專利名稱：從陶瓷基片上去除含有鉭沉積層和鋁電弧噴涂層的復(fù)合涂層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及從陶瓷基片上去除涂層的方法，更具體的說涉及從陶瓷基片表面去除含鉭與鋁的復(fù)合涂層的方法，而對(duì)下面的陶瓷基片無負(fù)面影響。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的制作要求對(duì)硅晶片表面與里面進(jìn)行廣延的化學(xué)處理。這種處理通常要涉及到諸如擴(kuò)散，氧化和沉積一類化學(xué)反應(yīng)。對(duì)于沉積工藝，通過合適的化學(xué)手段在晶片表面沉積諸如多晶硅，氮化硅和二氧化硅一類介電材料。在沉積過程中，源自靶材，氣體入口管線一類離子組分會(huì)沉積在沉積室裸露的內(nèi)表面，其中包括室壁和硬件。沉積環(huán)設(shè)計(jì)成用來阻截這些飄游的組分。如果沉積環(huán)過度使用，它的性能會(huì)下降，必須定期更換，才能確保沉積裝置的最佳性能。
沉積環(huán)通常由涂覆有金屬層的陶瓷基片構(gòu)成。飄游組分很容易沉積在金屬層表面。金屬層一般由一種金屬組成，這種金屬對(duì)陶瓷基片的反應(yīng)活性差，耐蝕，對(duì)基片的結(jié)合力強(qiáng)，且生產(chǎn)成本低。鋁是完全滿足上述要求的金屬。鋁層一般經(jīng)電弧噴涂在陶瓷基片上而形成，形成的鋁涂層能提高鉭沉積或其它金屬沉積的結(jié)合力，因而提高了沉積環(huán)的性能?；诮饘俚捻攲右话阌摄g構(gòu)成，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體制作中采用沉積環(huán)時(shí)，鉭是作為通過真空沉積法被沉積的組分。
陶瓷沉積環(huán)與沉積組分持續(xù)不斷接觸，本例就是金屬鉭，使該沉積環(huán)受污，導(dǎo)致截獲性能下降，降到某個(gè)程度就會(huì)失效。受污與截獲性能下降的沉積環(huán)必須更換成新的。報(bào)廢的陶瓷環(huán)可以再生處理，以求降低沉積裝置操作成本。一般來說，報(bào)廢的陶瓷環(huán)經(jīng)處理首先從陶瓷基片上去除金屬層。一般將沉積環(huán)浸沒在熱的氫氧化鉀溶液內(nèi)除去舊膜。氫氧化鉀溶液能溶解鋁涂層，進(jìn)而掏蝕了鉭層。雖然氫氧化鉀溶液能用于去除舊的金屬層，但它也有損傷陶瓷基片表面的傾向，因而減弱了最初金屬層與該陶瓷基片的結(jié)合力，造成不良的分層與剝落現(xiàn)象。
因此，需要開發(fā)一種從陶瓷基片表面去除金屬層的新方法，它不會(huì)損傷陶瓷基片，確保重新沉積的金屬層不會(huì)分層。還需要開發(fā)一種從陶瓷基片表面去除金屬層的新方法，它同時(shí)提高隨后再次涂層時(shí)在陶瓷基片表面的結(jié)合力。
發(fā)明綜述本發(fā)明涉及的是從陶瓷基片表面去除金屬層的方法。本發(fā)明的方法提供一種有效去除金屬層的工藝，而對(duì)陶瓷基片表面幾無損傷。此方法在較佳實(shí)施方式中還同時(shí)提供具有重整陶瓷基片表面，提高其隨后再次沉積金屬層的結(jié)合力的優(yōu)點(diǎn)，因而提高了層與層之間已經(jīng)改進(jìn)的結(jié)合力或附著力。本發(fā)明的方法涉及使用強(qiáng)酸溶液，促進(jìn)金屬層除去作用。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)較佳的強(qiáng)酸為鹽酸(HCl)，該酸不會(huì)造成對(duì)陶瓷基片明顯損傷。在較佳實(shí)施方式中，此方法還涉及對(duì)陶瓷基片進(jìn)行熱處理，以消除基片表面上的缺陷或早先存在的損傷，以及還能去除表面任何雜質(zhì)或污染物。
本法最好在陶瓷基片上進(jìn)行處理，含有復(fù)合層的沉積環(huán)，所述復(fù)合層由陶瓷基片上的鋁涂層構(gòu)成。在制作半導(dǎo)體而使用沉積環(huán)時(shí)，一般在鋁涂層上沉積金屬鉭。在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，金屬鋁是通過電弧噴涂法，噴涂在陶瓷基片的表面。
本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種從陶瓷基片表面除去金屬層的方法，該方法包括將涂覆有至少一種金屬形成的金屬層的陶瓷基片浸沒在強(qiáng)酸溶液中，浸漬時(shí)間要至少足以基本上從基片上除去金屬層。
本發(fā)明的一個(gè)具體方面，提供了一種從陶瓷基片表面除去金屬層的方法，該方法包括將涂覆有至少一種金屬形成的金屬層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％的鹽酸溶液里，浸漬時(shí)間要至少足以基本上從基片上除去金屬層。
從強(qiáng)酸溶液中取出陶瓷基片；對(duì)陶瓷基片在預(yù)定溫度下進(jìn)行熱處理，處理時(shí)間要足以至少減少陶瓷基片表面上的損傷或缺陷。
本發(fā)明的另一方面，提供了沉積環(huán)的再生方法，所述沉積環(huán)包含涂覆有金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片，該復(fù)合層包含與陶瓷基片接觸的鋁涂層，以及與鋁涂層接觸并覆蓋其上的鉭層，所述方法包括下列步驟將涂覆有至少一種金屬形成的金屬層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)約31％的鹽酸溶液內(nèi)，浸漬時(shí)間要足以從基片上基本除去金屬層；將陶瓷基片從強(qiáng)酸溶液中取出；用水淋洗基片；將基片浸沒在HNO3和HF的酸溶液中；用水淋洗基片，以及將陶瓷基片置于預(yù)定溫度的烘箱內(nèi)一定時(shí)間，干燥該基片。
附圖簡(jiǎn)要說明下面參考附圖詳述了本發(fā)明各實(shí)施方式，附圖中相同項(xiàng)目采用相同參考號(hào)表識(shí)，其中

圖1是本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施方式的簡(jiǎn)化方框圖，以及圖2是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的簡(jiǎn)化方框圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明涉及從陶瓷基片上除去金屬?gòu)?fù)合層的方法。在較佳實(shí)施方式中，本發(fā)明方法增強(qiáng)了脫除復(fù)合層的能力，同時(shí)明顯改善或至少維持下層陶瓷基片的質(zhì)量，隨后可以再涂覆新的金屬?gòu)?fù)合層。本發(fā)明方法的各實(shí)施方式避免了陶瓷表面的損傷，而這種損傷通常與現(xiàn)有的去除方法有關(guān)。本發(fā)明較佳方法還進(jìn)一步改善了陶瓷基片早先存在的表面損傷或缺陷。本發(fā)明在這個(gè)實(shí)施方式中所采用的方法提供了有效而又價(jià)廉的再生廢舊陶瓷基片的手段，那些廢舊基片是一些諸如在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件中加工硅晶片相關(guān)的，用來再生與更新這類基片。在一個(gè)實(shí)施方式中，陶瓷基片形成沉積環(huán)的一個(gè)部分(未予表示)，但本發(fā)明不限于此，它還適用于從多種其它部件表面去除金屬?gòu)?fù)合層或單金屬層。
制作半導(dǎo)體器件包括采用真空沉積方法在硅晶片上沉積—涂層。沉積方法可以是物理方法，將蒸氣相沉積到所需基片上，或者是化學(xué)方法，將蒸氣流過所需基片，在基片表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。使用蒸氣相會(huì)一成不變地造成從材料源向沉積裝置的沉積室遷移，為此，要求采用沉積環(huán)以減少源材料在沉積室內(nèi)各種部件上的沉積。結(jié)果，不僅在靶基上發(fā)生沉積作用，而且還會(huì)在諸如沉積環(huán)本身一類組件的裸露面上發(fā)生沉積作用。鉭是一種典型的源材料。而且，這種工藝通常會(huì)隨時(shí)間推延導(dǎo)致各組件表面性能的退化，反復(fù)使用到某個(gè)程度后，導(dǎo)致該組件最終無法使用，因而需要更換和報(bào)廢組件的再生。供給半導(dǎo)體制造商新的或再生的沉積環(huán)在陶瓷基片表層有一層鋁。使用期間，金屬鉭沉積在鋁涂層上，時(shí)間一長(zhǎng)，與沉積環(huán)相關(guān)的效率就會(huì)下降。
本發(fā)明還有一個(gè)方面，提供了一種從陶瓷基片表面除去金屬層的方法，該方法包括將涂覆有至少一種金屬形成的金屬層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％的鹽酸溶液里，浸漬時(shí)間要至少足以基本上從基片上除去金屬層。在較佳實(shí)施方式中，本方法在涂覆有金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片上進(jìn)行，該金屬?gòu)?fù)合層包含鋁涂層，和覆蓋在鋁涂層上的鉭沉積層。
本發(fā)明另一方面，提供了沉積環(huán)的再生方法，該沉積環(huán)包含涂覆有一種金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片，該復(fù)合層包含與陶瓷基片接觸的鋁涂層，以及與鋁涂層接觸并覆蓋其上的鉭沉積層，所述方法包括將涂覆有金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％的鹽酸溶液內(nèi)，浸漬時(shí)間要足以從基片上基本上除去金屬層；將陶瓷基片從強(qiáng)酸溶液中取出；在陶瓷基片上涂覆一層新的金屬層。
參見圖1，該圖顯示的是本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施方式的操作步驟。這些步驟包括相繼將涂覆金屬的陶瓷基片浸沒在鹽酸(HCl)酸溶液2內(nèi)，進(jìn)行酸洗或?qū)谓饘馘儗踊蚪饘購(gòu)?fù)合層從基片上溶解，再用淋洗液4淋洗基片，用吹干機(jī)6吹干基片，將該基片置于爐窯8內(nèi)在高溫下進(jìn)行熱處理，并且再經(jīng)涂層機(jī)10在基片上重新涂覆一層所需金屬。在本實(shí)施例中，所需金屬為鋁，但本發(fā)明所述的鋁并不意味僅限于鋁。下面進(jìn)一步敘述其中一些步驟。
在圖2中，所示的是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式，該方法稍遜于圖1所述的實(shí)施方式。在第二實(shí)施方式中，沒有采用第一實(shí)施方式中使用爐窯8的熱處理步驟，而采用所示的其它步驟，如圖所示。須注意的是第二實(shí)施方式中前兩步操作與最后一步操作與圖1第一較佳實(shí)施方式中的前兩步操作與最后一步操作完全相同。第二實(shí)施方式的一連串操作步驟包括將鍍有金屬層的陶瓷基片浸沒在鹽酸(HCl)酸溶液2內(nèi)，再將洗脫金屬層后的基片浸沒在淋洗液4內(nèi)，將基片浸沒在硝酸和氫氟酸的酸溶液7內(nèi)，用吹干機(jī)6吹干基片，再在超聲清洗機(jī)12內(nèi)沖洗，用吹干機(jī)6吹干基片，在烘箱14內(nèi)烘干基片，并且再經(jīng)涂層機(jī)10在基片上重新鍍一層所需金屬。下面進(jìn)一步敘述其中某些步驟。
再參見圖1，簡(jiǎn)化的方框圖表示基本組件和實(shí)施本發(fā)明較佳方法的操作步驟。本發(fā)明較佳方法采用配制含有酸性洗提液的酸溶液2，它用以去除或通過洗脫將金屬?gòu)?fù)合層洗脫下來，或從陶瓷基片表面上將金屬層溶解，同時(shí)仍保持陶瓷基片表面完整無損狀態(tài)。酸性洗提液由一種強(qiáng)酸，最好是鹽酸的混合水溶液構(gòu)成。較佳酸性洗提液含有高達(dá)31體積％鹽酸，更佳含有約31體積％鹽酸。酸性洗提液很適宜于去除金屬層，如該金屬層由覆蓋在陶瓷組件上的鋁與鉭的復(fù)合層構(gòu)成?？梢钥闯觯景l(fā)明采用約31％HCl的酸性洗提液很容易去除或洗脫金屬層，而對(duì)下層的陶瓷基片無任何明顯損傷。
正如前面指出，本發(fā)明的一個(gè)用途是直接用于陶瓷基片表面報(bào)廢的或用過的金屬?gòu)?fù)合層的再生。該陶瓷基片一般用作沉積裝置內(nèi)的沉積環(huán)的組件。一般來說，金屬?gòu)?fù)合層包含覆蓋在鋁涂層上的鉭層(如在制作半導(dǎo)體采用沉積環(huán)時(shí)沉積而成)，而鋁涂層是結(jié)合在陶瓷基片表面上的。廢舊沉積環(huán)最初浸沒在裝有酸溶液2的酸洗槽內(nèi)，酸溶液含有酸性洗提液。廢舊沉積環(huán)最好懸掛在酸洗槽內(nèi)，如通過采用一只普通吊鉤(未予顯示)就可以達(dá)此目的。沉積環(huán)浸沒在酸溶液內(nèi)的時(shí)間要足以讓酸性洗提液將金屬層洗脫或溶解。酸溶液2的溫度維持在室溫左右。正常情況下，沉積環(huán)浸沒在酸性洗提液或酸溶液2的時(shí)間長(zhǎng)達(dá)約15分鐘至約1小時(shí)。然而，浸取時(shí)間沒有限制，它隨被去除的金屬?gòu)?fù)合層的厚度與成分而變。
然而，取出沉積環(huán)，在淋洗液4中淋洗除去任何酸性洗提液和/或已裸露成光面的陶瓷基片上的沾污物。這種操作可以通過將沉積環(huán)浸沒在裝有靜態(tài)淋洗液4的淋洗槽內(nèi)進(jìn)行。該靜態(tài)淋洗液4為水。沉積環(huán)浸沒在靜態(tài)淋洗液4的時(shí)間要足以洗去殘留物，通常從約30秒到2分鐘不等。
然后從靜態(tài)淋洗液4中取出沉積環(huán)，再用去離子水噴洗除去可能還殘存在基片表面上的任何殘留物。一經(jīng)噴洗，再將沉積環(huán)浸沒在溢流式洗槽(未予表示)。按需要再次重復(fù)在淋洗液4中淋洗，直至沉積環(huán)表面不再含有任何殘留物，否則會(huì)影響隨后的重鍍工藝，以致影響組件的再生。
在本發(fā)明這個(gè)較佳實(shí)施方式中，沉積環(huán)置于可溫控的爐窯8內(nèi)進(jìn)行熱處理。該爐窯8可以采用常規(guī)的市售爐。經(jīng)過熱處理可以消除陶瓷基片表面上任何缺陷或早先存在的損傷。除此之外，沉積環(huán)經(jīng)熱處理可以氧化與驅(qū)除陶瓷基片表面上的有機(jī)殘存物與沾污物。
再進(jìn)行熱處理操作時(shí)，在爐窯8內(nèi)將沉積環(huán)加熱到約302°F，升溫速率為約122°F/小時(shí)，保溫約1小時(shí)。然后，將沉積環(huán)升溫到約752°F，升溫速率為約212°F/小時(shí)。此后，將沉積環(huán)升溫到約1652°F，升溫速率約為347°F/小時(shí)，保溫約7小時(shí)。7小時(shí)后，將沉積環(huán)降溫至約100°F，降溫速率約210°F/小時(shí)。
正如前所述，在圖2實(shí)施方式中，酸洗操作采用的是硝酸/氫氟酸溶液或酸溶液7，酸洗時(shí)間為5-10分鐘，去除基片上的污漬。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)含有等份量的水、HF與HNO3(各占三分之一)的酸溶液7可以在除污漬的同時(shí)對(duì)基片的損傷最小。然而，采用這一類洗液會(huì)損傷基片，尤其可能要用爐窯或其它熱處理裝置要對(duì)基片進(jìn)行熱處理時(shí)，應(yīng)避免采用這類洗液。
再參見圖2的實(shí)施方式，沉積環(huán)浸沒在酸溶液7之后，再浸沒在淋洗液9內(nèi)(即靜態(tài)和/或溢流淋洗液)，提高任何殘留物、沾污物一類的洗脫效果，然后用吹干機(jī)6吹干沉積環(huán)或陶瓷基片，接著浸沒在超聲清洗液12內(nèi)，用常規(guī)超聲清洗機(jī)清洗。此后，使用吹干機(jī)6使沉積環(huán)或陶瓷基片部分干燥。再將沉積環(huán)置于烘箱14內(nèi)，溫度約為250°F，時(shí)間約為1小時(shí)，使基片徹底干燥。所用的烘箱14可以是市售的任何一種烘箱。
一旦在烘箱14內(nèi)干燥或在爐窯8內(nèi)熱處理完成后，沉積環(huán)或陶瓷基片準(zhǔn)備就緒，在涂層機(jī)10內(nèi)再重新進(jìn)行金屬鍍層操作。涂層機(jī)10可以是本領(lǐng)域已知的任何適宜于金屬鍍層或金屬層的涂層裝置，如雙線纜電弧噴射裝置(twinwire arc spray systems)，但不僅限于此。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，通過適宜手段在沉積環(huán)上最初鍍一層鋁，該鍍層具有所需的厚度、硬度、表面粗糙度與結(jié)合強(qiáng)度。該鋁涂層可以采用熱噴涂裝置，包括本領(lǐng)域內(nèi)廣為所知的雙線纜電弧噴射裝置(twin wire arc spray system)。至此，沉積環(huán)已被再生，準(zhǔn)備安裝在主機(jī)內(nèi)并再次投入作業(yè)。
雖然詳細(xì)說明了本發(fā)明各種實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式并不是用來限制本發(fā)明范圍的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明白對(duì)這些實(shí)施方式做出各種修改，而這些修改均包括在本發(fā)明所附權(quán)利要求的精神與范圍之內(nèi)。例如，本發(fā)明不限于采用金屬鍍層的陶瓷沉積環(huán)，本發(fā)明還可以用于從其它以陶瓷為基材的組件或部件上去除金屬鍍層。還有，除HCl外，還可以采用其它強(qiáng)酸，但本發(fā)明人觀察到其它強(qiáng)酸會(huì)造成陶瓷基片性能下降。本發(fā)明人還認(rèn)為處理溫度越低和/或HCl濃度低于31％，工藝時(shí)間會(huì)拉得過長(zhǎng)。再有，如果處理溫度愈高和/或酸的濃度愈高，高達(dá)31％HCl，則會(huì)對(duì)陶瓷基片或組件造成損傷。
權(quán)利要求
1.一種將至少由一種金屬形成的金屬層從陶瓷基片表面去除的方法，所述方法包括將涂覆有金屬層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％的鹽酸溶液內(nèi)，浸漬時(shí)間要足以從基片上基本除去金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，酸溶液含有的鹽酸濃度約占溶液體積的31％。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，金屬層還包括由鋁涂層形成的復(fù)合層，鋁涂層接觸陶瓷基片，而鉭沉積層覆蓋鋁涂層。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該方法還包括在浸漬步驟之后，對(duì)陶瓷基片在預(yù)定溫度下進(jìn)行熱處理步驟，所述預(yù)定溫度足以至少減少早先存在于陶瓷基片表面的損傷。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，該方法還包括在浸漬步驟之后，對(duì)陶瓷基片在升高溫度下進(jìn)行熱處理步驟，所述溫度應(yīng)足以至少減少早先存在于陶瓷基片表面的損傷。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述熱處理步驟還包括采用至少一種預(yù)定的升溫速率進(jìn)行變溫的步驟。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征為熱處理操作還包括以至少一種預(yù)定升溫速率進(jìn)行變溫的步驟。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括在浸漬步驟之后，將所述基片浸沒在含有硝酸(HNO3)和氫氟酸(HF)的酸浴中，去除污漬。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該酸浴含有等份的水，硝酸和氫氟酸。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約302°F的第一溫度；在第一溫度下保溫約1小時(shí)；以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度；以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)；以約210°F/小時(shí)的降溫速率，使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約302°F的第一溫度；在第一溫度下保溫約1小時(shí)；以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度；以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)；以及以約210°F/小時(shí)的降溫速率使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約為302°F的第一溫度；以及在第一溫度下保溫約1小時(shí)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約210°F/小時(shí)的降溫速率，使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
16.一種將至少由一種金屬形成的金屬層從陶瓷基片表面去除的方法，所述方法包括下列步驟將涂覆有一種金屬形成的金屬層的陶瓷基片浸沒在酸溶液中，浸漬時(shí)間要足以從基片上除去至少部分金屬層；以及在浸漬步驟之后對(duì)陶瓷基片在升高溫度下的熱處理步驟，所述溫度應(yīng)足以至少減少基片表面早先存在的損傷。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，酸溶液包括濃度高達(dá)該溶液體積的31體積％的鹽酸溶液。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述熱處理步驟還包括以至少一種預(yù)定的升溫速率進(jìn)行變溫的步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約302°F的第一溫度；在第一溫度下保溫約1小時(shí)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約210°F/小時(shí)的降溫速率使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述熱處理步驟還包括以至少一種預(yù)定的升溫速率進(jìn)行變溫的步驟。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約302°F的第一溫度；在第一溫度下保溫約1小時(shí)；以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度；以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)；以約210°F/小時(shí)的降溫速率，使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
25.一種沉積環(huán)的再生方法，所述沉積環(huán)包含涂覆有金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片，該復(fù)合層包含與陶瓷基片接觸的鋁層，以及沉積在鋁層上的鉭層，所述方法包括下列步驟將涂覆有金屬?gòu)?fù)合層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％的鹽酸溶液中，浸漬時(shí)間要足以從基片上除去至少部分金屬層；將陶瓷基片從酸溶液中取出；陶瓷基片在淋洗液內(nèi)淋洗；對(duì)陶瓷基片進(jìn)行干燥；陶瓷基片上涂覆新的金屬層。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，該方法還包括在涂覆步驟之前，陶瓷基片在預(yù)定溫度下進(jìn)行熱處理的步驟，處理時(shí)間要足以至少減少陶瓷基片表面的損傷或缺陷。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，該方法還包括在所述淋洗操作之后，將所述基片浸沒在HNO3和HF的酸溶液中，以去除污漬，然后再進(jìn)行另一次淋洗步驟。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征為所述酸溶液含有等份的H2O、HNO3和HF。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，該方法還包括在進(jìn)行所述涂覆步驟之前，所述基片在預(yù)定溫度下干燥預(yù)定的時(shí)間。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述的預(yù)定溫度為250°F，所述預(yù)定時(shí)間為1小時(shí)。
31.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述熱處理步驟還包括以至少一種預(yù)定的升溫速率進(jìn)行變溫的步驟。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，所述變溫步驟還包括以約122°F/小時(shí)的第一升溫速率加熱到約302°F的第一溫度；在第一溫度下保溫約1小時(shí)；以約212°F/小時(shí)的第二升溫速率加熱到約752°F的第二溫度；以約347°F/小時(shí)的第三升溫速率加熱到約1652°F的第三溫度；在第三溫度下保溫約7小時(shí)；以及以約210°F/小時(shí)的降溫速率，使基片冷卻至約100°F的第四溫度。
全文摘要
一種從陶瓷基片表面去除金屬層的方法，該方法包括將含有金屬涂層的陶瓷基片浸沒在濃度高達(dá)31％鹽酸溶液內(nèi)，浸漬時(shí)間要足以至少基本上將金屬層從基片上溶解或去除，從酸溶液中取出陶瓷基片，再在淋洗液中淋洗陶瓷基片，并且在預(yù)定的溫度下進(jìn)行熱處理，處理時(shí)間要足以至少減少該陶瓷基片表面上的損傷或缺陷。
文檔編號(hào)C23C16/44GK1598061SQ200410064239
公開日2005年3月23日 申請(qǐng)日期2004年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月19日
發(fā)明者R·R·布吉斯, I·M·戴維斯 申請(qǐng)人:波克股份有限公司