專利名稱：光電倍增管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電倍增管，特別是關(guān)于耐振性優(yōu)異的光電倍增管。
背景技術(shù)：
對(duì)于以石油勘探為目的的高耐振用光電倍增管來說，由于要求地下深挖掘的正確的動(dòng)作，振動(dòng)時(shí)的干擾與經(jīng)時(shí)變化成為問題。
從前，將多級(jí)的倍增極插入2片陶瓷基片之間進(jìn)行支持以形成電子倍增部的情況下，已知的方法是，在各倍增極的兩端，各自形成單一的支持部，在各陶瓷基片上也形成對(duì)應(yīng)的單一的直線狀狹縫，將支持部插入對(duì)應(yīng)的狹縫內(nèi)，以進(jìn)行支持。
另外，對(duì)于特開平9-180670號(hào)公報(bào)記載的光電倍增管來說，在第2、第3倍增極的兩側(cè)端部，2片支持部各自突出地設(shè)置。更詳細(xì)地講，這些倍增極是由成為二次電子發(fā)射面的凹面狀板部以及由該凹面狀板部的上端部與下端部向背面?zhèn)妊由斓?片上側(cè)與下側(cè)支持板部構(gòu)成，在上側(cè)與下側(cè)支持板部的各自兩側(cè)端部形成支持部。另一方面，在2片陶瓷基片的名片上，形成與該各倍增極的2片支持部配合所用的孔部。將各支持部插入對(duì)應(yīng)的孔部，以將各倍增極插入2片的陶瓷基片之間，進(jìn)行支持。
另外，對(duì)于特開昭60-262340號(hào)、特開昭60-254547號(hào)、特開昭60-254548號(hào)公報(bào)記載的光電倍增管來說，由各倍增極的兩端部的各端形成沿著同一平面上延伸的2個(gè)支持部，在2片基片的名片上，形成與各倍增極的2個(gè)支持部對(duì)應(yīng)的一條狹縫，將2個(gè)支持部插入對(duì)應(yīng)的1條狹縫內(nèi)，使一方的支持部彎曲地進(jìn)行固定。
但是，對(duì)于將各倍增極的兩端分別由單一的支持部支持的構(gòu)成來說，以該支持部為軸在回轉(zhuǎn)方向容易產(chǎn)生松動(dòng)。這樣，倍增極動(dòng)作時(shí)，對(duì)輸出信號(hào)產(chǎn)生影響。
另外，對(duì)于特開平9-180670號(hào)公報(bào)記載的光電倍增管來說，由于插入各自的孔部?jī)?nèi)的余量而有間隙時(shí)，遭受到劇烈的振動(dòng)的情況下，板狀的凹面狀板部與上側(cè)、下側(cè)支持部發(fā)生變形，倍增極在孔部?jī)?nèi)產(chǎn)生大的晃蕩，不能可靠地固定。
另外，對(duì)于特開昭60-262340號(hào)、特開昭60-254547號(hào)、特開昭60-254548號(hào)公報(bào)記載的光電倍增管來說，由于插入各自的狹縫內(nèi)的余量而有間隙時(shí)，倍增極在狹縫的縱長(zhǎng)方向產(chǎn)生大的晃蕩，不能可靠地固定。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種防止倍增極對(duì)于基片的晃蕩，被強(qiáng)固地固定的耐振性好的光電倍增管。
發(fā)明的公開本發(fā)明的光電倍增管的構(gòu)成包括沿著管軸延伸的管狀真空容器；位于管狀真空容器的管軸方向端面上，將入射的光進(jìn)行光電變換而發(fā)射電子的光電面；1對(duì)電絕緣性基片；夾持在1對(duì)基片之間，在內(nèi)壁上有二次電子發(fā)射面，將電子順次倍增所用的多級(jí)的倍增極；接收由多級(jí)倍增極所倍增的電子所用的陽(yáng)極，其特征在于多級(jí)倍增極之中的至少一個(gè)倍增極具有由二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部向外方延伸的面狀的第1支持部以及對(duì)于由二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部向外方延伸的第1支持部以規(guī)定角度同樣形成的面狀的第2支持部；在一對(duì)基片上，形成將第1支持部插入所用的第1固定通孔與將第2支持部插入所用的第2固定通孔。
根據(jù)這樣的光電倍增管，由于第1支持部與第2支持部以規(guī)定的角度形成，以倍增極的一方的支持部為軸的向回轉(zhuǎn)方向的晃蕩受另一方的支持部所限制。另外，盡管有插入基片的固定通孔內(nèi)的余量與間隙等晃蕩的原因，但一方的支持部的晃蕩的方向性、余量受另一方的支持部約束，能將倍增極可靠地支持固定。
另外，在本發(fā)明的光電倍增管中，比基片的厚度方向長(zhǎng)度短地形成，不突出于基片的外側(cè)面。
根據(jù)這樣的光電倍增管，在倍增極支持于基片上時(shí)，第2支持部不由基片突出，只是第1支持部由基片突出。因此，對(duì)于倍增極的供電，能對(duì)支持部的突出于外側(cè)的第1支持部來進(jìn)行，不會(huì)妨礙布線等。另外，由于支持部亂立引起不同的倍增極的支持部與支持部接近而導(dǎo)致的耐質(zhì)性問題也不會(huì)發(fā)生。
另外，至少在一個(gè)倍增極上，在二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部，形成垂直于二次電子發(fā)射面的側(cè)面部，第1支持部形成于側(cè)面部上。
根據(jù)這樣的光電倍增管，由于在倍增極的二次電子發(fā)射面的縱長(zhǎng)方向兩端部設(shè)置側(cè)面部，能防止電子與基片直接碰撞而將基片充電。另外，利用兩側(cè)面部的電位，電子軌道收斂到內(nèi)側(cè)。另外，兩側(cè)面部位于倍增極的二次電子發(fā)射面的從長(zhǎng)方向兩端部，在兩側(cè)面部上設(shè)置第1支持部，對(duì)于第1支持部以規(guī)定的角度形成第2支持部，因而第1支持部與第2支持部的相對(duì)地晃蕩由側(cè)面部所約束，能更有效地防止晃蕩。
另外，在本發(fā)明的電子倍增管中，在第1支持部或第2支持部的大致中央的位置上，也可延著第1支持部或第2支持部的厚度方向形成鍛造加工部。
根據(jù)這樣的光電倍增管，由于在第1支持部或第2支持部形成鍛造加工部，將耳部壓入對(duì)應(yīng)的固定通孔內(nèi)，能將倍增極良好地固定在基片上。
另外，在本發(fā)明的光電倍增管中，也可在第(n-3)級(jí)-第n級(jí)的倍增極與第1級(jí)倍增極之間的位置上，設(shè)置遮光板。
根據(jù)這樣的電子倍增管，能防止電子與第(n-3)級(jí)-第n級(jí)倍增極碰撞時(shí)產(chǎn)生的光與離子朝向光電面。
附圖的簡(jiǎn)要說明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1的第2級(jí)、第4級(jí)、第6-第9級(jí)倍增極Dy2、Dy4、Dy6-Dy9的圖，(a)是正面圖，(b)是仰視圖，(c)是側(cè)面圖，(d)是立體圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1的第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的圖，(a)是正面圖，(b)是仰視圖，(c)是側(cè)面圖，(d)是立體圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1的陽(yáng)極A的正面圖。
圖5是表示將倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A保持在基片4上的狀態(tài)的正面圖。
圖6是表示將倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A向基片5插入的狀態(tài)的立體圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)根據(jù)圖1-圖6說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管。本實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1具備一個(gè)具有管軸X的管狀真空容器2。圖1是表示沿著管軸X將光電倍增管1切斷的狀態(tài)的剖視圖。管狀真空容器2是由例如科瓦鐵鎳鈷合金(鈷)玻璃那樣的坯料構(gòu)成。
該管狀真空容器2的管軸X方向兩端部密閉，一端部呈面狀，在其內(nèi)面形成由于感光而發(fā)射電子的光電面2A。光電面2A例如是在管狀真空容器2的一端部?jī)?nèi)面?zhèn)仍陬A(yù)先蒸鍍的銻上使堿金屬蒸氣進(jìn)行反應(yīng)而形成。另外，在管狀真空容器2的另一端部設(shè)置用于對(duì)各倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A等給與所要求的電位的多個(gè)導(dǎo)電銷2B。再者，在圖1中，為了方便只示出2根導(dǎo)電銷2B。光電面2A，借助未予圖示的連接件連接在相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電銷2B上，施加-1000V的電壓。
在面對(duì)管狀真空容器2的光電面2A的位置，配置具有與管軸X垂直的面的杯狀的聚焦電極3。在該聚焦電極3上，是與管軸X垂直的面上，形成以與管軸X交差的位置為中心的中央開口部3a，在中央開口部3a上裝有網(wǎng)狀電極3A。聚焦電極3與網(wǎng)狀電極3A，分別連接在相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電銷2B上，與第1級(jí)的倍增極Dy1具有相同的電位。
在聚光電極3的與面對(duì)光電面2A的一側(cè)相反的一側(cè)，設(shè)置使電子順次倍增所用的倍增極Dy1-Dy10。倍增極Dy1-Dy10各自具有二次電子發(fā)射面。
在面對(duì)聚焦電極3的中央開口部3a的位置，設(shè)置第1級(jí)的倍增極Dy1。第1級(jí)倍增極Dy1設(shè)置在橫穿管軸X的位置。第1級(jí)-第10級(jí)的倍增極Dy1-Dy10，其順次鄰接的級(jí)的倍增極的二次電子發(fā)射面與二次電子發(fā)射面互相對(duì)向地配置。倍增極Dy1-Dy10配列成，由于鄰接的倍增極與倍增極之間的空間毗連而形成的倍增極內(nèi)部空間路線橫穿管軸X，陽(yáng)極A相對(duì)管軸X設(shè)置在與第2級(jí)倍增極Dy2相反一側(cè)。即如圖1所示，第2級(jí)的倍增級(jí)Dy2位于管軸X左側(cè)，陽(yáng)極A位于管軸X右側(cè)。在作為最終級(jí)的第10級(jí)的倍增極Dy10及其上一級(jí)的第9級(jí)的倍增極Dy9之間設(shè)置網(wǎng)狀的陽(yáng)極A。
倍增極Dy1-Dy10、陽(yáng)極A利用未予圖示的接線分別連接在對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電銷2B上，分別施加規(guī)定的電位。在本實(shí)施形態(tài)中，向各級(jí)的倍增極Dy1-Dy10施加的電壓如下。第1級(jí)的倍增極Dy1加成-800V，第2級(jí)的倍增極Dy2加成-720V，第3級(jí)的倍增極Dy3加成-640V，第4級(jí)的倍增極Dy4加成-560V，第5級(jí)的倍增極Dy5加成-480V，第6級(jí)的倍增極Dy6加成-400V，第7級(jí)的倍增級(jí)Dy7加成-320V，第8級(jí)的倍增極Dy8加成-240V，第9級(jí)的倍增極Dy9加成-160V，第10級(jí)的倍增極Dy10加成-80V，陽(yáng)極A加成0V。
第2級(jí)的倍增極Dy2、第4級(jí)的倍增極Dy4、第6級(jí)-第9級(jí)的倍增極Dy6-Dy9呈同一形狀。在圖2中表示第2級(jí)的倍增極Dy2的詳細(xì)形狀。第2級(jí)的倍增極Dy2具有剖面呈圓弧狀的曲面部Dy2A以及與該曲面部連成一面的平面部Dy2B，由曲面部Dy2A與平面部Dy2B構(gòu)成二次電子發(fā)射面。另外，在曲面部Dy2A的縱長(zhǎng)方向兩端部，由曲面部Dy2A豎立設(shè)置的側(cè)面部Dy2C是沖壓形成。由兩側(cè)面部Dy2C向外方延伸形成作為第1支持部的第1耳部Dy2D。另外，在平面部Dy2B的縱長(zhǎng)方面兩端部，同樣向外方延伸形成作為第2支持部的第2耳部Dy2E。第1耳部Dy2D與第2耳部Dy2E不互相成為平行面，位置具有一定的角度。另外，在第1耳部Dy2D與第2耳部Dy2E的中央部，沿著各自的厚度方向形成鍛壓加工部。
第3級(jí)的倍增極Dy3與第5級(jí)的倍增極Dy5具有相同的形狀。在圖3中表示第3級(jí)的倍增極Dy3的詳細(xì)形狀。第3級(jí)的倍增極Dy3具有剖面呈圓弧狀的曲面部Dy3A。曲面部Dy3A構(gòu)成二次電子發(fā)射面，面積比其他級(jí)的倍增極的二次電子發(fā)射面(Dy2A+Dy2B)小。因此，第3級(jí)的倍增極Dy3(與第5級(jí)的倍增極Dy5)比其他級(jí)的倍增極形成小型。另外，在曲面部Dy3A的縱長(zhǎng)方向兩端部，由曲面部Dy3A豎立設(shè)置的側(cè)面部Dy3B、Dy3B是沖壓形成。在側(cè)面部Dy3B的與連接在曲面部Dy3A上的一側(cè)相反的側(cè)面上，形成由側(cè)面部Dy3B垂直向外方延伸的面狀的第1耳部Dy3C。在第1耳部Dy3C的中央部，沿著厚度方向形成鍛造加工部。
由圖6可知在第1級(jí)倍增極Dy1的二次電子發(fā)射面Dy1A的縱長(zhǎng)方向兩端部，形成由二次電子發(fā)射面Dy1A豎立設(shè)置的側(cè)面部Dy1B，在側(cè)面部Dy1B上形成向外方延伸的第1耳部Dy1C。在第1耳部Dy1C的中央部，沿著厚度方向形成鍛造加工部。
由圖5可知第10級(jí)倍增極Dy10，具有平面狀的二次電子發(fā)射面Dy10A與由其兩端豎立設(shè)置的2個(gè)面Dy10B、Dy10C，剖面呈コ形狀。在二次電子發(fā)射面Dy10A、面Dy10B與Dy10C的縱長(zhǎng)方向兩端部，分別形成與二次電子發(fā)射面Dy10A、面Dy10B和Dy10C的縱長(zhǎng)方面延伸成一面的3個(gè)耳部Dy10D、Dy10E、Dy10F。耳部Dy10E與Dy10F互相平行，耳部Dy10D與耳部Dy10E、Dy10F垂直地形成。在耳部Dy10D、Dy10E、Dy10F的中央部，分別沿著厚度方向形成鍛造加工部。
陽(yáng)極A如圖4所示，具有形成于平面上的呈網(wǎng)狀的二次電子接收部A1，在二次電子接收部A1的縱長(zhǎng)方向兩端部，形成與二次電子接收部A1成為一面地延伸的耳部A2、A3。
如圖6所示，倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A，在其縱長(zhǎng)方向兩端部由基片4、5支持。在基片5上穿設(shè)狹縫狀的固定通孔Dy1c、Dy2d、Dy2e、Dy3c、Dy4d、Dy4e、Dy5c、Dy10d、Dy10e、Dy10f、a2、a3。未予圖示，在基片4上也形成同樣的狹縫狀的固定通孔。
圖5是將倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A保持在基片4上，還未保持在基片5上的狀態(tài)的正面視圖。圖6表示將各倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A向基片5保持時(shí)的狀態(tài)。再者，使各倍增極Dy1-Dy10與陽(yáng)極A的耳部Dy1C、Dy2D、Dy2E、Dy3C、Dy4D、Dy4E、Dy5C、Dy10D、Dy10E、Dy10F保持在基片4上的情形也是與以下的說明相同。
第1級(jí)倍增極Dy1，其第1耳部Dy1C插入固定通孔Dy1c內(nèi)，借以保持在基片5上。第2倍增極Dy2，其第1耳部Dy2D插入固定通孔Dy2d內(nèi)，第2耳部Dy2E插入固定通孔Dy2e內(nèi)，借以保持在基片5上。第3級(jí)倍增極Dy3，其第1耳部Dy3C插入固定通孔Dy3c內(nèi)，借以保持在基片5上。第4級(jí)倍增極Dy4，其第1耳部Dy4D插入固定通孔Dy4d內(nèi)，第2耳部Dy4E插入固定通孔Dy4e內(nèi)，借以保持在基片5上。第5級(jí)倍增極Dy5，其第1耳部Dy5C插入固定通孔Dy5c內(nèi)，借以保持在基片5上。第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy6-Dy9，與第2級(jí)和第4級(jí)倍增極Dy2、Dy4相同，其第1耳部與第2耳部分別插入對(duì)應(yīng)的固定通孔內(nèi)，借以保持在基板5上。倍增極Dy10，其耳部Dy10D插入固定通孔Dy10d內(nèi)，耳部Dy10E插入固定通孔Dy10e內(nèi)，耳部Dy10F插入固定通孔Dy10f內(nèi)，借以保持在基片5上。陽(yáng)極A，其耳部A2插入固定通孔a2內(nèi)，耳部A3插入固定通孔a3內(nèi)，借以保持在基片5上。
這時(shí)，由于在各耳部上如上述那樣形成鍛造加工部，耳部成為壓入對(duì)應(yīng)的固定通孔內(nèi)的狀態(tài)，倍增極Dy1-Dy10良好地固定在基片5上。第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy1-Dy10的耳部也是同樣。
這時(shí)，第1耳部Dy1C、Dy2D、Dy3C、Dy4D、Dy5C與耳部Dy10E、Dy10F、A2、A3比基板5的厚度長(zhǎng)地形成，由基片5突出，成為連接到導(dǎo)電銷2B所用的端子。第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy6-Dy9的第1耳部也是同樣。也可將這些耳部Dy1C、Dy2D、Dy3C、Dy4D、Dy5C、Dy10E、Dy10F、A2、A3由基片5突出的部分扭轉(zhuǎn)，以將倍增極Dy1-Dy5、Dy10、陽(yáng)極A更強(qiáng)固地固定在基片5上。第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy6-Dy9也是同樣。
另一方面，第2耳部Dy2E、Dy4E與耳部Dy10D分別比基片5的厚度短地形成，未向基片5的外側(cè)突出，不會(huì)妨礙配線。第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy6-Dy9的第2耳部也是同樣。另外，由于能減少由基片5突出的耳部，能避免倍增極Dy1-Dy10的耳部與耳部的接近配置，不會(huì)發(fā)生耐壓?jiǎn)栴}。
通常，為使由第i級(jí)倍增極Dyi的二次電子發(fā)射面發(fā)射的二次電子入射到第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)的二次電子發(fā)射面的效率高的部分，配置成為第(i+2)級(jí)倍增極Dy(i+2)伸入第i級(jí)倍增極Dyi的二次電子發(fā)射面與第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)的二次電子發(fā)射面之間。在本實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1中，倍增極內(nèi)部空間路線是橫穿管軸地配置倍增極Dy1-Dy10成為彎曲的行列，因而配置在彎曲的外側(cè)的倍增極與倍增極的距離變大。因此，配置在彎曲的外側(cè)的第(i+2)級(jí)倍增極Dy(i+2)難以伸入第i級(jí)倍增極Dyi的二次電子發(fā)射面與第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)的二次電子發(fā)射面之間。但是，在本實(shí)施形態(tài)中，配置在彎曲外側(cè)的第2級(jí)、第4級(jí)、第6級(jí)、第8級(jí)倍增極Dy2、Dy4、Dy6、Dy8的二次電子發(fā)射面是由剖面呈圓弧狀的曲面部Dy2A、Dy4A、Dy6A、Dy8A以及與曲面部Dy2A、Dy4A、Dy6A、Dy8A連成一面的平面部Dy2B、Dy4B、Dy 6B、Dy8B形成，因而如圖1所示，能配置成為第(i+2)級(jí)倍增極Dy(i+2)伸入第i級(jí)倍增極Dyi的二次電子發(fā)射面與第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)的二次電子發(fā)射面之間。這樣，第(i+2)級(jí)倍增極Dy(i+2)的電位滲入第i級(jí)倍增極Dyi與第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)之間，因此，由第i級(jí)倍增極Dyi的二次電子發(fā)射面發(fā)射的二次電子被吸引到第(i+2)級(jí)倍增極Dy(i+2)上，并能入射到第(i+1)級(jí)倍增極Dy(i+1)的二次電子發(fā)射面的效率高的部分上。
在此，第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的二次電子發(fā)射面之所以剖面只由圓弧狀的部分形成，是由于容易接收前一級(jí)倍增極Dy2、Dy4發(fā)射的電子，而且使二次電子的發(fā)射方向少許朝向前一級(jí)倍增極Dy2、Dy4的方向，因而使二次電子對(duì)于下一級(jí)倍增極Dy4、Dy6取得適當(dāng)?shù)能壍馈Ｈ绻?級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的二次電子發(fā)射面是平面狀時(shí)，則第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的電位向前一級(jí)倍增極Dy2、Dy4與再前一級(jí)倍增極Dy1、Dy3之間的滲入過于變大，第1級(jí)與第3級(jí)倍增極Dy1、Dy3發(fā)射的電子被牽引到第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的背面，難以入射到第2級(jí)與第4級(jí)倍增極Dy2、Dy4的二次電子發(fā)射面上。另外，第2級(jí)與第4級(jí)倍增極Dy2、Dy4的二次電子發(fā)射面發(fā)射的電子，被牽引到第5級(jí)與第7級(jí)倍增極Dy5、Dy7的電位上，因而不能進(jìn)入下一級(jí)的第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的合乎理想的位置，或超越下一級(jí)倍增極而入射到第5級(jí)與第7級(jí)倍增極Dy5、Dy7的背面上。
另外，第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5的二次電子發(fā)射面之所以比第2級(jí)、第4級(jí)、第6級(jí)-第9級(jí)倍增極Dy2、Dy4、Dy6-Dy9的二次電子發(fā)射面面積小地形成，是由于通過將配置在彎曲的排列的內(nèi)側(cè)的第3級(jí)與第5級(jí)倍增極Dy3、Dy5減小，才可能使倍增極內(nèi)部空間路線橫穿管軸地將倍增極Dy1-Dy10配置成彎曲的排列。另一方面，之所以將配置在彎曲的排列的內(nèi)側(cè)的第7級(jí)與第9級(jí)倍增極Dy7、Dy9的二次電子發(fā)射面同配置在彎曲的排列的外側(cè)的第2級(jí)、第4級(jí)、第6級(jí)、第8級(jí)倍增極Dy2、Dy4、Dy6、Dy8的二次電子發(fā)射面具有相同面積地形成，是由于在比較位于下級(jí)的倍增極Dy7、Dy9的二次電子發(fā)射面附近，電子的空間密度升高，因而盡管少也將其緩和。
如圖1所示，在倍增極Dy1-Dy10所包圍的位置上，設(shè)置與光電面2A平行的遮光板6。遮光板6位于最終級(jí)附近的倍增極Dy7-Dy10與第1級(jí)倍增極Dy1之間，以防止電子與最終級(jí)附近的倍增極Dy7-Dy10碰撞時(shí)產(chǎn)生的光與離子朝向光電面2A。遮光板6與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電銷2B連接，因而具有規(guī)定的電位。
參照?qǐng)D1說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光電倍增管1的動(dòng)作。當(dāng)光入射到光電面2A上時(shí)，發(fā)射光電子，由聚焦電極3會(huì)聚并送至第1級(jí)倍增極Dy1。于是，由第1級(jí)倍增極Dy1發(fā)射二次電子，這被順次送向第2級(jí)-第10級(jí)倍增極Dy2-Dy10，相繼發(fā)射二次電子而級(jí)聯(lián)倍增。最后，由陽(yáng)極A收集，由陽(yáng)極A作為輸出信號(hào)取出。
本發(fā)明的光電倍增管并不僅限于上述實(shí)施形態(tài)，在權(quán)利要求范圍內(nèi)記載的范圍中可作種種變形與改進(jìn)。例如在本實(shí)施形態(tài)中，將多級(jí)的行聚焦型倍增極配置成為其內(nèi)部空間路線是彎曲的，但也能適用于將多級(jí)的行聚焦型倍增極配置成為通常的一列型的情況下。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，從本申請(qǐng)發(fā)明來看，能廣泛應(yīng)用于石油勘探等要求高耐振性的情況下與要求高脈沖線性特性、要求高精度的光檢測(cè)的情況下。
權(quán)利要求
1.一種光電倍增管，其構(gòu)成包括沿著管軸(X)延伸的管狀真空容器(2)；位于管狀真空容器(2)的管軸方向端面上，將入射光進(jìn)行光電變換而發(fā)射電子的光電面(2A)；1對(duì)電絕緣性基片(4、5)；夾持在該1對(duì)基片(4、5)之間，在內(nèi)壁上具有二次電子發(fā)射面，將電子順次倍增所用的多級(jí)的倍增極(Dy1-Dy10)；接收由該多級(jí)的倍增極(Dy1-Dy10)所倍增的電子所用的陽(yáng)極(A)，其特征在于該多級(jí)的倍增極(Dy1-Dy10)中的至少一個(gè)倍增極具有由該二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部向外方延伸的面狀的第1支持部(Dy2D、Dy4D)以及對(duì)于由該二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部向外方延伸的第1支持部以規(guī)定的角度同樣形成的面狀的第2支持部(Dy2E、Dy4E)；在該一對(duì)基片(4、5)上，形成將該第1支持部(Dy2D、Dy4D)插入所用的第1固定通孔(Dy2d、Dy4d)與將該第2支持部(Dy2E、Dy4E)插入所用的第2固定通孔(Dy2e、Dy4e)。
2.按權(quán)利要求1所述光電倍增管，其特征在于該第2支持部(Dy2E、Dy4E)的長(zhǎng)度比該基片(4、5)的厚度方向長(zhǎng)度短地形成，不突出于該基片(4、5)的外側(cè)面。
3.按權(quán)利要求1或2所述光電倍增管，其特征在于，至少在該一個(gè)倍增極上，在該二次電子發(fā)射面的基片側(cè)的兩端部形成垂直于該二次電子發(fā)射面的側(cè)面部(Dy2C)，該第1支持部(Dy2D)形成于該側(cè)面部(Dy2C)上。
4.按權(quán)利要求1所述光電倍增管，其特征在于在該第1支持部(Dy2D)或該第2支持部(Dy2E)的大致中央位置上，沿著該第1支持部(Dy2D)或該第2支持部(Dy2E)的厚度方向形成鍛造加工部。
5.按權(quán)利要求1所述光電倍增管，其特征在于在(n-3)級(jí)至n級(jí)的倍增極(Dy7-Dy10)與第1級(jí)倍增極(Dy1)之間的位置上，設(shè)置遮光板(6)。
全文摘要
提供一種能防止對(duì)于倍增極的基板的晃蕩，被強(qiáng)固地固定的抗振性好的光電倍增管，第2級(jí)倍增極(Dy2)具有剖面呈圓弧形的曲面部(Dy2A)以及與該曲面部連成一面的平面部(Dy2B)，由曲面部(Dy2A)與平面部(Dy2B)構(gòu)成二次電子發(fā)射面。另外，在曲面部(Dy2A)的縱長(zhǎng)方向兩端部沖壓形成豎立設(shè)置于曲面部(Dy2A)上的側(cè)面部(Dy2C、Dy2C)。由兩側(cè)面部(Dy2C)向外方形成第1耳部(Dy2D)。另外，在平面部(Dy2B)的縱長(zhǎng)方向兩端部，同樣向外方形成第2耳部(Dy2E)。第1耳部(Dy2D)與第2耳部(Dy2E)不互成平行面，而是以一定的角度定位。
文檔編號(hào)H01J43/20GK1444769SQ01813326
公開日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2001年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月27日
發(fā)明者石津智洋, 藤田哲也 申請(qǐng)人:濱松光子學(xué)株式會(huì)社