專利名稱：光電倍增管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測(cè)來(lái)自外部的入射光的光電倍增管。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，利用了微細(xì)加工技術(shù)的小型光電倍增管的開(kāi)發(fā)不斷取得進(jìn)展。已知的有，例如在透光性的絕緣基板上配置有光電面、倍增極以及陽(yáng)極的平面型光電倍增管(參 照下述專利文獻(xiàn)1)。利用這樣的結(jié)構(gòu)，可以高可靠性地檢測(cè)出微弱光，并且可以實(shí)現(xiàn)裝置的 小型化。然而，在如上所述的現(xiàn)有的光電倍增管中，存在被倍增了的電子容易入射到被夾 持在各級(jí)倍增極之間的絕緣基板的表面的趨勢(shì)。因此，存在絕緣基板帶電而導(dǎo)致耐受電壓 (withstand voltage)降低的情況。專利文獻(xiàn)1 美國(guó)專利第5264693號(hào)的說(shuō)明書

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明正是鑒于上述問(wèn)題，其目的在于提供一種光電倍增管，可以防止電子 向倍增極之間的絕緣部分入射，從而改善耐受電壓。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的光電倍增管的特征在于，具備具有形成有由絕緣材 料構(gòu)成的平面的基板的箱體；第1級(jí) 第N級(jí)(N為2以上的整數(shù))電子倍增部，從基板的平 面上的一端側(cè)向另一端側(cè)依次間隔地排列；光電面，該光電面被配置于一端側(cè)且與電子倍 增部相間隔，將來(lái)自外部的入射光變換為光電子并釋放光電子；以及陽(yáng)極部，該陽(yáng)極部被配 置于另一端側(cè)且與電子倍增部相間隔，將被電子倍增部倍增的電子作為信號(hào)取出，在基板 的平面上，在鄰接的2個(gè)電子倍增部之間，形成有表面由絕緣材料構(gòu)成的溝槽部，第1級(jí) 第N級(jí)電子倍增部被固定在與基板的溝槽部鄰接的凸部上。根據(jù)這樣的光電倍增管，入射光入射于光電面而被變換為光電子，該光電子入射 于基板上的多級(jí)電子倍增部從而被倍增，被倍增了的電子作為電信號(hào)而從陽(yáng)極部被取出。 此時(shí)，由于在鄰接的電子倍增部之間的基板的表面上形成有絕緣性的溝槽部，因此，能夠防 止通過(guò)鄰接的電子倍增部之間的電子向基板表面入射。由此，能夠防止由基板表面的帶電 所導(dǎo)致的耐受電壓的降低。優(yōu)選溝槽部被形成為橫跨從第K-I級(jí)電子倍增部的另一端側(cè)的邊緣部到第K級(jí)電 子倍增部的一端側(cè)的邊緣部所夾持的范圍，其中K為2以上N以下的整數(shù)。在這種情況下， 由于能夠可靠地使鄰接的電子倍增部之間的電子軌道從基板的表面分離，因此能夠有效地 防止電子向基板表面入射。此外，優(yōu)選溝槽部被形成為相比第K級(jí)電子倍增部的一端側(cè)的邊緣部，更向另一 端側(cè)擴(kuò)展。采用這樣的結(jié)構(gòu)，減少了通過(guò)鄰接的電子倍增部之間的電子向溝槽部的另一端 側(cè)入射，因此能夠進(jìn)一步防止電子向基板表面入射。此外，還優(yōu)選溝槽部被形成為相比第K-I級(jí)電子倍增部的另一端側(cè)的邊緣部，更向一端側(cè)擴(kuò)展。采用這樣的結(jié)構(gòu)，減少了通過(guò)鄰接的電子倍增部之間的電子向溝槽部的一 端側(cè)入射，因此能夠進(jìn)一步防止電子向基板表面入射。此外，還優(yōu)選在基板的所述平面上，在凸部的端部還形成有連通鄰接的溝槽部之間的溝槽部。這樣，使得凸部上的電子倍增部從基板分離，并可以進(jìn)一步改善耐受電壓。


圖1為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所涉及的光電倍增管的立體圖。圖2為圖1的光電倍增管的分解立體圖。圖3為表示圖1的光電倍增管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的部分截?cái)嗔Ⅲw圖。圖4為圖3的電子倍增部以及沿著下側(cè)框架的IV-IV線的部分放大截面圖。圖5為表示圖3的電子倍增部中的電子軌道的側(cè)面圖。圖6為用于說(shuō)明圖3的電子倍增部的加工方法的截面圖。圖7為表示圖3的電子倍增部以及下側(cè)框架的變形例的部分放大截面圖。圖8為表示圖3的電子倍增部以及下側(cè)框架的變形例的部分放大截面圖。圖9為表示圖3的電子倍增部以及下側(cè)框架的變形例的部分放大截面圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明所涉及的光電倍增管的優(yōu)選實(shí)施方式。其中，在附 圖的說(shuō)明中，對(duì)相同或者相當(dāng)?shù)牟糠仲x予同一符號(hào)并省略重復(fù)的說(shuō)明。圖1為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所涉及的光電倍增管1的立體圖，圖2為圖1 的光電倍增管1的分解立體圖。圖1所示的光電倍增管1為具有透過(guò)型光電面的光電倍增管，具有由上側(cè)框架 2 (玻璃基板)、側(cè)壁框架3 (硅基板)、下側(cè)框架4 (玻璃基板)構(gòu)成的箱體。該光電倍增管 1為電子管，其中，光向光電面入射的方向與電子倍增部中的電子的倍增方向交叉，即若光 從圖1的箭頭A所示的方向入射，則從光電面釋放的光電子入射到電子倍增部，在箭頭B所 示的方向上將二次電子級(jí)聯(lián)放大，并從陽(yáng)極部取出信號(hào)。此外，在以下的說(shuō)明中，沿著電子倍增方向，將電子倍增路徑的上游側(cè)(光電面 側(cè))作為“一端側(cè)”，而將下游側(cè)(陽(yáng)極部側(cè))作為另一端側(cè)。接著，詳細(xì)說(shuō)明光電倍增管1 的各構(gòu)成要素。如圖2所示，上側(cè)框架2被構(gòu)成為以矩形平板狀的玻璃基板20為基材。在玻璃基 板20上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電性端子201，該多個(gè)導(dǎo)電性端子201貫通玻璃基板20的主面20a以 及與主面20a相對(duì)的面20b，并與后述的光電面22和聚焦電極37、電子倍增部31以及陽(yáng)極 部32電連接從而進(jìn)行從外部給電和信號(hào)的取出。此外，在圖1以及圖2中，為了簡(jiǎn)化附圖， 省略了導(dǎo)電性端子201的一部分。此外，上側(cè)框架2并不限于設(shè)置有導(dǎo)電性端子201的玻璃 基板，也可以為內(nèi)藏有進(jìn)行從外部給電和信號(hào)的取出的電路結(jié)構(gòu)的由層疊陶瓷形成的板狀 部材。此外，在光電面22與聚焦電極37等電位的情況下，也可以設(shè)置共同的導(dǎo)電性端子。側(cè)壁框架3以矩形平板狀的硅基板30為基材。從硅基板30的主面30a向與之相 對(duì)的面30b形成有被框狀的側(cè)壁部302包圍的貫通部301。該貫通部301的開(kāi)口為矩形，其 外周邊沿硅基板30的外周邊而形成。
在該貫通部301的內(nèi)部，從一端側(cè)向另一端側(cè)形成有聚焦電極37、電子倍增部31 以及陽(yáng)極部32。這些聚焦電極37、電子倍增部31以及陽(yáng)極部32通過(guò)利用RIE(ReaCtive Ion Etching，反應(yīng)離子蝕刻)加工等對(duì)硅基板30進(jìn)行加工而形成，以硅為主要材料。聚焦 電極37是用于將從后述的光電面22釋放的光電子向電子倍增部31引導(dǎo)的電極，被設(shè)置于 光電面22與電子倍增部31之間。電子倍增部31由沿著從光電面22向陽(yáng)極部32的電子 倍增方向被設(shè)定為不同電位的N級(jí)(N為2以上的整數(shù))倍增極(電子倍增部)構(gòu)成，在各 級(jí)上具有多個(gè)電子倍增路(通道)。陽(yáng)極部32被配置于與光電面22 —起夾持電子倍增部 31的位置。這些電子倍增部31以及陽(yáng)極部32通過(guò)陽(yáng)極接合、擴(kuò)散接合、或者利用低熔點(diǎn) 金屬(例如銦)等的密封材的接合等而分別被固定于下側(cè)框架4，由此被二維地配置于該 下側(cè)框架4上(后面將詳細(xì)敘述)。此外，在貫通部301內(nèi)，也同樣地形成電連接光電面22 以及光電面22用導(dǎo)電性端子201的柱狀部(圖中沒(méi)有表示)。此外，電子倍增部31以及聚 焦電極37也分別與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電性端子201相連接，且通過(guò)導(dǎo)電性端子201而被設(shè)定為規(guī)定 電位。例如，在倍增極被構(gòu)成為10級(jí)的情況下，在倍增極中階梯性地施加以100V為間隔且 相對(duì)于光電面22為100 1000V的電壓，在陽(yáng)極部32上施加相對(duì)于光電面22為1100V的 電壓。下側(cè)框架4以矩形平板狀的玻璃基板40為基材。該玻璃基板40利用作為絕緣材 料的玻璃而形成主面40a (平面)。在位于主面40a上的與側(cè)壁框架3的貫通部301相對(duì)的 部位(與側(cè)壁部302相接合的區(qū)域以外的部位)的陽(yáng)極部32側(cè)的相反側(cè)的端部上，形成有 作為透過(guò)型光電面的光電面22。此外，在主面40a上的固定有光電面22、聚焦電極37、電子倍增部31、陽(yáng)極部32的 范圍中，沿著與多級(jí)倍增極的排列方向(電子倍增方向、即圖2的箭頭B的方向)交叉的方 向形成有多個(gè)直線狀的溝槽部44。在光電面22、聚焦電極37、電子倍增部31、陽(yáng)極部32被 固定在主面40a上時(shí)，該溝槽部44被配置在側(cè)壁部302與光電面22之間、光電面22與聚 焦電極37之間、聚焦電極37與電子倍增部31之間、電子倍增部31中的各級(jí)倍增極之間、 電子倍增部31與陽(yáng)極部32之間以及陽(yáng)極部32與側(cè)壁部302之間。由該溝槽部44而形成 凸部45，凸部45為將光電面22、聚焦電極37、電子倍增部31以及陽(yáng)極部32向主面40a固 定的固定部。此外，在凸部45的與電子倍增方向垂直的方向上的端部，沿著電子倍增方向 形成有使鄰接的溝槽部44的端部連通的2條溝槽部46。利用該溝槽部44、46，各凸部45 分別隔著溝槽而相互間隔，并且與側(cè)壁部302也隔著溝槽而相互間隔。此外，在本實(shí)施方式 中，設(shè)置于側(cè)壁部302與光電面22之間以及陽(yáng)極部32與側(cè)壁部302之間的溝槽部44和2 條溝槽部46被設(shè)置為沿著側(cè)壁302的內(nèi)壁面(真空側(cè)面)。以下，參照?qǐng)D3以及圖4，更為詳細(xì)地說(shuō)明光電倍增管1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖3為表示 光電倍增管1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的部分截?cái)嗔Ⅲw圖，圖4為圖3的電子倍增部31以及沿著下側(cè)框 架4的IV-IV線的部分放大截面圖。如圖3所示，電子倍增部31由從主面40a上的一端側(cè)向另一端側(cè)(朝向箭頭B所 示的方向)依次間隔地排列的多級(jí)倍增極構(gòu)成。倍增極的級(jí)數(shù)并不限定為規(guī)定的級(jí)數(shù)，在 該圖中，例示了由第1級(jí) 第10級(jí)倍增極31a 31 j構(gòu)成的情況。光電面22被配置在主面40a上的一端側(cè)，與該第1級(jí)倍增極31a相間隔且中間夾 持有聚焦電極37，該光電面22在玻璃基板40的主面40a上被形成為透過(guò)型光電面。如果從外部透過(guò)作為下側(cè)框架4的玻璃基板40的入射光到達(dá)光電面22，則釋放出與該入射光對(duì) 應(yīng)的光電子，該光電子通過(guò)聚焦電極37而向電子倍增部31引導(dǎo)。陽(yáng)極部32被配置在主面40a上的另一端側(cè)，與第10級(jí)倍增極31 j相間隔，該陽(yáng)極 部32為用于將沿著箭頭B所示的方向被電子倍增部31倍增的電子作為電信號(hào)取出至外部 的電極。圖4為圖3的電子倍增部以及沿著下側(cè)框架的IV-IV線的部分放大截面圖，且為沿著電子倍增方向的玻璃基板40的厚度方向的截面圖。如圖4所示，第1級(jí)倍增極31a和 第2級(jí)倍增極31b以相互間隔的狀態(tài)被固定在主面40a上，在各個(gè)成為倍增極31a、31b的 電子倍增路的面上，通過(guò)在蒸鍍鋁(Al)以及銻(Sb)之后，進(jìn)行堿性活化，從而形成二次電 子面35a、35b。然后，在主面40a上的鄰接的2級(jí)倍增極31a、31b之間，沿著與箭頭B所示 的方向垂直的方向形成直線狀的溝槽部44a。該溝槽部44a通過(guò)在玻璃基板40上進(jìn)行噴沙 加工等的機(jī)械加工而形成，因此具有由作為絕緣材料的玻璃形成的表面。在此，溝槽部44a 也可以通過(guò)利用氟化氫等的濕式蝕刻、干式蝕刻等的化學(xué)加工而形成。此外，第3級(jí)倍增極31c從第2級(jí)倍增極31b向另一端側(cè)偏離而被固定在主面40a 上，在主面40a上的2級(jí)倍增極31b、31c之間，沿著與溝槽部44a相同的方向形成有直線狀 的溝槽部44b。同樣，第4級(jí) 第10級(jí)倍增極31d 31 j也隔著多個(gè)溝槽部44而依次間隔 地被固定在主面40a上。由于這些溝槽部44a、44b的存在，第1級(jí) 第3級(jí)倍增極31a 31c分別被接合在 與溝槽部44a、44b鄰接且沿著溝槽部44a、44b的延伸方向延伸為直線狀的凸部45a 45c 上。同樣，第4級(jí) 第10級(jí)倍增極31d 31 j也分別被接合在與多個(gè)溝槽部44鄰接的凸 部45上。凸部45的與倍增極相接合的接合面為平面，能夠在與倍增極底面的平面之間進(jìn) 行穩(wěn)定地接合。在此，溝槽部44a被形成為超出從第1級(jí)倍增極31a的主面40a的另一端側(cè)的邊 緣部33a至第2級(jí)倍增極的主面40a的一端側(cè)的邊緣部34b所夾持的范圍。即溝槽部44a 被形成為比第2級(jí)倍增極31b的邊緣部34b更向主面40a的另一端側(cè)擴(kuò)展，且比第1級(jí)倍 增極31a的邊緣部33a更向主面40a的一端側(cè)擴(kuò)展，其底面為平面。此外，溝槽部44b也被 形成為超出從第2級(jí)倍增極31b的主面40a的另一端側(cè)的邊緣部33b至第3級(jí)倍增極31c 的主面40a的一端側(cè)的邊緣部34c所夾持的范圍。同樣，被倍增極31c 31j所夾持的全 部的溝槽部44被形成為超出倍增極31c 31 j的2個(gè)邊緣部所夾持的范圍。利用上述那樣的溝槽結(jié)構(gòu)，各個(gè)沿著倍增極31a 31 j在主面40a上的排列方向 (沿著圖3的箭頭B的方向)的接合面的寬度Ll被設(shè)定為大于主面40a的凸部45的同方 向的接合面的寬度L2。此外，在本實(shí)施方式中，配置為使凸部的寬度方向的中心與倍增極的 寬度方向的中心一致，然而也可以偏向一端側(cè)或者另一端側(cè)。根據(jù)以上說(shuō)明的光電倍增管1，入射光向光電面22入射而被變換為光電子，該光 電子向玻璃基板40上的多級(jí)電子倍增部31入射而被倍增，被倍增了的電子作為電信號(hào)從 陽(yáng)極部32被取出。此時(shí)，由于在鄰接的電子倍增部31之間的玻璃基板40的主面40a上形 成有絕緣性的溝槽部44，因此，玻璃基板40遠(yuǎn)離于倍增極的二次電子面，從而能夠防止通 過(guò)電子倍增部31的倍增極之間的電子向主面40a入射。例如，在具有平坦的面的玻璃基板 40上接合有倍增極31a、31b、31c的情況下(圖5 (a))，通過(guò)倍增極之間的電子的軌道接近玻璃基板40，電子容易向玻璃基板40入射，與此相對(duì)，在倍增極31a、31b、31c之間具有溝槽 部44a、44b的玻璃基板40的情況(圖5(b))下，能夠使通過(guò)倍增極之間的電子的軌道遠(yuǎn)離 玻璃基板40。由此，可以防止由玻璃基板40的帶電所導(dǎo)致的耐受電壓的降低，并且能夠降 低因來(lái)自玻璃基板40的發(fā)光所導(dǎo)致的噪音的發(fā)生并改善電壓滯后特性以及光滯后特性。 此外，即使假設(shè)由于倍增電子而使玻璃基板40帶電，由于帶電區(qū)域和倍增極之間的距離變 大，因而也能夠防止耐受電壓的降低。此外，根據(jù)光電倍增管1，還有利于提高加工電子倍增部31時(shí)的生產(chǎn)效率。圖6為 用于說(shuō)明光電倍增管1中的電子倍增部31的加工方法的原理圖。首先，在硅基板30的面 30b上利用DEEP-RIE加工等形成與各級(jí)倍增極之間的空隙部相對(duì)應(yīng)的除去部36 (圖6 (a) 以及圖6 (b))，與其并行，在玻璃基板40的40a上形成溝槽部44 (圖6 (c)以及圖6 (d))。 以使倍增極的各級(jí)間距離為例如150 μ m的方式形成該除去部36，溝槽部44的深度被形成 為150 μ m。此外，在此利用噴沙加工進(jìn)行刨挖而形成溝槽部44，然而也可以通過(guò)彼此相間 隔地形成突出于平面的凸部從而設(shè)置溝槽部44。此后，在除去部36與溝槽部44相重疊的 狀態(tài)下，利用陽(yáng)極接合使硅基板30的面30b和玻璃基板40的主面40a相接合(圖6(e))。 于是，通過(guò)對(duì)硅基板30的主面30a實(shí)施DEEP-RIE加工，形成了高度為例如800 μ m的各級(jí) 倍增極(圖6(f))。利用上述方法，在玻璃基板40上形成了倍增極之后，蒸鍍Al以及Sb，之后，使其堿 性活化從而形成二次電子面。此時(shí)，由于溝槽部44的存在，因此能夠防止Al和Sb等的二 次電子面構(gòu)成材料(導(dǎo)電性材料)附著于玻璃基板40從而導(dǎo)致鄰接的倍增極之間電連接。 對(duì)此，在沒(méi)有溝槽部44的情況下，為了防止因?qū)щ娦圆牧系母街鴮?dǎo)致的倍增極各級(jí)之間 耐受電壓的降低，需要使用SUS等的掩模以使導(dǎo)電性材料不附著于倍增極的各級(jí)之間。因 此，利用本實(shí)施方式的光電倍增管1，無(wú)需這樣的掩模，因此可以大幅提高制造效率。此外，由于在光電面22和聚焦電極37、陽(yáng)極部32、側(cè)壁部302之間也設(shè)置有溝槽 部44，因此也能夠改善各結(jié)構(gòu)之間的耐受電壓。此外，由于設(shè)置了使各溝槽部44的端部連 通的溝槽部46，因此各凸部45在溝槽部46中完全分離，從而可以改善各結(jié)構(gòu)間的耐受電 壓。此外，即使在產(chǎn)生偏離電子倍增路徑的雜散電子的情況下，也能夠防止該電子向基板40 入射，并且能夠抑制經(jīng)由側(cè)壁部302的來(lái)自外部的影響。此外，在制造時(shí)也不必使用SUS等 的掩模以防止導(dǎo)電性材料附著于各結(jié)構(gòu)之間。此外，本發(fā)明不局限于上述實(shí)施方式。例如形成于玻璃基板40上的溝槽部44a的 范圍也可以形成為從第1級(jí)倍增極31a的邊緣部33a至第2級(jí)倍增極31b的邊緣部34b所 夾持的范圍。也可以如圖7所示，使溝槽部144a的形成范圍與從倍增極31a的邊緣部33a至倍 增極31b的邊緣部34b的范圍一致。此外，也可以如圖8所示，使溝槽部244a的一端側(cè)的 邊緣部與倍增極31a的邊緣部33a的位置一致，僅有另一端側(cè)從倍增極31b的邊緣部34b 擴(kuò)展。也可以如圖9所示，使溝槽部344a的另一端側(cè)的邊緣部與倍增極31b的邊緣部34b 的位置一致，僅有一端側(cè)從倍增極31a的邊緣部33a擴(kuò)展。此外，基于使倍增電子的軌道從 玻璃基板40的表面分離的觀點(diǎn)，優(yōu)選如圖8所示，與電子倍增方向相對(duì)的溝槽部244a的另 一端側(cè)比倍增極的邊緣部更加擴(kuò)展，更加優(yōu)選如圖4所示，溝槽部44a的兩端側(cè)均比倍增極 的邊緣部更加擴(kuò)展。
此外，在本實(shí)施方式中，光電面22為透過(guò)型光電面，然而其也可以為反射型光電面。此外，陽(yáng)極32可以配置在倍增極31i與倍增極31j之間。
權(quán)利要求
一種光電倍增管，其特征在于，具備箱體，具有形成有由絕緣材料構(gòu)成的平面的基板；第1級(jí)～第N級(jí)電子倍增部，從所述基板的所述平面上的一端側(cè)向另一端側(cè)依次間隔地排列，其中N為2以上的整數(shù)；光電面，所述光電面被配置于所述一端側(cè)且與所述電子倍增部相間隔，將來(lái)自外部的入射光變換為光電子并釋放所述光電子；以及陽(yáng)極部，所述陽(yáng)極部被配置于所述另一端側(cè)且與所述電子倍增部相間隔，將被所述電子倍增部倍增的電子作為信號(hào)取出，在所述基板的所述平面上，在鄰接的2個(gè)所述電子倍增部之間，形成有表面由絕緣材料構(gòu)成的溝槽部，所述第1級(jí)～第N級(jí)電子倍增部被固定在與所述基板的所述溝槽部鄰接的凸部上。
2.如權(quán)利要求1所述的光電倍增管，其特征在于，所述溝槽部被形成為橫跨從第K-I級(jí)電子倍增部的所述另一端側(cè)的邊緣部到第K級(jí)電 子倍增部的所述一端側(cè)的邊緣部所夾持的范圍，其中K為2以上N以下的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的光電倍增管，其特征在于，所述溝槽部被形成為相比所述第K級(jí)電子倍增部的所述一端側(cè)的邊緣部，更向另一 端側(cè)擴(kuò)展。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的光電倍增管，其特征在于，所述溝槽部被形成為相比所述第K-I級(jí)電子倍增部的所述另一端側(cè)的邊緣部，更向一端側(cè)擴(kuò)展。
5.如權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的光電倍增管，其特征在于，在所述基板的所述平面上，在所述凸部的端部還形成有連通鄰接的所述溝槽部之間的 溝槽部。
全文摘要
一種光電倍增管，以防止電子向倍增極之間的絕緣部分入射從而改善耐受電壓為課題。該光電倍增管具備具有形成有由絕緣材料構(gòu)成的主面的玻璃基板的箱體、從主面上的一端側(cè)向另一端側(cè)依次間隔地排列的第1級(jí)～第N級(jí)(N為2以上的整數(shù))倍增極、從第1級(jí)倍增極向一端側(cè)偏離而設(shè)置并釋放光電子的光電面、以及從第N級(jí)倍增極向另一端側(cè)偏離而設(shè)置并將被倍增了的電子作為信號(hào)取出的陽(yáng)極部。在玻璃基板的主面上，在鄰接的2個(gè)倍增極之間，形成有表面由絕緣材料構(gòu)成的溝槽部，第1級(jí)～第N級(jí)倍增極被固定在與玻璃基板的溝槽部鄰接的凸部上。
文檔編號(hào)H01J43/18GK101814413SQ20101012381
公開(kāi)日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2010年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月25日
發(fā)明者下井英樹(shù), 井上圭祐, 小玉剛史, 木下仁志, 杉山浩之, 河野泰行 申請(qǐng)人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社