度均勻性對(duì)于工藝性能具有很重要的作用，為了達(dá)到該溫度均勻性各廠家采用不同的加熱方式和相應(yīng)的托盤(pán)結(jié)構(gòu)。如現(xiàn)有噴淋頭結(jié)構(gòu)反應(yīng)腔采用電阻絲加熱整個(gè)石墨大托盤(pán)，通過(guò)分區(qū)電阻絲實(shí)現(xiàn)托盤(pán)溫度均勻性?，F(xiàn)有行星式結(jié)構(gòu)采用感應(yīng)加熱整個(gè)石墨大托盤(pán)，大托盤(pán)上承載可自轉(zhuǎn)的小托盤(pán)，通過(guò)小托盤(pán)自轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)小托盤(pán)內(nèi)較好的溫度均勻性。上述兩種反應(yīng)腔對(duì)應(yīng)的托盤(pán)結(jié)構(gòu)能保證工藝沉積區(qū)域的溫度均勻性，但在提高產(chǎn)能方面相對(duì)局限性大。
現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是，由于感應(yīng)加熱的特性即離線圈越近，磁力線越密，感應(yīng)電流密度越大，能加熱到的溫度越高；離線圈越遠(yuǎn)，磁力線越疏，感應(yīng)電流密度越小，能加熱到的溫度越低。因此托盤(pán)的溫度從邊緣到中心逐漸降低，從而導(dǎo)致托盤(pán)的加熱溫度不均勻，因此很難達(dá)到膜層生長(zhǎng)的工藝要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是解決托盤(pán)加熱溫度不均勻的缺陷。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種使加熱溫度更為均勻的托盤(pán)。本發(fā)明的另一目的在于提出一種具有上述托盤(pán)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面的實(shí)施例提出一種托盤(pán)包括托盤(pán)本體；多個(gè)安裝槽，所述多個(gè)安裝槽沿所述托盤(pán)本體的周向設(shè)置，優(yōu)選均勻設(shè)置；多個(gè)小托盤(pán)，每個(gè)所述小托盤(pán)對(duì)應(yīng)地設(shè)置在一個(gè)安裝槽中，其中，所述托盤(pán)本體由絕緣材料構(gòu)成，所述多個(gè)小托盤(pán)由導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)，由于托盤(pán)本體絕緣且小托盤(pán)導(dǎo)熱且導(dǎo)電，因此托盤(pán)本體不會(huì)被感應(yīng)線圈感應(yīng)加熱，這樣只有導(dǎo)熱且導(dǎo)電的小托盤(pán)才會(huì)形成回轉(zhuǎn)感應(yīng)電流，從而加熱小托盤(pán)。這樣，電流流過(guò)區(qū)域就集中在小托盤(pán)上，回轉(zhuǎn)半徑變小，因此本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)能夠極大地降低溫度差異性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述小托盤(pán)在所述安裝槽中可轉(zhuǎn)動(dòng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)安裝槽均勻設(shè)置在所述托盤(pán)本體的周向邊緣處以使所述多個(gè)小托盤(pán)的邊緣凸出所述托盤(pán)本體且與反應(yīng)腔內(nèi)壁接觸，且所述多個(gè)小托盤(pán)的邊緣設(shè)有第一嚙合部件，所述第一嚙合部件與設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的第二嚙合部件相互匹配。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述小托盤(pán)和所述安裝槽之間涂覆有潤(rùn)滑油。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述小托盤(pán)和所述安裝槽之間具有間隙，且所述安裝槽中設(shè)有頂針，所述小托盤(pán)的底部與所述頂針接觸。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣材料包括石英、陶瓷，所述導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料包括石墨、SiC、Mo或Mo合金。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如果所述導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料為石墨，則所述小托盤(pán)表面還涂覆有SiC或氮化硼涂層。本發(fā)明第二方面的實(shí)施例提出一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔包括反應(yīng)腔外壁和反應(yīng)腔內(nèi)壁，所述反應(yīng)腔內(nèi)壁限定有反應(yīng)空間；設(shè)置在所述反應(yīng)腔外壁之外的多個(gè)感應(yīng)線圈；和一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)，所述一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)設(shè)置在所述反應(yīng)空間之中，所述一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)為上述第一方面實(shí)施例的托盤(pán)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，多個(gè)感應(yīng)線圈對(duì)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的小托盤(pán)進(jìn)行感應(yīng)加熱，使得在每個(gè)小托盤(pán)上的感應(yīng)電流回轉(zhuǎn)半徑變小，從而使小托盤(pán)的表面 溫度相對(duì)均衡，進(jìn)而提高反應(yīng)腔對(duì)生長(zhǎng)的工藝要求。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)托盤(pán)在所述反應(yīng)空間內(nèi)豎直地或水平地等間
隔設(shè)置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸穿過(guò)所述多個(gè)托盤(pán)的中心以帶動(dòng)所述多個(gè)托盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)；和第一電機(jī)，所述第一電機(jī)控制所述轉(zhuǎn)軸在第一方向上以第一轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括第二電機(jī)，所述第二電機(jī)帶動(dòng)所述反應(yīng)腔內(nèi)壁在第二方向上以第二轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一方向和第二方向相同，且所述第一轉(zhuǎn)速大于所述第二轉(zhuǎn)速。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I為本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2A為感應(yīng)電流在傳統(tǒng)托盤(pán)內(nèi)的回轉(zhuǎn)路徑示意圖；圖2B為感應(yīng)電流在本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)內(nèi)的回轉(zhuǎn)路徑示意圖；圖3為本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的托盤(pán)結(jié)構(gòu)俯視圖；以及圖4為本發(fā)明實(shí)施例反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置多個(gè)托盤(pán)的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)的具體含義。下面結(jié)合附圖首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)。
如圖I所示，為本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)結(jié)構(gòu)的俯視圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)100包括托盤(pán)本體110、多個(gè)安裝槽(圖中未示出)和多個(gè)小托盤(pán)120。其中，所述多個(gè)安裝槽沿所述托盤(pán)本體110的周向均勻設(shè)置。多個(gè)小托盤(pán)120的每個(gè)所述小托盤(pán)對(duì)應(yīng)地設(shè)置在一個(gè)安裝槽中。其中，所述托盤(pán)本體110由絕緣材料構(gòu)成，所述多個(gè)小托盤(pán)120由導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料構(gòu)成，例如，所述絕緣材料可以為石英、陶瓷等，所述導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料可以為石墨、SiC、Mo或Mo合金，由于石英成本低，加工簡(jiǎn)單，絕緣能力強(qiáng)且耐高溫，石墨易于被感應(yīng)加熱，硬度大，導(dǎo)電能力強(qiáng)且熔點(diǎn)相對(duì)較高，所以?xún)?yōu)選地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，絕緣材料為石英，導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料由石墨制成。如果導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料為石墨，則所述小托盤(pán)表面還涂覆有SiC或氮化硼涂層。結(jié)合圖2A和圖2B，其中，圖2A為感應(yīng)電流在傳統(tǒng)托盤(pán)內(nèi)的回轉(zhuǎn)路徑示意圖，圖2B為感應(yīng)電流在本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)內(nèi)的回轉(zhuǎn)路徑示意圖。從圖2A中可以看出，傳統(tǒng)的托盤(pán)本體采用可導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料制成，因此在感應(yīng)線圈的作用下是感應(yīng)電流在托盤(pán)本體內(nèi)形成一個(gè)回轉(zhuǎn)電流210，而圖2B所示的本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)由于托盤(pán)本體為絕緣材料，從而感應(yīng)電流在每個(gè)小托盤(pán)內(nèi)形成回轉(zhuǎn)電流121，明顯地，回轉(zhuǎn)電流121的回轉(zhuǎn)半徑小于回轉(zhuǎn)電流210的回轉(zhuǎn)半徑，因此使溫度更為均勻。結(jié)合圖I和圖2B，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)100，由于托盤(pán)本體110絕緣且小托盤(pán)120導(dǎo)熱且導(dǎo)電，因此托盤(pán)本體110不會(huì)被感應(yīng)線圈感應(yīng)加熱，這樣只有導(dǎo)熱且導(dǎo)電的小托盤(pán)120才會(huì)形成回轉(zhuǎn)感應(yīng)電流，從而加熱小托盤(pán)120。這樣，電流流過(guò)區(qū)域就集中在小托盤(pán)120上，回轉(zhuǎn)半徑變小，因此能夠極大地降低小托盤(pán)表面的溫度差異性，從而達(dá)到基片表面MOCVD外延生長(zhǎng)的工藝要求。如圖I或圖2B所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述小托盤(pán)120在所述安裝槽中可轉(zhuǎn)動(dòng)。小托盤(pán)120在安裝槽內(nèi)發(fā)生自轉(zhuǎn)，所以使小托盤(pán)本身局部受熱擴(kuò)散以使小托盤(pán)表面溫度更為均勻。然而由于自轉(zhuǎn)使得小托盤(pán)120和安裝槽之間發(fā)生摩擦，不但阻礙小托盤(pán)120的轉(zhuǎn)動(dòng)，而且使小托盤(pán)120磨損安裝槽，縮短其使用壽命，因此，優(yōu)選地，在所述小托盤(pán)120和所述安裝槽之間涂覆有潤(rùn)滑油，所述潤(rùn)滑油具有耐高溫，導(dǎo)電且不與所述小托盤(pán)的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的特點(diǎn)，潤(rùn)滑油減少小托盤(pán)120與安裝槽之間的摩擦系數(shù)。如圖3所示，為本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的托盤(pán)結(jié)構(gòu)俯視圖。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述多個(gè)安裝槽均勻設(shè)置在所述托盤(pán)本體310的周向邊緣處以使所述多個(gè)小托盤(pán)320的邊緣凸出所述托盤(pán)本體310且與反應(yīng)腔內(nèi)壁接觸，且所述多個(gè)小托盤(pán)320的邊緣設(shè)有第一嚙合部件，如齒輪等，所述第一嚙合部件與設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的第二嚙合部件相互匹配。小托盤(pán)320的邊緣突出托盤(pán)本體310 —部分，并且在小托盤(pán)320的邊緣設(shè)置有第一嚙合部件，所述第一嚙合部件與設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的第二嚙合部件相互匹配以使反應(yīng)腔轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程通過(guò)第一嚙合部件和第二嚙合部件帶動(dòng)小托盤(pán)發(fā)生自轉(zhuǎn)，進(jìn)一步提高了小托盤(pán)表面的溫度均勻性。優(yōu)選地，為了更加減小小托盤(pán)320與托盤(pán)本體310之間摩擦，可在小托盤(pán)320和所述安裝槽之間預(yù)留一定的間隙減少小托盤(pán)320與托盤(pán)本體310之間的連接，通過(guò)在所述安裝槽中預(yù)先設(shè)置的頂針穿過(guò)所述間隙與小托盤(pán)320的底部接觸，這樣，小托盤(pán)320與托盤(pán)本體310之間通過(guò)頂針接觸，在減少摩擦的同時(shí)使小托盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)更為方便。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)，通過(guò)減少感應(yīng)電流的回轉(zhuǎn)半徑和使小托盤(pán)自轉(zhuǎn)的方式能夠很好的解決小托盤(pán)表面溫度不均勻的問(wèn)題，使基片的MOCVD的制作工藝更為精確。、
下面結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)既可用于單托盤(pán)的反應(yīng)腔也可用于多托盤(pán)的反應(yīng)腔。由于在多托盤(pán)的反應(yīng)腔中通過(guò)反應(yīng)腔的側(cè)壁的感應(yīng)線圈對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)的多個(gè)托盤(pán)進(jìn)行加熱，因此其溫度不均勻的問(wèn)題更加明顯。如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置多個(gè)托盤(pán)的示意圖。本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括反應(yīng)腔410、設(shè)置在反應(yīng)腔410之內(nèi)的多個(gè)托盤(pán)420、多個(gè)感應(yīng)線圈430和工藝氣體運(yùn)輸裝置440。其中，所述反應(yīng)腔410包括反應(yīng)腔外壁和反應(yīng)腔內(nèi)壁，所述反應(yīng)腔內(nèi)壁限定有反應(yīng)空間。多個(gè)感應(yīng)線圈430設(shè)置在所述反應(yīng)腔外壁外側(cè)。多個(gè)托盤(pán)420設(shè)置在反應(yīng)空間之中，多個(gè)托盤(pán)420為上述第一方面實(shí)施例的托盤(pán)。多個(gè)托盤(pán)420在反應(yīng)空間內(nèi)豎直地且等間隔設(shè)置。反應(yīng)腔內(nèi)同時(shí)設(shè)置多個(gè)托盤(pán)能夠同時(shí)加工更多的基片，提高工作效率。通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例的托盤(pán)能夠有效改善在圖4所示的反應(yīng)腔中多托盤(pán)的溫度均勻性。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，多個(gè)感應(yīng)線圈對(duì)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的小托盤(pán)進(jìn)行感應(yīng)加熱，使得在每個(gè)小托盤(pán)上的感應(yīng)電流回轉(zhuǎn)半徑變小，從而使小托盤(pán)的表面溫度相對(duì)均衡，進(jìn)而提高反應(yīng)腔對(duì)MOCVD外延生長(zhǎng)的工藝要求。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括轉(zhuǎn)軸和第一電機(jī)。其中，所述轉(zhuǎn)軸穿過(guò)所述多個(gè)托盤(pán)的中心以帶動(dòng)所述多個(gè)托盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)。所述第一電機(jī)控制所述轉(zhuǎn)軸在第一方向上以第一轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖3所示，轉(zhuǎn)軸垂直穿過(guò)托盤(pán)中心的圓孔330且與所述托盤(pán)本體固定連接，從而在第一電機(jī)的驅(qū)動(dòng)下使托盤(pán)本體310沿著轉(zhuǎn)動(dòng)，使托盤(pán)加熱更為均勻。另外，托盤(pán)本體310上設(shè)置的小托盤(pán)320本身自轉(zhuǎn)也可提高加熱均勻性，所以?xún)?yōu)選地，還可以在所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備中增加第二電機(jī)，所述第二電機(jī)帶動(dòng)所述反應(yīng)腔內(nèi)壁在第二方向上以第二轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。結(jié)合圖3，第二電機(jī)驅(qū)動(dòng)反應(yīng)腔內(nèi)壁以第二轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)小托盤(pán)320的第一嚙合部件與設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的第二嚙合部件相互匹配以使在反應(yīng)腔內(nèi)壁轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中通過(guò)第一嚙合部件和第二嚙合部件帶動(dòng)小托盤(pán)320發(fā)生自轉(zhuǎn)，進(jìn)一步提高了小托盤(pán)表面的溫度均勻性。優(yōu)選地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一方向和第二方向相同，且所述第一轉(zhuǎn)速大于所述第二轉(zhuǎn)速。小托盤(pán)本身的自轉(zhuǎn)速度小于托盤(pán)本體的轉(zhuǎn)速，防止由于小托盤(pán)轉(zhuǎn)速過(guò)快使基片甩落，同時(shí)防止由于小托盤(pán)轉(zhuǎn)速過(guò)快而擾亂反應(yīng)腔內(nèi)氣流場(chǎng)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，第一電機(jī)帶動(dòng)托盤(pán)本體轉(zhuǎn)動(dòng)，第二電機(jī)帶動(dòng)小托盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)，使反應(yīng)腔內(nèi)小托盤(pán)表面的溫度均衡，從而使基片的外延生長(zhǎng)過(guò)程達(dá)到理想的工藝要求。另外，本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積設(shè)備設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，成本低，且易操作。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例 ，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種托盤(pán)，其特征在于，包括 托盤(pán)本體； 多個(gè)安裝槽，所述多個(gè)安裝槽沿所述托盤(pán)本體的周向設(shè)置； 多個(gè)小托盤(pán)，每個(gè)所述小托盤(pán)對(duì)應(yīng)地設(shè)置在一個(gè)安裝槽中， 其中，所述托盤(pán)本體由絕緣材料構(gòu)成，所述多個(gè)小托盤(pán)由導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求I所述的托盤(pán)，其特征在于，所述小托盤(pán)在所述安裝槽中可轉(zhuǎn)動(dòng)。
3.如權(quán)利要求2所述的托盤(pán)，其特征在于，所述多個(gè)安裝槽均勻設(shè)置在所述托盤(pán)本體的周向邊緣處以使所述多個(gè)小托盤(pán)的邊緣凸出所述托盤(pán)本體且與反應(yīng)腔內(nèi)壁接觸，且所述多個(gè)小托盤(pán)的邊緣設(shè)有第一嚙合部件，所述第一嚙合部件與設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的第二嚙合部件相互匹配。
4.如權(quán)利要求3所述的托盤(pán)，其特征在于，所述小托盤(pán)和所述安裝槽之間涂覆有潤(rùn)滑油。
5.如權(quán)利要求3所述的托盤(pán)，其特征在于，所述小托盤(pán)和所述安裝槽之間具有間隙，且所述安裝槽中設(shè)有頂針，所述小托盤(pán)的底部與所述頂針接觸。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的托盤(pán)，其特征在于，所述絕緣材料包括石英、陶瓷，所述導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料包括石墨、SiC, Mo或Mo合金。
7.如權(quán)利要求I所述的托盤(pán)，其特征在于，所述小托盤(pán)的材料為表面涂覆有SiC或氮化硼涂層的石墨。
8.—種化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,包括 反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔包括反應(yīng)腔外壁和反應(yīng)腔內(nèi)壁，所述反應(yīng)腔內(nèi)壁限定有反應(yīng)空間； 設(shè)置在所述反應(yīng)腔外壁之外的多個(gè)感應(yīng)線圈；和 一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)，所述一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)設(shè)置在所述反應(yīng)空間之中，所述一個(gè)或多個(gè)托盤(pán)包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的托盤(pán)。
9.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)托盤(pán)在所述反應(yīng)空間內(nèi)豎直地或水平地等間隔設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，還包括 轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸穿過(guò)所述多個(gè)托盤(pán)的中心以帶動(dòng)所述多個(gè)托盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)；和 第一電機(jī)，所述第一電機(jī)控制所述轉(zhuǎn)軸在第一方向上以第一轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。
11.如權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，還包括 第二電機(jī)，所述第二電機(jī)帶動(dòng)所述反應(yīng)腔內(nèi)壁在第二方向上以第二轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)。
12.如權(quán)利要求11所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一方向和第二方向相同，且所述第一轉(zhuǎn)速大于所述第二轉(zhuǎn)速。
全文摘要
本發(fā)明提出一種托盤(pán)，包括托盤(pán)本體；多個(gè)安裝槽，所述多個(gè)安裝槽沿所述托盤(pán)本體的周向設(shè)置；多個(gè)小托盤(pán)，每個(gè)所述小托盤(pán)對(duì)應(yīng)地設(shè)置在一個(gè)安裝槽中，其中，所述托盤(pán)本體由絕緣材料構(gòu)成，所述多個(gè)小托盤(pán)由導(dǎo)熱且導(dǎo)電的材料構(gòu)成。本發(fā)明還提出一種具有上述托盤(pán)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，由于感應(yīng)電流的回轉(zhuǎn)半徑變小，使托盤(pán)表面溫度更為均勻，從而提高化學(xué)氣相沉積設(shè)備對(duì)基片進(jìn)行工藝的溫度均勻性。另外，本發(fā)明設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)C23C16/458GK102732861SQ20111009407
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月14日
發(fā)明者徐亞偉 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司