專利名稱：柱狀電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種柱狀電極，尤其指一種具有冷卻結(jié)構(gòu)的柱狀電極。
背景技術(shù)：
濺鍍技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，主要使用在金屬薄膜的制鍍，或是用 來(lái)修正或產(chǎn)生圓片集成電路上的電氣特性。磁控濺鍍是一種在系統(tǒng)內(nèi)多增加磁場(chǎng)的濺鍍方 法，電子因?yàn)榇帕€的影響，而螺旋性的前進(jìn)。這樣可以大幅增加氣體的離子密度以及碰撞 機(jī)會(huì)。離子密度一旦增加，濺鍍率亦可以大幅度的提高。柱狀電極是一種具有圓柱狀結(jié)構(gòu)的電極，其應(yīng)用于磁控濺鍍系統(tǒng)中，可對(duì)一般不 可撓或可撓式基板進(jìn)行濺鍍，以及進(jìn)行其它的應(yīng)用。如圖1所示，是一公知的濺鍍裝置1，此濺鍍裝置1包含有一真空腔體10以及一柱 狀電極11，其柱狀電極11包括有一圓柱狀的中空殼體12、一入液管13、一出液管14、以及 復(fù)數(shù)個(gè)磁石15。圓柱狀的中空殼體12具有一中空腔體16，入液管13連通至中空腔體16 內(nèi)，用以輸入冷卻水至中空腔體16中；出液管14亦與中空腔體16連通，以將冷卻水由中空 腔體16中排出。由于一般柱狀電極11于使用過程中會(huì)產(chǎn)生熱，而影響濺鍍率，因此需要設(shè)置如入 液管13以及出液管14等冷卻裝置來(lái)降低柱狀電極11的溫度。然而，公知技術(shù)中，此種以水 充滿整個(gè)柱狀電極內(nèi)部腔體的方法可達(dá)到的冷卻效果并不佳，其推測(cè)是由于腔體過大而造 成水流流速過低，因此冷卻水無(wú)法有效將熱量排出。此外，此種設(shè)計(jì)中需要大量的冷卻水， 對(duì)于使用上的成本計(jì)算，將是一個(gè)很大的問題。再者，此公知的柱狀電極11于使用過程中， 磁石15是完全浸泡于冷卻水內(nèi)，如此則更使組件壽命減低。因此，為了解決上述公知的柱狀電極所具有的缺點(diǎn)，本領(lǐng)域亟需一種新穎的柱狀 電極，使可具有高散熱效果的特性，并可有效減少冷卻水用量，并同時(shí)可提高組件使用壽 命。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種柱狀電極，以克服公知技術(shù)中存在的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的柱狀電極，包括一中空外殼體；一中空內(nèi)殼體，配置于該中空外殼體內(nèi)，其中，該中空內(nèi)殼體與該中空外殼體之間 形成一冷卻腔，該中空內(nèi)殼體內(nèi)具有一中空內(nèi)腔體；至少一磁石，布設(shè)于該中空內(nèi)殼體的中空內(nèi)腔體內(nèi)；一托座，其中，該中空外殼體以及該中空內(nèi)殼體組設(shè)于該托座上；一第一輸液管，連通至該冷卻腔；以及一第二輸液管，連通至該冷卻腔。所述的柱狀電極，其中該第一輸液管貫穿該中空內(nèi)腔體，且該第一輸液管的一第一管口配置于該中空內(nèi)殼體的頂端。所述的柱狀電極，其中包括一電源供應(yīng)源，與該托座電性耦接。所述的柱狀電極，其中包括一密封墊，配置于該中空外殼體及中空內(nèi)殼體與該托 座之間。所述的柱狀電極，其中包括多數(shù)個(gè)磁石。所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的內(nèi)直徑與該中空內(nèi)殼體的外直徑差為2mm 至 20mm。所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的內(nèi)直徑與該中空內(nèi)殼體的外直徑差為5mm 至 15mm。所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的外直徑為80mm至200mm。所述的柱狀電極，其中該中空外殼體的外直徑為IOOmm至180mm。所述的柱狀電極，其中該磁石為一永久磁鐵。本實(shí)用新型提供的具冷卻結(jié)構(gòu)的柱狀電極，是利用一中空內(nèi)殼體而將中空外殼體 內(nèi)的空間分隔，而形成一獨(dú)立的冷卻腔以及中空內(nèi)腔體，并使冷卻水僅可于接近中空外殼 體表面的冷卻腔內(nèi)流動(dòng)(使中空內(nèi)腔體不需充滿水)，因此可大幅節(jié)省冷卻水的使用量，降 低使用成本。此外，經(jīng)由實(shí)驗(yàn)證實(shí)，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空間(即冷卻腔) 相較于傳統(tǒng)柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空間來(lái)的小，因此冷卻水于冷卻腔內(nèi)的流速可被有效地 增加，進(jìn)而提升降溫的效果。因此，本實(shí)用新型的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)可達(dá)到的冷卻效率較 公知的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)更佳。再者，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中具有一中空內(nèi)腔體，使磁石可容置于此中空 內(nèi)腔體中而不與水接觸，因此可提升磁石的組件使用壽命。

圖1是一公知的濺鍍裝置的示意圖。圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的濺鍍裝置的示意圖。圖3是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的柱狀電極的示意圖。附圖中主要組件符號(hào)說明1濺鍍裝置，24冷卻腔，11柱狀電極，25托座，12中空殼體，26第一輸液管，13入液 管，261第一管口，14出液管，27第二輸液管，15磁石，271第二管口，16中空腔體，28中空內(nèi) 腔體，21柱狀電極，29磁石，22中空外殼體，30密封墊，23中空內(nèi)殼體，31電源供應(yīng)源。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供的柱狀電極，包括一中空外殼體；一中空內(nèi)殼體，配置于中空外 殼體內(nèi)，其中，中空內(nèi)殼體與中空外殼體之間形成一冷卻腔，中空內(nèi)殼體內(nèi)具有一中空內(nèi)腔 體；至少一磁石，布設(shè)于中空內(nèi)殼體的中空內(nèi)腔體內(nèi)；一托座，其中中空外殼體以及中空內(nèi) 殼體組設(shè)于托座上；一第一輸液管，連通至冷卻腔；以及一第二輸液管，連通至冷卻腔。本實(shí)用新型的柱狀電極中，第一輸液管較佳可貫穿中空內(nèi)腔體，且第一輸液管的 一第一管口較佳可配置于中空內(nèi)殼體的頂端。如此，當(dāng)冷卻水由第一管口進(jìn)入至冷卻腔時(shí)，較容易達(dá)成使冷卻水于冷卻腔中各處的流速平均的效果。本實(shí)用新型的柱狀電極中，較佳可還包括一電源供應(yīng)源，且電源供應(yīng)源是與托座 電性耦接，并經(jīng)由托座而電性耦接至中空外殼體。此外，電源供應(yīng)源較佳可為一直流、脈波、 或射頻(RF)電源供應(yīng)源，用以提供柱狀電極一射頻電源本實(shí)用新型的柱狀電極中，較佳可還包括一密封墊，密封墊是配置于中空外殼體 及中空內(nèi)殼體與托座之間，以防止冷卻腔內(nèi)的液體進(jìn)入至中空內(nèi)腔體內(nèi)，而達(dá)到密封效果。本實(shí)用新型的柱狀電極中，較佳可還包括多數(shù)個(gè)磁石，例如，柱狀電極中可包含有 二個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或以上的磁石。本實(shí)用新型的柱狀電極中，中空外殼體的內(nèi)直徑與中空內(nèi)殼體的外直徑的差(是 與冷卻腔中水可流經(jīng)的厚度相關(guān))較佳可為2mm至20mm，更佳可為5mm至15mm。本實(shí)用新型的柱狀電極中，中空外殼體的外直徑較佳可為80mm至200mm，更佳可 為 100_ 至 180_。本實(shí)用新型的柱狀電極中，磁石更佳可為一永久磁鐵。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例作詳細(xì)說明。實(shí)施例1如圖2所示，是本實(shí)施例的柱狀電極21，其包括有一中空外殼體22、一中空內(nèi)殼 體23、多個(gè)磁石29、一托座25、一密封墊30、一電源供應(yīng)源31、一第一輸液管26、以及一第 二輸液管27。中空內(nèi)殼體23配置于中空外殼體22內(nèi)，其中，中空外殼體22以及中空內(nèi)殼 體23組設(shè)于托座25上，電源供應(yīng)源31與托座25電性耦接，并經(jīng)由托座25而電性耦接至 中空外殼體22。并且，本實(shí)施例中，電源供應(yīng)源31為一射頻(RF)電源供應(yīng)源(但不限定于 射頻電源供應(yīng)源，亦可為直流、或脈波)，可用以提供柱狀電極21 —射頻電源。中空內(nèi)殼體 23與中空外殼體22之間形成一冷卻腔24，而中空內(nèi)殼體23內(nèi)具有一中空內(nèi)腔體28，且中 空內(nèi)腔體28內(nèi)布設(shè)有多組磁石29。密封墊30配置于中空外殼體22及中空內(nèi)殼體23與托 座25之間，以防止冷卻腔24內(nèi)的液體進(jìn)入至中空內(nèi)腔體28內(nèi)，而達(dá)到密封效果。本實(shí)施 例中，多個(gè)磁石29皆為磁鐵。第一輸液管26貫穿托座25以及中空內(nèi)腔體28，且第一輸液管26具有一第一管口 261，第一管口 261配置于中空內(nèi)殼體23的頂端并與冷卻腔24連接。第二輸液管27亦貫 穿托座25并連通至冷卻腔24，第二輸液管27具有一第二管口 271，位于冷卻腔24的底端 且與冷卻腔24連通。如此，冷卻水可經(jīng)由第一輸液管26并通過第一管口 261由外部輸入 至冷卻腔24中，流經(jīng)冷卻腔24后，經(jīng)由第二輸液管27排出，而形成一冷卻循環(huán)機(jī)制。本實(shí)施例的具冷卻結(jié)構(gòu)的柱狀電極，利用一中空內(nèi)殼體而將中空外殼體內(nèi)的空間 分隔，而形成一獨(dú)立的冷卻腔以及中空內(nèi)腔體，并使冷卻水僅可于接近中空外殼體表面的 冷卻腔內(nèi)流動(dòng)(使中空內(nèi)腔體不需充滿水)，因此可大幅節(jié)省冷卻水的使用量，降低使用成 本。此外，經(jīng)由實(shí)驗(yàn)證實(shí)，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空間(即冷卻腔) 相較于傳統(tǒng)柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空間來(lái)的小，因此冷卻水于冷卻腔內(nèi)的流速可被有效地 增加，進(jìn)而提升降溫的效果。因此，本實(shí)用新型的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)可達(dá)到的冷卻效率較 公知的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)更佳。再者，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中具有一中空內(nèi)腔體，使磁石可容置于此中空內(nèi)腔體中而不與水接觸，因此可提升磁石的組件使用壽命。實(shí)施例2如圖3所示，是本實(shí)施例的柱狀電極21。柱狀電極21包括有一中空外殼體22、一 中空內(nèi)殼體23、多個(gè)磁石29、一托座25、一密封墊30、一電源供應(yīng)源31、一第一輸液管26、 一第二輸液管27、以及隔板33。中空內(nèi)殼體23配置于中空外殼體22內(nèi)，其中，中空外殼體 22以及中空內(nèi)殼體23組設(shè)于托座25上。電源供應(yīng)源31與托座25電性耦接，中空內(nèi)殼體 23與中空外殼體22之間形成一冷卻腔24，中空內(nèi)殼體23內(nèi)具有一中空內(nèi)腔體28，且中空 內(nèi)腔體28內(nèi)布設(shè)有多個(gè)磁石29。密封墊30配置于中空外殼體22及中空內(nèi)殼體23與托座 25之間。本實(shí)施例中，多個(gè)磁石29皆為磁鐵。此外，本實(shí)施例中，第一輸液管26的第一管口 261以及第二輸液管27的第二管口 271皆位于冷卻腔24的底端且與冷卻腔24連通，且第一管口 261與第二管口 271相對(duì)配 置于該中空內(nèi)殼體23的二側(cè)。冷卻腔24內(nèi)設(shè)有隔板33以將冷卻腔24的空間切割為二部 分。如此，冷卻水經(jīng)由第一管口 261由外部輸入至冷卻腔24中，充滿圖3中左半部分的冷 卻腔24后再流入右半部分的冷卻腔24，并經(jīng)由第二管口 271排出，而形成一冷卻循環(huán)機(jī)制。如圖3所示，本實(shí)施例中，中空外殼體22的內(nèi)直徑Dl為160mm，中空內(nèi)殼體23的 外直徑D2為154mm，如此，中空外殼體22的內(nèi)直徑Dl與中空內(nèi)殼體23的外直徑D2的差為 6mm，亦即代表冷卻腔24中水可流經(jīng)的厚度D3為3mm。綜上所述，本實(shí)用新型的具冷卻結(jié)構(gòu)的柱狀電極，其利用一中空內(nèi)殼體而將中空 外殼體內(nèi)的空間分隔，形成一獨(dú)立的冷卻腔以及中空內(nèi)腔體，并使冷卻水僅可于接近中空 外殼體表面的冷卻腔內(nèi)流動(dòng)(使中空內(nèi)腔體不需充滿水)，因此可大幅節(jié)省冷卻水的使用 量，降低使用成本。此外，經(jīng)由實(shí)驗(yàn)證實(shí)，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空問(即，冷卻 腔)相較于傳統(tǒng)柱狀電極中冷卻水流經(jīng)空間來(lái)的小，因此冷卻水于冷卻腔內(nèi)的流速可被有 效地增加，進(jìn)而提升降溫的效果。因此，本實(shí)用新型的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)可達(dá)到的冷卻效 率較公知的柱狀電極的冷卻結(jié)構(gòu)更佳。再者，由于本實(shí)用新型的柱狀電極中具有一中空內(nèi) 腔體，使磁石可容置于此中空內(nèi)腔體中而不與水接觸，因此可提升磁石的組件使用壽命。上述實(shí)施例僅為了方便說明而舉例而已，本實(shí)用新型所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申 請(qǐng)的權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種柱狀電極，其特征在于，包括一中空外殼體；一中空內(nèi)殼體，配置于該中空外殼體內(nèi)，其中，該中空內(nèi)殼體與該中空外殼體之間形成 一冷卻腔，該中空內(nèi)殼體內(nèi)具有一中空內(nèi)腔體；至少一磁石，布設(shè)于該中空內(nèi)殼體的中空內(nèi)腔體內(nèi)；一托座，其中，該中空外殼體以及該中空內(nèi)殼體組設(shè)于該托座上；一第一輸液管，連通至該冷卻腔；以及一第二輸液管，連通至該冷卻腔。
2.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該第一輸液管貫穿該中空內(nèi)腔體， 且該第一輸液管的一第一管口配置于該中空內(nèi)殼體的頂端。
3.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中包括一電源供應(yīng)源，與該托座電性 華禹接。
4.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中包括一密封墊，配置于該中空外殼 體及中空內(nèi)殼體與該托座之間。
5.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中包括多數(shù)個(gè)磁石。
6.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該中空外殼體的內(nèi)直徑與該中空 內(nèi)殼體的外直徑差為2mm至20mm。
7.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該中空外殼體的內(nèi)直徑與該中空 內(nèi)殼體的外直徑差為5mm至15mm。
8.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該中空外殼體的外直徑為80mm至 200mm。
9.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該中空外殼體的外直徑為IOOmm至 180mmo
10.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極，其特征在于，其中該磁石為一永久磁鐵。
專利摘要一種柱狀電極，包括中空外殼體；中空內(nèi)殼體，配置于中空外殼體內(nèi)，中空內(nèi)殼體與中空外殼體之間形成一冷卻腔，中空內(nèi)殼體內(nèi)具有中空內(nèi)腔體；磁石布設(shè)于中空內(nèi)殼體的中空內(nèi)腔體內(nèi)；托座，其中，中空外殼體以及中空內(nèi)殼體組設(shè)于托座上；第一輸液管連通至冷卻腔；以及第二輸液管，連通至冷卻腔。本實(shí)用新型的柱狀電極，利用中空內(nèi)殼體而將中空外殼體內(nèi)的空間分隔，形成一獨(dú)立的冷卻腔以及中空內(nèi)腔體，并使冷卻水僅于接近中空外殼體表面的冷卻腔內(nèi)流動(dòng)，因此可提高冷卻效率，并同時(shí)提升電極的性能。
文檔編號(hào)C23C14/35GK201785481SQ201020194920
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者孫湘平, 廖泯諺, 張?jiān)? 楊宏河, 林偉德 申請(qǐng)人:富臨科技工程股份有限公司