專利名稱：具有叉形分路器的偏轉(zhuǎn)線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種彩色顯象管(CRT)顯示系統(tǒng)。CRT的R，G，和B的三電子束各自的電子在偏向視屏邊緣時的行程比直射中央時要長。由于電子槍的分隔結(jié)果可導(dǎo)致三電子束在它們被偏向視屏邊緣時的著屏點(diǎn)的分離。這引起三束光點(diǎn)落在視屏上離中心各不相同的點(diǎn)上。這稱之為會聚失調(diào)并導(dǎo)致顯示圖象邊緣周圍的彩色干擾條紋?？砂褧凼д{(diào)作為在適當(dāng)測試信號加到顯象管時，對出現(xiàn)在視屏諸行方格測試圖的理想疊加紅和藍(lán)線的分離或距離來測量。
三個電子束各掃描光柵可由其色彩確定。這樣通常是由中心電子束掃描綠光柵，外側(cè)電子束分別掃描紅和藍(lán)光柵。該方格測試圖是各由紅，綠和藍(lán)光柵組成的。方格測試圖通常以垂直和水平線畫出光柵輪廓并還包括其他的中間垂直和水平直線。
由垂直偏轉(zhuǎn)繞組產(chǎn)生的磁力線在偏轉(zhuǎn)線圈的槍端和屏端中間部分處形成桶形場。這種磁場的不均勻性減小了12點(diǎn)鐘位置上點(diǎn)的會聚失調(diào)度。為增強(qiáng)該桶形垂直場的不均勻性，已采用了分別接近偏轉(zhuǎn)線圈頂部和底部的一對分路器。
外水平捕獲(trap)會聚失調(diào)誤差被定義為在CRT視屏頂部或底部水平紅和藍(lán)線之間的間隔。內(nèi)水平捕獲會聚失調(diào)誤差是在介乎CRT屏的頂部和中央之間或介乎CRT屏的底部和中央之間的CRT區(qū)域界定的。具有非球面或平面板的CRT往往會在外和內(nèi)水平捕獲誤差之間導(dǎo)致顯著差異。
減小外和內(nèi)水平捕獲誤差之間的差異可能是最可取的。這種差異的減小有助于減小總的外/內(nèi)水平捕獲誤差。
在體現(xiàn)本發(fā)明一個方面的偏轉(zhuǎn)設(shè)備中，在偏轉(zhuǎn)線圈的頂部和底部分別設(shè)置了一對叉形分路器。每個叉形分路器包括一對外分支部件。由分路器在X-Y平面上所占的角位置作為沿CRT的縱向Z軸的坐標(biāo)Z的函數(shù)而變化。所以，叉形分路器改變了垂直于偏轉(zhuǎn)線圈之Z軸的其不同的X-Y平面上的偏轉(zhuǎn)場非均勻性。結(jié)果，減小了外和內(nèi)水平捕獲誤差之間的上述差別。
由于CRT面板的平度緣故，東-西枕形失真的幅度可沿CRT屏的X軸作為束的坐標(biāo)X的函數(shù)以非線性方式變化。該非線性變量可使傳統(tǒng)的東-西枕形失真校正電路不能完全地校正該失真。
采用以如此方式的叉形分路器可能是合乎要求的，即，使內(nèi)東西幾何失真誤差與外東-西幾何失真誤差兩幅度之比大于一個預(yù)定值。由于保持該比值大于一預(yù)定值，可采用傳統(tǒng)的東西枕形失真校正電路即可提供完全合乎要求的內(nèi)/外東西枕形失真校正。
根據(jù)一個發(fā)明特征，該叉形分路器包括在兩個外分支部分之間的一個中央分支部件。優(yōu)點(diǎn)在于該中央分支部件增大了內(nèi)東西幾何失真誤差幅度與外東西幾何失真誤差的幅度之比值。
體現(xiàn)本發(fā)明一個方面的偏轉(zhuǎn)設(shè)備包括具有一真空玻殼的一字排列式系統(tǒng)的陰極射線管。一個顯示屏設(shè)置在玻殼的一端。電子槍組件置于玻殼的第二端，電子槍組件產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)時在屏上形成相應(yīng)光柵的若干電子束，一個偏轉(zhuǎn)線圈安裝在玻殼周圍并包括一垂直偏轉(zhuǎn)線圈，用以在陰極射線管內(nèi)產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)場。一個水平偏轉(zhuǎn)線圈在陰極射線管內(nèi)產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)場。一個由導(dǎo)磁材料制成的磁心被磁耦合到垂直和水平偏轉(zhuǎn)線圈。一個第一場成形器(fieldformer)設(shè)置在鄰近偏轉(zhuǎn)線圈之一及其相對端之間，用于改變偏轉(zhuǎn)場之一。場成形器包括一個中心腳和沿橫向相隔一定距離的兩個外腳和將多個腳連接在一起的部件。


圖1示出體現(xiàn)本發(fā)明一個方面，安裝在陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)線圈的側(cè)視圖;
圖2示出從陰極射線管的顯示屏所看到的圖1偏轉(zhuǎn)線圈的前視圖;
圖3更詳細(xì)地示出圖1偏轉(zhuǎn)線圈的一個側(cè)視圖;
圖4a和4b各表示陰極射線管屏上用于解釋相應(yīng)束著屏誤差的相應(yīng)顯示圖案;
圖5a示出體現(xiàn)本發(fā)明一個方面，用于圖1偏轉(zhuǎn)線圈中的分路器;
圖5b示出體現(xiàn)本發(fā)明一個方面，能替代圖5a分路器而用于圖1偏轉(zhuǎn)線圈中的一種分路器;
圖5c和5d分別示出圖5b分路器的后部和前部在相應(yīng)X-Y平面內(nèi)所占的角位置;和圖6a-6d示出圖1偏轉(zhuǎn)線圈的場分布函數(shù)。
在圖1中，CRT10包括熒屏或面板11，其上重復(fù)沉積著三個一組的紅、綠和藍(lán)熒光組。CRT10是型號為A68EET38X110具有超平面板尺寸27V或68厘米。偏轉(zhuǎn)角為108°。從偏轉(zhuǎn)線圈基準(zhǔn)線到屏內(nèi)側(cè)的中心處的距離，稱之為行程距離，為275毫米。面板11比一般CRT平得多，其徑向高度僅僅是一般表面輪廓的一半高度。
面板11的內(nèi)表面的輪廓是由以下方程確定的。
ZC＝ A1·X2+A2·X4+A3·X6+A4·Y2+A5·X2·Y2+A6·X4·Y2+A7·X6·Y2+A8·Y4+A9·X2·Y4+A10·X4·Y4+A11·X6·Y4+A12·Y6+A13·X2·Y6+A14·X4·Y6+A15·X6·Y6其中ZC為從平面切線到內(nèi)表面輪廓線的中心距離。
X和Y分別表示沿長軸和短軸方向離中心的距離。
A1至A15是取決于面板對角線尺寸的系數(shù)。
對于具有68cm對角線尺寸的視屏的CRT10管面板，適用的系數(shù)A1至A15示于表Ⅰ。當(dāng)使用以下所述發(fā)明特征時具有由這些系數(shù)界定的輪廓的CRT有益于會聚特性。使用該表的系數(shù)時X和Y的尺寸必須以毫米為單位。
表ⅠA1=0.2380978×10-03A2=0.1221162×10-09A3=0.9464281×10-14A4=0.3996533×10-03A5=-.3144822×10-08A6=-.2969186×10-14A7=0.0000000×10+00A8=0.6663320×10-09A9=0.2935719×10-14A10=-.3869349×10-18A11=0.0000000×10+00A12=0.1755161×10-13A13=0.9320407×10-19A14=0.7687528×10-25A15=0.2308889×10-28一個電子槍組件15安裝在與面板相對的顯象管的頸部12。槍組件15產(chǎn)生三個成一字排列的水平束R，G和B。概略表示為16的偏轉(zhuǎn)線圈組件借助適當(dāng)?shù)能椉?mount)或塑性襯套19安裝在管頸和漏斗部周圍。偏轉(zhuǎn)線圈16還包括一漏斗形鐵涂氧芯體17，一個垂直偏轉(zhuǎn)線圈18V和一個水平偏轉(zhuǎn)線圈18H。偏轉(zhuǎn)線圈16是自會聚型的。
圖2更詳細(xì)地示出體現(xiàn)本發(fā)明一個方面的偏轉(zhuǎn)線圈16。圖1和2中類似符號和標(biāo)號指示類似裝置或功能。圖2中，偏轉(zhuǎn)線圈組件是從電子束出口側(cè)看到的。圖2的塑料軛架19用于以相對漏斗形鐵涂氧芯體17的適當(dāng)取向固定鞍型水平偏轉(zhuǎn)線圈18H，而垂直偏轉(zhuǎn)繞組18V纏繞在芯體17上。因此偏轉(zhuǎn)線圈16是鞍形三個一組(ST)型。在圖3所示的側(cè)視圖中，束出口端是在右邊。圖1，2和3中相似符號和標(biāo)號指示相似部件或功能。
圖1的偏轉(zhuǎn)線圈16或CRT10的縱軸或Z軸是以傳統(tǒng)方式界定的。在由垂直于Z軸的相應(yīng)坐標(biāo)Z所限定的偏轉(zhuǎn)線圈16的各平面上，對應(yīng)的Y軸被確定為平行于屏11的垂直或短軸。類似地，相應(yīng)的X軸被限定為平行于屏11的水平或長軸。偏轉(zhuǎn)線圈16的各平面上的坐標(biāo)X＝Y(jié)＝0位于Z軸上。
靠近例如圖1的偏轉(zhuǎn)線圈16的束入口端，由線圈18V產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)場最好為枕形狀，以便校正垂直彗形像差。為減小6和12點(diǎn)鐘處的過會聚，由垂直偏轉(zhuǎn)線圈18V產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)場在圖1偏轉(zhuǎn)線圈16的束入口和出口端之間的線圈中部形成桶形。
增強(qiáng)桶形場非均勻性的程度以超過可通過對垂直偏轉(zhuǎn)線圈的繞組分布的配置所能獲得的非均勻性可能是合乎需要的。因此將一對由軟的或?qū)Т挪牧现瞥傻膱龀尚纹骰駿形分路器23a和23b安裝在偏轉(zhuǎn)線圈中部靠近偏轉(zhuǎn)線圈的頂部和底部。體現(xiàn)發(fā)明特征的場成形器23a和23b增強(qiáng)了桶形場的不均勻性并安裝在塑料線圈架或絕緣器19面對垂直偏轉(zhuǎn)繞組18V和CRT10的頸部之間的垂直偏轉(zhuǎn)繞組18V的那側(cè)。
圖4a示出圖1屏11上所顯示的水平藍(lán)和紅線的會聚圖案一側(cè)。圖1-3和4a中類似符號和標(biāo)號指示類似部件或功能。圖4a的這個會聚圖案實(shí)例可在安裝傳統(tǒng)矩形分路器(未示出)替代分路器23a和23b時產(chǎn)生。例如，在屏11的角落處，即通常稱為2點(diǎn)鐘時針位置處，紅線RED1和藍(lán)線BLUE1之間的距離d等于-0.49mm。距離d是相對于紅線所取。這樣，負(fù)值d表示紅線是在藍(lán)線上方。類似地，在230時針處，距離d等于+0.82mm，在1點(diǎn)鐘時針處，距離d等于-0.56mm，而在點(diǎn)A，距離d等于+0.38mm。
在200和100鐘時針處的垂直會聚失調(diào)稱之為外部或外側(cè)水平捕獲誤差。而，在230時鐘點(diǎn)和A點(diǎn)處的垂直會聚失調(diào)稱之為內(nèi)部或內(nèi)側(cè)水平捕獲誤差。
改變(例如)線圈18V的繞組分布，在同樣意義上會影響例如在200鐘時針和230時針位置的兩者會聚誤差d。例如，它可使兩值更負(fù);或另一方面它可使兩者更正。對于線圈18H也有類似情況發(fā)生?？赡芾硐氲淖龇ㄊ菧p小外部和內(nèi)部水平捕獲誤差之差別。當(dāng)這種差別變小時，選擇適當(dāng)?shù)睦@組分布可導(dǎo)致總的水平捕獲誤差的減小。當(dāng)圖4a的線RED1和BLUE1在屏11上形成和當(dāng)線RED2和BLUE2被形成時，E形分路器23a和33b不同程度地有利地改變了垂直偏轉(zhuǎn)場的非均勻性。這樣，減小了外部和內(nèi)部水平捕獲誤差之間的差別。
圖5a以實(shí)際比例詳情示出體現(xiàn)本發(fā)明一個方面的分路器23a或23b。圖1-3，4a，4b和5a中的類似符號和標(biāo)號指示類似部件或功能。圖5a的E形分路器23a或23b稍呈彎曲，以仿照圖3的襯套19的曲度。圖5所示尺寸適用于在形成由彎曲該分路器的曲率以前，其平坦?fàn)顟B(tài)下的分路器。圖5a的E形分路器23a或23b包括一個連接件或基板30，該連接件設(shè)置在比到圖1偏轉(zhuǎn)線圈16的束出口側(cè)更接近束入口處。圖5a的基板30的縱軸AX30通常垂直于Z軸。一個中央腳或分支31有一個一般平行于Z軸的縱軸AX31。中央分支31的前端31C位于比分路器的其他部分更接近束出口端。一對臂狀，外腳或分支32a和32b被置于分支31的相對兩側(cè)并相對于軸AX31對稱處。這樣分支31，32a和32b在基板30連接在一起并分別從基板30伸出。外分支32a和32b的后端32ab和32bb和中央分支31的后端31bb分別遠(yuǎn)離束出口端并經(jīng)由基板30彼此連接。這樣，在每一分支32a，32b和31與每個其他分支32a，32b和31之間存在著高導(dǎo)磁率的各磁路并穿過基板30。
分支32a的后端32ab，例如，定位于比前端32af更接近束入口端。分支32a的縱軸AX32a與軸AX31形成角度α。相對于后端32ab位于其X-Y平面中的相應(yīng)Y軸的角位置(未示出)與相對于前端32af位于相應(yīng)X-Y平面的角位置(未示出)的差異導(dǎo)致對不同平面處桶形垂直偏轉(zhuǎn)場的偏轉(zhuǎn)場非均勻性的不同程度修改。接近于束出口端的分支32a的前端32af比后端32ab更多影響外側(cè)水平捕獲誤差。相反，分支32a和32b分別接近基板30的后端32ab和32bb更多地影響內(nèi)側(cè)水平捕獲誤差。通過適當(dāng)選擇與基板30的分支32a，32b和31的相關(guān)尺寸，便可有利地減小外側(cè)和內(nèi)側(cè)水平捕獲誤差之間的差異。
就圖5a的分路器23a或23b而言，垂直會聚失調(diào)誤差在200點(diǎn)鐘時針位置，等于-0.47mm，在100點(diǎn)鐘時針位置等于-0.48mm，在230鐘時針位置等于+0.34mm和在A點(diǎn)處等于+0.2mm。該結(jié)果表明外側(cè)和內(nèi)側(cè)水平捕獲誤差之差有利地小于用上述先有技術(shù)矩形分路器所得的差值。
圖4b示出一個未經(jīng)校正的外部或外側(cè)東西枕形失真誤差的實(shí)例和一個未經(jīng)校正的內(nèi)部或內(nèi)側(cè)東西枕形失真誤差的實(shí)例。圖1-3，4a，4b和5a中類似符號和標(biāo)號表明類似部件或功能。通常外部東-西枕形失真誤差的大小由下列表達(dá)式確定
Er＝2×(d4+d5)÷(d6+d7)而內(nèi)部東-西枕形失真誤差的大小由下列表達(dá)式確定Ir＝2×(d8+d9)÷(d6+d7)其中值d4至d9代表圖4b中相應(yīng)長度。
可能最好的做法是使 (Ir)/(Er) 比值大于(例如)0.35，以使傳統(tǒng)東西枕形失真校正電路可用于校正這兩種誤差使其達(dá)到合格程度。
根據(jù)一個發(fā)明特點(diǎn)，圖5a的中央分支31相對于分支31被取消時所得到的 (Ir)/(Er) 比值，該比值 (Ir)/(Er) 在內(nèi)部和外部東-西光柵失真誤差的幅值之間增大，例如當(dāng)取消中央分支31時， (Ir)/(Er) ，比值等于0.34;而在使用包含中央部分31的圖5分路器23a和23b時，該比值 (Ir)/(Er) 等于0.368。由此可見可利用傳統(tǒng)東西光柵失真校正電路(未示出)。
圖5b詳情地示出體現(xiàn)一種發(fā)明特點(diǎn)的分路器23a′。圖5b的分路器23a′可用來替代圖5a的分路器23a。圖5b的分路器23a′與圖5a的分路器23a相比可提供對垂直偏轉(zhuǎn)場形成較大程度的桶形。圖5c示出圖5b的分路器23a′在X-Y平面110的后部的橫截面。如圖5c所示，該分路器在每一象限中占據(jù)一個0°-18°范圍的角度。圖5d示出當(dāng)從視屏觀察時分路器23a′在X-Y平面中的外形前視圖。如圖5d所示，分路器23a′在每一象限中占據(jù)0°-18°之間和38°與47°之間的角度。圖5a-5d中相似符號和標(biāo)號表示相似部件或功能。該分路器的前后兩部分之間的角度差形成了前述所需的內(nèi)/外水平捕獲誤差和內(nèi)/外東-西枕形失真比。
圖6a，6b，6c，6d，6e和6f分別示出圖1偏轉(zhuǎn)線圈16中偏轉(zhuǎn)場的場分布函數(shù)VO(Z)，H0(Z)，V2(Z)，H2(Z)，V4(Z)和H4(Z)。圖1，2，3，4a，4b，5a-5d和6a-6f中相似符號表示相似部件或功能。由例如圖2和3的偏轉(zhuǎn)線圈18H產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度可用適當(dāng)探測器測得。這種測量可對應(yīng)圖3的一已知坐標(biāo)Z＝Z1，對圖2的坐標(biāo)Y＝0和對已知坐標(biāo)X＝X1進(jìn)行。為測量起見，坐標(biāo)X1沿X軸方向，即水平偏轉(zhuǎn)方向變化。其內(nèi)坐標(biāo)X＝X1變化的平面將圖3的頂部鞍形線圈18H的底邊與底部鞍形線圈18H的底邊分隔。
對恒定坐標(biāo)Z＝Z1和坐標(biāo)Y＝0測量作為坐標(biāo)X函數(shù)的磁場強(qiáng)度的結(jié)果可用于以眾所周知的方式計算冪級數(shù)H(X)＝H0(Z1)+H2(Z1)X2+H4(Z1)X4的場分布函數(shù)或系數(shù)H0(Z1)，H2(Z1)，H4(Z1)和其他高次系數(shù)。項H(X)表示在坐標(biāo)Z＝Z1，Y＝0，作為X坐標(biāo)的函數(shù)的磁場強(qiáng)度。此時可作出描繪各系數(shù)H0(Z)，H2(Z)，H4(Z)和其他高次系數(shù)作為坐標(biāo)Z的一個函數(shù)曲線圖。以類似方式，可計算作為相對于垂直偏轉(zhuǎn)線圈18V，坐標(biāo)Z的函數(shù)的系數(shù)V0(Z)，V2(Z)，V4(Z)和其他高次系數(shù)。為獲得圖6a-6f所示諸函數(shù)，以毫米為單位分別測量坐標(biāo)X和Y。
在圖6a-6f中，得到當(dāng)圖5a的E分路器23a和23b安裝在圖2偏轉(zhuǎn)線圈16中時以實(shí)線畫出的場分布函數(shù)。另一方面得到為圖示起見僅當(dāng)從偏轉(zhuǎn)線圈16取消E分路器23a和23b時以虛線畫出的場分布函數(shù)。圖6a-6f中還示出了水平線圈18H，分路器23a或23b和芯體17相對于Z軸的位置。正如圖6e所示，場分布函數(shù)V4(Z)在坐標(biāo)Z具有比到其束出口端更接近分路器23a或23b的束入口端的峰值。圖6C示出了分路器23a或23b對函數(shù)V2(Z)的作用。由于分路器23a或23b的結(jié)果，函數(shù)V2(Z)的峰值達(dá)到較大負(fù)值。該值對應(yīng)于桶形垂直偏轉(zhuǎn)場。
為校正N-S光柵失真，圖2和3的一對磁鐵21a和21b分別安裝在偏轉(zhuǎn)線圈前或束出口部接近偏轉(zhuǎn)線圈的頂和底部。磁鐵21a和21b被固定在支架19的凹槽內(nèi)并如圖所示接入。圖2的磁鐵21a和21b置于偏轉(zhuǎn)線圈的束出口端附近，用于校正外部北-南(頂-底)枕形失真。
磁鐵21a和21b可惡化為形成適當(dāng)會聚所必需的垂直偏轉(zhuǎn)場的桶形。為部分恢復(fù)垂直偏轉(zhuǎn)場的桶形，在鄰近偏轉(zhuǎn)線圈的漏斗形內(nèi)表面更接近偏轉(zhuǎn)線圈束入口端的頂部和底部設(shè)置一對磁鐵22a和22b。磁鐵22a和22b被安裝以適應(yīng)線圈18H的輪廓并置于線圈18H和CRT10的頸部之間。磁鐵22a和22b以及E分路器23a和23b分別補(bǔ)償可能由磁鐵21a和21b另外引入的垂直會聚誤差。獲得這種會聚誤差的補(bǔ)償是由于沿Z軸比磁鐵21a和21b更加背離CRT10的屏幕而在偏轉(zhuǎn)場的一個區(qū)域內(nèi)增大了垂直偏轉(zhuǎn)場的桶形所致。
為校正內(nèi)部N-S幾何失真，圖2的一對永磁角鐵24a和25a被安裝在頂部磁鐵21a的相對側(cè)襯套19上。磁鐵24a近似以角度ψ＝+29°設(shè)置，而磁鐵25a以近似角ψ＝-29°設(shè)置并相對于相應(yīng)Y軸對稱。這樣磁鐵24a和25a各設(shè)置在與至X軸相比更接近Y軸處，因?yàn)榻嵌圈仔∮?5°。
圖2的一對角磁鐵24b和25b分別設(shè)置成相對于X軸對稱于磁鐵24a和25a。角磁鐵24b和25b設(shè)置在磁鐵21b的相對側(cè)。磁鐵24a，21a和25a主要當(dāng)束點(diǎn)位于CRT屏的垂直中心上方時影響束點(diǎn)著屏位置。磁鐵24b，21b和25b以類似方式主要當(dāng)束點(diǎn)位于垂直中心以下時影響束點(diǎn)著屏位置。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)設(shè)備，包括一字排列式系統(tǒng)的陰極射線管(10)包括一真空玻殼，設(shè)置在所述玻殼一端的顯示屏(11)，設(shè)置在所述玻殼第二端的電子槍組件(15)，所述電子槍組件產(chǎn)生多個電子束(R，G，B)，這些電子束偏轉(zhuǎn)時在所述顯示屏上構(gòu)成相應(yīng)光柵；安裝在所述玻殼周圍的偏轉(zhuǎn)線圈(16)，包括垂直偏轉(zhuǎn)線圈(18V)和水平偏轉(zhuǎn)線圈(18H)，用以在所述陰極射線管產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)場；由導(dǎo)磁材料制成的芯體(17)，磁性地耦合到所述垂直和水平偏轉(zhuǎn)線圈；特征在于一對場成形裝置(23a，23b)相對于所述偏轉(zhuǎn)線圈x-軸對稱地分別設(shè)置在Y軸頂端和底端，束入口端及其束出口端之間，至少鄰近于一個所述偏轉(zhuǎn)線圈，所述場成形裝置各包括一中央腳(31)和沿橫向相隔一定距離的兩個外側(cè)腳(32a，32b)和一個將這些多個腳連接在一起的連接部件(30)。
2.一種偏轉(zhuǎn)設(shè)備，包括一字排列式系統(tǒng)的陰極射線管(10)包括真空玻殼，設(shè)置在所述玻殼一端的顯示屏(11)，設(shè)置在所述玻殼第二端的電子槍組件(15)，所述電子槍組件產(chǎn)生多個電子束(R，G，B)，這些電子束偏轉(zhuǎn)時在所述屏上形成相應(yīng)光柵;安裝在所述玻殼周圍的偏轉(zhuǎn)線圈(16)，包括垂直偏轉(zhuǎn)線圈(18V)和水平偏轉(zhuǎn)線圈(18H)，用以在所述陰極射線管中產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)場;由導(dǎo)磁材料制成的芯體(17)，磁性地耦合到所述垂直和水平偏轉(zhuǎn)線圈;其特征在于設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈之一附近及其束入口端和束出口端之間，用以修正所述偏轉(zhuǎn)場的第一場成形裝置(23a)，包括一中央腳(31)和沿橫向相隔一定距離的兩個外腳(32a，32b)以及將這些腳連接在一起的部件(30)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述場成形裝置(23a)設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈的Y軸的頂端和底端之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其特征在于與所述第一場成形裝置對稱地設(shè)置在所述Y軸的所述頂端和底端之另一個的第二場成形裝置(23b)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述中央腳(31)的縱軸與所述外腳(32a，32b)之一之間的角度是顯著小于90°的角(37°)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其特征在于所述外腳(32a，32b)的至少之一的相應(yīng)部分設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈的不同X-Y平面上，及在各X-Y平面上，所述相應(yīng)部分以該平面中相對于Y軸的不同角位置設(shè)置，用以減小內(nèi)水平捕獲誤差與外水平捕獲誤差之差別。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的設(shè)備，其特征在于所述中央腳(31)增大了內(nèi)側(cè)東西枕形失真大小與外側(cè)東西枕形失真大小之比值。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述場成形裝置(23a)以一顯著增大所述偏轉(zhuǎn)線圈的場分布函數(shù)V2(Z)的方式設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述場成形裝置(23a)以顯著增大所述垂直偏轉(zhuǎn)場的桶形場非均勻性的程度的方式設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈內(nèi)以保證所述電子束的會聚。
10.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述場成形裝置(23a)以顯著增大所述偏轉(zhuǎn)線圈的場分布函數(shù)V4(Z)的方式設(shè)置在所述偏轉(zhuǎn)線圈內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的設(shè)備，其特征在于所述函數(shù)V4(Z)的峰值發(fā)生在所述場成形裝置(23a)的遠(yuǎn)離所述屏的一端部(30)附近。
12.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，特征于所述連接部件(30)以垂直于所述中央腳(31)的縱軸(AX31)和垂直于所述偏轉(zhuǎn)線圈(18)的Z軸的方向設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，其特征在于所述中央腳(31)和外腳(32a，32b)通常各沿Z軸方向延伸。
全文摘要
一對E形分路器(23a，23b)分別設(shè)置在偏轉(zhuǎn)線圈(18)的頂和底部附近，以減小內(nèi)側(cè)和外側(cè)水平捕獲誤差。E形分路器的中央部分(31)減小了內(nèi)和外東-西枕形光柵失真的幅度之比值。
文檔編號H01J29/76GK1094540SQ9410163
公開日1994年11月2日 申請日期1994年2月17日 優(yōu)先權(quán)日1993年2月18日
發(fā)明者A·邁樂特, D·佩龍 申請人:湯姆森管及展示有限公司