專(zhuān)利名稱：選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于熒光染料-有機(jī)發(fā)光小分子發(fā)光圖案化領(lǐng)域，具體涉及調(diào)節(jié)聚合 物薄膜的厚度和所用有機(jī)發(fā)光小分子的量，控制有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物薄膜中 的擴(kuò)散，進(jìn)而控制有機(jī)發(fā)光小分子的聚集狀態(tài)。通過(guò)選擇性光褪色淬滅表層聚集 態(tài)有機(jī)發(fā)光小分子，實(shí)現(xiàn)了用一種有機(jī)發(fā)光小分子制備多色發(fā)光圖案的方法。
背景技術(shù)：
鑒于有機(jī)發(fā)光小分子的圖案化在光子學(xué)、光電子學(xué)、多色顯示、傳感器陣列 等方面的重要應(yīng)用，多種傳統(tǒng)的及新興的微細(xì)加工技術(shù)已被應(yīng)用到該技術(shù)中，其 中包括干法刻蝕、掩膜熱蒸鍍、噴墨打印等。
1994年Tang等首次發(fā)表了通過(guò)用掩模板(shadow mask evaporation)熱 蒸鍍的方法構(gòu)筑不同熒光顏色圖案的專(zhuān)利(U.S.Pat.No.5,871,709)。其方法是 通過(guò)真空熱蒸鍍使發(fā)光分子通過(guò)掩模板選擇性地沉積到器件基底上，沉積完第一 種發(fā)光分子之后，移動(dòng)掩模板，沉積第二、第三種發(fā)光分子，從而得到由不同發(fā) 光分子構(gòu)成的圖案。這種方法被不斷改進(jìn)(U.S.Pat.No.5,550,066; 5,688,551; 5,742,129; 5,871,709; 6,066,357; 6,184,049 ; 6,191,433; 6,337,102; 6，9"，671)。
構(gòu)筑發(fā)光聚合物圖案的方法，通常包括"噴墨打印"(T. R. Hebner et al, Appl. Phys. Lett. 1998,72,519)、干法刻蝕(C. C. Wu et al, Appl. Phys. Lett. 1996,69,3117)等等。"噴墨打印"的方法就是將不同的發(fā)光聚合物作為"墨 水"打印到器件的基底上，形成發(fā)出不同顏色光的圖案。干法刻蝕包括以下步驟 首先將一種發(fā)光聚合物旋涂到帶有電極的基底上，然后用掩模板蒸鍍的方法在相 應(yīng)的位置蒸鍍電極，并將其它部分的聚合物刻蝕掉。在旋涂第二種聚合物之前， 要將第一部分結(jié)構(gòu)保護(hù)，然后采用相同的步驟構(gòu)筑第二種發(fā)光聚合物的結(jié)構(gòu)和第 三種發(fā)光聚合物的結(jié)構(gòu)。
有機(jī)發(fā)光小分子，通常來(lái)說(shuō)在不同的聚集狀態(tài)下具有不同的發(fā)光顏色，單體 的發(fā)光顏色，聚集體的發(fā)光顏色(二聚體，三聚體等等)，及本體的發(fā)光顏色是 不同的(H. Y. Zhang et al， Adv. Mater. 2006,18,2369)。利用有機(jī)發(fā)光小分子在 聚合物中(如聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯等)及在基底表面(如硅基底、 石英基底等)聚集狀態(tài)不同這一性質(zhì)，我們制作了熒光發(fā)光圖案(W. Hu et al， Adv. Mater. 2007， 19,2119)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是調(diào)節(jié)聚合物薄膜的厚度和所用有機(jī)發(fā)光小分子的比例關(guān)系， 利用染料有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物薄膜中的擴(kuò)散，從而控制有機(jī)發(fā)光分子的聚集 狀態(tài)。選擇性光褪色淬滅表層聚集態(tài)發(fā)光分子后，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了多色發(fā)光圖案的制 備。此方法在制備傳感器、發(fā)光器件或顯示器件中具有廣泛的應(yīng)用。
我們經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，共軛有機(jī)發(fā)光小分子具有良好的發(fā)光特性，并且此發(fā)光分 子在聚合物的表面及滲透至聚合物中時(shí)呈現(xiàn)出不同的聚集狀態(tài)，并由此導(dǎo)致發(fā)射 不同顏色的熒光。通過(guò)調(diào)節(jié)聚合物薄膜的厚度和所用有機(jī)發(fā)光小分子量的關(guān)系， 可以對(duì)熒光峰位進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)驗(yàn)中我們控制吡唑蒽熒光主峰位置在
425nm 500nm范圍內(nèi)(75nm)。通過(guò)用選擇性光褪色淬滅部分表面聚集態(tài)的 熒光，實(shí)現(xiàn)了多色發(fā)光圖案的制備。本發(fā)明所述方法具有制作成本低廉、工藝簡(jiǎn) 單、耗時(shí)短等特點(diǎn)，可用于制備大面積多色發(fā)光圖案。
本發(fā)明所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，包括如下步驟
1、 選取無(wú)機(jī)基底，對(duì)基底表面進(jìn)行清潔處理后，通過(guò)旋涂的方法覆蓋上一 層聚合物，聚合物薄膜的厚度為50~300nm;
2、 在聚合物的表面蒸鍍厚度為1~10nm的有機(jī)發(fā)光小分子薄膜；
3、 在常溫常壓下放置3 10周后，使部分有機(jī)發(fā)光小分子滲透到聚合物薄
膜中；
4、 利用掩模板阻擋，紫外光照射，從而制備得到多色發(fā)光圖案； 進(jìn)一步地，用紫外光激發(fā)，通過(guò)熒光分光光度計(jì)或熒光顯微鏡即可觀測(cè)到
同一種有機(jī)發(fā)光小分子表面發(fā)出兩種不同顏色的熒光。
上述方法中所述的無(wú)機(jī)基底包括石英、玻璃、ITO玻璃、金屬、硅片(單 晶硅)、云母片等表面平滑且清潔的基底。
基底的清潔處理主要有三種方法
第一種方法是依次用丙酮、氯仿、無(wú)水乙醇、去離子水對(duì)上述無(wú)機(jī)基底進(jìn) 行超聲清洗，超聲功率為50 100W，每次4 15min，再用氮?dú)獯蹈?；然后用?等離子體系統(tǒng)對(duì)基底表面進(jìn)行處理，目的是除去表面吸附的有機(jī)物，氧氣流速 50~150ml/min，功率100 300W，處理時(shí)間5 30min;再用高純水對(duì)基底表面超 聲清洗2 3次，超聲功率為50 100W，每次時(shí)間為2 5min，使表面徹底清潔， 然后用氮?dú)獯蹈桑?br> 第二種方法是將上述無(wú)機(jī)基底在體積比為NHyH20: H202: H20(去離子水) =(1~2): (1~3):(卜7)的溶液中，在40 130。C的溫度下浸泡20 120min;然后在功率為50 100W超聲清洗儀中清洗2 5min;再用高純水超聲清洗2~3次，超聲 功率為50 100W，每次時(shí)間為2 5min。然后用氮?dú)獯蹈伞?br> 第三種清潔處理方法是將上述無(wú)機(jī)基底依次用丙酮、氯仿、無(wú)水乙醇、高 純水超聲清洗2 15min，超聲功率為50 100W。目的是除去表面吸附的有機(jī)物， 使表面徹底清潔，然后用氮?dú)獯蹈伞?br> 本發(fā)明以單晶硅基底([n type, (100)]或是[p type, (100)])為例，對(duì)所述方 法進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明。
本發(fā)明以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物薄膜和有機(jī)發(fā)光小分子吡唑蒽 (ANP)為例，來(lái)說(shuō)明有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物薄膜表面制備圖案的方法，但其 它聚合物如聚苯乙烯(PS)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚 氯乙烯(PVC)、聚二丁烯、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯-丁二烯共聚物(SBS)、 聚對(duì)苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物(PPVPE) 、 ABS樹(shù)脂等分子鏈具有柔性、能夠 旋涂成膜的聚合物材料均適用于此方法。其它的發(fā)光分子如喹吖啶酮(DBQA) 及其衍生物等均適用于此方法。
本發(fā)明中所用到的吡唑蒽等共軛有機(jī)發(fā)光小分子均按文獻(xiàn)報(bào)道的方法合成 的(Hongyu Zhang, Zuolun Zhang, Kaiqi Ye, Jingying Zhang, and Yue Wang， Adv. Mater. 2006,18, 2369-2372)。蒸鍍前樣品均經(jīng)過(guò)真空升華提純(Vacuum Sublimation and Crystallography of Quinacridones. F. H. Chung and R. W. Scott.丄Appl. Cryst. (1971). 4, 506-511)。
本發(fā)明適用的掩模板為具有條帶結(jié)構(gòu)(結(jié)構(gòu)周期為5~50|jm，如材質(zhì)為石 英玻璃，不透光部分為用條形掩膜板真空蒸鍍金屬所制，結(jié)構(gòu)周期為13pm，掩 膜的寬度為5pm，空隙部分結(jié)構(gòu)寬度為8|jm的掩膜板；或是材質(zhì)為石英玻璃， 不透光部分為用條形掩膜板真空蒸鍍金屬所制，結(jié)構(gòu)周期為25pm，掩膜的寬度 為10|jm，空隙部分結(jié)構(gòu)寬度為15|jm的掩膜板)。其它結(jié)構(gòu)的掩模板，如點(diǎn)、 方格、其它不規(guī)則形狀等掩模板均適用于本發(fā)明所述的方法。
本發(fā)明所使用的PMMA等聚合物可直接配制一定濃度的有機(jī)溶劑的溶液旋 涂制備成薄膜，如PMMA的甲苯溶液，溶液濃度1~50pg/ml，旋涂速度為 800 8000轉(zhuǎn)/min，獰涂的時(shí)間為10~180s，然后以該薄膜作有機(jī)發(fā)光小分子的 分散層，在其表面蒸鍍有機(jī)發(fā)光小分子。
有機(jī)發(fā)光小分子薄膜蒸鍍是在自控多源有機(jī)氣相沉積系統(tǒng)中進(jìn)行的，真空度 為1xl()4 5x10^Pa，并通過(guò)控制加熱電流大小(5~10A)控制加熱溫度，以石 英晶體微天平(QCM)的頻率變化值來(lái)檢測(cè)蒸鍍速度和蒸鍍層的厚度，本發(fā)明 中對(duì)蒸鍍速度無(wú)嚴(yán)格要求，從1nm/min 90nm/min均可行，從而可以在聚合物基底上蒸鍍厚度為1 50nm的有機(jī)發(fā)光小分子。研究發(fā)現(xiàn)，有機(jī)發(fā)光小分子在聚合 物薄膜中發(fā)光不同于其在聚合物表面，主要是因?yàn)榫酆衔锏逆溑c鏈之間存在空 隙，在放置的過(guò)程中有機(jī)發(fā)光小分子分散到了聚合物鏈間空隙中，以單體的形式 存在，即聚合物鏈結(jié)構(gòu)的空間阻礙作用限制了有機(jī)發(fā)光小分子的聚集狀態(tài)，而在 聚合物表面的有機(jī)發(fā)光小分子則以聚集態(tài)的形式存在。
上述方法中，利用掩模板阻擋，紫外光照射制備多色發(fā)光圖案的條件為紫 外燈的功率為40~500W/cm2，照射的時(shí)間為5~30min。


圖1:制備多色發(fā)光圖案示意圖2:實(shí)施例1得到的剛將ANP蒸鍍聚合物PMMA上的對(duì)應(yīng)的熒光光譜圖； 圖3:實(shí)施例2得到的將實(shí)施例1中的樣品放置了 5周以后所對(duì)應(yīng)的熒光光 譜圖4:實(shí)施例3得到的將實(shí)施例2中放置了 5周以后的樣品紫外曝光后所對(duì) 應(yīng)的熒光光譜圖5:實(shí)施例4得到將實(shí)施例2中的樣品在有結(jié)構(gòu)的掩模板阻擋下進(jìn)行紫外 曝光以后所對(duì)應(yīng)的熒光光譜圖6:實(shí)施例4得到的熒光顯微鏡照片；
如圖1所示，利用掩模板阻擋，選擇性的紫外曝光制備多色發(fā)光圖案示意圖。
11為聚合物薄膜。12為石英、玻璃、ITO玻璃、金屬、硅片、氧化硅或金屬基 底，13為有機(jī)發(fā)光小分子分子薄膜，14為滲透有機(jī)發(fā)光小分子的聚合物薄膜， 15為聚合物層有機(jī)發(fā)光小分子達(dá)到飽和后在聚合物表面剩余的有機(jī)發(fā)光小分子 薄膜，該有機(jī)發(fā)光小分子呈聚集態(tài)，16為經(jīng)過(guò)紫外光照射過(guò)程中被掩模板擋住 部分，為沒(méi)有被淬滅的聚集態(tài)有機(jī)發(fā)光小分子，該部分在紫外光激發(fā)下呈單體與 基底聚集態(tài)混合色的熒光，即藍(lán)綠色熒光，17為經(jīng)紫外光照射過(guò)程中未被掩模 板擋住部分，聚合物表面聚集態(tài)有機(jī)發(fā)光小分子被淬滅，該部分在紫外光照下呈 現(xiàn)出分散在聚合物中單體的有機(jī)發(fā)光小分子的顏色，即藍(lán)色熒光。調(diào)節(jié)聚合物薄 膜的厚度和所用有機(jī)發(fā)光小分子的比例關(guān)系，控制有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物薄膜 中的擴(kuò)散，進(jìn)而控制有機(jī)發(fā)光分子的聚集狀態(tài)。選擇性淬滅表層聚集態(tài)有機(jī)發(fā)光 小分子后，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了制備多色發(fā)光圖案。第一步為在基底上旋涂聚合物 (PMMA)薄膜，通過(guò)控制旋涂的轉(zhuǎn)速來(lái)控制聚合物的薄膜為100nm厚。第二步 將有機(jī)發(fā)光小分子在真空條件下蒸鍍到聚合物薄膜表面，真空度為"10"4 5x10^Pa，通過(guò)控制電流大小控制加熱溫度，進(jìn)而控制蒸鍍的速度，通過(guò)石英
晶體微天平的頻率變化來(lái)測(cè)試有機(jī)發(fā)光小分子的沉積厚度及沉積速度(速度為 1nm/min,蒸鍍的厚度為8nm)，有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物的表面呈現(xiàn)綠色的熒 光。第三步為放置一定的時(shí)間(5周)，有機(jī)發(fā)光小分子會(huì)擴(kuò)散到聚合物分子鏈 段的空隙中，擴(kuò)散到聚合物中的有機(jī)發(fā)光小分子發(fā)射單體的熒光，而控制薄膜的 厚度和蒸鍍有機(jī)發(fā)光小分子的量，使得有機(jī)發(fā)光小分子在除在聚合物中呈現(xiàn)飽和 的狀態(tài)以外，在聚合物薄膜的表面依然有以聚集態(tài)存在的有機(jī)發(fā)光小分子，發(fā)射 聚集態(tài)熒光，這樣就制作了呈藍(lán)綠色熒光的樣品。第四步為利用掩模板(其材質(zhì) 為石英玻璃，結(jié)構(gòu)周期為13ijm，其中可以透過(guò)紫外光部分為8ijm，不透過(guò)光部 分為5iJm，不透光部分為用掩模板真空蒸鍍金屬所制)阻擋進(jìn)行紫外光照，紫外 光選擇性的淬滅表面的部分聚集態(tài)有機(jī)發(fā)光小分子，這樣就形成了多色熒光圖 案。
如圖6所示，利用掩模板(其材質(zhì)為石英玻璃，結(jié)構(gòu)周期為13pm，其中可以 透過(guò)紫外光部分為8Mm，不透過(guò)光部分為5pm,不透光部分為用掩模板真空蒸鍍 金屬所制)阻擋進(jìn)行紫外光照射制備的多色發(fā)光圖案。18為沒(méi)有經(jīng)過(guò)紫外光照 射而發(fā)藍(lán)綠色熒光部分，19為經(jīng)過(guò)紫外光照射發(fā)藍(lán)色熒光部分，紫外燈功率為 40W/cm2，光照時(shí)間為30min。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步闡明本發(fā)明方法及應(yīng)用，而不是要用這些實(shí)施例來(lái) 限制本發(fā)明。本發(fā)明利用選擇性光褪色淬滅的方法制備了多色發(fā)光圖案。
實(shí)施例1:
在2cmx2cm厚度1.5mm單晶硅基底上([n type, (100)或是[p type, (100)) 旋涂制備PMMA薄膜(sigma-aldrich，重均分子量Mw=96 kDa)，薄膜的厚度 為100nm。將有機(jī)發(fā)光小分子ANP(按文獻(xiàn)(Adv. Mater. 2006， 18, 2369-2372)
報(bào)道的方法合成的)真空蒸鍍到聚合物薄膜上，真空度為5x10^Pa，通過(guò)控制 電流大小為4A，來(lái)控制加熱溫度，從而控制蒸鍍的速度(速度為1nm/min，蒸 鍍的厚度為8nm)，有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物的表面呈現(xiàn)綠色的熒光。在360nm 入射光激發(fā)下，所得熒光譜圖如圖2所示。峰值為500nm，對(duì)應(yīng)的熒光顏色為 綠色。即由于有機(jī)發(fā)光小分子沒(méi)有滲透入聚合物薄膜中呈現(xiàn)出聚集態(tài)顏色熒光。實(shí)施例2:
取實(shí)施例1中得到的樣品，放置5周后，所得熒光譜圖如圖3所示。峰值 為500nm和425nm，對(duì)應(yīng)的熒光顏色為藍(lán)綠色。即由于部分有機(jī)發(fā)光小分子滲 透入聚合物鏈段空隙中呈現(xiàn)出單體顏色熒光藍(lán)色，而在聚合物表面的有機(jī)發(fā)光小 分子仍然呈現(xiàn)聚集態(tài)的綠色熒光，這樣使得樣品發(fā)射出藍(lán)綠色的熒光。
實(shí)施例3:
取實(shí)施例2中放置5周后的樣品進(jìn)行用紫外光照射，紫外燈的功率為 40W/cm2，照射的時(shí)間為30min。所得熒光譜圖如圖4所示，峰值為425nm， 対應(yīng)的熒光顏色為藍(lán)色。即由于部分有機(jī)發(fā)光小分子滲透入聚合物鏈段空隙中呈 現(xiàn)出單體顏色熒光(藍(lán)色)，而在聚合物表面的有機(jī)發(fā)光小分子由于紫外光的照
射而發(fā)生了淬滅，只表現(xiàn)了分散到聚合物里的有機(jī)發(fā)光小分子單體的顏色，這樣 使得樣品只發(fā)射出藍(lán)色的熒光。
實(shí)施例4:
取實(shí)施例2中放置5周后的樣品，在掩模板(其材質(zhì)為石英玻璃，結(jié)構(gòu)周 期為13|jm，其中可以透過(guò)紫外光部分為8|jm，不透過(guò)光部分為5pm，不透光 部分為用條形掩模板真空蒸鍍金屬所制)的阻擋下進(jìn)行用紫外光照射，紫外燈的 功率為40W/cm2，照射的時(shí)間為30min。所得熒光譜圖如圖5所示，峰值為500nm 和425nm。其中藍(lán)綠色的熒光是由于部分有機(jī)發(fā)光小分子滲透入聚合物鏈段空 隙中呈現(xiàn)出單體顏色熒光(藍(lán)色)和在聚合物表面的有機(jī)發(fā)光小分子呈現(xiàn)聚集態(tài) 的熒光(綠色)共同所得到。而藍(lán)色的熒光是由于紫外光的照射，表面的聚集態(tài) 的有機(jī)發(fā)光小分子發(fā)生了淬滅，只表現(xiàn)了分散到聚合物里的有機(jī)發(fā)光小分子單體 的顏色，這樣使得樣品只發(fā)射出藍(lán)色的熒光，從而制備了多色(藍(lán)色和藍(lán)綠色) 的發(fā)光圖案。
權(quán)利要求
1、選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其包括如下步驟1)選取無(wú)機(jī)基底，對(duì)基底表面進(jìn)行清潔處理后，通過(guò)旋涂的方法覆蓋上一層聚合物，聚合物薄膜的厚度為50～300nm；2)在聚合物的表面蒸鍍厚度為1～10nm的有機(jī)發(fā)光小分子薄膜；3)在常溫常壓下放置3～10周后，使有機(jī)發(fā)光小分子部分滲透到聚合物薄膜中；4)利用掩模板阻擋，紫外光照射，從而制備得到多色發(fā)光圖案。
2、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 無(wú)機(jī)基底為表面平滑且清潔的石英、玻璃、ITO玻璃、金屬、單晶硅或云 母片。
3、 如權(quán)利要求2所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 依次用丙酮、氯仿、無(wú)水乙醇、去離子水對(duì)上述無(wú)機(jī)基底進(jìn)行超聲清洗， 超聲功率為50 100W，每次4 15min，再用氮?dú)獯蹈桑蝗缓笥醚醯入x子體 系統(tǒng)對(duì)基底表面進(jìn)行處理，目的是除去表面吸附的有機(jī)物，氧氣流速 50~150ml/min，功率100 300W，處理時(shí)間5~30min;再用高純水對(duì)基底 表面超聲清洗2 3次，超聲功率為50~100W，每次時(shí)間為2 5min，使表 面徹底清潔，然后用氮?dú)獯蹈伞?br> 4、 如權(quán)利要求2所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 將上述無(wú)機(jī)基底在體積比為NH3'H20: H202: H20=1~2: 1~3: 1~7的溶 液中，在40 130。C的溫度下浸泡20 120min;然后在功率為50~100W超 聲清洗儀中清洗2~5min;再用高純水超聲清洗2~3次，超聲功率為 50~100W，每次時(shí)間為2 5min，然后用氮?dú)獯蹈伞?br> 5、 如權(quán)利要求2所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 將上述無(wú)機(jī)基底依次用丙酮、氯仿、無(wú)水乙醇、高純水超聲清洗2 15min， 超聲功率為50 100W，目的是除去表面吸附的有機(jī)物，使表面徹底清潔， 然后用氮?dú)獯蹈伞?br> 6、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚苯乙烯PS、聚氨酯PU、聚乙烯PE、聚丙烯PP、聚氯乙烯PVC、聚二丁烯、聚乙烯醇PVA、聚苯乙烯-丁二烯共聚物SBS、聚對(duì)苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物PPVPE或ABS樹(shù)脂。
7、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 有機(jī)發(fā)光小分子為吡唑蒽ANP或喹吖啶酮DBQA及其衍生物。
8、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 掩模板為具有條帶、點(diǎn)狀、方格或其它不規(guī)則形狀的掩膜板。
9、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 紫外光照射的紫外燈的功率為40~500W/cm2，照射的時(shí)間為5~30min。
10、 如權(quán)利要求1所述的選擇性光褪色制備多色發(fā)光圖案的方法，其特征在于 是用紫外光激發(fā)，通過(guò)熒光分光光度計(jì)或熒光顯微鏡觀測(cè)到同一種有機(jī)發(fā) 光小分子表面發(fā)出兩種不同顏色的熒光。
全文摘要
本發(fā)明屬于熒光染料-有機(jī)發(fā)光小分子發(fā)光圖案化領(lǐng)域，具體涉及一種通過(guò)控制有機(jī)發(fā)光小分子在聚合物薄膜中的擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)用一種有機(jī)發(fā)光小分子制備多色發(fā)光圖案的方法。其首先是選取無(wú)機(jī)基底，對(duì)基底表面進(jìn)行清潔處理后，通過(guò)旋涂的方法覆蓋上一層聚合物，聚合物薄膜的厚度為50～300nm；在聚合物的表面蒸鍍厚度為1～10nm的有機(jī)發(fā)光小分子薄膜；在常溫常壓下放置3～10周后，使有機(jī)發(fā)光小分子部分滲透到聚合物薄膜中；利用掩模板阻擋，紫外光照射，從而制備得到多色發(fā)光圖案。本發(fā)明所述方法具有制作成本低廉、工藝簡(jiǎn)單、耗時(shí)短的特點(diǎn)，可用于制備大面積的多色發(fā)光圖案。此方法在制備傳感器、發(fā)光器件或顯示器件中具有廣泛的應(yīng)用。
文檔編號(hào)C23C28/00GK101445927SQ200810051679
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者男 呂, 剛 石, 偉 胡, 遲力峰, 郝娟媛, 高立國(guó) 申請(qǐng)人:吉林大學(xué)