專利名稱：氧化鎂微粉及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氧化鎂微粉，特別是受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的氧化鎂微粉及其制造方法。

背景技術(shù)：
交流型等離子體顯示面板(以下也稱為AC型PDP)一般包含夾持填充了放電氣體的放電空間而對(duì)置的前面板和背面板。前面板包含前面玻璃基板、在前面玻璃基板上形成的一對(duì)放電電極、以被覆放電電極的方式形成的電介質(zhì)層，以及在電介質(zhì)層表面形成的電介質(zhì)保護(hù)層。背面板包含背面玻璃基板、在背面玻璃基板上形成的用于間隔尋址電極和放電空間的隔板，以及在由隔板間隔的區(qū)域表面形成的紅、綠、藍(lán)熒光體層。
放電氣體一般利用氙氣和氖氣的混合氣體。
電介質(zhì)保護(hù)層的材料廣泛利用二次電子發(fā)射系數(shù)高、耐濺射性優(yōu)異的氧化鎂。
AC型PDP中，通過反復(fù)進(jìn)行向前面板的放電電極施加電壓，存在于放電氣體中的離子·電子碰撞電介質(zhì)保護(hù)層，電介質(zhì)保護(hù)層發(fā)射二次電子的工序，以及發(fā)射的二次電子碰撞未離子化的放電氣體原子，放電氣體原子離子化的工序，從而使放電空間中的帶電粒子增加，開始放電。而且放電產(chǎn)生的紫外光激發(fā)構(gòu)成背面板熒光體層的熒光體，從前面板發(fā)出藍(lán)、綠、紅的可見光，由此顯示出圖像。
根據(jù)這種機(jī)理顯示圖像的AC型PDP中，隨著圖像的高精密化而變得重要的是縮短向前面板的放電電極施加電壓至放電開始的時(shí)間，即減少放電延遲。
專利文獻(xiàn)1揭示了減少AC型PDP的放電延遲的方法，即，電介質(zhì)通過受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光發(fā)光(陰極發(fā)光)的氧化鎂晶體來形成電介質(zhì)保護(hù)層。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，能夠進(jìn)行陰極發(fā)光的氧化鎂晶體能根據(jù)對(duì)應(yīng)于陰極發(fā)光發(fā)出的紫外光的峰波長的能級(jí)長時(shí)間捕獲電子，由于這些從電場中發(fā)出的電子提供了放電開始所需要的初期電子，因此放電延遲減少。即，專利文獻(xiàn)1記載了進(jìn)行陰極發(fā)光的氧化鎂晶體作為起動(dòng)粒子(プライミンゲ粒子)發(fā)射材料的作用。應(yīng)予說明，根據(jù)該專利文獻(xiàn)1的圖7記載的數(shù)據(jù)可知，進(jìn)行陰極發(fā)光的氧化鎂晶體是粒徑在2000埃以上的由氣相氧化法合成得到的氧化鎂晶體。
專利文獻(xiàn)2揭示了減少AC型PDP的放電延遲的方法，即，使電介質(zhì)保護(hù)層成為層疊了由蒸鍍或?yàn)R射形成的薄膜氧化鎂層、和包含受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的氧化鎂晶體的結(jié)晶氧化鎂層的結(jié)構(gòu)。應(yīng)予說明，根據(jù)該專利文獻(xiàn)2的圖8記載的數(shù)據(jù)也可知，可以觀察到陰極發(fā)光的氧化鎂晶體是粒徑在2000埃以上的由氣相氧化法合成得到的氧化鎂晶體。
專利文獻(xiàn)3記載了將受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的氧化鎂晶體作為二次電子發(fā)射材料，與構(gòu)成熒光體層的熒光體混合，或者將包含該氧化鎂晶體的層層疊在與熒光體層的放電空間相連接一側(cè)的表面上，由此改善AC型PDP的放電延遲。應(yīng)予說明，根據(jù)該專利文獻(xiàn)3的圖7記載的數(shù)據(jù)也可知，可以觀察到陰極發(fā)光的氧化鎂晶體是粒徑在2000埃以上的由氣相氧化法合成得到的氧化鎂晶體。
專利文獻(xiàn)4記載了在AC型PDP的起動(dòng)粒子發(fā)射材料中使用添加了1～10000ppm鹵素的含鹵素的氧化鎂晶體。專利文獻(xiàn)4中記載了含鹵素的氧化鎂晶體的平均粒徑優(yōu)選為0.05～20μm的范圍。專利文獻(xiàn)4還記載了含鹵素的氧化鎂晶體的制造方法，即將氧化鎂晶體和含鹵素的物質(zhì)混合、燒成、粉碎的制造方法。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)] [專利文獻(xiàn)] [專利文獻(xiàn)1]日本特開2006-59779號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)2]日本特開2006-59780號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)3]日本特開2008-66176號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)4]日本特開2008-282623號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
如上述專利文獻(xiàn)1和2中所揭示的，為了減少AC型PDP的放電延遲，通過受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的氧化鎂晶體來形成電介質(zhì)保護(hù)層是有效的。另一方面，由于AC型PDP從前面板發(fā)出可見光，因此期望用作電介質(zhì)保護(hù)層材料的氧化鎂晶體層的可見光透過性高。此外對(duì)于形成與構(gòu)成熒光體層的熒光體混合，或?qū)盈B在與熒光體層的放電空間相連接一側(cè)的表面上的層的，用作二次電子發(fā)射材料的氧化鎂晶體，也期望可見光透過性高。但是專利文獻(xiàn)1-3記載的可進(jìn)行陰極發(fā)光的氧化鎂晶體的粒徑在2000埃(200nm)以上，由于該值大，因此存在可見光透過性低的問題。
另一方面，專利文獻(xiàn)4記載了平均粒徑是0.05μm(50nm)的微細(xì)的含鹵素的氧化鎂晶體。然而，本發(fā)明人經(jīng)過探討，證明了氧化鎂晶體和含鹵素物質(zhì)的混合物在進(jìn)行燒成時(shí)，氧化鎂晶體相互之間燒結(jié)，容易生成粗大粒子，無法獲得微細(xì)的含鹵素的氧化鎂微粉。
因此，本發(fā)明的目的在于提供受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的微細(xì)的含鹵素的氧化鎂微粉及其制造方法。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在相對(duì)于1kg的鎂蒸汽，氟或氯等鹵素以0.01～500g的范圍存在的氣體氛圍下，使鎂蒸氣和含氧氣體接觸而使鎂氧化的方法，能夠得到以0.001～10質(zhì)量％的范圍含有鹵素，且BET比表面積為34～350m2/g的范圍，即由BET比表面積求出的平均粒徑是5nm以上、不足50nm的微細(xì)的含鹵素的氧化鎂微粉，而且確認(rèn)了該含鹵素的氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光，從而完成本發(fā)明。
因此，本發(fā)明在于含鹵素的氧化鎂微粉的制備方法，其特征在于，在相對(duì)于1kg的鎂蒸氣，鹵素以0.01～500g的范圍的量存在的氣體氛圍下，使鎂蒸氣和含氧氣體接觸。
上述本發(fā)明的含有鹵素的氧化鎂微粉的制備方法中，優(yōu)選鹵素為選自氟和氯中的至少一種鹵素。
本發(fā)明還在于含鹵素的氧化鎂微粉，其以0.001～10質(zhì)量％的范圍含有鹵素，且BET比表面積為34～350m2/g的范圍。
上述本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的優(yōu)選方式如下所述。
(1)鹵素是氟和/或氯。
(2)一次粒子的粒子形狀是立方體。
(3)受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光。
本發(fā)明還在于包含上述本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的交流型等離子體顯示面板的電介質(zhì)保護(hù)層。
本發(fā)明還在于含有上述本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的交流型等離子體顯示面板的熒光體層。
本發(fā)明進(jìn)一步地在于包含上述本發(fā)明的含有鹵素的氧化鎂微粉的、層疊在與交流型等離子體顯示面板的熒光體層的放電空間相連接一側(cè)的表面上的二次電子發(fā)射層。
本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉盡管受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光，但其與已有的受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光的氧化鎂微粉相比，粒徑小，可見光透過性高。因此，配置了使用本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉形成的電介質(zhì)保護(hù)層的AC型PDP，放電延遲等放電特性提高，同時(shí)與配置了使用以往的的氧化鎂微粉形成的電介質(zhì)保護(hù)層的AC型PDP相比，輝度得到提高。此外，配置了使用此種本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉形成的電介質(zhì)保護(hù)層的AC型PDP，受電子射線激發(fā)而發(fā)出紫外光，并且與配置了使用以往的粒徑大的氧化鎂微粉形成的電介質(zhì)保護(hù)層的AC型PDP相比，還可以降低放電開始電壓。此外，將本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉與熒光體混合而形成熒光體層的AC型PDP，或在與熒光體層的放電空間相連接一側(cè)的表面上層疊包含本發(fā)明的氧化鎂微粉的層得到的AC型PDP，也提高了放電延遲等放電特性，同時(shí)輝度也提高。
此外，通過利用本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法，能夠有利地在工業(yè)上制造上述含鹵素的氧化鎂微粉。



[圖1]可有利地用于本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法中的氧化鎂微粉制造裝置的一例的構(gòu)成示意圖。
[圖2]實(shí)施例1中制造的含氟氧化鎂微粉在電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜。
符號(hào)說明 1熔融鎂 2含鹵素的氧化鎂微粉 10金屬鎂熔融蒸發(fā)器 11鎂蒸氣出口 12金屬鎂加入口 13稀釋氣體導(dǎo)入口 14鎂氧化裝置 15含氧氣體噴射口 16氧化鎂微粉取出口
具體實(shí)施例方式 本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉以0.001～10質(zhì)量％的范圍含有鹵素。鹵素的含量優(yōu)選為0.01～10質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選為0.03～5質(zhì)量％的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為0.03～3質(zhì)量％的范圍，特別優(yōu)選為0.1～1質(zhì)量％的范圍。本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉中含有的鹵素可以是氟、氯、溴以及碘中的任一種，也可以是2種以上。鹵素優(yōu)選氟和氯，更優(yōu)選氟。
本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉，BET比表面積為34m2/g以上，優(yōu)選為34～350m2/g的范圍，更優(yōu)選為48～350m2/g的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為55～350m2/g的范圍，并且由BET比表面積求出的平均粒徑為不足50nm，優(yōu)選為5～49nm的范圍，更優(yōu)選為5～35nm的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為5～30nm的范圍的極細(xì)微粉。
應(yīng)予說明，平均粒徑是使用下述式(I)計(jì)算得出的值。
D＝A/(S×ρ)…(I) 式(I)中，D是平均粒徑，A是表面系數(shù)(＝6)，S是BET比表面積，ρ是氧化鎂的真密度。
本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉具有下述特性，即，受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)(優(yōu)選230～250nm的范圍，特別是240nm附近)具有峰波長的紫外光。本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉優(yōu)選包含分散狀態(tài)的一次粒子。一次粒子的形狀優(yōu)選為立方體。
下面對(duì)本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明中，在相對(duì)于1kg的鎂蒸氣，鹵素以0.01～500g的范圍的量、優(yōu)選以0.1～500g的范圍的量存在的氣體氛圍下，通過使鎂蒸氣和含氧氣體接觸，而制造含鹵素的氧化鎂微粉。具體地，是在供給含鹵素的氣體使鹵素的量為上述范圍的同時(shí)，使鎂蒸氣和含氧氣體接觸，從而制造含鹵素的氧化鎂微粉。下面，參照

本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法。
圖1是可有利地用于本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法中的氧化鎂微粉制造裝置的一例的構(gòu)成圖。
圖1中，氧化鎂微粉制造裝置包含上部具備鎂蒸氣出口11、側(cè)部具備金屬鎂加入口12和稀釋氣體導(dǎo)入口13的金屬鎂熔融蒸發(fā)器10，以及下部與鎂蒸氣出口11連接、側(cè)部具備含氧氣體噴射口15、上部具備氧化鎂微粉取出口16的鎂氧化裝置14。作為從稀釋氣體導(dǎo)入口13導(dǎo)入的稀釋氣體的例子，可舉出氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣。作為從含氧氣體噴射口15導(dǎo)入的含氧氣體的例子，可舉出氧氣和空氣。
圖1的氧化鎂微粉制造裝置中，從金屬鎂加入口12加入的金屬鎂在金屬鎂熔融蒸發(fā)器10加熱熔融，生成的熔融鎂1進(jìn)一步加熱，生成鎂蒸氣。生成的鎂蒸氣與從稀釋氣體導(dǎo)入口13導(dǎo)入的稀釋氣體一起通過鎂蒸氣出口11，導(dǎo)入鎂氧化裝置14。向鎂氧化裝置14中導(dǎo)入含鹵素的氣體，使鹵素以前述范圍的量存在，并使鎂蒸氣與從含氧氣體噴射口15導(dǎo)入的含氧氣體在含鹵素存在的氣體氛圍下接觸，鎂奪取鹵素的同時(shí)發(fā)生氧化，生成含鹵素的氧化鎂微粉2。生成的含鹵素的氧化鎂微粉的BET比表面積、即粒徑，可通過改變鎂蒸氣出口11的橫截面面積、向鎂氧化裝置14導(dǎo)入的鎂蒸氣和含氧氣體的導(dǎo)入量、鎂氧化裝置14內(nèi)鎂蒸氣和含氧氣體的接觸位置而進(jìn)行任意調(diào)節(jié)。鎂氧化裝置14內(nèi)生成的含鹵素的氧化鎂微粉2可通過氧化鎂微粉取出口16、由熱交換器(未圖示)等進(jìn)行冷卻，然后回收·貯藏。得到的含鹵素的氧化鎂微粉活性高，在貯藏過程中有時(shí)吸附空氣中的二氧化碳和水，因此使用前可在500～1100℃下再次燒成。
向鎂氧化裝置14中導(dǎo)入含鹵素的氣體的方法，可以使用向稀釋氣體導(dǎo)入口13供給含鹵素的氣體，將含鹵素的氣體和鎂蒸氣、稀釋氣體一起導(dǎo)入鎂氧化裝置14的方法，或向含氧氣體噴射口15供給含鹵素的氣體，將含鹵素的氣體和含氧氣的氣體一起導(dǎo)入鎂氧化裝置14的方法，或在鎂氧化裝置14設(shè)置含鹵素氣體導(dǎo)入口，將含鹵素氣體單獨(dú)導(dǎo)入鎂氧化裝置的方法中的任意一種方法。
向鎂氧化裝置14導(dǎo)入的含鹵素的氣體是含鹵素(氟、氯、溴、碘)的一種或2種以上的氣體。含鹵素的氣體優(yōu)選含氟和/或氯的氣體，更優(yōu)選含氟氣體。
作為含氟氣體的例子，可舉出氟化氫、三氟化氮、六氟化硫、硫酰氟、氟化銨、氫氟烴(HFC)、全氟烴(PFC)、氫氟醚、全氟酮等常溫下為氣體的含氟化合物、常溫下為液體或固體的含氟化合物經(jīng)加熱氣化或加熱分解所生成的氣體等。
作為氫氟烴的具體例子，可舉出二氟甲烷、二氟乙烷、1，1，1，2-四氟乙烷、五氟乙烷、七氟丙烷、二氫十氟戊烷等。作為全氟烴的具體例子，可舉出全氟甲烷、全氟乙烷等。作為氫氟醚的具體例子，可舉出甲氧基-1，1，1，2，2-四氟乙烷、甲氧基-九氟丁烷、乙氧基九氟丁烷等。作為全氟酮的具體例子，可舉出五氟乙基-七氟丙基酮等。
作為含氯氣體的例子，可舉出氯氣等常溫下氣體的含氯化合物、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、四氯乙烯、亞硫酰氯、硫酰氯等常溫下為液體或固體的含氯化合物經(jīng)加熱或加熱分解所生成的氣體等。
作為含氟和含氯氣體的例子，可舉出二氯氟甲烷等的氯氟烴類、氯五氟乙烷等的含氯氟烴(hydrochlorofluorocarbon)類。
本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉可用作AC型PDP的電介質(zhì)保護(hù)層的形成材料、構(gòu)成AC型PDP熒光層的熒光體混合的二次電子發(fā)射材料、和AC型PDP熒光體層的放電空間相連接一側(cè)的表面上層疊的二次電子發(fā)射層的形成用材料。
將含鹵素的氧化鎂微粉分散于分散介質(zhì)得到的分散液涂布于電介質(zhì)層上，再干燥即可形成包含本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的電介質(zhì)保護(hù)層。分散液的分散介質(zhì)可使用乙醇、異丙醇等醇。
電介質(zhì)保護(hù)層也可是2層以上。例如，先用電子束蒸鍍法在電介質(zhì)層上形成氧化鎂層，然后在該氧化鎂層上形成包含本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的層。
將含鹵素的氧化鎂微粉和熒光體粉末分散于分散介質(zhì)中得到的分散液涂布于AC型PDP的背面板之上，干燥后即可形成含有本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的熒光體層。
將含鹵素的氧化鎂微粉和熒光體粉末分散于分散介質(zhì)中得到的分散液涂布于AC型PDP的熒光體層之上，干燥后即可形成包含本發(fā)明的含鹵素的氧化鎂微粉的二次電子發(fā)射層。
[實(shí)施例] [實(shí)施例1] 從金屬鎂加入口12向圖1的氧化鎂微粉制造裝置的金屬鎂熔融蒸發(fā)器10中加入金屬鎂。然后，從稀釋氣體導(dǎo)入口13導(dǎo)入氬氣的同時(shí)，加熱金屬鎂，使之熔融。熔融鎂進(jìn)一步在1170℃的溫度下進(jìn)行加熱，使之以1.01kg/小時(shí)的生成速度生成鎂蒸氣。鎂蒸氣生成后，從稀釋氣體導(dǎo)入口13導(dǎo)入流量為3000NL/小時(shí)的氬氣、流量為0.64NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為2.0g/小時(shí))的1，1，1，2-四氟乙烷(HFC-134a)，將鎂蒸氣和氬氣、1，1，1，2-四氟乙烷的混合氣體導(dǎo)入鎂氧化裝置14。然后，從含氧氣體噴射口15導(dǎo)入流量為25Nm3/小時(shí)的空氣，使含氧氣體和鎂蒸氣接觸，使鎂氧化，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀使用電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量(根據(jù)鑭茜素氨羧絡(luò)合劑吸光度法)為0.15質(zhì)量％，BET比表面積(根據(jù)氮吸附法)為35.8m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為47nm)。此外，得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜經(jīng)陰極發(fā)光測定裝置測定，可以得到如圖2所示的發(fā)光光譜，并且確認(rèn)了其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為13300arb.unit。
[實(shí)施例2] 除1，1，1，2-四氟乙烷氣體的流量為3.84NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為13.6g/小時(shí))外，其它條件與實(shí)施例1相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀使用電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.30質(zhì)量％，BET比表面積為34.9m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為48nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為25710arb.unit。
[實(shí)施例3] 除了用流量為1.68NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為8.5g/小時(shí))的六氟化硫氣體代替1，1，1，2-四氟乙烷氣體導(dǎo)入蒸發(fā)鍋外，其它條件與實(shí)施例1相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.22質(zhì)量％，BET比表面積為37.8m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為44nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為4920arb.unit。
[實(shí)施例4] 除了使六氟化硫氣體的流量為5.55NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為28.8g/小時(shí))外，其它條件與實(shí)施例3相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.60質(zhì)量％，BET比表面積為35.4m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為47nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為12920arb.unit。
[實(shí)施例5] 除使熔融鎂的加熱溫度為1130℃(鎂蒸氣的生成速度為0.28kg/小時(shí))，1，1，1，2-四氟乙烷氣體的流量為0.64NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為7.6g/小時(shí))外，其它條件與實(shí)施例1相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.25質(zhì)量％，BET比表面積為86.4m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為19nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為6100arb.unit。
[比較例1] 除不從稀釋氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入1，1，1，2-四氟乙烷氣體外，其它條件與實(shí)施例1相同，制造氧化鎂微粉。制得的氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的氧化鎂微粉的BET比表面積為35.3m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為47nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，但并未發(fā)現(xiàn)在波長200～300nm范圍內(nèi)具有峰的紫外光。
[實(shí)施例6] 除氬氣流量為6000NL/小時(shí)外，其它條件與實(shí)施例5相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.23質(zhì)量％，BET比表面積為155.2m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為11nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為5250arb.unit。
[實(shí)施例7] 除了使1，1，1，2-四氟乙烷氣體的流量為0.06NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為0.73g/小時(shí))外，其它條件與實(shí)施例6相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.015質(zhì)量％，BET比表面積為144.8m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為12nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為890arb.unit。
[實(shí)施例8] 除使用流量為0.02NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為0.24g/小時(shí))的1，1，1，2-四氟乙烷氣體外，其它條件與實(shí)施例6相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.005質(zhì)量％，BET比表面積為146.0m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為11nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為220arb.unit。
[實(shí)施例9] 除使用流量為0.01NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為0.12g/小時(shí))的1，1，1，2-四氟乙烷氣體外，其它條件與實(shí)施例5相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.002質(zhì)量％，BET比表面積為81.6m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為21nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為210arb.unit。
[實(shí)施例10] 除導(dǎo)入流量為0.06NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為0.73g/小時(shí))的1，1，1，2-四氟乙烷氣體外，其它條件與實(shí)施例5相同，制造含氟氧化鎂微粉。制得的含氟氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氧化鎂微粉的含氟量為0.02質(zhì)量％，BET比表面積為78.2m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為21nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，與圖2同樣，確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm處具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為1610arb.unit。
[實(shí)施例11] 除用流量為0.64NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氯的量為4.01g/小時(shí))的四氯化碳?xì)怏w代替1，1，1，2-四氟乙烷氣體導(dǎo)入裝置外，其它條件與實(shí)施例1相同，制造含氯氧化鎂微粉。制得的含氯氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氯氧化鎂微粉的含氯量為0.05質(zhì)量％，BET比表面積為36.1m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為46nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氯氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，與圖2同樣，確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm處具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為3840arb.unit。應(yīng)予說明，含氯量使用離子色譜法測定。
[實(shí)施例12] 除熔融鎂的加熱溫度為1130℃、鎂蒸氣供給量為0.28kg/小時(shí)、四氯化碳?xì)怏w的流量為0.02NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氯的量為0.45g/小時(shí))外，其它條件與實(shí)施例11相同，制造含氯氧化鎂微粉。制得的含氯氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氯氧化鎂微粉的含氯量為0.001質(zhì)量％，BET比表面積為88.0m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為19nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氯氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為110arb.unit。
[實(shí)施例13] 除用流量為0.64NL/小時(shí)(相對(duì)于鎂蒸氣1kg/小時(shí)，氟的量為1.94g/小時(shí)，氯的量為3.62g/小時(shí))的二氯氟甲烷氣體代替1，1，1，2-四氟乙烷氣體導(dǎo)入裝置外，其它條件與實(shí)施例5相同，制造含氟氯的氧化鎂微粉。制得的含氟氯的氧化鎂微粉的粒子形狀經(jīng)電子顯微鏡觀察，可確認(rèn)一次粒子為立方體。
制得的含氟氯的氧化鎂微粉的含氟量為0.08質(zhì)量％，含氯量為0.02質(zhì)量％，BET比表面積為77.3m2/g(由BET比表面積計(jì)算得到的平均粒徑為22nm)。此外，和實(shí)施例1同樣地測定得到的含氟氯的氧化鎂微粉受電子射線激發(fā)而發(fā)出的紫外光的光譜，得到與圖2相同的發(fā)光光譜，并確認(rèn)其經(jīng)電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長240nm附近具有峰的紫外光。紫外光發(fā)光強(qiáng)度的最大值為1770arb.unit。
權(quán)利要求
1.一種含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法，其特征在于，在相對(duì)于1kg的鎂蒸氣、鹵素以0.01～500g的范圍的量存在的氣體氛圍下，使鎂蒸氣和含氧氣體接觸。
2.如權(quán)利要求1所記載的含鹵素的氧化鎂微粉的制造方法，所述鹵素是選自氟和氯中的至少一種鹵素。
3.一種含鹵素的氧化鎂微粉，其以0.001～10質(zhì)量％的范圍含有鹵素，且BET比表面積在34～350m2/g的范圍。
4.如權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉，所述鹵素是選自氟和氯中的至少一種鹵素。
5.如權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉，其一次粒子的粒子形狀是立方體。
6.如權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉，其受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光。
7.包含權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉的交流型等離子體顯示面板的電介質(zhì)保護(hù)層。
8.含有權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉的交流型等離子體顯示面板的熒光體層。
9.包含權(quán)利要求3所記載的含鹵素的氧化鎂微粉的、層疊在與交流型等離子體顯示面板的熒光體層的放電空間相接觸一側(cè)表面上的二次電子發(fā)射層。
全文摘要
本發(fā)明提供了有利于在工業(yè)上制造微細(xì)氧化鎂微粉的方法，所述粉末在受電子射線激發(fā)而發(fā)出在波長200～300nm的范圍內(nèi)具有峰波長的紫外光。在相對(duì)于1kg的鎂蒸氣、鹵素以0.01～500g的范圍存在的氣體氛圍下，使鎂蒸氣和含氧氣體接觸而使鎂氧化。
文檔編號(hào)H01J11/12GK101811708SQ20091100006
公開日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日
發(fā)明者植木明, 加藤裕三 申請(qǐng)人:宇部材料工業(yè)株式會(huì)社