專利名稱：：具有雜芳環(huán)的衍生物、使用其的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有雜芳環(huán)的衍生物、使用具有雜芳環(huán)的衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
：近年來，對利用電致發(fā)光(EL=ElectroLuminescence)的發(fā)光元件的研究開發(fā)日益火熱。這種發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)為在一對電極之間夾有包含發(fā)光物質(zhì)的層。通過對這種元件施加電壓，可以獲得來自發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。由于這種發(fā)光元件為自發(fā)光型，其與液晶顯示器相比具有像素的可見性高且不必使用背光燈等的優(yōu)點，因此，可以認為這種發(fā)光元件很適合用作平板顯示元件。此外，這種發(fā)光元件的另一主要優(yōu)點是可制造得薄且輕。另外，其響應(yīng)速度非?？?。另外，因為這種發(fā)光元件可以形成為膜狀，所以通過形成大面積的元件能夠容易地獲得面發(fā)光。由于以白熾燈泡或LED為代表的點光源或以熒光燈為代表的線光源很難獲得上述發(fā)光元件所具有的特點，所以上述發(fā)光元件作為能夠應(yīng)用于照明等的面光源也具有很高的利用價值。該利用電致發(fā)光的發(fā)光元件可以根據(jù)發(fā)光物質(zhì)是有機化合物還是無機化合物來進行大致分類。在使用有機化合物作為發(fā)光物質(zhì)的情況下，通過對發(fā)光元件施加電壓，電子及空穴分別從一對電極注入到包含發(fā)光有機化合物的層，而電流流過。并且，這些載流子(電子和空穴)的復(fù)合使發(fā)光有機化合物變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，并且在從該激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時發(fā)光。由于上述機理，這種發(fā)光元件被稱為電流激發(fā)型發(fā)光元件。另外，作為有機化合物形成的激發(fā)態(tài)的種類可分為單重激發(fā)態(tài)或三重激發(fā)態(tài)。來自單重激發(fā)態(tài)(S*)的發(fā)光被稱為熒光，而來自三重激發(fā)態(tài)cn的發(fā)光被稱為磷光。另外，可以認為發(fā)光元件中的單重激發(fā)態(tài)(S*)及三重激發(fā)態(tài)(Τ*)的統(tǒng)計生成比率為S*T*=13。作為將單重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換成發(fā)光的化合物(以下稱為熒光化合物)，該混合物在室溫的條件下，僅能觀察出來自單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(熒光)而觀察不到來自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(磷光)。由此，依據(jù)S*T*=13的比率，可以認為使用熒光化合物的發(fā)光元件中的內(nèi)量子效率(所產(chǎn)生的光子對于注入的載流子的比率)的理論限度為25%。另一方面，若使用將三重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換為發(fā)光的化合物(以下稱為磷光化合物)，則在理論上可將內(nèi)量子效率提高到75%至100%。也就是說，可以獲得與熒光化合物相比3至4倍的發(fā)光效率?；谏鲜隼碛?，為了獲得高效率的發(fā)光元件，近年來對于使用磷光化合物的發(fā)光元件的開發(fā)日益火熱(例如，參照非專利文獻1)。當(dāng)使用上述磷光化合物形成發(fā)光元件的發(fā)光層時，為了抑制磷光化合物的濃度猝滅或起因于三重態(tài)-三重態(tài)湮滅的猝滅，在很多情況下，以上述磷光化合物分散于由其他物質(zhì)構(gòu)成的基質(zhì)中的方式形成發(fā)光元件的發(fā)光層。此時，成為基質(zhì)的物質(zhì)被稱為主體材料，如磷光化合物等的分散于基質(zhì)中的物質(zhì)被稱為客體材料。當(dāng)將磷光化合物用作客體材料時，主體材料需要具有比該磷光化合物大的三重態(tài)能(基態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能級差別)。已知在非專利文件1中用作主體材料的CBP具有比顯示綠色至紅色的發(fā)光的磷光化合物大的三重態(tài)能，并且CBP作為磷光化合物的主體材料而被廣泛地利用。但是，雖然CBP具有較大的三重態(tài)能，但由于CBP缺乏接受空穴或電子的能力而存在發(fā)光元件的驅(qū)動電壓變高的問題。因此，作為用作磷光化合物的主體材料的物質(zhì)，不僅要求具有較大的三重態(tài)能，而且需要易于接受空穴和電子或者可以傳輸空穴和電子(即，具有雙極性的物質(zhì))。另外，由于單重態(tài)能(基態(tài)和單重激發(fā)態(tài)之間的能級差別)大于三重態(tài)能，所以具有較大的激發(fā)三重態(tài)能的物質(zhì)也具有較大的單重態(tài)能。因此，上述那樣的具有較大的三重態(tài)能并具有雙極性的物質(zhì)也有益于將熒光化合物用作發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件。[非專利文件1]M.A.Baldo以及其他4名，AppliedPhysicsLetters,Vol.75，No.1，4-6(1999)
發(fā)明內(nèi)容在此，本發(fā)明一個方式的目的在于提供新的具有雜芳環(huán)的衍生物作為激發(fā)能量大的物質(zhì)，尤其是三重態(tài)能大的物質(zhì)。另外，本發(fā)明的一個方式的目的在于提供具有雙極性的新的具有雜芳環(huán)的衍生物。另外，本發(fā)明的一個方式的目的在于通過將新的具有雜芳環(huán)的衍生物應(yīng)用于發(fā)光元件來提高發(fā)光元件的元件特性。再者，本發(fā)明的一個方式的目的在于提供耗電量低且驅(qū)動電壓低的發(fā)光裝置、電子設(shè)備及照明裝置。本發(fā)明之一是以下面通式(Gl)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(Gl)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。此外，J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，在J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外，Het表示由下面的通式(Sl-I)或通式(S1-2)表示的取代基。在通式(Sl-I)中，Ar1及Ar2分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar1及Ar2具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S1-2)中，Ar3及Ar4分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar3及Ar4具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基、形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明之一是由以下通式(G2)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G2)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，在J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外，Het表示由下面的通式(S2-1)或通式(S2-2)表示的取代基。在通式(S2-1)中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S2-2)中，R1及R31至R4°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明之一是由以下通式(G3)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G3)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外，Het表示由下面的通式(S3-1)或通式(S3-2)表示的取代基。在通式(S3-1)中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S3-2)中，R1及R31至R4°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明之一是由以下通式(G4)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G4)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外，Het表示由下面的通式(S4-1)或通式(S4-2)表示的取代基。在通式(S4-1)中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。(S4-2)在通式(S4-2)中，R1及R31至R4°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明之一是由以下通式(G5)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G5)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外，Het表示由下面的結(jié)構(gòu)式(S5-1)或通式(S5-2)表示的取代基。在通式(S5-2)中，R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明之一是由以下通式(G6)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物t在通式(G6)中，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的結(jié)構(gòu)式(S6-1)或通式(S6-2)表示的取代基。在通式(S6-2)中，R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，上述的作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物因為具有發(fā)光性，所以本發(fā)明的另外結(jié)構(gòu)是在一對電極之間具有EL層的發(fā)光元件，在EL層中包括上述具有雜芳環(huán)的衍生物。另外，作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物具有較大的激發(fā)能量。另外，因為可以傳輸空穴及電子雙方，所以最適合于包括在EL層中的發(fā)光層的主體材料。因此，本發(fā)明的另外結(jié)構(gòu)是在一對電極之間具有EL層的發(fā)光元件，包含在EL層中的發(fā)光層包含上述具有雜芳環(huán)的衍生物和發(fā)光物質(zhì)。因為作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物具有較大的三重態(tài)能，所以作為上述發(fā)光物質(zhì)優(yōu)選為磷光化合物。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以獲得發(fā)光效率和驅(qū)動電壓都優(yōu)越的的發(fā)光元件。再者，本發(fā)明的另一個結(jié)構(gòu)是使用上述所記載的發(fā)光元件而形成的發(fā)光裝置。以及，使用作為本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置而形成的電子設(shè)備。以及，使用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置而形成的照明裝置。另外，作為本發(fā)明的一個方式，上述具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置及具有發(fā)光裝置的電子設(shè)備以及照明裝置也包括在其范疇之內(nèi)。本說明書中的發(fā)光裝置是指圖像顯示裝置、發(fā)光裝置或者光源(包括照明裝置)。此外，在發(fā)光裝置上安裝有例如FPC(柔性印刷電路Flexibleprintedcircuit)、TAB(帶式自動接合=TapeAutomatedBonding)帶或TCP(帶載封裝TapeCarrierPackage)等連接器的模塊；在TAB帶或TCP的前端設(shè)置有印刷電路板的模塊；或者在發(fā)光元件上通過COG(玻璃覆晶ChipOnGlass)方式直接安裝有IC(集成電路)的模塊也全都包含在發(fā)光裝置中。通過本發(fā)明的一個方式，可以獲得激發(fā)能量較大，尤其是三重態(tài)能較大的具有雜芳環(huán)的衍生物。另外，也可以獲得作為本發(fā)明的一個方式的具有雙極性的具有雜芳環(huán)的衍生物。再者，通過使用本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物形成發(fā)光元件，可以形成電流效率高的發(fā)光元件。再者，通過使用作為本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件，可以獲得耗電量低且驅(qū)動電壓低的發(fā)光裝置及電子設(shè)備。圖1是說明發(fā)光元件的圖；圖2是說明發(fā)光元件的圖；圖3是說明發(fā)光元件的圖；圖4A至4D是示出無源矩陣型的發(fā)光裝置的圖；圖5是示出無源矩陣型的發(fā)光裝置的圖；圖6A和6B是示出有源矩陣型的發(fā)光裝置的圖；圖7A至7E是說明電子設(shè)備的圖；圖8是說明照明設(shè)備的圖；圖9是說明發(fā)光元件的圖；圖IOA和IOB是示出CzTAZ(IH)(簡稱)的NMR譜圖的圖；圖IlA和IlB是示出CzTAZ(IH)(簡稱)的吸收光譜和發(fā)射光譜的圖；圖12A和12B是示出CzPz(簡稱)的匪R譜圖的圖；圖13A和13B是示出CzPz(簡稱)的吸收光譜和發(fā)射光譜的圖；圖14是示出發(fā)光元件1的電流密度_亮度特性的圖；圖15是示出發(fā)光元件1的電壓_亮度特性的圖；圖16是示出發(fā)光元件1的亮度_電流效率特性的圖；圖17是示出發(fā)光元件1的發(fā)射光譜的圖；圖18是示出發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性的圖；圖19是示出發(fā)光元件2的電壓_亮度特性的圖；圖20是示出發(fā)光元件2的亮度_電流效率特性的圖；圖21是示出發(fā)光元件2的發(fā)射光譜的圖；圖22A和22B是示出CzTAZ(IH)(簡稱)的最高占據(jù)軌道(HOMO)與最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)的圖；圖23A和23B是示出CzPz(簡稱)的最高占據(jù)軌道(HOMO)與最低未占據(jù)軌道(LUMO)的圖。具體實施例方式下面，將參照附圖詳細地說明本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下說明，可以理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。實施方式1在本實施方式1中，對作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物進行說明。作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(Gl)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(Gl)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α,β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的通式(Sl-I)或由通式(S1-2)表示的取代基。此外，本說明書中所示的芳基及亞芳基的碳數(shù)是指形成主骨架的環(huán)的碳數(shù)，而不是指包括結(jié)合于該環(huán)的取代基的碳數(shù)在內(nèi)的碳數(shù)。在通式(Sl-I)中，Ar1及Ar2分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，Ar1及Ar2具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S1-2)中，Ar3及Ar4分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，Ar3及Ar4具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(G2)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G2)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，在J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的通式(S2-1)或由通式(S2-2)表示的取代基。在通式(S2-1)數(shù)為6至10的芳基。R27中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳(S2-2)在通式(S2-2)中，R1及R31至R4°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(G3)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G3)中，R11至R2tl分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的通式(S3-1)或通式(S3-2)表示的取代基。在通式(S3-1)中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S3-2)中，R1及R31至R4°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(G4)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G4)中，R11至R2tl分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的通式(S4-1)或通式(S4-2)表示的取代基。在通式(S4-1)中，R21至R3°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S4-2)中，R1及R31至R4tl分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(G5)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G5)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2tl具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的結(jié)構(gòu)式(S5-1)或通式(S5-2)表示的取代基。在通式(S5-2)中，R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物是由通式(G6)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式(G6)中，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的結(jié)構(gòu)式(S6-1)或由通式(S6-2)表示的取代基。在通式(S6-2)中，R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，作為通式(Gl)至(G5)中的R11至R2tl的具體結(jié)構(gòu)，例如可以舉出結(jié)構(gòu)式(1-1)至結(jié)構(gòu)式(1-30)所示的取代基。另外，作為通式(Gl)及(G2)中的J的具體結(jié)構(gòu)，例如可以舉出結(jié)構(gòu)式(2-1)至結(jié)構(gòu)式(2-20)所示的取代基。另外，在通式(Gl)的Het中，作為通式(Sl-I)的Ar1Ar4的具體結(jié)構(gòu)，例如可以舉出結(jié)構(gòu)式(3-1)至結(jié)構(gòu)式(3-21)及Ar2、通式(S1-2)的Ar3及所示的取代基。另外，在通式(Gl)至(G6)的Het中，作為在通式(S1-2)至(S6-2)中的R1的具體結(jié)構(gòu)，例如可以舉出結(jié)構(gòu)式(4-1)至結(jié)構(gòu)式(4-22)所示的取代基。另外，在通式(G2)至(G5)的Het中，作為通式(S2_l)至通式(S4_l)及通式(S2-2)至通式(S4-2)的R21至R4tl的具體結(jié)構(gòu)，例如可以舉出結(jié)構(gòu)式(5_1)至結(jié)構(gòu)式(5_22)所示的取代基。作為通式(Gl)表示的本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物的具體例子，可以舉出結(jié)構(gòu)至結(jié)構(gòu)式(275)所示的具有雜芳環(huán)的衍生物。但是，本發(fā)明不局限于這些。CH3(5-19)CH/:cH3C.H3C'(5-9)2/HHC/H\cCI3CH(5-8)η/λ5-6)CH.(H)c\c/c5)3H35-Ir/VHH26作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物的合成方法，可以應(yīng)用各種反應(yīng)。例如，通過進行下面所示的合成反應(yīng)，可以合成以下面通式(Gl)表示的本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物。另外，本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物的合成方法不局限于下面的合成方法。在通式(Gl)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，在J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由下面的通式(Sl-I)或通式(S1-2)表示的取代基。在通式(Sl-I)中，Ar1及Ar2分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar1及Ar2具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在通式(S1-2)中，Ar3及Ar4分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar3及Ar4具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。<通式(Gl)表示的化合物的合成方法>可以如反應(yīng)式1那樣地合成由通式(Gl)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。也就是說，通過在存在有堿的情況下使用鈀催化劑的柏奇渥-哈特維希(Buchwald-Hartwig)或者使用銅或銅化合物的烏爾曼反應(yīng)耦合被鹵化的具有雜芳環(huán)的化合物(化合物Al)和胺類化合物(化合物A2)，可以獲得具有雜芳環(huán)的衍生物(通式(G1))。在反應(yīng)式1中，X1表示鹵素或者三氟甲磺酸酯基，并且作為鹵素可以舉出碘、溴。另外在通式(Gl)中，R11至R2°分別表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R11至R2°具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，在J具有取代基的情況下，作為其取代基可以舉出碳數(shù)為1至4的烷基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示由以下通式(Sl-I)或由以下通式(S1-2)表示的取代基。在通式(Sl-I)中，Ar1及Ar2分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar1及Ar2具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(S1-2)中，Ar3及Ar4分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar3及Ar4具有取代基的情況下，作為其取代基可以分別舉出碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在反應(yīng)式1中，作為當(dāng)進行柏奇渥_哈特維希(Buchwald-Hartwig)反應(yīng)時可以使用的鈀催化劑，可以舉出雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)、醋酸鈀(II)等。另外，作為在反應(yīng)式1中可使用的鈀催化劑的配體，可以舉出三(叔丁基)膦、三(η-己基)膦、三環(huán)己基膦等。在反應(yīng)式1中，作為可以使用的堿，可以舉出叔丁醇鈉等的有機堿或碳酸鉀等的無機堿等。在反應(yīng)式1中，作為可以使用的溶劑，可以舉出甲苯、二甲苯、苯、四氫呋喃等。說明在反應(yīng)式1中進行烏爾曼反應(yīng)的情況。在反應(yīng)式1中，作為可以使用的銅化合物，可以舉出碘化銅(I)、醋酸銅(II)等。另外，除了銅化合物之外還可以使用銅。在反應(yīng)式1中，作為可以使用的堿，可以舉出碳酸鉀等的無機堿。在反應(yīng)式1中，作為可以使用的溶劑，可以舉出1，3_二甲基-3，4，5，6-四氫化-2(1Η)嘧啶酮(DMPU)、甲苯、二甲苯、苯等。在烏爾曼反應(yīng)中，由于當(dāng)反應(yīng)溫度為100°C以上時可以以更短時間和高收率獲得目的物，所以優(yōu)選使用沸點高的DMPU、二甲苯。另外，反應(yīng)溫度更優(yōu)選為150°C以上的較高溫度，所以更優(yōu)選使用DMPU。實施方式2在本實施方式中，參照附圖對將上述實施方式所說明的具有雜芳環(huán)的衍生物用作發(fā)光層的發(fā)光元件的一個例子進行說明。圖1示出在第一電極101和第二電極103之間夾著具有發(fā)光層113的EL層102的發(fā)光元件的一個例子。通過對這種發(fā)光元件施加電壓，從第一電極101—側(cè)注入的空穴和從第二電極103—側(cè)注入的電子在發(fā)光層113中重新結(jié)合，使發(fā)光有機化合物處于激發(fā)態(tài)。然后，在激發(fā)態(tài)的有機化合物回到基態(tài)時發(fā)光。此外，在本實施方式所示的發(fā)光元件中，將第一電極101用作陽極，并且將第二電極103用作陰極。另外，在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)然也可以采用與上述疊層順序相反的疊層順序。用作陽極的第一電極101優(yōu)選使用功函數(shù)大的(具體地，4.OeV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或它們的混合物等的材料而形成。具體而言，例如可以舉出氧化銦-氧化錫(ΙΤ0氧化銦錫)、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0氧化銦鋅)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。另外，可以舉出金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、Ti(鈦)等。但是，在EL層102中，在接觸于第一電極101的層使用由有機化合物和電子受體(acceptor)構(gòu)成的復(fù)合材料而形成時，用于第一電極101的物質(zhì)不因功函數(shù)的大小而受到限制。例如，也可以使用鋁(Al)、銀(Ag)、包含鋁的合金(例如ΑΙ-Si)等。此外，第一電極101可以例如通過濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等而形成。形成在第一電極101上的EL層102至少具有發(fā)光層113，并且EL層102包含上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物而形成。EL層102的一部分可以使用已知的物質(zhì)，可以使用低分子化合物或高分子化合物。此外，形成EL層102的物質(zhì)也可以在其一部分中包含無機化合物。此外，除了發(fā)光層113以外，如圖1所示那樣，適當(dāng)?shù)亟M合包含空穴注入性高的物質(zhì)的空穴注入層111、包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的空穴傳輸層112、包含電子傳輸性高的物質(zhì)的電子傳輸層114以及包含電子注入性高的物質(zhì)的電子注入層115等而層疊形成EL層102?？昭ㄗ⑷雽?11是包含空穴注入性高的物質(zhì)的層。作為空穴注入性高的物質(zhì)，可以使用鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等金屬氧化物。此外，可以使用酞菁(簡稱H2Pc)、銅(II)酞菁(簡稱CuPc)、釩氧酞菁(簡稱V0Pc)等酞菁類化合物。此外，可以使用低分子有機化合物的芳香胺化合物等，諸如4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)_三苯胺(簡稱TDATA)、4，4，，4”_三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]-三苯胺(簡稱MTDATA)、4，4’_雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱=DPAB),4，4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯(lián)苯(簡稱DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱:DPA3B)、3-[N_(9_苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl)、3，6-雙[N_(9_苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2)以及3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)等。此外，還可以使用高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。例如，可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱PTPDMA)以及聚[N，N’-雙(4-丁基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡稱=Poly-TPD)等高分子化合物。另外，還可以使用添加有酸的高分子化合物諸如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)以及聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。此外，作為空穴注入層111，也可以使用由有機化合物和電子受體(acceptor)混合而成的復(fù)合材料。在這種復(fù)合材料中，由于通過電子受體在有機化合物中產(chǎn)生空穴，因此空穴注入性及空穴傳輸性良好。在此情況下，作為有機化合物，優(yōu)選使用所產(chǎn)生的空穴的傳輸性能優(yōu)異的材料(空穴傳輸性高的物質(zhì))。優(yōu)選使用具有空穴傳輸性高的有機化合物作為用于上述復(fù)合材料的有機化合物。具體而言，優(yōu)選使用空穴遷移率為l(T6Cm7VS以上的物質(zhì)。然而，只要是其空穴傳輸性比電58子傳輸性高的物質(zhì)，就不必解釋為有特別的限制。下面，具體地舉出可以用于復(fù)合材料的有機化合物的例子。作為可以用于復(fù)合材料的有機化合物，例如可以舉出芳香胺化合物諸如TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCAl、PCzPCA2、PCzPCNl、4，4，_雙[N-(l_萘基)_N_苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)以及N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基_[1，1’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(簡稱TPD)等；或者咔唑衍生物諸如4，4’-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱CBP)、1,3,5-H[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱:11^)、9-[4-(^咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱=CzPA)以及1，4_雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。此外，可以舉出芳香烴化合物諸如2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱1-8110嫩)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5_二苯基苯基)蒽(簡稱=DPPA),2-叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱=DNA),9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、2_叔丁基蒽(簡稱t-BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱DMNA)、9，10-雙[2-(1_萘基)苯基]_2_叔丁基-蒽、9，10-雙[2_(1_萘基)苯基]蒽、2，3，6，7_四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽等。此外，還可以舉出芳香烴化合物諸如2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2_萘基)蒽、9，9’-二蒽基、10，10，-二苯基_9，9’-二蒽基、10，10，-雙(2-苯基苯基)-9，9’-二蒽基、10，10，_雙[(2，3，4，5，6_五苯基)苯基]_9，9’_二蒽基、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯、并五苯、六苯并苯、4，4’-雙(2，2_二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DPVBi)以及9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱DPVPA)等。另外，還可以使用作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物。作為可以用于復(fù)合材料的電子受體，可以舉出7，7，8，8_四氰-2，3，5，6-四氟二甲基對苯醌(簡稱=F4-TCNQ)、氯醌等的有機化合物以及過渡金屬氧化物等。還可以舉出屬于元素周期表中的第4族至第8族元素的金屬的氧化物。例如，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳以及氧化錸，因為它們的電子接受性高。其中，氧化鉬是尤其優(yōu)選的，因為氧化鉬在大氣中也穩(wěn)定而且吸濕性低，就容易處理。此外，空穴注入層111也可以使用利用上述PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等的高分子化合物以及上述電子受體的復(fù)合材料?？昭▊鬏攲?12是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。作為空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以使用芳香胺化合物諸如NPB、TPD、4，4’_雙[N-(9，9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DFLDPBi)以及4，4’_雙[N-(螺-9，9’_二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱BSPB)等。上述物質(zhì)主要是具有10_6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。此外，空穴傳輸層112可以為單層結(jié)構(gòu)或者疊層結(jié)構(gòu)。此外，作為空穴傳輸層112，還可以使用高分子化合物諸如PVK、PVTPA、PTPDMA以及Poly-TPD等。另外，由于作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物具有雙極性并具有空穴傳輸性，所以還可以將該衍生物用作空穴傳輸材料。發(fā)光層113是包含發(fā)光性高的物質(zhì)的層。此外，在本實施方式中，對將上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物用于發(fā)光層的情況進行說明。另外，在采用將發(fā)光性高的物質(zhì)(客體材料)分散于其他物質(zhì)(主體材料)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光層中，優(yōu)選將上述具有雜芳環(huán)的衍生物用作主體材料，但是所公開的發(fā)明的一個方式不被理解為局限于此。也可以單獨使用上述具有雜芳環(huán)的衍生物作為發(fā)光層。在將上述實施4方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物用作主體材料的情況下，當(dāng)作為客體材料使用發(fā)射熒光的材料時，作為客體材料，優(yōu)選使用一種物質(zhì)，其最低未占據(jù)軌道能級(LUM0能級)低于上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物的最低未占據(jù)軌道能級而其最高占據(jù)軌道能級(HOMO能級)高于上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物的最高占據(jù)軌道能級。例如，作為藍色發(fā)光材料，可以舉出N，N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N，-二苯基芪-4，4，-二胺(簡稱:￥6八2幻、4-(9!1-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱YGAPA)等。作為綠色發(fā)光材料，可以舉出N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、N-[9，10-雙(1，1’-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱:2PCABPhA)、N_(9，10-二苯基-2-蒽基)-N,N，，N，-三苯基-1，4_苯二胺(簡稱:2DPAPA)、N-[9，10-雙(1，1，-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，N，，N，-三苯基-1，4-亞苯基二胺(簡稱:2DPABPhA)、N-[9，10-雙(1，1’-聯(lián)苯基-2-基)]-N_[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽_9_胺(簡稱DPhAPhA)等。作為黃色發(fā)光材料，可以舉出紅熒烯、5，12-雙(1，1’-聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡稱BPT)等。另外，作為紅色發(fā)光材料，可以舉出N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡稱p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N，，N，-四(4-甲基苯基)苊并[l，2-a]熒蒽-3，10-二胺(簡稱p-mPhAFD)等。此外，在將上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物用作主體材料的情況下，當(dāng)作為客體材料使用發(fā)射磷光的材料時，作為客體材料，優(yōu)選使用一種物質(zhì)，其三重態(tài)激發(fā)能小于上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物。作為這種材料，例如可以舉出有機金屬配合物諸如雙[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱FIr6)、雙[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶醇_N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱FIrpic)、雙[2-(3，，5，-雙三氟甲基苯基)吡啶醇-N，C2，]銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶醇-N，C2，]銥(III)乙酰丙酮(簡稱=FIracac)、三(2_苯基吡啶醇-N，C2，)銥(III)(簡稱Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(ppy)2(acac))、三(乙酰丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡稱Tb(acac)3(Phen)),^(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(bzq)2(acac))、雙(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4，-全氟烷苯基苯基)吡啶醇]銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2，-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶醇_N，C3，]銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(piq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4_氟苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡稱=Ir(Fdpq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙(2，3，5_三苯基吡嗪根合)銥(III)(簡稱Ir(tppr)2(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉鉬(II)(簡稱:PtOEP)、三(1，3_二苯基-1，3-丙二酮)(單菲咯啉)銪(III)(簡稱Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2_噻吩甲?；?-3，3，3_三氟丙酮](一菲咯啉)合銪(III)(簡稱=Eu(TTA)3(Phen))寸。上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物由于具有電子傳輸性，所以通過用于發(fā)光層，可以制造具有電子傳輸性高的發(fā)光層。在這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光層中，在使用電子俘獲性高的客體材料的情況下，可以得到極高效率的發(fā)光。此外，可以使用多種用于分散發(fā)光物質(zhì)(客體材料)的物質(zhì)(主體材料)。因此，除了上述實施方式所示的具有雜芳環(huán)的衍生物之外，發(fā)光層還可以包含第二主體材料。此外，可以將作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物作為發(fā)光物質(zhì)單獨地使用或?qū)⑵溆米骺腕w材料。電子傳輸層114是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。電子傳輸層114可以使用金屬配合物諸如Alq3、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(簡稱=BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2、雙[2_(2，-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(II)(簡稱Zn(BTZ)2)等。此外，也可以使用雜芳族化合物諸如2-(4_聯(lián)苯基)-5-(4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑(簡稱PBD)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱:0XD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4_苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4_三唑(簡稱:ΤΑΖ),3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡稱p_EtTAZ)、紅菲咯啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)、4，4’_雙(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱=BzOs)等。此外，也可以使用高分子化合物諸如聚(2，5-吡啶二基)(簡稱PPy)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-共聚-(吡啶-3，5-二基)](簡稱PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共聚-(2，2，-聯(lián)吡啶-6，6，-二基)](簡稱=PF-BPy)。上述物質(zhì)主要是具有l(wèi)(T6Cm7VS以上的電子遷移率的物質(zhì)。此外，電子傳輸層114可以為單層結(jié)構(gòu)或者疊層結(jié)構(gòu)。另外，由于上述具有雜芳環(huán)的衍生物具有雙極性且具有電子傳輸性，所以還可以將該衍生物用作電子傳輸材料。電子注入層115是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。作為電子注入層115，可以使用鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)以及鋰氧化物(LiOx)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。另外，也可以使用氟化鉺(ErF3)等稀土金屬化合物。此外，還可以使用上述構(gòu)成電子傳輸層114的物質(zhì)。作為電子注入層115，也可以使用由有機化合物和電子給體(donor)混合而成的復(fù)合材料。在這種復(fù)合材料中，由于通過電子給體在有機化合物中產(chǎn)生電子，因此電子注入性及電子傳輸性良好。在此情況下，上述有機化合物優(yōu)選是所產(chǎn)生的電子的傳輸性優(yōu)異的材料，例如可以使用構(gòu)成上述電子傳輸層114的物質(zhì)。另外，還可以使用作為本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物。電子給體可以是對有機化合物呈現(xiàn)電子給予性的物質(zhì)。具體而言，電子給體優(yōu)選是堿金屬、堿土金屬以及稀土金屬，可以使用鋰、銫、鎂、鈣、鉺以及鐿等。另外，優(yōu)選是堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物，可以使用鋰氧化物、鈣氧化物以及鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等的路易斯堿。另外，還可以使用四硫富瓦烯(簡稱TTF)等有機化合物。此外，上述空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114、電子注入層115分別可以通過蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、涂敷法等的方法而形成。用作陰極的第二電極103優(yōu)選使用功函數(shù)小的(具體地，3.SeV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或它們的混合物等的材料而形成。具體而言，除了屬于元素周期表中第1族或第2族的元素，即鋰、銫等堿金屬；鎂、鈣、鍶等堿土金屬及包含這些的合金以及銪、鐿等稀土金屬或包含這些的合金之外，還可以使用鋁或銀等。另外，在EL層102中，在接觸于第二電極103的層使用由上述有機化合物和電子給體(donor)構(gòu)成的復(fù)合材料而形成時，用于第二電極103的物質(zhì)不因功函數(shù)的大小而受到限制。例如可以使用Al、Ag、ΙΤ0、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種各樣的導(dǎo)電材料。此外，在形成第二電極103時，可以使用真空蒸鍍法、濺射法。另外，在使用銀膏等的情況下，也可以采用涂敷法或噴墨法等。因第一電極101和第二電極103之間的電勢差而產(chǎn)生的電子和空穴在EL層102中重新結(jié)合，從而使得上述發(fā)光元件發(fā)光。而且，該光經(jīng)過第一電極101及第二電極103中的任一方或雙方被提取到外部。因而，第一電極101及第二電極103中的任一方或雙方對可見光具有透光性。另外，通過使用本實施方式所示的發(fā)光元件，可以制造由無源矩陣型發(fā)光裝置及由薄膜晶體管(TFT)控制發(fā)光元件的驅(qū)動的有源矩陣型發(fā)光裝置。另外，當(dāng)制造有源矩陣型發(fā)光裝置時的TFT的結(jié)構(gòu)沒有特別限制。此外，可以使用η型或ρ型的TFT。再者，用于TFT的半導(dǎo)體材料沒有特別限制。例如，可以使用硅類半導(dǎo)體材料(包括非晶、結(jié)晶、單晶的任一種)、鍺類半導(dǎo)體材料、硫?qū)兕惏雽?dǎo)體材料、其他各種半導(dǎo)體材料。當(dāng)然，也可以使用氧化物半導(dǎo)體材料。在本實施方式中，使用上述具有雜芳環(huán)的衍生物而形成發(fā)光層113。由此，可以提供功率效率高并且使用壽命長的發(fā)光元件。本實施方式可以與上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實施方式3所公開的發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件也可以具有多個發(fā)光層。通過從多個發(fā)光層的每一個發(fā)射光，可以得到多個發(fā)光混合在一起的光。從而，例如可以得到白色光。在本實施方式中，參照具有多個發(fā)光層的發(fā)光元件的方式。在圖2中，在第一電極201和第二電極203之間設(shè)置有第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215，而可以得到來自第一發(fā)光層213的發(fā)光和來自第二發(fā)光層215的發(fā)光混合在一起的發(fā)光。在第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215之間優(yōu)選具有分離層214。當(dāng)以第一電極201的電位高于第二電極203的電位的方式施加電壓時，在第一電極201和第二電極203之間流過電流，空穴或電子流到第一發(fā)光層213、第二發(fā)光層215或分離層214中。由此，使包含于第一發(fā)光層213中的第一發(fā)光物質(zhì)和包含于第二發(fā)光層215中的第二發(fā)光物質(zhì)處于激發(fā)態(tài)。然后，在發(fā)光物質(zhì)從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時發(fā)光。第一發(fā)光層213包含第一發(fā)光物質(zhì)，典型的是二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(簡稱TBP)、DPVBi、4，4，-雙[2-(N-乙基咔唑-3-基)乙烯基]聯(lián)苯(簡稱BCzVBi)、BAlq、雙(2-甲基_8_羥基喹啉合)鎵氯化物(簡稱=Gamq2Cl)等熒光化合物；或者雙{2-[3，5_雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N，C2，}銥(III)甲基吡啶(簡稱Ir(CF3ppy)2(piC))、雙[2-(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2，]銥(III)乙?；?簡稱FlHacac))、雙[2-(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2’]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱FIrpic)、雙[2-(4，6_二氟苯基)吡啶-N，C2，]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱=FIr6)等磷光化合物等，并且可以得到450nm至510nm處具有發(fā)射光譜的峰值的發(fā)光(即，藍色至藍綠62色)。此外，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光物質(zhì)是熒光化合物時，第一發(fā)光層213優(yōu)選采用如下的層將具有比第一發(fā)光物質(zhì)大的單重激發(fā)能的物質(zhì)用作第一主體，并且以第一發(fā)光物質(zhì)為客體而分散的層。此外，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光物質(zhì)是磷光化合物時，第一發(fā)光層213優(yōu)選采用如下的層將具有比第一發(fā)光物質(zhì)大的三重激發(fā)能的物質(zhì)用作第一主體，并且以第一發(fā)光物質(zhì)為客體而分散的層。作為第一主體，除了上述的NPB、CBP、TCTA等以外，還可以使用DNA、t-BuDNA等。另外，單重激發(fā)能是指基態(tài)和單重激發(fā)態(tài)之間的能量差。另外，三重激發(fā)能是指基態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差。另一方面，第二發(fā)光層215包含上述實施方式所說明的具有雜芳環(huán)的衍生物。第二發(fā)光層215可以采用與上述實施方式所說明的發(fā)光層113同樣的結(jié)構(gòu)，即可。另外，分離層214例如可以由上述TPAQn、NPB、CBP、TCTA、Znpp2、ZnBOX等形成。通過設(shè)置這種分離層214，可以防止第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215中的僅任一方的發(fā)光強度增大的不利情況。另外，分離層214不是必需的結(jié)構(gòu)。在對第一發(fā)光層213的發(fā)光強度和第二發(fā)光層215的發(fā)光強度的比率需要進行調(diào)節(jié)時等設(shè)置分離層214即可。此外，也可以將所公開的發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物用于分離層214。另外，雖然在本實施方式中將上述實施方式所說明的具有雜芳環(huán)的衍生物用于第二發(fā)光層215而將其它發(fā)光物質(zhì)用于第一發(fā)光層213，但是也可以將上述實施方式所說明的具有雜芳環(huán)的衍生物用于第一發(fā)光層213而將其它物質(zhì)用于第二發(fā)光層215。此外，雖然在本實施方式中記載設(shè)置有兩個發(fā)光層的發(fā)光元件，但是發(fā)光層的數(shù)量不局限于兩個，例如可以為三個以上。此外，第一電極201采用與上述實施方式所述的第一電極101相同的結(jié)構(gòu)，即可。另外，第二電極203也采用與上述實施方式所述的第二電極103相同的結(jié)構(gòu)，即可。此外，在本實施方式中示出設(shè)置有空穴注入層211、空穴傳輸層212、電子傳輸層216以及電子注入層217的例子，關(guān)于這些層的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用上述實施方式所述的結(jié)構(gòu)。另外，這些層不是必需的結(jié)構(gòu)。根據(jù)元件的特性適當(dāng)?shù)卦O(shè)置這些層即可。本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實施方式4在本實施方式中，參照包括多個EL層的發(fā)光元件(下面，稱為疊層型元件)。在圖3中示出在第一電極301和第二電極304之間的具有多個EL層(第一EL層302、第二EL層303)的疊層型發(fā)光元件。另外，本實施方式示出具有兩個EL層的情況，但是也可以具有三個以上。在本實施方式中，第一電極301用作陽極，而第二電極304用作陰極。此外，第一電極301及第二電極304可以采用與上述實施方式的電極相同的結(jié)構(gòu)。另外，作為多個EL層(第一EL層302、第二EL層303)，可以采用與上述實施方式所示的EL層相同的結(jié)構(gòu)，也可以采用其中的任一方不同的結(jié)構(gòu)。換言之，第一EL層302和第二EL層303可以具有相同的結(jié)構(gòu)或不同的結(jié)構(gòu)。此外，在多個EL層(第一EL層302、第二EL層303)之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層305。電荷產(chǎn)生層305具有當(dāng)對第一電極301和第二電極302施加電壓時將電子注入到一方EL層，而將空穴注入到另一方EL層的功能。在本實施方式中，當(dāng)對第一電極301施加電壓以使其電位比第二電極304的電位高時，電子從電荷產(chǎn)生層305注入到第一EL層302，而空穴注入到第二EL層303。另外，考慮到光的提取效率，電荷產(chǎn)生層305優(yōu)選對可見光具有透光性。此外，即使電荷產(chǎn)生層305的導(dǎo)電率比第一電極301和第二電極304低也沒有問題。電荷產(chǎn)生層305既可以采用具有高空穴傳輸性的有機化合物和電子受體(acceptor)的結(jié)構(gòu)，又可以采用具有電子傳輸性高的有機化合物和電子給體(donor)的結(jié)構(gòu)。此外，還可以采用疊層這兩種的結(jié)構(gòu)。關(guān)于空穴傳輸性高的有機化合物和電子受體的詳細內(nèi)容，可以參照上述實施方式所記載的內(nèi)容。此外，與此相同，關(guān)于電子傳輸性高的有機化合物和電子給體的詳細內(nèi)容，可以參照上述實施方式所記載的內(nèi)容。通過使用上述材料形成電荷產(chǎn)生層305，可以抑制層疊EL層時的驅(qū)動電壓的上升。如根據(jù)本實施方式的發(fā)光元件，可以通過由電荷產(chǎn)生層使多個EL層間隔而配置，在保持低電流密度下，可以實現(xiàn)高亮度化。由此，可以實現(xiàn)亮度高且使用壽命長的發(fā)光元件。另外，通過使各個EL層的發(fā)光顏色不相同，可以在發(fā)光元件的整體上控制發(fā)光顏色。例如，在具有兩個EL層的發(fā)光元件中，通過使第一EL層的發(fā)光顏色和第二EL層的發(fā)光顏色處于補色的關(guān)系，也可以得到在發(fā)光元件的整體上進行白色發(fā)光的發(fā)光元件。另外，通過設(shè)置多個不同的EL層，可以容易地提供發(fā)射光譜的寬度寬的發(fā)光元件。例如，當(dāng)?shù)谝籈L層的發(fā)光顏色為紅色、第二EL層的發(fā)光顏色為綠色、第三EL層的發(fā)光顏色為藍色時，作為整個發(fā)光元件，可以獲得具有優(yōu)良顯色性的白色發(fā)光元件。另外，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實施方式5在本實施方式中，作為所公開的發(fā)明的一個方式，對使用發(fā)光元件的無源矩陣型發(fā)光裝置及有源矩陣型發(fā)光裝置進行說明。圖4A至4D和圖5示出無源矩陣型發(fā)光裝置的例子。在無源矩陣型(也稱為單純矩陣型)發(fā)光裝置中，條形(帶形)的多個陽極和條形的多個陰極互相正交，并且具有在其交叉部形成有發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。從而，在被選擇(施加了電壓)的陽極和被選擇的陰極的交叉點上的發(fā)光層(以下稱為像素)發(fā)光。圖4A至4C是示出密封之前的像素部的俯視圖，而圖4D是沿圖4A至4C中的虛線A-A'的截面圖。在襯底401上作為基底絕緣層形成有絕緣層402。另外，基底絕緣層不是必需的結(jié)構(gòu)，根據(jù)需要形成即可。在絕緣層402上以等間距設(shè)置有多個第一電極403(參照圖4A)。此外，在第一電極403上設(shè)置有在對應(yīng)于各個像素的區(qū)域中具有開口部的分隔壁404。具有開口部的分隔壁404由有機材料(聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯)或無機材料(包含烷基的SiOx等)等構(gòu)成。另外，對應(yīng)于各像素的開口部405成為發(fā)光區(qū)(參照圖4B)。在分隔壁404上設(shè)置與第一電極403交叉的多個分隔壁406(參照圖4C)。多個分隔壁406分別形成為倒錐形，并且彼此平行地配置。在第一電極403上的不形成分隔壁406的區(qū)域中，按順序設(shè)置有EL層407、第二電極408(參照圖4D)。在此，EL層407和第二電極408分離為多個，而每一個電獨立。通過使分隔壁406的高度超過EL層407的厚度和第二電極408的厚度的總厚度，可以形成這種結(jié)構(gòu)的EL層407和第二電極408。第二電極408在與第一電極403交叉的方向上延伸。另外，在分隔壁406上形成有與EL層407同一的材料層以及與第二電極408同一的材料層，但是它們與EL層407和第二電極408分離。此外，本實施方式中的第一電極403和第二電極408中的一方用作陽極，而另一方用作陰極。根據(jù)電極的極性，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整構(gòu)成EL層407的疊層結(jié)構(gòu)，即可。此外，也可以密封襯底401而發(fā)光元件配置在被密封的空間中。使用密封材料等粘合劑將襯底401與密封罐或密封材料貼合來進行密封。通過進行這種密封，可以抑制發(fā)光元件的退化。另外，還可以對被密封的空間填充填充劑、干燥了的惰性氣體、干燥劑等。在封裝干燥劑時，由于去除微量的水分，因此抑制因水分的發(fā)光元件的退化。另外，作為干燥劑，可以使用通過化學(xué)吸附來吸收水分的物質(zhì)。具體而言，例如可以使用氧化鈣或氧化鋇等堿土金屬的氧化物。除了上述以外，也可以使用沸石或硅膠等的由物理吸附來吸收水分的物質(zhì)。下面，圖5示出在圖4A至4D所示的無源矩陣型發(fā)光裝置中安裝有FPC等時的結(jié)構(gòu)。在圖5的像素部中，具有彼此正交的掃描線組和數(shù)據(jù)線組。此外，圖4A至4D中的第一電極403相當(dāng)于圖5中的掃描線503，圖4A至4D中的第二電極408相當(dāng)于圖5中的數(shù)據(jù)線508，而圖4A至4D中的分隔壁406相當(dāng)于圖5中的分隔壁506。在數(shù)據(jù)線508和掃描線503之間形成有EL層，并且區(qū)域505對應(yīng)于一個像素。此外，掃描線503的端部與連接布線509電連接，并且連接布線509通過輸入端子510連接到FPC511b。另外，數(shù)據(jù)線508通過輸入端子512連接到FPC511a。在取出光的面等上可以設(shè)置偏振片、圓形偏振片(包括橢圓偏振片)、延遲板(λ/4板、λ/2板)、濾色片、抗反射膜等光學(xué)薄膜。另外，可以對取出光的面或各種薄膜的表面上進行處理。例如，通過在其表面上形成微小的凹凸而擴散反射光，來可以降低眩光。另外，在圖5中雖然示出了在襯底上不設(shè)置具有驅(qū)動電路的IC芯片的例子，但是，也可以在襯底上安裝IC芯片。作為IC芯片的安裝方法，可以利用COG法、引線鍵合法、TCP等。圖6A和6B示出有源矩陣型發(fā)光裝置的例子。圖6A是示出發(fā)光裝置的俯視圖，圖6B是示出沿圖6A的虛線A_A’的截面圖。根據(jù)本實施方式的有源矩陣型發(fā)光裝置具有設(shè)置在元件襯底601上的像素部602、驅(qū)動電路部603(源極一側(cè)驅(qū)動電路)以及驅(qū)動電路部604(柵極一側(cè)驅(qū)動電路)。將像素部602、驅(qū)動電路部603和驅(qū)動電路部604使用密封劑605密封在元件襯底601和密封襯底606之間(參照圖6A)。此外，在元件襯底601上設(shè)置有用于連接外部輸入端子的引導(dǎo)布線607。另外，在此示出了作為外部輸入端子設(shè)置FPC(柔性印刷線路)的例子。雖然在圖6A和6B中僅示出了FPC608，但是印刷線路板(PWB)也可以附著于FPC608上。根據(jù)本說明書等中的發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置本體，而且還包括安裝有FPC或PWB等的狀態(tài)。在驅(qū)動電路部603中形成有組合η溝道型TFT609和ρ溝道型TFT610而成的CMOS電路(參照圖6B)。當(dāng)然，電路結(jié)構(gòu)不局限于此，也可以應(yīng)用多種電路如CMOS電路、PMOS電路、NMOS電路等。此外，在本實施方式中，雖然示出了將驅(qū)動電路形成在襯底上的驅(qū)動電路一體型，但是并不需要被理解為限于此。驅(qū)動電路也可以形成在外部。另外，在圖6B中，僅例示源極一側(cè)驅(qū)動電路的驅(qū)動電路部603和像素部602。像素部602由多個像素形成，該多個像素包括開關(guān)TFT611、電流控制TFT612和電連接至電流控制TFT612的電極(源電極或漏電極)的陽極613。另外，形成有絕緣體614以覆蓋陽極613的端部。另外，因光照變得不溶于蝕刻劑的負型材料或因光照變得可溶于蝕刻劑的正型材料都可以用于絕緣體614。另外，除了有機化合物以外，還可以使用氧化硅或氧氮化硅等無機化合物。優(yōu)選在絕緣體614的上端部或下端部形成為有預(yù)定的曲率半徑的曲面形狀。通過具有曲面形狀，可以提高形成在絕緣體614的上方的膜的覆蓋性。例如，在使用正型光敏丙烯酸樹脂作為絕緣體614的材料的情況下，優(yōu)選將絕緣體614的上端部形成為有0.2μm至3μπι的曲率半徑的曲面形狀。在陽極613上層疊形成有EL層615和陰極616。在此，當(dāng)使用ITO膜作為陽極613，并且使用由氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜構(gòu)成的疊層膜或者由氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜構(gòu)成的疊層膜作為連接到陽極613的電流控制TFT612的布線時，可以得到與ITO膜的歐姆接觸，并且可以將該布線的電阻抑制為低。另外，雖然在此未圖示，但是陰極616電連接到作為外部輸入端子的FPC608。另外，EL層615至少設(shè)置有發(fā)光層。此外，除了發(fā)光層以外，還可以設(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。發(fā)光元件617由陽極613、EL層615和陰極616的疊層結(jié)構(gòu)形成。此外，雖然在圖6Β所示的截面圖中僅示出一個發(fā)光元件617，但在像素部602中，以矩陣形狀設(shè)置有多個發(fā)光元件。另外，在像素部602中選擇性地設(shè)置可以得到三種(R、G、B)發(fā)光的發(fā)光元件，而可以實現(xiàn)全彩色顯示。也可以與濾色片組合而實現(xiàn)全彩色顯示。由元件襯底601、密封襯底606以及密封材料605圍繞的空間618中設(shè)置有發(fā)光元件617。此外，除了空間618填充惰性氣體(如氮或氬等)的結(jié)構(gòu)以外，還包括填充了密封材料605等的其他材料的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選將環(huán)氧樹脂用于密封材料605。另外，這些材料優(yōu)選為盡可能地不透過水分、氧的材料。此外，作為用于元件襯底601和密封襯底606的材料，除了玻璃襯底、石英襯底以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等形成的塑料襯底等。另外，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實施方式6在本實施方式中，使用圖7A至7E以及圖8說明使用應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置來完成的各種各樣的電子設(shè)備以及照明裝置的一個例子。作為應(yīng)用發(fā)光裝置的電子設(shè)備，例如可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機)、用于計算機等的監(jiān)視器、如數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機之類的相機、數(shù)碼相框、移動電話機(也稱為移動電話、移動電話裝置)、便攜式游戲機、便攜式信息終端、音頻再現(xiàn)裝置、彈珠機等的大型游戲機等。圖7A至7E示出這些電子設(shè)備以及照明裝置的具體例子。圖7A示出電視裝置7100的一個例子。在電視裝置7100中，框體7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示圖像，并可以將發(fā)光裝置用于顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐框體7101的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用框體7101所具備的操作開關(guān)、另外提供的遙控操作機7110進行電視裝置7100的操作。通過利用遙控操作機7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，并可以對在顯示部7103上顯示的映像進行操作。此外，也可以采用在遙控操作機7110中設(shè)置顯示從該遙控操作機7110輸出的信息的顯示部7107的結(jié)構(gòu)。另外，電視裝置7100采用具備接收機及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用接收機接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而進行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通{曰。圖7B示出計算機的一個例子，該計算機包括主體7201、框體7202、顯示部7203、鍵盤7204、外接連接端口7205、定位裝置7206等。此外，該計算機是通過將發(fā)光裝置用于其顯示部7203來制造的。圖7C示出便攜式游戲機的一個例子，該便攜式游戲機由框體7301和框體7302的兩個框體構(gòu)成，并且通過連接部7303可以開閉地連接?？蝮w7301組裝有顯示部7304，而框體7302組裝有顯示部7305。此外，圖7C所示的便攜式游戲機還具備揚聲器部7306、記錄介質(zhì)插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、傳感器7311(包括測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)7312)等。當(dāng)然，便攜式游戲機的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，只要在顯示部7304及7305的雙方或一方中使用發(fā)光裝置，即可。圖7C所示的便攜式游戲機具有如下功能讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將其顯示在顯示部上；以及通過與其他便攜式游戲機進行無線通信而實現(xiàn)信息共享。另外，圖7C所示的便攜式游戲機的功能不局限于此，而可以具有各種各樣的其它功能。圖7D示出移動電話機的一個例子。移動電話機7400除了組裝在框體7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接端口7404、揚聲器7405、麥克風(fēng)7406等。另外，將發(fā)光裝置用于移動電話機7400的顯示部7402。圖7D所示的移動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入信息。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或制作電子郵件的操作。顯示部7402的顯示屏幕(顯示圖像)主要有如下三個模式第一是以圖像顯示為主的顯示模式；第二是以文字等信息輸入為主的輸入模式；第三是混合顯示模式與輸入模式的兩個模式的顯示及輸入模式。例如，在打電話、制作電子郵件等的情況下，將顯示部7402設(shè)定為以文字輸入為主的文字輸入模式(第二模式)，并進行文字的輸入操作，即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部7402中顯示鍵盤或號碼按鈕。另外，通過在移動電話機7400內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷移動電話機7400的方向，而可以對顯示部7402的屏幕顯示進行自動切換。通過觸摸顯示部7402或?qū)蝮w7401的操作按鈕7403進行操作等，切換屏幕模式。還可以根據(jù)顯示在顯示部7402上的圖像種類切換屏幕模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時，將屏幕模式切換成顯示模式(第一模式)，而當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為文字數(shù)據(jù)時，將屏幕模式切換成輸入模式(第二模式)。另外，當(dāng)在一定期間中沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以以將屏幕模式從輸入模式(第二模式)切換成顯示模式(第一模式)的方式來等進行控制。還可以將顯示部7402用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。此外，通過在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。圖7E示出臺式照明裝置，其包括照明部7501、燈罩7502、可調(diào)支架(adjustablearm)7503、支柱7504、臺7505、電源7506。另外，臺式照明裝置是通過將發(fā)光裝置用于照明部7501來制造的。另外，照明裝置還包括固定在天花板上的照明裝置或掛在墻上的照明裝置等。圖8示出將發(fā)光裝置用作室內(nèi)照明裝置801的例子。發(fā)光裝置還可以實現(xiàn)大面積化，從而可以用作大型照明裝置。除了上述以外，還可以用作卷動型照明裝置802。另外，在具備室內(nèi)照明裝置801的房間內(nèi)同時使用圖7E所示的臺式照明裝置803。通過應(yīng)用上述實施方式所說明的發(fā)光裝置等，可以提供上述電子設(shè)備、照明裝置等。如上所述，發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍極為寬，以至于該發(fā)光裝置可用在各個領(lǐng)域中的電子設(shè)備中。另外，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實施例1在本實施例1中，對作為由以下結(jié)構(gòu)式(100)表示的本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物4-(3，5-二苯基-1H-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱=CzTAZ(IH))的合成方法進行具體說明。68(100)《4-(3，5-二苯基_1!1-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱=CzTAZ(IH))的合成》》(A-I)示出4-(3，5-二苯基_1!1-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱CzTAZ(IH))的合成圖解。將1-(4_溴苯基)-3，5_二苯基-1H-1，2，4-三唑1.5g(4.Ommol)、9H_咔唑0.67g(4.Ommol)及叔丁醇鈉0.84g(8.8mmol)放在IOOmL三口燒瓶中，來對該燒瓶內(nèi)進行氮氣置換。在對該混合物添加二甲苯15mL、三(叔丁基)膦的10%己烷溶液0.10mL，并對該混合物進行減壓脫氣之后，對該燒瓶內(nèi)進行氮氣置換。對該混合物添加雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)0.069g(0.12mmol)，在氮氣氣流下且在140°C中攪拌8小時。在攪拌之后，對該混合物添加水并進行攪拌，然后對該混合物進行抽濾而得到濾液。使得到的濾液的有機層和水層分離，并用水對有機層進行清洗。在清洗之后，對有機層添加硫酸鎂以進行干燥。在干燥之后，將該混合物通過硅藻土545(KishidaChemicalCo.，Ltd.、目錄號碼020-14815)進行抽濾而得到濾液。利用硅膠柱色譜法對通過濃縮得到的濾液得到的油狀物進行精煉。作為柱色譜法，首先使用甲苯作為展開溶劑，然后使用甲苯乙酸乙酯=101的混合溶劑作為展開溶劑來進行。利用高效液相色譜法(簡稱HPLC)對通過濃縮獲得的餾分而得到的化合物進行精煉。展開溶劑使用氯仿。使用甲苯和己烷的混合溶劑使通過對獲得的餾分進行濃縮而得到的化合物再結(jié)晶，以46%的收率獲得收量0.84g的目的物的粉末狀的白色固體。通過梯度升華方法進行獲得了的0.84g的白色固體的升華純化。在如下條件下進行升華純化在2.6Pa的減壓下，將氬的流量設(shè)定為5mL/min并在220°C中進行16小時。收量為0.74g，而收率為88%。此外，通過核磁共振測定(NMR)測定在上述步驟中獲得的化合物。下面示出測定數(shù)據(jù)。1HNMR(CDCl3,300MHz)δ=7.28-7.34(m，2Η)，7.41-7.53(m，10Η)，7.63-7.69(m，6H)，8·14(d,J=7.8Ηζ，2Η)，8·28(d,J=7.8Hz，2H)。另夕卜，在圖IOA和IOB中表示1H匪R圖。另夕卜，圖IOB是將圖IOA中的7.Oppm至8.5ppm的范圍放大并表示的圖。根據(jù)測定結(jié)果，可知獲得有以上述結(jié)構(gòu)式(100)表示的本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物4-(3，5_二苯基-1H-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱CzTAZ(lH))。另外，在圖IlA中表示CzTAZ(IH)(簡稱)的甲苯溶液的吸收光譜以及發(fā)射光譜，在圖IlB中表示CzTAZ(IH)(簡稱)的薄膜的吸收光譜以及發(fā)射光譜。測定中使用紫外可見分光光度計(日本分光株式會社制造的V-550型)。通過將CzTAZ(IH)(簡稱)的甲苯溶液放在石英比色皿中測定，并減去了石英和甲苯的吸收光譜，來進行甲苯溶液中的CzTAZ(IH)(簡稱)的吸收光譜的測定。另外，通過將CzTAZ(IH)(簡稱)蒸鍍在石英襯底上而制造樣品，并減去了石英的吸收光譜，來進行CzTAZ(IH)(簡稱)的薄膜的吸收光譜的測定。在圖IlA及圖IlB中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示吸收強度(任意單位)。在CzTAZ(IH)在甲苯溶液中的情況下，在336nm附近觀察到吸收峰值，在CzTAZ(IH)為薄膜的情況下，在341nm附近觀察到吸收峰值。另夕卜，在圖IlA中表示CzTAZ(IH)(簡稱)的甲苯溶液(激發(fā)波長為327nm)的發(fā)射光譜。另外，在圖IlB中表示CzTAZ(IH)(簡稱)的薄膜(激發(fā)波長為340nm)的發(fā)射光譜。在圖IlA及圖IlB中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示發(fā)光強度(任意單位)。CzTAZ(IH)在甲苯溶液中的情況下，發(fā)光波長為349、367、386nm(激發(fā)波長為327nm)，在CzTAZ(IH)為薄膜的情況下，發(fā)光波長為403nm(激發(fā)波長為340nm)。此外，通過利用大氣中的光電子能譜法(日本理研計器株式會社制造的AC-2)測定在CzTAZ(IH)(簡稱)處于薄膜狀態(tài)時的電離電位的結(jié)果為5.90eV。其結(jié)果是，可知HOMO能級為-5.90eV。再者，通過使用CzTAZ(IH)(簡稱)的薄膜的吸收光譜的數(shù)據(jù)，并從假定直接躍遷的Tauc曲線找到吸收端，且以該吸收端為光學(xué)能隙進行預(yù)測，結(jié)果該能隙為3.53eV。根據(jù)所獲得的能隙值和HOMO能級來算出的LUMO能級為-2.37eV。此外，利用密度泛函理論法(DFT)計算了CzTAZ(IH)的基態(tài)的最佳分子結(jié)構(gòu)。以電勢能、電子間靜電能、電子的運動能以及包括所有復(fù)雜的電子間的互相作用的交換相關(guān)能的總和表示DFT的所有的能量。在DFT中，由于使用以電子密度所表示的一電子電勢的泛函數(shù)(意味著函數(shù)的函數(shù))近似表示交換相關(guān)作用，所以可以高速且高精度地進行計算。在此，利用混合泛函數(shù)的B3LYP對根據(jù)交換相關(guān)能的各參數(shù)進行權(quán)重。此外，作為基底函數(shù)使用6-311(對每個原子價軌道使用三個縮短函數(shù)的三重分裂價層(triplesplitvalence)基底類的基底函數(shù))而它應(yīng)用到所有原子上。通過上述基底函數(shù)，例如關(guān)于氫原子，考慮到Is至3s的軌道，而關(guān)于碳原子，考慮到Is至4s、2p至4p的軌道。再者，作為分極基底類，對氫原子加上P函數(shù)，對氫原子以外的原子加上d函數(shù)，以便提高計算精度。此外，作為量子化學(xué)計算程序，使用GauSSian03。使用高性能計算機(日本SGI株70式會社制，Altix4700)進行計算。利用GaussView4.1使根據(jù)計算而求出的CzTAZ(IH)的最佳分子結(jié)構(gòu)中的最高占據(jù)軌道(HOMO)和最低未占據(jù)軌道(LUMO)可視化并將其示于圖22A和22B。圖22A示出最高占據(jù)軌道(HOMO)、圖22B示出最低未占據(jù)軌道(LUMO)。圖中的球表示構(gòu)成CzTAZ(IH)的原子，原子周圍的云狀物表示最高占據(jù)軌道(HOMO)或最低未占據(jù)軌道(LUMO)。通過圖22A和22B可知在CzTAZ(IH)中最高占據(jù)軌道存在于咔唑附近，所以咔唑基對CzTAZ(IH)的空穴傳輸性起到很大的作用。另外，最低未占據(jù)軌道存在于三唑附近，所以三唑基對CzTAZ(IH)的電子傳輸性起到很大的作用。由此，因為CzTAZ(IH)將具有電子傳輸性的雜芳環(huán)的三唑骨架和具有空穴傳輸性的咔唑骨架引入分子內(nèi)，所以該CzTAZ(IH)是具有電子及空穴的傳輸性的雙極材料。實施例2在本實施例2中，對由結(jié)構(gòu)式(184)表示的本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物9-[4-(3，5-二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPz)的合成方法進行具體説明?！?-[4-(3，5-二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱=CzPz)的合成》(B-I)示出9-[4-(3，5-二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPz)的合成圖解。二甲苯在IOOmL三口燒瓶中加入1_(4_溴苯基)_3，5_二苯基-IH-吡唑1.5g(4.Ommo1)、9H-咔唑0.70g(4.2mmol)、叔丁醇鈉0.80g(8.2mmol)并對燒瓶內(nèi)進行氮氣置換。并對該混合物添加40mL的二甲苯。通過在減壓的條件下攪拌該混合物來進行脫氣，并添加三(叔丁基)膦的10%己烷溶液0.IOmL雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)50mg(0.086mmol)，并在氮氣氣(B-1)(184)流下以140°C攪拌6小時。在經(jīng)過預(yù)定的時間之后，對該混合物添加水，并使用甲苯萃取水層。使用水、飽和碳酸氫鈉水溶液以及飽和食鹽水洗滌得到的萃取溶液與有機層，并使用硫酸鎂進行干燥。通過濃縮對得到的混合物進行自然過濾而得到的濾液得到油狀物。利用硅膠柱色譜法(甲苯己烷=11)對該油狀物進行純化而得到油狀物質(zhì)。通過抽濾對該油狀物質(zhì)添加己烷而析出的固體，以68%的收率獲得收量1.3g的目的物的白色粉末。另外，通過梯度升華方法對獲得的1.2g的固體進行了升華純化。在如下條件下進行升華純化在IOPa的減壓下，將氬的流量設(shè)定為5mL/min并在220°C中進行16小時。收量為1.lg，而收率為88%。此外，通過核磁共振測定(NMR)測定在上述步驟中獲得的化合物。下面示出測定數(shù)據(jù)。1HNMR(CDCl3,300MHz)δ=6.89(s，1Η)、7.27-7.50(m，14Η)、7.55-7.64(m，4Η)、7.97(d,J=6.9Hz,2H)、8.15(d,J=7.8Hz,2H)。另外，在圖12A和12B中表示1HNMR圖。另外，圖12B是將圖12A中的6.5ppm至8.5ppm的范圍放大并表示的圖。根據(jù)測定結(jié)果，可知獲得以上述結(jié)構(gòu)式(184)表示的本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物的9-[4-(3，5_二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPz)。另外，圖13A中表示CzPz(簡稱)的甲苯溶液的吸收光譜以及發(fā)射光譜，在圖13B中表示CzPz(簡稱)的薄膜的吸收光譜以及發(fā)射光譜。測定中使用紫外可見分光光度計(日本分光株式會社制、V-550型)。通過將CzPz(簡稱)的甲苯溶液放在石英比色皿中測定，并減去了石英和甲苯的吸收光譜，來進行甲苯溶液中的CzPz(簡稱)的吸收光譜的測定。另外，通過將CzPz(簡稱)蒸鍍在石英襯底上而制造樣品，并減去了石英的吸收光譜，來進行CzPz(簡稱)的薄膜的吸收光譜的測定。在圖13A及圖13B中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示吸收強度(任意單位)。在甲苯溶液的情況下，在339nm附近觀察到吸收峰值，在薄膜的情況下，在341nm附近觀察到吸收峰值。另外，在圖13A中表示CzPz(簡稱)的甲苯溶液(激發(fā)波長為340nm)的發(fā)射光譜。另外，在圖13B中表示CzPz(簡稱)的薄膜(激發(fā)波長為344nm)的發(fā)射光譜。在圖13A及圖13B中，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示發(fā)光強度(任意單位)。在甲苯溶液的情況下，最大發(fā)光波長為379nm(激發(fā)波長為340nm)，在薄膜的情況下，最大發(fā)光波長為403nm(激發(fā)波長為344nm)。此外，通過利用大氣中的光電子能譜法(日本理研計器株式會社制造的AC-2)測定在CzPz(簡稱)處于薄膜狀態(tài)時的電離電位的結(jié)果為5.64eV。結(jié)果，可知HOMO能級為-5.64eV。再者，通過使用在CzPz(簡稱)的薄膜的吸收光譜的數(shù)據(jù)，并從假定直接躍遷的Tauc曲線找到吸收端，且以該吸收端為光學(xué)能隙進行預(yù)測，結(jié)果該能隙為3.47eV。根據(jù)所獲得的能隙值和HOMO能級來算出的LUMO能級為-2.17eV。另外，采用與之前CzTAZ(IH)相同的方法對CzPz在基底狀態(tài)下的最佳分子結(jié)構(gòu)進行了計算。利用GaussView4.1使根據(jù)計算而求出的CzPz的最佳分子結(jié)構(gòu)中的最高占據(jù)軌道(HOMO)和最低未占據(jù)軌道(LUMO)可視化并將它們示于圖23A和23B。圖23A示出最高占據(jù)軌道(HOMO)、圖23B示出最低未占據(jù)軌道(LUMO)。圖中的球表示構(gòu)成CzPz的原子，原子周圍的云狀物表示最高占據(jù)軌道(HOMO)或最低未占據(jù)軌道(LUMO)。通過圖23A和23B可知在CzPz中最高占據(jù)軌道存在于咔唑附近，所以咔唑基對CzPz的空穴傳輸性起到很大的作用。另外，最低未占據(jù)軌道存在于吡唑附近，所以吡唑基對CzPz的電子傳輸性起到很大的作用。由此，因為CzPz將具有電子傳輸性的為雜芳環(huán)的吡唑骨架和具有空穴傳輸性的咔唑骨架引入分子內(nèi)，所以該CzPz是具有電子及空穴的傳輸性的雙極材料。實施例3在本實施例中示出將上述實施方式1所記載的具有雜芳環(huán)的衍生物用作發(fā)光層的主體材料的發(fā)光元件的制造方法以及元件特性的測定結(jié)果。具體而言，示出使用實施例1所說明的4-(3，5-二苯基-1!1-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱CzTAZ(IH))而形成的發(fā)光元件1。此外，本實施例中的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)是圖9所示的結(jié)構(gòu)，該元件結(jié)構(gòu)是將上述本發(fā)明的具有雜芳環(huán)的衍生物用作第三層913的結(jié)構(gòu)，其中該第三層913為發(fā)光層。以下示出本實施例所使用的有機化合物的結(jié)構(gòu)式。首先，在玻璃襯底900上通過濺射法形成包含氧化硅的氧化銦_氧化錫膜，來形成第一電極901。此外，該第一電極901的膜厚度為llOnm，其電極面積為2mmX2mm。接著，在第一電極901上形成層疊有多個層的EL層902。在本實施例中，EL層902具有按順序?qū)盈B作為空穴注入層的第一層911、作為空穴傳輸層的第二層912、作為發(fā)光層的第三層913、作為電子傳輸層的第四層914、作為電子注入層的第五層915的結(jié)構(gòu)。在以將形成有第一電極901的面成為下面的方式將形成有第一電極901的襯底900固定在設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的襯底支架上，并減壓到10_4Pa左右，然后在第一電極901上進行4，4’_雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)和氧化鉬(VI)的共蒸鍍，從而形成作為空穴注入層的第一層911。使其厚度為50nm，并且控制蒸鍍速率以使NPB和氧化鉬(VI)的重量比為42(=NPB氧化鉬)。注意，共蒸鍍法為一種蒸鍍法，其中通過在一個處理室內(nèi)同時使用多個蒸發(fā)源來進行蒸鍍。接著，通過使用電阻加熱的蒸鍍法，在第一層911上形成厚度為IOnm的空穴傳輸性材料的膜，從而形成作為空穴傳輸層的第二層912。此外，第二層912使用4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)。接著，通過使用電阻加熱的蒸鍍法，在第二層912上形成作為發(fā)光層的第三層913。另外，當(dāng)形成發(fā)光元件1時，通過共蒸鍍4-(3，5-二苯基-1H-1，2，4_三唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱=CzTAZ(IH))和4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)及雙-{2-(4_氟苯基)-3，5_二甲基吡啶}(吡啶甲酸鹽)銥(III)(簡稱Ir(dmFppr)2(pic))形成40nm厚的第三層913。這里，調(diào)節(jié)蒸鍍速率以使CzTAZ(IH)和PCBA1BP及Ir(dmFppr)2(pic)的重量比成為10.20.1(=CzTAZ(IH)PCBA1BPIr(dmFppr)2(pic))。再者，通過利用電阻加熱的蒸鍍法，在第三層913上形成厚度為IOnm的4_(3，5-二苯基-1H-1，2，4-三唑-1-基)苯基-9H-咔唑(簡稱CzTAZ(IH))膜，并且在該膜上形成厚度為20nm的紅菲繞啉(簡稱BPhen)膜，從而形成電子傳輸層的第四層914。通過在第四層914上形成厚度為Inm的氟化鋰(LiF)膜，形成作為電子注入層的第五層915。最后，通過利用電阻加熱的蒸鍍法形成厚度為200nm的鋁膜形成第二電極903，從而制造出發(fā)光元件1。在氮氣氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發(fā)光元件1進行密封，然后對發(fā)光元件1的工作特性進行測定。注意，在室溫(保持為25°C的氣氛)下進行測定。圖14表示發(fā)光元件1的電流密度-亮度特性。圖15表示電壓-亮度特性。圖16表示亮度-電流效率特性。在圖14中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電流密度(mA/cm2)。在圖15中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。在圖16中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，在發(fā)光元件1中，為了得到940cd/m2的亮度需要的電壓為5.0V、電流效率為53.4cd/A、量子效率為14.9%。所以，可知使用本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物的發(fā)光元件為高效率的元件。另外，圖17示出發(fā)光元件1的發(fā)射光譜。另外，如圖17所示，在發(fā)光元件1中，觀察到來自作為客體材料的Ir(dmFppr)2(pic)(簡稱)的發(fā)光波長，而沒有觀察到來自作為主體材料的本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物CzTAZ(IH)(簡稱)的發(fā)光波長。由此可知本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物在發(fā)光元件的發(fā)光層中用作雙極性的主體材料。實施例4在本實施例中示出將上述實施方式1所記載的具有雜芳環(huán)的衍生物用作發(fā)光層的主體材料的發(fā)光元件的制造方法以及元件特性的測定結(jié)果。具體而言，示出使用上述實施例2所說明的9-[4-(3，5-二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPz)而形成的發(fā)光元件2。此外，本實施例中的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)為圖9所示的結(jié)構(gòu)，S卩，將上述本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物用于發(fā)光層的第三層913。首先，在玻璃襯底900上通過濺射法形成包含氧化硅的氧化銦_氧化錫膜，來形成74第一電極901。此外，該第一電極901的膜厚度為llOnm，其電極面積為2mmX2mm。接著，在第一電極901上形成層疊有多個層的EL層902。在本實施例中，EL層902具有按順序?qū)盈B作為空穴注入層的第一層911、作為空穴傳輸層的第二層912、作為發(fā)光層的第三層913、作為電子傳輸層的第四層914、作為電子注入層的第五層915的結(jié)構(gòu)。在以將形成有第一電極901的面成為下面的方式將形成有第一電極901的襯底900固定在設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的襯底支架上，并減壓到10_4Pa左右，然后在第一電極901上進行4，4’_雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)和氧化鉬(VI)的共蒸鍍，從而形成作為空穴注入層的第一層911。使其厚度為50nm，并且控制蒸鍍速率以使NPB和氧化鉬(VI)的重量比為42(=NPB氧化鉬)。注意，共蒸鍍法為一種蒸鍍法，其中通過在一個處理室內(nèi)同時使用多個蒸發(fā)源來進行蒸鍍。接著，通過使用電阻加熱的蒸鍍法，在第一層911上形成厚度為IOnm的空穴傳輸性材料的膜，從而形成作為空穴傳輸層的第二層912。此外，第二層912使用4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)。接著，通過使用電阻加熱的蒸鍍法，在第二層912上形成作為發(fā)光層的第三層913。另外，當(dāng)形成發(fā)光元件2時，通過進行9-[4-(3，5_二苯基-IH-吡唑-1-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPz)、4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)以及雙-{2-(4_氟苯基)-3，5_二甲基吡啶}(吡啶甲酸鹽)銥(III)(簡稱Ir(dmFppr)2(pic))的共蒸鍍，形成40nm的厚度的第三層913。在此，調(diào)節(jié)蒸鍍速率以使CzPz、PCBA1BP以及Ir(dmFppr)2(pic)的重量比為10.20.1(=CzPzPCBA1BPIr(dmFppr)2(pic))。再者，通過利用電阻加熱的蒸鍍法，在第三層913上形成厚度為IOnm的CzPz(簡稱)膜，并且在該膜上形成厚度為20nm的紅菲繞啉(簡稱BPhen)膜，從而形成電子傳輸層的第四層914。通過在第四層914上形成厚度為Inm的氟化鋰(LiF)膜，形成作為電子注入層的第五層915。最后，通過利用電阻加熱的蒸鍍法形成厚度為200nm的鋁膜形成第二電極903，從而制造出發(fā)光元件2。在氮氣氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發(fā)光元件2進行密封，然后對該發(fā)光元件2的工作特性進行測定。注意，在室溫(保持為25°C的氣氛)下進行測定。圖18表示發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性。圖19表示電壓-亮度特性。圖20表示亮度-電流效率特性。在圖18中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電流密度(mA/cm2)。在圖19中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。在圖20中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，在發(fā)光元件1中，為了得到893cd/m2的亮度需要的電壓為5.2V、電流效率為54.Ocd/A。所以，可知使用本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物的發(fā)光元件為高效率的元件。另外，圖21示出發(fā)光元件2的發(fā)射光譜。另外，如圖21所示，在發(fā)光元件2中，觀察到來自作為客體材料的Ir(dmFppr)2(pic)(簡稱)的發(fā)光波長，而沒有觀察到來自作為75主體材料的本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物CzPz(簡稱)的發(fā)光波長。由此可知本發(fā)明的一個方式的具有雜芳環(huán)的衍生物在發(fā)光元件的發(fā)光層中用作雙極性的主體材料。(參考例子)具體地說明結(jié)構(gòu)式(300)所表示的4-苯基-4’-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱:PCBA1BP)的合成方法。將4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑_3_基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)的合成圖解示于(C-I)。將2.0g(4.9mmol)的4_(9_苯基_9H_咔唑_3_基)二苯胺、1.Ig(4.9mmol)的4-溴聯(lián)苯、2.0g(20mmol)的叔丁醇鈉放在IOOmL的三口燒瓶中，對該燒瓶的內(nèi)部進行氮氣置換。在該混合物中加入50mL的甲苯、0.30mL的三(叔丁基)膦(10襯％己烷溶液)。通過在減壓下進行攪拌的同時使該混合物脫氣，脫氣后加入0.IOg的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)。接著，將該混合物在80°C下加熱攪拌5小時，使該混合物起反應(yīng)。在反應(yīng)結(jié)束后，在反應(yīng)混合物中添加甲苯，將該懸浮液通過硅藻土(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、礬土、硅酸鎂(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540_00135)進行抽濾，得到濾液。將所得到的濾液依次用飽和碳酸鈉水溶液、飽和食鹽水洗滌。在有機層中加入硫酸鎂進行干燥。在干燥后，對該混合物進行抽濾，去除硫酸鎂，而得到濾液。使所得到的濾液濃縮，并利用硅膠柱色譜法進行純化。作為硅膠柱色譜法，通過首先使用甲苯己烷=19的混合溶劑作為展開溶劑，然后使用甲苯己烷=37的混合溶劑作為展開溶劑來進行。對所得到的餾分濃縮來得到的固體使用氯仿和己烷的混合溶劑進行再結(jié)晶，從而以2.3g的收量、84%的收率得到粉末狀白色固體。通過梯度升華法對所得到的1.2g的白色固體進行升華純化。作為升華純化，將氬氣的流量設(shè)定為3mL/min，在7.OPa的減壓下以280°C的溫度進行20小時。收量為1.Ig,收率為89%。通過核磁共振測定(1HNMR)測定上述方法所得到的化合物。以下示出測定數(shù)據(jù)。1H匪R(DMS0-d6，300MHz)δ(ppm)=7.05-7.20(m，7H)，7.28-7.78(m，21H)，8.34(d，J=7.8Hz,1H)，8·57(s，1Η)。由測定結(jié)果可知，可以得到了結(jié)構(gòu)式(300)所表示的4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱:PCBA1BP)。通過使用上述4-苯基-4，-(9-苯基-9H-咔唑_3_基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)，可以形成上述實施例所示的發(fā)光元件1、2。本說明書根據(jù)2009年3月31日在日本專利局受理的日本專利申請編號2009-086528而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。權(quán)利要求一種由以下通式(G1)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，其中R11至R20分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基，α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的通式(S11)或通式(S12)表示的取代基，在通式(S11)中，Ar1及Ar2分別是取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，在通式(S12)中，Ar3及Ar4分別是取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R1是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。FSA00000082817300011.tif,FSA00000082817300012.tif,FSA00000082817300013.tif2.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求1所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。3.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求1所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。5.一種包括包含權(quán)利要求1所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。6.一種包括權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。7.一種包括權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。8.一種包括權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。9.一種包括權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置的照明裝置。10.一種由以下通式(G2)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，2其中R11至R2°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基，α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的通式(S2-1)或通式(S2-2)表示的取代基，在通式(S2-1)中，R21至R3°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，并且在通式(S2-2)中，R1及R31至R4°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。11.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求10所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。12.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求10所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。14.一種包括包含權(quán)利要求10所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。15.一種包括權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。16.一種包括權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。17.—種包括權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。18.—種包括權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置的照明裝置。19.一種由以下通式(G3)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，其中R11至R2°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的通式(S3_l)或通式(S3-2)表示的取代基，在通式(S3-1)中，R21至R3°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，在通式(S3-2)中，R1及R31至R4°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。20.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求19所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。21.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求19所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。23.一種包括包含權(quán)利要求19所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。24.一種包括權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。25.一種包括權(quán)利要求23所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。26.一種包括權(quán)利要求24所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。27.一種包括權(quán)利要求24所述的發(fā)光裝置的照明裝置。28.一種由以下通式(G4)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，(G4)其中R11至R2°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的通式(S4_l)或通式(S4-2)表示的取代基，(S4-1)在通式(S4-1)中，R21至R3°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，(S4-2)在通式(S4-2)中，R1及R31至R4°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。29.—種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求28所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。30.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求28所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。32.—種包括包含權(quán)利要求28所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。33.一種包括權(quán)利要求29所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。34.一種包括權(quán)利要求32所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。35.一種包括權(quán)利要求33所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。36.一種包括權(quán)利要求33所述的發(fā)光裝置的照明裝置。37.一種由以下通式(G5)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，其中R11至R2°分別是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的結(jié)構(gòu)式(S5_l)或通式(S5-2)表示的取代基，在通式(S5-2)中，R1是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。38.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求37所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。39.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求37所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。41.一種包括包含權(quán)利要求37所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。42.一種包括權(quán)利要求38所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。43.一種包括權(quán)利要求41所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。44.一種包括權(quán)利要求42所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。45.一種包括權(quán)利要求42所述的發(fā)光裝置的照明裝置。46.一種由以下通式(G6)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物，其中α，β可互相結(jié)合形成咔唑骨架，并且Het是由下面的結(jié)構(gòu)式(S6-1)或通式(S6-2)表示的取代基，在通式(S6-2)中，R1是氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基或形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。47.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求46所述的具有雜芳環(huán)的衍生物。48.一種包括發(fā)光層的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光層包括權(quán)利要求46所述的具有雜芳環(huán)的衍生物以及發(fā)光物質(zhì)。49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的發(fā)光元件，其中所述發(fā)光物質(zhì)為磷光化合物。50.一種包括包含權(quán)利要求46所述的具有雜芳環(huán)的衍生物的層的發(fā)光元件，其中所述包含所述具有雜芳環(huán)的衍生物的層以接觸發(fā)光層的方式設(shè)置。51.一種包括權(quán)利要求47所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。52.一種包括權(quán)利要求50所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。53.一種包括權(quán)利要求51所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。54.一種包括權(quán)利要求51所述的發(fā)光裝置的照明裝置。全文摘要本發(fā)明涉及具有雜芳環(huán)的衍生物、使用具有雜芳環(huán)的衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、照明裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的目的之一在于提供一種新的具有雜芳環(huán)的雙極性衍生物作為激發(fā)能大的物質(zhì)。提供一種由通式(G1)表示的具有雜芳環(huán)的衍生物。在通式中，R11至R20分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至12的亞芳基。另外，α，β還可以互相結(jié)合形成咔唑骨架。另外Het表示通式(S1-1)及通式(S1-2)表示的取代基。在通式(S1-1)及通式(S1-2)中，Ar1至Ar4分別表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。R1表示氫原子、碳數(shù)為1至4的烷基、形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。文檔編號F21K2/08GK101899037SQ20101015859公開日2010年12月1日申請日期2010年3月30日優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日發(fā)明者大澤信晴,川上祥子,瀨尾哲史,野村洸子,門間裕史申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所