專利名稱：離子引導(dǎo)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及離子引導(dǎo)裝置。優(yōu)選的實(shí)施方式涉及質(zhì)譜儀、用于引導(dǎo)離子的裝置、質(zhì) 譜分析方法以及引導(dǎo)離子的方法。
背景技術(shù)：
已經(jīng)知道離子引導(dǎo)器，其中限制或約束離子沿著線性離子引導(dǎo)器的中心縱向軸流 動。離子引導(dǎo)器的中心軸與徑向?qū)ΨQ的偽勢谷的中心相重合。作為將RF電壓施加到離子 引導(dǎo)器所包括的電極的結(jié)果，在離子引導(dǎo)器中形成偽勢谷。離子進(jìn)入離子引導(dǎo)器并且沿著 離子引導(dǎo)器的中心縱向軸退出。

發(fā)明內(nèi)容
希望提供一種改進(jìn)的離子引導(dǎo)器以及引導(dǎo)離子的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種離子引導(dǎo)裝置，其包括第一離子引導(dǎo)器，其包括多個第一電極，各電極包括至少一個孔，使用中離子穿過 該至少一個孔傳送，其中沿著所述第一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一 離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括多個第二電極，各電極包括至少一個孔，使用中離子穿過 該至少一個孔傳送，其中沿著所述第二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同 的第二離子引導(dǎo)路徑；第一裝置，其被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿 著所述離子引導(dǎo)裝置的長度的一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及第二裝置，其被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所 述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。離子優(yōu)選地被徑向地或者利用速度的非零徑向分量跨過設(shè)置在所述第一離子引 導(dǎo)器和第二離子引導(dǎo)器之間的一個或更多個徑向或縱向偽勢壘轉(zhuǎn)移，所述第一離子引導(dǎo)器 和第二離子引導(dǎo)器優(yōu)選地彼此大致平行。還考慮本發(fā)明的這樣的實(shí)施方式，其中離子被多次或者至少2、3、4、5、6、7、8、9或 10次從第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移到第二離子引導(dǎo)器和/或從第二離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移到第一離子 引導(dǎo)器。例如，可以在兩個或更多個離子引導(dǎo)器之間反復(fù)來來回回地轉(zhuǎn)移離子。根據(jù)任一實(shí)施方式(a)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有大致圓形、矩形、正方形或橢圓 形的孔；和/或(b)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有尺寸大致相同或面積大致相同 的孔；和/或
(c)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有在沿所述第一離子引導(dǎo)器和/ 或所述第二離子引導(dǎo)器的軸或長度的方向尺寸或面積逐漸變大和/或變小的孔；和/或(d)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有內(nèi)直徑或尺度選自由以下各項(xiàng) 構(gòu)成的組中的孔(i)小于等于1.0mm;(ii)小于等于2. Omm ； (iii)小于等于3. Omm ； (iv) 小于等于4. Omm ； (ν)小于等于5. Omm ； (vi)小于等于6. Omm ； (vii)小于等于7. Omm ； (viii) 小于等于8. Omm ； (ix)小于等于9. Omm ； (χ)小于等于10. Omm ；和(xi)大于10. Omm ；和/或
(e)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%彼此分開選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組 中的軸向距離(i)小于或等于5mm; (ii)小于或等于4. 5mm； (iii)小于或等于4mm ； (iv) 小于或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii)小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于 0. 6mm; (xii)小于或等于0. 4mm;(xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm;以及 (XV)小于或等于0. 25mm ；和/或(f)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %包括孔，其中所述孔的內(nèi)直徑或尺 度與相鄰電極之間的中心到中心軸向間距之比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于1.0; (ii) 1. 0-1. 2 ； (iii) 1. 2-1. 4 ； (iv) 1. 4-1. 6 ； (ν) 1. 6-1. 8 ； (vi) 1. 8-2. 0 ； (vii) 2. 0-2. 2 ； (viii) 2. 2-2. 4 ； (ix) 2. 4-2. 6 ； (χ) 2. 6-2. 8 ； (xi) 2. 8-3. 0 ； (xii) 3. 0-3. 2 ； (xiii) 3. 2-3. 4 ； (xiv) 3. 4-3. 6 ； (xv) 3. 6-3. 8 ； (xvi) 3. 8-4. 0 ； (xvii) 4. 0-4. 2 ； (xviii)4. 2-4. 4 ； (xix) 4. 4-4. 6 ； (XX) 4. 6-4. 8 ； (xxi) 4. 8-5. 0 ；以及(xxii)大于 5. 0 ；和 / 或(g)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組中的 厚度或軸向長度(i)小于或等于5mm;(ii)小于或等于4. 5mm； (iii)小于或等于4mm; (iv)小于或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于 2mm ； (viii)小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或 等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm ； (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm ； 和(xv)小于或等于0. 25mm ；和/或(h)所述多個第一電極具有第一截面面積或輪廓，其中所述第一截面面積或輪廓 至少沿所述第一離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80%、90%、95%或100%改變、增加、減少或變化；和/或(i)所述多個第二電極具有第二截面面積或輪廓，其中所述第二截面面積或輪廓 至少沿所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80%、90%、95%或100%改變、增加、減少或變化。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo)器，其包括具有一個或更多個第一桿集的多個第一電極，其中沿所 述第一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括具有一個或更多個第二桿集的多個第一電極，其中沿所述第二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；第一裝置，其被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿 所述離子引導(dǎo)裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及第二裝置，其被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所 述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。離子優(yōu)選地被徑向地或者利用速度的非零徑向分量跨過設(shè)置在所述第一離子引 導(dǎo)器和第二離子引導(dǎo)器之間的一個或更多個徑向或縱向偽勢壘轉(zhuǎn)移，所述第一離子引導(dǎo)器 和第二離子引導(dǎo)器優(yōu)選地彼此大致平行。 根據(jù)一實(shí)施方式(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括一個或更多個軸向分段 桿集式離子引導(dǎo)器；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括一個或更多個分段四 極、六極或八極離子引導(dǎo)器、或者包括四個或更多個分段桿集的離子引導(dǎo)器；和/或(c)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括多個具有選自由以下各 項(xiàng)構(gòu)成的組中的截面的電極(i)近似或大致圓形的截面；(ii)近似或大致雙曲面；(iii) 弓形或部分圓形的截面；(iv)近似或大致矩形的截面；以及(ν)近似或大致正方形的截面； 和/或(d)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器還包括在所述一個或更多個 第一桿集和/或所述一個或更多個第二桿集的周圍設(shè)置的多個環(huán)形電極；和/或(e)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30 個或多于 30 個桿電極。相鄰的或毗鄰的桿電極優(yōu)選地保持在相反相位的AC或RF電壓。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo)器，其包括設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多個第一電極，其 中沿所述第一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多個第二電極，其 中沿所述第二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引 導(dǎo)裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生偽勢壘的裝置；以及被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移 到所述第二離子引導(dǎo)路徑中的裝置。離子優(yōu)選地被徑向地或者利用速度的非零徑向分量跨過設(shè)置在所述第一離子引 導(dǎo)器和第二離子引導(dǎo)器之間的一個或更多個徑向或縱向偽勢壘轉(zhuǎn)移，所述第一離子引導(dǎo)器 和第二離子弓I導(dǎo)器優(yōu)選地彼此大致平行。根據(jù)一實(shí)施方式(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括平面的、板狀的、網(wǎng)狀 的或彎曲的電極的堆或列，其中所述平面的、板狀的、網(wǎng)狀的或彎曲的電極的堆或列包括多 個或至少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 個平面的、板狀的、網(wǎng) 狀的或彎曲的電極，并且其中所述平面的、板狀的、網(wǎng)狀的或彎曲的電極中的至少1%、5%、10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%通常設(shè)置于所述使用中離子所行進(jìn)的平面中；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器是被軸向分段的，以包括至 少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 個軸向分段，其中，所述多 個第一電極中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或100 %的軸向分段和/或所述多個第二電極中的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、40 %、 50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %的軸向分段在使用中保持在相同的DC電壓。所述第一裝置優(yōu)選地被設(shè)置成(i)在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝 置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個徑向或縱向偽勢壘；和/或(ii)在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo) 裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個非軸向偽勢壘。所述第二裝置優(yōu)選地被設(shè)置成(a)將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑徑向地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中；和 /或(b)利用速度的非零徑向分量和速度的軸向分量將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑 轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中；和/或(c)利用速度的非零徑向分量和速度的軸向分量將離子從所述第一離子引 導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中，其中所述速度的徑向分量和所述速度的軸 向分量的比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于0. 1 ;(ii)0. 1-0.2 ;(iii)0. 2-0.3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-3. 0 ； (xxii) 3. 0-4. 0 ； (xxiii)4. 0-5. 0 ； (xxiv)5. 0-6. 0 ； (xxv)6. 0-7. 0 ； (xxvi) 7. 0-8. 0 ； (xxvii) 8. 0-9. 0 ； (xxviii) 9. 0-10. 0 ；和(xxix)大于 10. 0 ；(d)通過使離子跨過設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間 的一個或更多個徑向偽勢壘轉(zhuǎn)移，來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子 引導(dǎo)路徑中。離子優(yōu)選地以與在串聯(lián)設(shè)置的兩個離子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移離子的方式不同的方式 在兩個優(yōu)選地平行的離子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移。利用串聯(lián)設(shè)置的兩個離子引導(dǎo)器，離子并不是 如在該優(yōu)選實(shí)施方式中所進(jìn)行的那樣徑向地轉(zhuǎn)移或跨過徑向或縱向偽勢壘轉(zhuǎn)移。根據(jù)一實(shí)施方式(a)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一離子引導(dǎo)器和 所述第二離子引導(dǎo)器彼此接合、合并、交疊或開放；和/或(b)在所述第一離子引 導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%上，離子可以在所述第一 離子引導(dǎo)器或所述第一離子引導(dǎo)路徑與所述第二離子引導(dǎo)器或所述第二離子引導(dǎo)路徑之 間徑向地轉(zhuǎn)移；和/或
(c)使用中形成一個或更多個徑向或縱向偽勢壘，該一個或更多個徑向或縱向偽 勢壘沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、 20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 將所述第一離子引導(dǎo)器或所述 第一離子引導(dǎo)路徑與所述第二離子引導(dǎo)器或所述第二離子引導(dǎo)路徑分隔開；和/或(d)在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一偽勢谷或場，以及在所述第二離子引導(dǎo)器 內(nèi)形成第二偽勢谷或場，并且其中偽勢壘將所述第一偽勢谷與所述第二偽勢谷分隔開，其 中離子被所述第一偽勢谷或所述第二偽勢谷徑向地限制在所述離子引導(dǎo)裝置內(nèi)，并且其中 至少一些離子被驅(qū)策或被致使跨過所述偽勢壘進(jìn)行轉(zhuǎn)移；和/或(e)所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間的交疊程度或開放程度沿著 所述 第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器的長度保持固定或變化、增加、減小、以階梯式 或線性方式增加或者以階梯式或線性方式減小。根據(jù)一實(shí)施方式所述多個第一電極中的一個或更多個或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第一電勢或電壓，該第 一電勢或電壓選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix)士80-90V；(χ)士90-100V ； (xi)士100-150V ； (xii)士150-200V ； (xiii)士200-250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；和 / 或(b)所述多個第二電極中的一個或更多個或至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第二電勢或電壓，該 第二電勢或電壓選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴士0-10V ； (ii) 士 10-20V ； (iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) 士80-90V ； (χ) 士90-100V ； (xi) 士 100-150V ； (xii) 士 150-200V ； (xiii) 士200-250V ； (xiv) ± 250-300V ； (xv) ± 300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(c)在工作模式下，在所述多個第一電極中的一個或更多個或至少1%、 5 %,10 %,20 %,30 %,40 %,50 %,60 %,70 %,80 %,90 %,95 % 或 100 % 與所述多個第 二電極中的一個或更多個或至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%之間保持電勢差，其中所述電勢差選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組 ⑴ 士0-10V ； (ii)士10-20V ； (iii)士20-30V ； (iv)士30-40V ； (ν)士40-50V ； (vi)士50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) +80-90V ； (x) +90-100V ； (xi) ± 100-150V ； (xii) ± 150-200V ； (xiii) ±200 — 250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ；(xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (XX) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi) +850-900V ； (xxvii) +900-950V ； (xxviii) 士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 IOOOV ；禾口 / 或(d)所述多個第一電極中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70 %、80%、90 %、95%或100 %或者所述多個第一電極在使用中保持在大致相同的第一 DC 電壓；和/或(e)所述多個第二 電極中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80 %、90%、95%或100 %或者所述多個第二電極在使用中保持在大致相同的第二 DC 電壓；和/或(f)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50 %,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%保持在大致相同的 DC 電壓或 DC 偏 壓，或者保持在大致不同的DC電壓或DC偏壓。所述第一離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括第一中心縱向軸，以及所述第二離子引導(dǎo)器優(yōu)選 地包括第二中心縱向軸，其中(i)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸與 所述第二中心縱向軸大致平行；和/或(ii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心縱向 軸與所述第二中心縱向軸不共線或不共軸；和/或(iii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心縱向 軸與所述第二中心縱向軸隔開恒定距離或保持等距；和/或(iv)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心縱向 軸為所述第二中心縱向軸的鏡像；和/或(ν)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸大 致追蹤所述第二中心縱向軸、跟隨所述第二中心縱向軸、與所述第二中心縱向軸對稱、平行 于或并排于所述第二中心縱向軸地延伸；和/或(vi)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心縱向 軸朝著所述第二中心縱向軸會聚或從所述第二中心縱向軸分出；和/或(vii)所述第一中心縱向軸和所述第二中心縱向軸形成X形或Y形聯(lián)結(jié)器或分流 器離子引導(dǎo)路徑；和/或(viii)在所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間設(shè)置有一個或更多個 交叉區(qū)域、區(qū)段或結(jié)(junction)，其中至少一些離子可以從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所 述第二離子引導(dǎo)器中或可以使至少一些離子從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子引導(dǎo)器中，和/或其中至少一些離子可以從所述第二離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第一離子引導(dǎo) 器中。使用中優(yōu)選地在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一偽勢谷，使得該第一偽勢谷具有 第一縱向軸，并且類似地，使用中優(yōu)選地在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第二偽勢谷，使得該 第二偽勢谷具有第二縱向軸，其中
(i)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一縱向軸與所述 第二縱向軸大致平行；和/或(ii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一縱向軸與 所述第二縱向軸不共線或不共軸；和/或(iii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一縱向軸與
所述第二縱向軸隔開恒定距離或保持等距；和/或(iv)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一縱向軸為 所述第二縱向軸的鏡像；和/或(ν)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一縱向軸大致追 蹤所述第二縱向軸、跟隨所述第二縱向軸、與所述第二縱向軸對稱、平行于或并排于所述第 二縱向軸地延伸；和/或(vi)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一縱向軸朝 著所述第二縱向軸會聚或從所述第二縱向軸分出；和/或(vii)所述第一縱向軸和所述第二縱向軸形成X形或Y形聯(lián)結(jié)器或分流器離子引 導(dǎo)路徑；和/或(viii)在所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間設(shè)置有一個或更多個 交叉區(qū)域、區(qū)段或結(jié)(junction)，其中，至少一些離子可以從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所 述第二離子引導(dǎo)器中或可以使至少一些離子從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子 引導(dǎo)器中，和/或其中至少一些離子可以從所述第二離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第一離子引導(dǎo) 器中。根據(jù)一實(shí)施方式(a)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，以及所述第二 離子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第一截面面積和所述第二截 面面積大致相同或大致不同；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，以及所述第 二離子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第一截面面積與所述第 二截面面積的比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于0. 1 ;(ii)0. 1-0.2 ;(iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ；(χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-2. 5 ； (xxii) 2. 5-3. 0 ； (xxiii)3. 0-3. 5 ； (xxiv)3. 5-4. 0 ； (xxv)4. 0-4. 5 ； (xxvi)4. 5-5. 0 ； (xxvii)5. 0-6. 0 ； (xxviii)6. 0-7. 0 ； (xxix)7. 0-8. 0 ； (xxx)8. 0-9. 0 ； (xxxi) 9. 0-10. 0 ；以及(xxxii)大于 10. 0 ；禾口 / 或(c)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積或輪廓的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所 述第一截面面積或輪廓至少沿著所述第一離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改變、增加、減少或變化；禾口 / 或(d)所述第二離子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積或輪廓的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所 述第二截 面面積或輪廓至少沿著所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改變、增加、減少或變化；和 / 或(e)所述第一離子引導(dǎo)器包括多個軸向截面，并且其中第一電極在一個軸向截面 中的截面面積或輪廓大致相同或不同，并且其中第一電極在另外的軸向截面中的截面面積 或輪廓大致相同或不同；和/或(f)所述第二離子引導(dǎo)器包括多個軸向截面，并且其中第二電極在一個軸向截面 中的截面面積或輪廓大致相同或不同，并且其中第二電極在另外的軸向截面中的截面面積 或輪廓大致相同或不同；和/或(g)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括大致恒定的或均勻的截 面面積或輪廓。所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括(i)第一軸向分段，在第一軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子 引導(dǎo)器包括第一截面面積或輪廓；和/或(ii)不同的第二軸向分段，在第二軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第 二離子引導(dǎo)器包括第二截面面積或輪廓；和/或(iii)不同的第三軸向分段，在第三軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述 第二離子引導(dǎo)器包括第三截面面積或輪廓；和/或(iv)不同的第四軸向分段，在第四軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第 二離子引導(dǎo)器包括第四截面面積或輪廓；其中所述第一、第二、第三和第四截面面積或輪廓大致相同或不同。所述離子引導(dǎo)裝置可以被設(shè)置成形成⑴線性離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(ii)開環(huán)離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(iii)閉環(huán)離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(iv)螺旋形、環(huán)形、部分環(huán)形、半環(huán)形、不完全環(huán)形或螺線形離子引導(dǎo)器或離子引 導(dǎo)裝置；和/或(ν)具有彎曲的、迷宮式的、盤旋的、蜿蜒的、圓形的或旋繞的離子引導(dǎo)器或離子引 導(dǎo)路徑的離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置。所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器可以包括η個軸向分段或者可 以被分割為η個分開的軸向分段，其中η選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴1-10 ； (ii) 11-20 ；(iii)21-30 ； (iv) 31-40 ； (v) 41-50 ； (vi) 51-60 ； (vii)61_70 ； (viii)71_80 ； (ix) 81-90 ； (x) 91-100 ；以及(xi)大于 100 ；并且其中(a)各軸向分段包括:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
或多于20個電極；和/或(b)所述軸向分段的至少 1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%的軸向長度選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8-9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm ；和 / 或(c)所述軸向分段的至少 1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80 %、90 %、95 %或100 %之間的軸向間隔選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于1mm ；
(ii)l_2mm ； (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5_6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ；
(ix)8-9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm。所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器優(yōu)選地(a)具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的長度⑴小于20mm;(ii)20-40mm;
(iii)40-60mm ； (iv) 60-80mm ； (v) 80-100mm ； (vi)100 — 120mm ； (vii) 120-140mm ； (viii) 140-160mm ； (ix) 160-180mm ； (x) 180-200mm ；以及(xi)大于 200mm ；和 / 或(b)至少包括(i)10-20 個電極；(ii) 20-30 個電極；(iii) 30-40 個電極；
(iv)40-50 個電極；(v) 50-60 個電極；(vi) 60-70 個電極；(vi i) 70-80 個電極；(vi i i) 80-90 個電極；(ix)90-100 個電極；(x)100-110 個電極；(xi)110-120 個電極；(xii) 120-130 個電 極；(xiii) 130-140個電極；(xiv) 140-150個電極；或(xv)大于150個電極。所述離子弓I導(dǎo)裝置優(yōu)選地還包括用于向所述多個第一電極和/或所述多個第二 電極中的至少一些電極施加第一 AC或RF電壓的第一 AC或RF電壓源，其中(a)所述第一 AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的振幅(i)小于50V 峰-峰值；(ii) 50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值;(iv) 150-200V 峰-峰值；
(v)200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值； (xxii)550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值； (xxv) 700-750V 峰-峰值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值； (xxviii)850-900V 峰-峰值；(xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及 (xxxi)大于1000V峰-峰值；和/或(b)所述第一 AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的頻率(i)小 T 100kHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii) 200-300kHz ； (iv)300-400kHz ； (v)400-500kHz ；
(vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ；
(x)2. 5-3. 0MHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii) 9. 0-9. 5MHz ； (xxiv) 9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ； 和/或
(c)所述第一 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多個第一電極中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 個或多于 50 個電極施加所述第一 AC 或 RF 電壓；和/或(d)所述第一 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多個第二電極中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 個或多于 50 個電極施加所述第一 AC 或 RF 電壓；和/或(e)所述第一 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的相鄰的或毗鄰的 電極提供相反相位的所述第一 AC或RF電壓；和/或(f)所述第一 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的相鄰的或毗鄰的 電極提供相反相位的所述第一 AC或RF電壓；和/或(g)所述第一 AC或RF電壓產(chǎn)生一個或更多個徑向偽勢阱，該一個或更多個偽勢阱 用于把離子徑向地限制于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括第三裝置，其被設(shè)置成在時(shí)間段tl內(nèi) 將所述第一 AC或RF電壓的振幅逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、 以階梯式、漸進(jìn)或其它方式增大、或者以階梯式、漸進(jìn)或其它方式減小X1伏，其中(a)X1選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于50V峰-峰值；(ii)50_100V峰-峰值；
(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(機(jī)選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于Ims;(ii) I-IOms ； (iii) 10-20ms ；
(iv)20-30ms ； (ν) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiν)300-400ms ； (XV) 400-50Oms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv) 4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根據(jù)一實(shí)施方式，使用中沿著所述第一離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、 10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或 95%產(chǎn)生一個或更多個第一軸向時(shí) 間平均的或偽的勢壘、勢波紋或勢阱。所述離子引導(dǎo)裝置優(yōu)選地還包括用于向所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少一些電極施加第二 AC或RF電壓的第二 AC或RF電壓源，其中(a)所述第二 AC或RF電壓具有選自由以下構(gòu)成的組的振幅⑴小于50V峰-峰值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(χ) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)所述第二 AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的頻率(i)小 T IOOkHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii) 200-300kHz ； (iv) 300-400kHz ； (ν)400-500kHz ； (vi) 0. 5-1. OMHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. OMHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (χ) 2. 5-3. OMHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. OMHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. OMHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. OMHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. OMHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. OMHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. OMHz ； (xxiii) 9. 0-9. 5MHz ； (xxiv) 9. 5-10. OMHz ；以及(xxv)大于 10. OMHz ； 和/或(c)所述第二 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多個第一電極中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 個或多于 50 個電極施加所述第二 AC 或 RF 電壓；和/或(d)所述第一 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多個第二電極中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 個或多于 50 個電極施加所述第二 AC 或 RF 電壓；和/或(e)所述第二 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的相鄰的或毗鄰的 電極提供相反相位的所述第二 AC或RF電壓；和/或(f)所述第二 AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的相鄰的或毗鄰的 電極提供相反相位的所述第二 AC或RF電壓；和/或(g)所述第二 AC或RF電壓產(chǎn)生一個或更多個徑向偽勢阱，該一個或更多個徑向偽 勢阱用于把離子徑向地限制于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)。所述離子引導(dǎo)器裝置優(yōu)選地還包括第四裝置，其被設(shè)置成在時(shí)間段t2內(nèi)將所述第 二 AC或RF電壓的振幅逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階梯 式、漸近或其它方式增大、或者以階梯式、漸近或其它方式減小X2伏，其中(a)X2選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于50V峰-峰值；(ii)50_100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 IOOOV 峰-峰值； 和/或_2選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于 Ims ;(ii) I-IOms ； (iii) 10-20ms ；
(iv)20-30ms ； (ν) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (XV) 400-50Oms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx)900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii)3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根據(jù)一個實(shí)施方式，在使用中沿著所述第二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或 95%產(chǎn)生一個或更多個第二軸 向時(shí)間平均的或偽的勢壘、勢波紋或勢阱。使用中跨過或沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更 多個區(qū)段或部分優(yōu)選地保持非零軸向和/或徑向DC電壓梯度。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括用于沿著或繞著所述第一離子引導(dǎo) 器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度或離子引導(dǎo)路徑的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %向上游和/或下游驅(qū)動或驅(qū)策離子的裝 置，其中該裝置包括(i)這樣的一種裝置，其用于向所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的 至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 施加一個 或更多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或者DC電壓波形或電勢波形以便沿著所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、 40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游驅(qū)策至少一些離子；和/或(ii)這樣的一種裝置，其被設(shè)置成向形成所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二 離子引導(dǎo)器的電極施加兩個或更多個相移后的AC或RF電壓，以便沿著所述第一離子引導(dǎo) 器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、 35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游 和/或上游驅(qū)策至少一些離子；和/或(iii)這樣的一種裝置，其被設(shè)置成向形成所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二 離子引導(dǎo)器的電極施加一個或更多個DC電壓以便產(chǎn)生或形成軸向和/或徑向DC電壓梯 度，該軸向和/或徑向DC電壓梯度具有沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo) 器的軸向長度的至少 1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、 60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%向下游和/或上游驅(qū)策或驅(qū)動至少 一些離子的作用。
所述離子引導(dǎo)裝置優(yōu)選地還包括第五裝置，其被設(shè)置成在時(shí)間段t3將所述一個 或更多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或DC電壓波形或電勢波形的振幅、高度或深度逐漸增大、逐 漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或者以階梯 式、漸近或其它方式減小^伏；其中，x3選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于0. lV;(ii)0. 1-0. 2V
(iii)0. 2-0. 3V ； (iv) 0. 3-0. 4V ； (v) 0. 4-0. 5V ； (vi) 0. 5-0. 6V ； (vii) 0. 6-0. 7V (viii) 0. 7-0. 8V ； (ix) 0. 8-0. 9V ； (x)0. 9-1. 0V ； (xi) 1. 0-1. 5V ； (xii) 1. 5-2. 0V (xiii) 2. 0-2. 5V ； (xiv) 2. 5-3. 0V ； (xv) 3. 0-3. 5V ； (xvi) 3. 5-4. 0V ； (xvii) 4. 0-4. 5V
(xviii)4. 5-5. 0V ； (xix) 5. 0-5. 5V ； (xx) 5. 5-6. 0V ； (xxi) 6. 0-6. 5V ； (xxii) 6. 5-7. 0V (xxiii) 7. 0-7. 5V ； (xxiv) 7. 5-8. 0V ； (xxv) 8. 0-8. 5V ； (xxvi) 8. 5-9. 0V ； (xxvii) 9. 0-9. 5V (xxviii)9. 5-10. 0V ；以及(xxix)大于 10. 0V ；和 / 或其中，t3選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于lms ;(ii)l-10ms ;(iii)10-20ms
(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv)300-400ms (xv) 400-500ms ；(xvi)500-600ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms
(xix)800-900ms； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l_2s ； (xxii)2_3s ； (xxiii) 3_4s ； (xxiv)4_5s 以及(xxv)大于5s。所述離子引導(dǎo)裝置優(yōu)選地還包括第六裝置，其被設(shè)置成在時(shí)間段t4把向所述電 極施加所述一個或更多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或DC電壓波形或電勢波形的速度或速率逐漸 增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或 者以階梯式、漸近或其它方式減小x4m/s ；其中，x4選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于1 ； (i i) 1-2 ； (i i i) 2-3 ； (iv) 3-4 ；
(v)4-5； (vi)5-6 ； (vii)6-7 ； (viii)7-8 ； (ix)8-9 ； (x)9-10 ； (xi) 10—11 ； (xii) 11-12 ； (xiii)12-13 ； (xiv)13-14 ； (xv)14-15 ； (xvi)15-16 ； (xvii)16-17 ； (xviii)17-18 ； (xix)18-19 ； (xx)19-20 ； (xxi) 20-30 ； (xxii) 30-40 ； (xxiii)40-50 ； (xxiv) 50-60 ； (xxv) 60-70 ；(xxvi) 70-80 ； (xxvii) 80-90 ； (xxviii) 90-100 ； (xxix) 100-150 ； (xxx) 150-200 ； (xxxi)200-250 ； (xxxii)250-300 ； (xxxiii)300-350 ； (xxxiv)350-400 ； (xxxv) 400-450 ； (xxxvi) 450-500 ；以及(xxxvii)大于 500 ；和 / 或其中t4選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于lms ;(ii)l-10ms ;(iii)10-20ms ； (iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi)500-600ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括被設(shè)置為沿著所述第一離子引導(dǎo) 器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度或離子引導(dǎo)路徑的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%保持恒定的非零DC電壓梯度的單元。所述第二設(shè)備被優(yōu)選地設(shè)置成將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑(或第一離子引 導(dǎo)器)質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑(或第二離子引導(dǎo)器)中，和/或從所述第二離子引導(dǎo)路徑(或第二離子引導(dǎo)器)質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選 擇性地轉(zhuǎn)移到所述第一離子引導(dǎo)路徑(或第一離子引導(dǎo)器)中。影響離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑(或第一離子引導(dǎo)器)質(zhì)量選擇性或質(zhì)荷比選 擇性地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑(或第二離子引導(dǎo)器)中和/或從所述第二離子引導(dǎo) 路徑(或第二離子引導(dǎo)器)質(zhì)量選擇性或質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移到所述第一離子引導(dǎo)路徑 (或第一離子引導(dǎo)器)中的參數(shù)優(yōu)選地逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線 性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或者以階梯式、漸近或其它方式減小。所述參數(shù)優(yōu) 選地選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)在使用中，跨著或沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一 個或更多個區(qū)段或部分保持的、或者在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的 一個或更多個區(qū)段或部分之間保持的軸向和/或徑向DC電壓梯度；和/或(ii)施加到所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少一些電極或大 致全部電極的一個或更多個AC或RF電壓。所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器可以被設(shè)置成接收離子束或組 并且對所述離子束或組進(jìn)行轉(zhuǎn)換或劃分，使得在任何特定時(shí)間至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20個單獨(dú)的離子包被限制和/或隔離于所述第一離子 引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器中，并且其中各個離子包被單獨(dú)地限制和/或隔離于形 成在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)的單獨(dú)的軸向勢阱中。根據(jù)一實(shí)施方式(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個部分可以包 括離子遷移譜儀或分離器部分、區(qū)段或級，其中根據(jù)離子在所述離子遷移譜儀或分離器部 分、區(qū)段或級中的離子遷移率使離子暫時(shí)性地分離；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個部分可以包 括高場非對稱波形離子遷移譜儀(FAIMS)部分、段或級，其中使離子根據(jù)離子的隨著所述 高場非對稱波形離子遷移譜儀(FAIMS)部分、段或級中的電場強(qiáng)度而變化的離子遷移率變 化率暫時(shí)性地分離；和/或(c)在使用中，所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個 區(qū)段內(nèi)提供有緩沖氣體；和/或(d)在工作模式下，離子被布置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引 導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后在不裂解的情況下被碰撞冷卻；和/或(e)在工作模式下，離子被布置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引 導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后被加熱；和/或(f)在工作模式下，離子被布置為在與所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子 引導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后被裂解；和/或(g)在工作模式下，離子被布置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引 導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后展開或至少部分地展開；和/或(h)在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)軸 向地俘獲離子。所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器還可以包括碰撞、裂解或反應(yīng)裝置，其中在工作模式下離子被設(shè)置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi) 通過如下方式裂解(i)碰撞誘發(fā)解離(“CID”)； (ii)表面誘發(fā)解離(“SID”)； (iii)電 子轉(zhuǎn)移解離(“ETD”)； (iv)電子捕獲解離(“ECD”)； (v)電子碰撞或沖擊解離；(vi)光誘 發(fā)解離(“PID”)； (vii)激光誘發(fā)解離；(viii)紅外輻射誘發(fā)解離；(ix)紫外輻射誘發(fā)解 離；(x)熱或溫度解離；(xi)電場誘發(fā)解離；(xii)磁場誘發(fā)解離；(xiii)酶消化或酶降解 解離；(xiv)離子-離子反應(yīng)解離；(xv)離子-分子反應(yīng)解離；(xvi)離子-原子反應(yīng)解離； (xvii)離子-亞穩(wěn)態(tài)離子反應(yīng)解離；(xviii)離子-亞穩(wěn)態(tài)分子反應(yīng)解離；(xix)離子-亞 穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)解離；以及(xx)電子電離解離(“EID”)。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括(i)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的裝置；和/ 或(ii)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括一 個、兩個、三個或多于三個的分離的離子引導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域的裝置，通過該離子 引導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域可以將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子 引導(dǎo)器；和/或(iii)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括 多個電極的裝置，該多個電極中的各電極包括一個、兩個、三個孔或多于三個孔；和/或(iv)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括一 個或更多個偏轉(zhuǎn)電極的裝置，其中在使用中向所述一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極施加一個或更多 個電壓，以將離子從一個或更多個離子引導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域?qū)胨龅谝浑x子引 導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器中。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括(i)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置；和/ 或(ii)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置，該 裝置包括一個、兩個、三個或多于三個分離的離子引導(dǎo)通道或退出離子引導(dǎo)區(qū)域，離子可以 從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排入所述離子引導(dǎo)通道或退出離子引 導(dǎo)區(qū)域；和/或(iii)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置， 該裝置包括多個電極，各電極包括一個、兩個、三個或多于三個的孔；和/或(iv)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置，該 裝置包括一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極，其中在使用中向所述一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極施加一個或 更多個電壓，以把離子從所述離子引導(dǎo)器導(dǎo)入一個或更多個離子引導(dǎo)通道或退出離子引導(dǎo) 區(qū)域中。根據(jù)一實(shí)施方式，所述離子引導(dǎo)裝置還包括(a)用于在在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的至 少一部分保持在選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的壓強(qiáng)下的裝置(i)大于1.0Xl(T3mbar;(ii) 大于 1.0X10_2mbar ； (iii)大于 1. 0X10_1mbar ； (iv)大于 lmbar ； (v)大于 lOmbar ； (vi) 大于 lOOmbar ； (vii)大于 5. OX 10_3mbar ； (viii)大于 5. OX 10_2mbar ； (ix) l(T4-l(T3mbar ；(x) l(T3-l(T2mbar ；以及(xi) lO^-lO^mbar ；禾口 / 或(b)用于在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或第二離子引導(dǎo)器的至少 L長度保持在壓強(qiáng)P下的裝置，其中乘積PXL選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)大于等于 1.0Xl(T3mbar cm;(ii)大于等于 1. 0 X l(T2mbarcm ； (iii)大于等于 1. 0 X lO—mbar cm; (iv)大于等于 lmbar cm ； (v)大于等于 lOmbar cm ； (vi)大于等于 102mbar cm ； (vii)大于 等于103mbarcm ； (viii)大于等于104mbar cm ；以及(ix)大于等于105mbar cm ；禾口 /或(c)用于在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器保持在 選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的壓強(qiáng)下的裝置(i)大于100mbar;(ii)大于lOmbar ;(iii)大 于 lmbar ； (iv)大于 0. lmbar ； (v)大于 lCT2mbar ； (vi)大于 lCT3mbar ； (vii)大于 lCT4mbar ； (viii)大于 l(T5mbar ； (ix)大于 l(T6mbar ； (x)小于 lOOmbar ； (xi)小于 lOmbar ； (xii) 小于 lmbar ； (xiii)小于 0. lmbar ； (xiv)小于 lOOmbar ； (xv)小于 lOOmbar ； (xvi)小于 lOOmbar ； (xvii)小于 l(T5mbar ； (xviii)小于 lOOmbar ； (xix) 10-lOOmbar ； (xx) 1-lOmbar ； (xxi)O. 1-lmbar ； (xxii) 1(T2 至 lOOmbar ； (xxiii) 1(T3 至 10_2mbar ； (xxiv) 1(T4 至 lOOmbar ； 以及(xxv)l(T5 至 l(T4mbar。根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供了一種質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀包括如上所述的離子引導(dǎo)裝置。該質(zhì)譜儀優(yōu)選地還包括(a)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游的離子源，其 中所述離子源選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)電噴霧電離(“ESI”)離子源；(ii)大氣壓光 電離(“APPI”)離子源；(iii)大氣壓化學(xué)電離(“APCI”)離子源；(iv)基質(zhì)輔助激光解吸 電離(“MALDI”)離子源；(v)激光解吸電離(“LDI”)離子源；(vi)大氣壓電離(“API”) 離子源；(vii)硅上解吸電離(“DI0S，，)離子源；(viii)電子沖擊(“EI”)離子源；(ix)化 學(xué)電離(“CI”)離子源；(x)場電離(“FI”)離子源；(xi)場解吸(“FD”)離子源；(xii) 感應(yīng)耦合等離子體(“ICP”)離子源；(xiii)快原子轟擊(“FAB”)離子源；(xiv)液體二 次離子質(zhì)譜(“LSIMS”)離子源；(xv)解吸電噴霧電離(“DESI”)離子源；(xvi)鎳-63放 射性離子源；(xvii)大氣壓基質(zhì)輔助激光解吸電離離子源；(xviii)熱噴霧離子源；和/或(b)連續(xù)或脈沖式離子源；和/或(c)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個離子引導(dǎo)器；和/或(d)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個離子遷移分離裝置和/或一個或更多個高場非對稱波形離子遷移譜儀裝置； 和/或(e)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個離子俘獲器或一個或更多個離子俘獲區(qū)域；和/或(f)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個碰撞、裂解或反應(yīng)單元，其中所述一個或更多個碰撞、裂解或反應(yīng)單元選自由 以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)碰撞誘發(fā)解離(“CID”)裂解裝置；(ii)表面誘發(fā)解離(“SID”) 裂解裝置；(iii)電子轉(zhuǎn)移解離(“ETD”)裂解裝置；(iv)電子捕獲解離(“EOT”)裂解 裝置；(v)電子碰撞或沖擊解離裂解裝置；(vi)光誘發(fā)解離(“PID”)裂解裝置；(vii)激光誘發(fā)解離裂解裝置；(Viii)紅外輻射誘發(fā)解離裝置；(ix)紫外輻射誘發(fā)解離裝置；(X) 噴嘴-分液器接口裂解裝置；(Xi)內(nèi)源裂解裝置；(Xii)離子源碰撞誘發(fā)解離裂解裝置； (xiii)熱或溫度源裂解裝置；(Xiv)電場誘發(fā)裂解裝置；(XV)磁場誘發(fā)裂解裝置；(XVi)酶 消化或酶降解裂解裝置(XVii)離子-離子反應(yīng)裂解裝置(XViii)離子-分子反應(yīng)裂解裝 置；(xix)離子-原子反應(yīng)裂解裝置；(XX)離子-亞穩(wěn)態(tài)離子反應(yīng)裂解裝置；(xxi)離子-亞 穩(wěn)態(tài)分子反應(yīng)裂解裝置；(xxii)離子_亞穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)裂解裝置；(xxiii)用于使離子反 應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子-離子反應(yīng)裝置；(xxiv)用于使離子反應(yīng)以形成加合物 或產(chǎn)物離子的離子-分子反應(yīng)裝置；(XXV)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離 子-原子反應(yīng)裝置(xxvi)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)態(tài)離子 反應(yīng)裝置；(xxvii)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子_亞穩(wěn)態(tài)分子反應(yīng)裝 置；(XXViii)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)裝置；以 及(XXiX)電子電離解離(“EID”)裂解裝置；和/或(g)選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的質(zhì)量分析器(i)四極質(zhì)量分析器；(ii) 2D或線 性四極質(zhì)量分析器(iii)保羅(Paul)或3D四極質(zhì)量分析器；(iv)彭寧(Perming)俘獲器 質(zhì)量分析器；(ν)離子俘獲器質(zhì)量分析器；(vi)磁式扇形質(zhì)量分析器；(vii)離子回旋共振 (“ICR”)質(zhì)量分析器；(viii)傅立葉變換離子回旋共振(“FTICR”)質(zhì)量分析器；(ix)靜 電或軌道阱(orbitrap)質(zhì)量分析器；(χ)傅立葉變換靜電或軌道阱質(zhì)量分析器；(xi)傅立 葉變換質(zhì)量分析器(xii)飛行時(shí)間質(zhì)量分析器(xiii)正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器；以及
(xiv)線性加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器；和/或(h)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個能量分析器或靜電能量分析器；和/或(h)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個離子檢測器；和/或(i)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的 一個或更多個質(zhì)量過濾器，其中所述一個或更多個質(zhì)量過濾器選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組 (i)四極質(zhì)量過濾器；(ii) 2D或線性四極離子俘獲器；(iii)保羅或3D四極離子俘獲器； (iv)彭寧離子俘獲器；(ν)離子俘獲器；(vi)磁式扇形質(zhì)量過濾器；(vii)飛行時(shí)間質(zhì)量過 濾器；以及(viii)維恩(Wein)過濾器；和/或(j)用于使離子以脈沖形式進(jìn)入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器 的裝置或離子門(gate)；和/或(k)用于將大致連續(xù)的離子束轉(zhuǎn)換為脈沖式離子束的裝置。根據(jù)一實(shí)施方式，該質(zhì)譜儀可以還包括C形俘獲器；以及軌道阱質(zhì)量分析器；其中，在第一工作模式，離子被發(fā)送到所述C形俘獲器然后注入所述軌道阱質(zhì)量 分析器；以及其中，在第二工作模式，離子被發(fā)送到所述C形俘獲器然后被發(fā)送到碰撞單元，其 中至少一些離子被裂解為裂解離子，并且其中所述裂解離子然后在被注入到所述軌道阱質(zhì) 量分析器之前被發(fā)送到所述C形俘獲器。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種包括離子引導(dǎo)裝置的質(zhì)譜儀的控制系統(tǒng)可執(zhí) 行的計(jì)算機(jī)程序，該離子引導(dǎo)裝置包括包括多個第一電極的第一離子引導(dǎo)器；以及包括 多個第二電極的第二離子引導(dǎo)器；所述計(jì)算機(jī)程序被設(shè)置為使所述控制系統(tǒng)(i)在第一離子引導(dǎo)路徑和第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引導(dǎo)裝置的長度在 一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及(ii)通過驅(qū)策離子跨過一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑 轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其包括存儲在該計(jì)算機(jī)可 讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，該指令被設(shè)置成能夠由包括離子引導(dǎo)裝置的質(zhì)譜儀的控制 系統(tǒng)執(zhí)行，以使得所述控制系統(tǒng)執(zhí)行以下操作，其中，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo) 器，其包括多個第一電極；以及第二離子引導(dǎo)器，其包括多個第二電極，(i)在第一離子引導(dǎo)路徑和第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引導(dǎo)裝置的長度在 一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及(ii)通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo) 路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)優(yōu)選地選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)R0M;(ii)EAR0M; (iii)EPR0M;(iv)EEPR0M;(v)閃存；以及(vi)光盤。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種引導(dǎo)離子的方法，該方法包括以下步驟設(shè)置包括多個第一電極的第一離子引導(dǎo)器，其中沿著所述第一離子引導(dǎo)器或在所 述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；設(shè)置包括多個第二電極的第二離子引導(dǎo)器，其中沿著所述第二離子引導(dǎo)器或在所 述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝置 的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑 徑向地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種質(zhì)譜分析方法，該質(zhì)譜分析方法包括如上所 述的方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括兩個或 更多個平行地結(jié)合的離子引導(dǎo)器。所述兩個或更多個平行地結(jié)合的離子引導(dǎo)器優(yōu)選地包括第一離子引導(dǎo)器和第二 離子引導(dǎo)器，其中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的 組(i)包括多個電極的離子隧道式離子引導(dǎo)器，其中所述多個電極具有至少一個孔， 使用中離子穿過所述至少一個孔傳送；和/或(ii)包括多個桿電極的桿集式離子引導(dǎo)器；和/或(iii)堆疊板式離子引導(dǎo)器，其包括大致設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多 個板電極。還考慮本發(fā)明的這樣的實(shí)施方式，其中離子引導(dǎo)裝置可以包括混合結(jié)構(gòu)，其中所述多個離子引導(dǎo)器中的一個離子引導(dǎo)器例如包括離子隧道式離子引導(dǎo)器，以及其他離子引 導(dǎo)器包括桿集式或堆疊板式離子引導(dǎo)器。所述離子引導(dǎo)裝置優(yōu)選地還包括被設(shè)置成跨過一個或更多個徑向的或縱向的偽 勢壘在所述結(jié)合的離子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移離子的裝置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種引導(dǎo)離子的方法，該方法包括以下步驟沿包 括兩個或更多個平行地結(jié)合的離子引導(dǎo)器的離子引導(dǎo)裝置引導(dǎo)離子。 該方法優(yōu)選地還包括跨過一個或更多個徑向的或縱向的偽勢壘在所述結(jié)合的離 子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移離子。根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方式，優(yōu)選地設(shè)置兩個或更多個RF離子引導(dǎo)器，該兩個或更多個 RF離子引導(dǎo)器優(yōu)選地彼此結(jié)合、或彼此交疊或彼此開放。該離子引導(dǎo)器優(yōu)選地被設(shè)置成在 低壓下工作，并且該離子引導(dǎo)器優(yōu)選地被設(shè)置為使得在一個離子引導(dǎo)器內(nèi)形成的偽勢谷的 軸與優(yōu)選地形成在其它離子引導(dǎo)器內(nèi)的偽勢谷的軸基本平行。所述離子引導(dǎo)器優(yōu)選地相結(jié) 合、合并或交疊，使得離子在沿著離子引導(dǎo)器的長度通過時(shí)，離子可以被轉(zhuǎn)移，以在不遭遇 機(jī)械障礙的情況下順著沿毗鄰離子引導(dǎo)器的軸的離子路徑行進(jìn)。一個或更多個徑向或縱向 偽勢壘優(yōu)選地將兩個離子引導(dǎo)器隔開，并且兩個離子引導(dǎo)器之間的偽勢壘優(yōu)選地少于其它 (徑向)方向的偽勢壘。在結(jié)合的離子引導(dǎo)器的軸之間可以施加或設(shè)置電勢差，使得可以通過克服設(shè)置在 兩個離子引導(dǎo)器之間的偽勢壘(如徑向或縱向偽勢壘)將離子從一個離子引導(dǎo)器移動、指 引或引導(dǎo)到另一離子引導(dǎo)器。離子可以在兩個離子引導(dǎo)器之間來回轉(zhuǎn)移多次。所述兩個或更多個離子引導(dǎo)器可以包括多極桿集式離子引導(dǎo)器、堆疊板三明治式 離子引導(dǎo)器(其優(yōu)選地包括多個板狀電極)或堆疊環(huán)離子隧道式離子引導(dǎo)器。所述兩個或更多個離子引導(dǎo)器的徑向截面優(yōu)選地不同。但是，還考慮其它實(shí)施方 式其中，至少對于兩個離子引導(dǎo)器的軸向長度的一部分，兩個或更多個離子引導(dǎo)器的徑向 截面可以大致相同。兩個或更多個離子引導(dǎo)器的截面可以沿離子引導(dǎo)器的軸向長度基本不變。另選 地，兩個或更多個離子引導(dǎo)器的截面可以沿離子引導(dǎo)器的長度不是不變的。離子引導(dǎo)器截面之間的交疊程度可以沿軸向方向是恒定的，或者可以增加或減 小。離子引導(dǎo)器可以沿兩個離子引導(dǎo)器的完全的軸向范圍交疊、或僅沿該軸向范圍的一部 分交疊。施加于兩個或更多個離子引導(dǎo)器的AC或RF電壓優(yōu)選地相等。但是，還考慮其它 實(shí)施方式，其中，施加于兩個或更多個離子引導(dǎo)器的AC或RF電壓可以不相等。相鄰的電極 優(yōu)選地被提供相反相位的AC或RF電壓。各離子引導(dǎo)器中的氣壓優(yōu)選地被設(shè)置為相同或不同。類似地，各離子引導(dǎo)器中的 氣體成分也可以被設(shè)置為相同或不同。但是，還考慮次優(yōu)選的實(shí)施方式，其中向兩個或更多 個離子引導(dǎo)器提供不同的氣體。施加在兩個或更多個離子引導(dǎo)器之間的電勢差可以被設(shè)置成或者靜態(tài)或隨時(shí)間 變化。類似地，施加在兩個或更多個離子引導(dǎo)器的RF峰-峰電壓振幅可以被設(shè)置成靜態(tài)或 隨時(shí)間變化。兩個或更多個離子引導(dǎo)器之間施加的電勢差作為沿著縱向軸的位置的函數(shù)可以是不變的或變化的。


下面將僅以示例的方式并結(jié)合附圖描述本發(fā)明的各種實(shí)施方式和僅出于例示目的而給出的結(jié)構(gòu)，附圖中圖1示出了傳統(tǒng)的RF離子引導(dǎo)器，其中在徑向偽勢谷內(nèi)離子被徑向地限制于離子 引導(dǎo)器中；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子引導(dǎo)器的結(jié)構(gòu)，其中提供了兩個平行地 結(jié)合后的離子引導(dǎo)器；圖3示出了當(dāng)在兩個結(jié)合的離子引導(dǎo)器之間保持25V的電勢差時(shí)產(chǎn)生的等勢線和 電勢面的SIMION (RTM)圖；圖4示出了當(dāng)在兩個結(jié)合的離子引導(dǎo)器之間保持25V的電勢差時(shí)產(chǎn)生的等勢線和 作為徑向位移的函數(shù)的DC電勢的SIMION(RTM)圖以及將兩個離子引導(dǎo)器保持在相同的電 勢時(shí)沿著線XY的偽電勢的示意圖；圖5示出了對質(zhì)荷比為500的離子進(jìn)行SIMION(RTM)模擬所產(chǎn)生的離子軌跡，該 SIMION(RTM)模擬是在該離子在Imbar的壓強(qiáng)的氮?dú)饬髦休斔筒⑶移渲性趦蓚€結(jié)合的離子 引導(dǎo)器之間沒有保持電勢差的情況下模擬的；圖6示出了對質(zhì)荷比為500的離子進(jìn)行SIMION(RTM)模擬產(chǎn)生的離子軌跡，該 SIMION(RTM)模擬是在該離子在Imbar的壓強(qiáng)的氮?dú)饬髦休斔筒⑶移渲性趦蓚€結(jié)合的離子 引導(dǎo)器之間保持25V的電勢差的情況下模擬的；圖7示出了對質(zhì)荷比在100-1900范圍內(nèi)的離子進(jìn)行SIMION(RTM)模擬產(chǎn)生的離 子軌跡，該SIMION(RTM)模擬是在離子在Imbar壓強(qiáng)的氮?dú)饬髦休斔筒⑶移渲袃蓚€結(jié)合的 離子引導(dǎo)器之間保持25V的電勢差的情況下模擬的；圖8例示了其中提供了結(jié)合的離子引導(dǎo)器結(jié)構(gòu)以在質(zhì)譜儀的初始級從中性氣流 中分離出離子的實(shí)施方式；圖9示出了其中兩個堆疊板式離子引導(dǎo)器形成結(jié)合的離子引導(dǎo)器結(jié)構(gòu)的實(shí)施方 式；以及圖10示出了其中兩個桿集式離子引導(dǎo)器形成結(jié)合的離子引導(dǎo)器結(jié)構(gòu)的實(shí)施方 式。
具體實(shí)施例方式傳統(tǒng)的RF離子引導(dǎo)器1如圖1所示。向形成離子引導(dǎo)器的電極施加RF電壓，使 得在離子引導(dǎo)器1內(nèi)生成或產(chǎn)生單個的偽勢谷或偽勢阱2。離子被徑向地3限制在離子引 導(dǎo)器1中。離子通常被設(shè)置為沿離子引導(dǎo)器1的中心縱向軸進(jìn)入離子引導(dǎo)器1，并且離子通 常還沿著該中心縱向軸退出離子引導(dǎo)器1。離子云5被限制于離子引導(dǎo)器1內(nèi)，并且離子通 常被偽勢阱2限制為靠近縱向軸。下面將參照圖2來描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的離子引導(dǎo)器結(jié)構(gòu)。根據(jù)優(yōu)選 實(shí)施方式，優(yōu)選地提供兩個或更多個平行結(jié)合后的離子引導(dǎo)器。結(jié)合的離子引導(dǎo)器優(yōu)選地 包括第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8。第一離子引導(dǎo)器7優(yōu)選地比第二離子引導(dǎo)器8具有更大的徑向截面。優(yōu)選地，氣體和離子擴(kuò)散源9初始地約束或限制于第一離子引導(dǎo)器 7內(nèi)。離子優(yōu)選地最初流過第一離子引導(dǎo)器7達(dá)第一離子引導(dǎo)器7的至少部分軸向長度。 優(yōu)選地形成在第一離子引導(dǎo)器7中的離子云9被徑向地約束但可以相對地?cái)U(kuò)散。
優(yōu)選地在第一離子引導(dǎo)器7的至少一段或大致整體與第二離子引導(dǎo)器8的至少一 段或大致整體之間施加或保持電壓差。結(jié)果，優(yōu)選地使離子從第一離子引導(dǎo)器7跨過幅度 相對低的偽勢壘向第二離子引導(dǎo)器8遷移。該偽勢壘優(yōu)選地位于第一離子引導(dǎo)器7與第二 離子引導(dǎo)器8之間的結(jié)或邊界區(qū)域。圖3示出了當(dāng)在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8之間保持25V的電勢差時(shí) 產(chǎn)生的等勢線11和電勢面12。該等勢線11和電勢面12為使用SIMION(RTM)得到的。圖4示出了如圖3所示的相同的等勢線11以及示出了在施加的電勢差的作用下 DC電勢沿著線XY在徑向方向如何變化的曲線。還示出了在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子 引導(dǎo)器8之間沒有電勢差的情況下RF生成的沿著線XY線的偽電勢。電極的結(jié)構(gòu)和在兩個離子引導(dǎo)器7，8的電極之間優(yōu)選地保持的電勢差優(yōu)選地具 有這樣的作用使離子從第一離子引導(dǎo)器7中相對擴(kuò)散的離子云9會聚為第二離子引導(dǎo)器 8中大致更緊密的離子云10。第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8中存在的背景氣體優(yōu) 選地使離子云在從第一離子引導(dǎo)器7傳遞到第二離子引導(dǎo)器8時(shí)被冷卻。偽勢壘優(yōu)選地防 止離子脫離電極。圖5示出了基于各包含多個堆疊板或環(huán)形電極的兩個離子引導(dǎo)器7，8的模型的離 子軌跡模擬結(jié)果。電極優(yōu)選地具有孔，在使用中離子穿過該孔傳送。利用SIMION(RTM)中 提供的程序來模擬離子與背景氣體的碰撞。將氮?dú)?4模擬為在Imbar的壓強(qiáng)下以300m/s 的體積流率(bulk flowrate)沿著兩個離子引導(dǎo)器7，8的長度流動。第一離子引導(dǎo)器7被 模擬為具有15mm的內(nèi)徑以及第二離子引導(dǎo)器8被模擬為具有5mm的內(nèi)徑。模擬了在第一 離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8的相鄰電極15之間施加具有200V的RF峰-RF峰的振 幅以及3MHz的頻率的RF電壓。在離子引導(dǎo)器7，8 二者中都產(chǎn)生了徑向限制偽勢阱。將兩 個離子引導(dǎo)器7，8的總長度模擬為75mm。將質(zhì)荷比為500的9個單帶電的離子模擬為位于第一離子引導(dǎo)器7內(nèi)的不同的初 始徑向開始位置，以模擬擴(kuò)散離子云。在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8之間沒有 電勢差的情況下，如從圖5所示的離子軌跡13所可以看到的，離子由氮?dú)?4的氣流攜帶或 傳送，通過第一離子引導(dǎo)器7。圖6示出了以上參照圖5描述并示出的模擬的重復(fù)，只不過現(xiàn)在在兩個離子引導(dǎo) 器7，8之間施加了電場6。在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8之間保持25V的電 勢差。電場6的作用是將離子朝著沿第二離子引導(dǎo)器8的中心縱向軸的平面引導(dǎo)或會聚。 離子從第一離子引導(dǎo)器7開始移動，跨過在兩個離子引導(dǎo)器7，8之間的偽勢壘，進(jìn)入第二 離子引導(dǎo)器8。結(jié)果，由初始相對擴(kuò)散的離子云9優(yōu)選地形成為相對密集和緊密的離子云 10。圖6示出了對于在壓強(qiáng)為Imbar的氮?dú)?4的氣流中輸送的且質(zhì)荷比為500的離子通 過SIMION(RTM)所模擬的各種離子軌跡13。圖7示出了除了離子在第一離子引導(dǎo)器7中具有公共起點(diǎn)和不同的質(zhì)荷比之外， 與上面參照圖6描述的模擬類似的模擬的結(jié)果。將離子模擬為質(zhì)荷比為100、300、500、700、 900、1100、1300、1500、1700和1900。將離子模擬為在壓強(qiáng)為Imbar的氮?dú)?4的流中輸送。在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8之間保持25V的電勢差。很明顯，所有的離子從 第一離子引導(dǎo)器7轉(zhuǎn)移到第二離子引導(dǎo)器8。圖8示出了平行結(jié)合的離子引導(dǎo)器7、8被設(shè)置在質(zhì)譜儀的初始級中的實(shí)施方式。 氣體和來自大氣壓離子源16的離子的混合物優(yōu)選地穿過取樣錐17進(jìn)入質(zhì)譜儀的被泵18 進(jìn)行了排氣的初始真空室。第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8優(yōu)選地被設(shè)置在該真空 室中，同時(shí)取樣錐17的孔優(yōu)選地與第一離子引導(dǎo)器7的中心軸對齊。第一離子引導(dǎo)器7優(yōu) 選地被設(shè)置為比第二離子引導(dǎo)器8具有更大直徑的離子引導(dǎo)區(qū)域。擴(kuò)散的離子云9優(yōu)選地 被約束在第一離子引導(dǎo)器7中。根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施方式，大量的氣流優(yōu)選地經(jīng)由泵浦口從真空室排出，該泵浦口優(yōu) 選地與第一離子引導(dǎo)器7的中心軸對齊。優(yōu)選地在第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8 之間施加或保持電勢差。離子優(yōu)選地從第一離子引導(dǎo)器7傳送到第二離子引導(dǎo)器8，并優(yōu)選 地遵循與圖8中所示的離子軌跡類似的離子軌跡13。優(yōu)選地，離子在第二離子引導(dǎo)器8內(nèi) 形成相對更密的離子云10。根據(jù)實(shí)施方式，第二離子引導(dǎo)器8可以超過第一離子引導(dǎo)器7延續(xù)或者延伸并可 以將離子向前傳送到差動(differential)泵浦孔19，該差動泵浦孔19優(yōu)選地通向隨后的 真空級。離子可以被設(shè)置為穿過差動泵浦孔19而進(jìn)入質(zhì)譜儀的后一級。接著可以將離子 被向前傳送以進(jìn)行后續(xù)的分析和檢測。圖8還示出了根據(jù)一實(shí)施方式的第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8的截面示 圖。根據(jù)一實(shí)施方式，離子可以被設(shè)置為在上游區(qū)域或段20內(nèi)大致被約束或限制于第一離 子引導(dǎo)器7，在該上游區(qū)域或段20內(nèi)第一離子引導(dǎo)器7的環(huán)是閉合的。離子可以優(yōu)選地在 中間區(qū)域或段21內(nèi)從第一離子引導(dǎo)器7轉(zhuǎn)移到第二離子引導(dǎo)器8，在該中間區(qū)域或段21內(nèi) 第一離子引導(dǎo)器7和第二離子引導(dǎo)器8的環(huán)都是開放的。離子可以優(yōu)選地在下游區(qū)域或段 22內(nèi)被大致約束或限制于第二離子引導(dǎo)器8內(nèi)，其中在下游區(qū)域或段22內(nèi)第二離子引導(dǎo)器 8的環(huán)是閉合的。結(jié)合后的離子引導(dǎo)器7，8優(yōu)選地使得離子能夠從氣流的主要部分(bulk) 離開或者使得能夠引導(dǎo)離子遠(yuǎn)離氣流的主要部分。優(yōu)選地還可以對離子形成更緊的離子約 束，用于優(yōu)化穿過差動泵浦孔19進(jìn)入隨后的真空級的傳送。還考慮其他次優(yōu)選的實(shí)施方式，其中離子源可以在低于大氣壓的壓強(qiáng)下工作。根據(jù)另一實(shí)施方式，可以通過電場或行波結(jié)構(gòu)沿第一離子引導(dǎo)器7的至少一部分 和/或沿第二離子引導(dǎo)器8的至少一部分軸向地驅(qū)動離子。根據(jù)一個實(shí)施方式，可以將一 個或更多個暫態(tài)DC電壓或電勢或者一個或更多個暫態(tài)DC電壓波形或電勢波形施加到形成 第一離子引導(dǎo)器7的電極和/或施加到形成第二離子引導(dǎo)器8的電極，以便沿著第一離子 引導(dǎo)器7的至少一部分和/或沿著第二離子引導(dǎo)器8的至少一部分驅(qū)策或驅(qū)動離子。在兩個結(jié)合的離子引導(dǎo)器7，8之間的偽勢壘優(yōu)選地具有 依賴于質(zhì)荷比的有效幅 度?？梢允褂眠m當(dāng)?shù)腞F電壓，并且兩個離子引導(dǎo)器7，8的軸之間保持的電勢差可以被設(shè)置 為使得離子可以在兩個離子引導(dǎo)器之間質(zhì)量選擇性地轉(zhuǎn)移。根據(jù)一實(shí)施方式，離子可以在 兩個離子引導(dǎo)器7，8之間被質(zhì)量選擇性地或者質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移。例如，根據(jù)一實(shí)施方 式，可以對兩個離子引導(dǎo)器7，8之間保持的DC電壓梯度進(jìn)行逐漸改變或掃描。另選地和/ 或附加地，可以對施加于兩個離子引導(dǎo)器7,8的電極的AC或RF電壓的振幅和/或頻率進(jìn) 行逐漸改變或掃描。結(jié)果，離子可以按照時(shí)間的函數(shù)和/或按照沿著離子引導(dǎo)器7，8的軸向位置的函數(shù)在兩個離子引導(dǎo)器7，8之間質(zhì)量選擇性地轉(zhuǎn)移。雖然優(yōu)選實(shí)施方式涉及這樣的實(shí)施方式其中結(jié)合后的兩個離子引導(dǎo)器包括環(huán)形電極使得離子在使用中穿過環(huán)進(jìn)行傳送，但也考慮包括不同類型的離子引導(dǎo)器的其它實(shí)施 方式。圖9示出了其中設(shè)置有兩個堆疊板式離子引導(dǎo)器以形成結(jié)合后的離子引導(dǎo)器的實(shí)施 方式。圖9示出了一個端部，展示了在多個板電極內(nèi)形成的兩個圓柱狀的離子引導(dǎo)路徑或 離子引導(dǎo)區(qū)域。相鄰的電極優(yōu)選地保持在相反相位的RF電壓。形成第一離子引導(dǎo)器的板電 極優(yōu)選地保持在如圖9中所示的第一 DC電壓DC1。形成第二離子引導(dǎo)器的板電極優(yōu)選地保 持在如圖9中所示的第二 DC電壓DC2。第二 DC電壓DC2優(yōu)選地不同于第一 DC電壓DC1。圖10示出了其中兩個桿集式離子引導(dǎo)器形成結(jié)合后的離子引導(dǎo)器結(jié)構(gòu)的實(shí)施方 式。相鄰的桿優(yōu)選地保持在相反相位的RF電壓。形成兩個離子引導(dǎo)器的桿可以具有相同 的直徑也可以不具有相同的直徑。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式，形成離子引導(dǎo)結(jié)構(gòu)的所有桿優(yōu)選地 具有相同或大致相同的直徑。在圖10中所示的具體實(shí)施方式
中，第一離子引導(dǎo)器包括15 根桿電極，這15根桿電極都優(yōu)選地保持在相同的DC偏壓DCl。第二離子引導(dǎo)器包括7根桿 電極，這7根桿電極都優(yōu)選地保持在相同的DC偏壓DC2。第二 DC電壓DC2優(yōu)選地不同于第 一 DC 電壓 DCl。還考慮另一實(shí)施方式，其中可以設(shè)置多于兩個平行的離子引導(dǎo)器。例如，根據(jù)另外 的實(shí)施方式，可以設(shè)置至少3、4、5、6、7、8、9或10個平行的離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)區(qū)域。離 子可以按照需要在多個平行的離子引導(dǎo)器之間切換。雖然參照優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不 脫離如所附權(quán)利要求書所闡述的本發(fā)明的范圍的情況下可以作出各種形式和細(xì)節(jié)的改變。
權(quán)利要求
一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo)器，其包括多個第一電極，各電極包括至少一個孔，使用中離子穿過該至少一個孔傳送，其中沿著所述第一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括多個第二電極，各電極包括至少一個孔，使用中離子穿過該至少一個孔傳送，其中沿著所述第二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；第一裝置，其被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及第二裝置，其被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，(a)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有大致圓形、矩形、正方形或橢圓形的 孔；和/或(b)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有尺寸大致相同或面積大致相同的孔； 和/或(c)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有在沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所 述第二離子引導(dǎo)器的軸或長度的方向尺寸或面積逐漸變大和/或變小的孔；和/或(d)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有內(nèi)直徑或尺度選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的 組中的孔(i)小于等于1.0mm;(ii)小于等于2. Omm ； (iii)小于等于3. Omm ； (iv)小于等 于4. Omm ； (ν)小于等于5. Omm ； (vi)小于等于6. Omm ； (vii)小于等于7. Omm ； (viii)小于 等于8. Omm ； (ix)小于等于9. Omm ； (χ)小于等于10. Omm ；和(xi)大于10. Omm ；和/或(e)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %彼此分開選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組中的軸 向距離⑴小于或等于5mm ； (ii)小于或等于4. 5mm ； (iii)小于或等于4mm ； (iv)小于或 等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii) 小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm; (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm;以及(xv)小 于或等于0. 25mm ；和/或(f)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %包括孔，其中所述孔的內(nèi)直徑或尺 度與相鄰電極之間的中心到中心軸向間距之比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于1.0; (ii) 1. 0-1. 2 ； (iii) 1. 2-1. 4 ； (iv) 1. 4-1. 6 ； (ν) 1. 6-1. 8 ； (vi) 1. 8-2. 0 ； (vii)2. 0-2. 2 ； (viii) 2. 2-2. 4 ； (ix) 2. 4-2. 6 ； (χ) 2. 6-2. 8 ； (xi) 2. 8-3. 0 ； (xii) 3. 0-3. 2 ； (xiii) 3. 2-3. 4 ； (xiv) 3. 4-3. 6 ； (xv) 3. 6-3. 8 ； (xvi) 3. 8-4. 0 ； (xvii) 4. 0-4. 2 ； (xviii)4. 2-4. 4 ；(xix) 4. 4-4. 6 ； (XX) 4. 6-4. 8 ； (xxi) 4. 8-5. O ；以及(xxii)大于 5. O ；和 / 或(g)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組中的厚度或 軸向長度⑴小于或等于5mm; (ii)小于或等于4. 5mm;(iii)小于或等于4mm ； (iv)小于 或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii) 小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm ； (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm ；禾口 (xv)小 于或等于0. 25mm ；和/或 (h)所述多個第一電極具有第一截面面積或輪廓，其中所述第一截面面積或輪廓至少 沿所述第一離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%改變、增加、減少或變化；和/或(i)所述多個第二電極具有第二截面面積或輪廓，其中所述第二截面面積或輪廓至少 沿所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%改變、增加、減少或變化。
3.一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo)器，其包括具有一個或更多個第一桿集的多個第一電極，其中沿所述第 一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括具有一個或更多個第二桿集的多個第一電極，其中沿所述第 二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；第一裝置，其被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述 離子引導(dǎo)裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及第二裝置，其被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第 一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括一個或更多個軸向分段桿集 式離子引導(dǎo)器；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括一個或更多個分段四極、六 極或八極離子引導(dǎo)器、或者具有四個或更多個分段桿集的離子引導(dǎo)器；和/或(c)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括多個具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu) 成的組中的截面的電極(i)近似或大致圓形的截面；(ii)近似或大致雙曲面；(iii)弓形 或部分圓形的截面；(iv)近似或大致矩形的截面；以及(ν)近似或大致正方形的截面；和/ 或(d)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器還包括在所述一個或更多個第一 桿集和/或所述一個或更多個第二桿集的周圍設(shè)置的多個環(huán)形電極；和/或(e)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括4、5、6、7、8、9、10、11、12、 13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30 個或多于 30 個桿電極。
5.一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括第一離子引導(dǎo)器，其包括設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多個第一電極，其中沿 所述第一離子引導(dǎo)器或者在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；第二離子引導(dǎo)器，其包括設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多個第二電極，其中沿 所述第二離子引導(dǎo)器或者在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；被設(shè)置成在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引導(dǎo)裝 置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘的裝置；以及被設(shè)置成通過驅(qū)策離子跨過所述偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所 述第二離子引導(dǎo)路徑的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括平面的、板狀的、網(wǎng)狀的或 彎曲的電極的堆或列，其中所述平面的、板狀的、網(wǎng)狀的或彎曲的電極的堆或列包括多個或 至少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 個平面的、板狀的、網(wǎng)狀 的或彎曲的電極，并且其中所述平面的、板狀的、網(wǎng)狀的或彎曲的電極中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%通常設(shè)置于所述使用中離子所行進(jìn)的平面中；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器是被軸向分段的，以包括至少2、 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 個軸向分段，其中，所述多個第一 電極中的至少 1% >5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 的軸向分段和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、 60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %的軸向分段在使用中保持在相同的DC電壓。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第一裝置被設(shè)置成(i)在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝置的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個徑向或縱向偽勢壘；和/或( )在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝置 的長度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個非軸向偽勢壘。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第二裝置被設(shè)置成(a)將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑徑向地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中；和/或(b)利用速度的非零徑向分量和速度的軸向分量將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移 到所述第二離子引導(dǎo)路徑中；和/或(c)利用速度的非零徑向分量和速度的軸向分量將離子從所述第一離子引導(dǎo) 路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中，其中所述速度的徑向分量和所述速度的軸 向分量的比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于0. 1 ； (ii)0. 1-0. 2 ； (iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi)2. 0-3. 0 ； (xxii) 3. 0-4. 0 ； (xxiii)4. 0-5. 0 ； (xxiv) 5. 0-6. 0 ； (xxv) 6. 0-7. 0 ； (xxvi) 7. 0-8. 0 ； (xxvii) 8. 0-9. 0 ； (xxviii) 9. 0-10. 0 ；和(xxix)大于 10. 0 ；(d)通過使離子跨過設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間的一 個或更多個徑向偽勢壘轉(zhuǎn)移，來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo) 路徑中。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一離子引導(dǎo)器和 所述第二離子引導(dǎo)器彼此接合、合并、交疊或開放；和/或 (b)在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、 20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 上，離子可以在所述第一離子 引導(dǎo)器或所述第一離子引導(dǎo)路徑與所述第二離子引導(dǎo)器或所述第二離子引導(dǎo)路徑之間徑 向地轉(zhuǎn)移；和/或(c)使用中形成一個或更多個徑向或縱向偽勢壘，該一個或更多個徑向或縱向偽勢壘 沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100 %將所述第一離子引導(dǎo)器或所述第一 離子引導(dǎo)路徑與所述第二離子引導(dǎo)器或所述第二離子引導(dǎo)路徑分隔開；和/或(d)在所述第一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一偽勢谷或場，以及在所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形 成第二偽勢谷或場，并且其中偽勢壘將所述第一偽勢谷與所述第二偽勢谷分隔開，其中離 子被所述第一偽勢谷或所述第二偽勢谷徑向地限制在所述離子引導(dǎo)裝置內(nèi)，并且其中至少 一些離子被驅(qū)策或被致使跨過所述偽勢壘進(jìn)行轉(zhuǎn)移；和/或(e)所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間的交疊程度或開放程度沿著所述 第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器的長度保持固定或變化、增加、減小、以階梯式或線 性方式增加或者以階梯式或線性方式減小。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)所述多個第一電極中的一個或更多個或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100 %在工作模式下保持在第一電勢或電壓，該第 一電勢或電壓選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) 士80-90V ； (χ) 士90-100V ； (xi) 士 100—150V ； (xii) 士 150—200V ； (xiii) 士200—250V ； (xiv) ± 250-300V ； (xv) ± 300-350V ； (xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(b)所述多個第二電極中的一個或更多個或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第二電勢或電壓，該第 二電勢或電壓選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix)士80-90V；(χ)士90-100V ； (xi)士100-150V ； (xii)士150-200V ； (xiii)士200-250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(C)在工作模式下，在所述多個第一電極中的一個或更多個或至少1%、5%、 10 %,20 %,30 %A0 %>50 %,60 %,70 %,80 %、90 %、95 % 或 100 % 與所述多個第二 電極中的一個或更多個或至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、40 %、50 %,60 %,70 80%、90%、95%或100%之間保持電勢差，其中所述電勢差選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組 ⑴ 士0-10V ； (ii)士10-20V ； (iii)士20-30V ； (iv)士30-40V ;(v)士40-50V ； (vi)士50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) +80-90V ； (x) +90-100V ； (xi) +100-150V ； (xii) ± 150 — 200V ； (xiii) ±200 — 250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) ±300 — 350V ； (xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (XX) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi) +850-900V ； (xxvii) +900-950V ； (xxviii) 士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或 (d)所述多個第一電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%或者所述多個第一電極在使用中保持在大致相同的第一 DC電壓； 和/或(e)所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80 %、90 %、95 %或100 %或者所述多個第二電極在使用中保持在大致相同的第二 DC電壓； 和/或(f)所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%保持在大致相同的DC電壓或DC偏壓，或者 保持在大致不同的DC電壓或DC偏壓。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，所述第一離子引導(dǎo)器包 括第一中心縱向軸，以及所述第二離子引導(dǎo)器包括第二中心縱向軸，并且其中(i)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸與 所述第二中心縱向軸大致平行；和/或( )對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸與 所述第二中心縱向軸不共線或不共軸；和/或(iii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸與 所述第二中心縱向軸隔開恒定距離或保持等距；和/或(iv)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸為 所述第二中心縱向軸的鏡像；和/或(ν)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸大 致追蹤所述第二中心縱向軸、跟隨所述第二中心縱向軸、與所述第二中心縱向軸對稱或者 平行于或并排于所述第二中心縱向軸地延伸；和/或(vi)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心縱向軸朝著所述第二中心縱向軸會聚或從所述第二中心縱向軸分出；和/或(vii)所述第一中心縱向軸和所述第二中心縱向軸形成X形或Y形聯(lián)結(jié)器或分流器離 子引導(dǎo)路徑；和/或(viii)在所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間設(shè)置有一個或更多個交叉 區(qū)域、區(qū)段或結(jié)，其中至少一些離子可以從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子引導(dǎo) 器中或可以使至少一些離子從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子引導(dǎo)器中，和/或 其中至少一些離子可以從所述第二離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第一離子引導(dǎo)器中。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，在使用中，所述第一離 子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一偽勢谷，使得該第一偽勢谷具有第一縱向軸，并且其中，在使用中，所 述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第二偽勢谷，使得該第二偽勢谷具有第二縱向軸，并且其中(i)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一縱向軸與所述 第二縱向軸大致平行；和/或(ii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一縱向軸與所述 第二縱向軸不共線或不共軸；和/或(iii)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一縱向軸與所述 第二縱向軸隔開恒定距離或保持等距；和/或(iv)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一縱向軸為所述 第二縱向軸的鏡像；和/或(v)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一縱向軸大致追 蹤所述第二縱向軸、跟隨所述第二縱向軸、與所述第二縱向軸對稱或平行于和/或并排于 所述第二縱向軸地延伸；和/或(vi)對于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^ 100%，所述第一縱向軸朝著所 述第二縱向軸會聚或從所述第二縱向軸分出；和/或(vii)所述第一縱向軸和所述第二縱向軸形成X形或Y形聯(lián)結(jié)器或分流器離子引導(dǎo)路 徑；和/或(viii)在所述第一離子引導(dǎo)器和所述第二離子引導(dǎo)器之間設(shè)置有一個或更多個交叉 區(qū)域、區(qū)段或結(jié)，其中，至少一些離子可以從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子引導(dǎo) 器中或可以使至少一些離子從所述第一離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第二離子引導(dǎo)器中，和/或 其中至少一些離子可以從所述第二離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移至所述第一離子引導(dǎo)器中。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，以及其中所述第二 離子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第一截面面積和所述第二截面面積大致相同或大致不同；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，以及所述第二離 子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第一截面面積與所述第二 截面面積的比選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于0. 1 ； (i i) 0. 1-0. 2;(iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (v)0. 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (x) 0. 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-2. 5 ； (xxii) 2. 5-3. 0 ； (xxiii) 3. 0-3. 5 ； (xxiv) 3. 5-4. 0 ； (xxv) 4. 0-4. 5 ； (xxvi)4. 5-5. 0 ； (xxvii)5. 0-6. 0 ； (xxviii)6. 0-7. 0 ； (xxix)7. 0-8. 0 ； (xxx) 8. 0-9. 0 ； (xxxi)9. 0-10. 0 ；以及(xxxii)大于 10. 0 ；禾口 / 或(c)所述第一離子引導(dǎo)器包括具有第一截面面積或輪廓的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第 一截面面積或輪廓至少沿著所述第一離子引導(dǎo)器的長度的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、 40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改變、增加、減少或變化；禾口 / 或(d)所述第二離子引導(dǎo)器包括具有第二截面面積或輪廓的離子引導(dǎo)區(qū)域，其中所述第 二截面面積或輪廓至少沿著所述第二離子引導(dǎo)器的長度的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、 40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改變、增加、減少或變化；禾口 / 或(e)所述第一離子引導(dǎo)器包括多個軸向截面，并且其中第一電極在一個軸向截面中的 截面面積或輪廓大致相同或不同，并且其中在另外的軸向截面中的第一電極的截面面積或 輪廓大致相同或不同；和/或(f)所述第二離子引導(dǎo)器包括多個軸向截面，并且其中第二電極在一個軸向截面中的 截面面積或輪廓大致相同或不同，并且其中第二電極在另外的軸向截面中的截面面積或輪 廓大致相同或不同；和/或(g)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括大致恒定的或均勻的截面面 積或輪廓。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器包括(i)第一軸向分段，在第一軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo) 器包括第一截面面積或輪廓；和/或(ii)不同的第二軸向分段，在第二軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離 子引導(dǎo)器包括第二截面面積或輪廓；和/或(iii)不同的第三軸向分段，在第三軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二 離子引導(dǎo)器包括第三截面面積或輪廓；和/或(iv)不同的第四軸向分段，在第四軸向分段中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離 子引導(dǎo)器包括第四截面面積或輪廓；其中，所述第一、第二、第三和第四截面面積或輪廓大致相同或不同。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述離子引導(dǎo)裝置被設(shè) 置成形成⑴線性離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(ii)開環(huán)離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(iii)閉環(huán)離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置；和/或(iv)螺旋形、環(huán)形、部分環(huán)形、半環(huán)形、不完全環(huán)形或螺線形離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝 置；和/或(v)具有彎曲的、迷宮式的、盤旋的、蜿蜒的、圓形的或旋繞的離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)路 徑的離子引導(dǎo)器或離子引導(dǎo)裝置。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第一離子引導(dǎo)器 和/或所述第二離子引導(dǎo)器包括n個軸向分段或者被分割為n個分開的軸向分段，其中 n選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)l_10 ;(ii)ll_20 ； (iii) 21-30 ； (iv) 31-40 ； (v) 41-50 ； (vi) 51-60 ； (vii) 61-70 ； (viii) 71-80 ； (ix) 81-90 ； (x) 91-100 ；以及(xi)大于 100 ；并且其中(a)各軸向分段包括:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20或多 于20個電極；和/或(b)所述軸向分段的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%、95%或100%的軸向長度選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8_9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm ；和 / 或(c)所述軸向分段的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%、95%或100%之間的軸向間隔選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8-9mm ； (x)9-10mm;以及(xi)大于 10mm。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器(a)具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的長度(i)小于20mm； (ii)20-40mm ； (iii) 40-60mm ； (iv) 60-80mm ； (v) 80-100mm ； (vi)100 — 120mm ； (vii) 120-140mm ；(viii)140-160mm ； (ix) 160_180mm ； (x) 180_200mm ；以及(xi)大于 200mm ；和 / 或(b)至少包括⑴10-20個電極；(ii)20-30個電極；(iii) 30-40個電極；(iv) 40-50 個電極；(v) 50-60個電極；(vi) 60-70個電極；(vii) 70-80個電極；(viii) 80-90個電極；(ix)90-100 個電極；(x)100-110 個電極；(xi)110-120 個電極；(xii) 120-130 個電極； (xiii) 130-140個電極；(xiv) 140-150個電極；或(xv)大于150個電極。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括用 于向所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少一些電極施加第一 AC或RF電壓 的第一 AC或RF電壓源，其中(a)所述第一 AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的振幅(i)小于50V峰-峰 值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值；和/或(b)所述第一AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的頻率(i)小于100kHz ；(ii)100-200kHz ； (iii)200_300kHz ； (iv)300_400kHz ； (v)400_500kHz ； (vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (x) 2. 5-3. 0MHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii)9. 0-9. 5MHz ； (xxiv)9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ；和 / 或(c)所述第一AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多個第一電極中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50個電極或多于50個電極施加所述第一 AC或RF電 壓；和/或(d)所述第一AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多個第二電極中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50個電極或多于50個電極施加所述第一 AC或RF電 壓；和/或(e)所述第一AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的相鄰的或毗鄰的電極 提供相反相位的所述第一 AC或RF電壓；和/或(f)所述第一AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的相鄰的或毗鄰的電極 提供相反相位的所述第一 AC或RF電壓；和/或(g)所述第一AC或RF電壓產(chǎn)生一個或更多個徑向偽勢阱，該一個或更多個偽勢阱用于 把離子徑向地限制于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括第三裝置，其被設(shè) 置成在時(shí)間段、將所述第一AC或RF電壓的振幅逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性 增大、線性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大或者以階梯式、漸近或其它方式減小Xl伏， 其中(a)Xl選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)、選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于1ms； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ；(x)80-90ms； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx)900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii)3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中在使用中沿著所述第 一離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%或95%產(chǎn)生一個或更多個第一軸向時(shí)間平均的或偽的勢壘、勢波紋或勢阱。
21.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中該離子引導(dǎo)裝置還包括 用于向所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少一些電極施加第二 AC或RF電 壓的第二 AC或RF電壓源，其中(a)所述第二AC或RF電壓具有選自由以下構(gòu)成的組的振幅⑴小于50V峰-峰值； (ii) 50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)所述第二AC或RF電壓具有選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的頻率(i)小于100kHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii)200_300kHz ； (iv)300-400kHz ； (v)400_500kHz ； (vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (x) 2. 5-3. 0MHz ；(xi)3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii)9. 0-9. 5MHz ； (xxiv)9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ；和 / 或(c)所述第二AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多個第一電極中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50個電極或多于50個電極施加所述第二 AC或RF電 壓；和/或(d)所述第一AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多個第二電極中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50個電極或多于50個電極施加所述第二 AC或RF電 壓；和/或(e)所述第二AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第一電極中的相鄰的或毗鄰的電極提供相反相位的所述第二 AC或RF電壓；和/或(f)所述第二AC或RF電壓源被設(shè)置為向所述多個第二電極中的相鄰的或毗鄰的電極 提供相反相位的所述第二 AC或RF電壓；和/或(g)所述第二AC或RF電壓產(chǎn)生一個或更多個徑向偽勢阱，該一個或更多個徑向偽勢阱 用于把離子徑向地限制于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括第四裝置，該第四 裝置被設(shè)置成在時(shí)間段t2將所述第二 AC或RF電壓的振幅逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、 掃描、線性增大、線性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或者以階梯式、漸近或其它方 式減小^伏，其中(a)x2選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)t2選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于1ms； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv) 300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv) 4-5s ； 以及(xxv)大于5s。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，在使用中沿著所述第 二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1% >5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%, 90%或95%產(chǎn)生一個或更多個第二軸向時(shí)間平均的或偽的勢壘、勢波紋或勢阱。
24.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，在使用中跨著或沿著所 述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個區(qū)段或部分保持非零軸向 和/或徑向DC電壓梯度。
25.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括用 于沿著或繞所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度或離子引導(dǎo)路徑的至 少 1%,5%,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 向上游和 / 或下游驅(qū)動或驅(qū)策離子的裝置，其中所述裝置包括(i)這樣的一種裝置，其用于向所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 施加一個或更 多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或者DC電壓波形或電勢波形，以便沿著所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、 40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游驅(qū)策至少一些離子；和/或(ii)這樣的一種裝置，其被設(shè)置成向形成所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引 導(dǎo)器的電極施加兩個或更多個相移的AC或RF電壓，以便沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或 所述第二離子引導(dǎo)器的軸向長度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、 45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游 驅(qū)策至少一些離子；和/或(iii)這樣的一種裝置，其被設(shè)置成向形成所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子 引導(dǎo)器的電極施加一個或更多個DC電壓以便產(chǎn)生或形成軸向和/或徑向DC電壓梯度，該 軸向或徑向DC電壓梯度具有沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的軸 向長度的至少 1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、 65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%向下游和/或上游驅(qū)策或驅(qū)動至少一些離 子的作用。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括第五裝置，該第五 裝置被設(shè)置成在時(shí)間段t3將所述一個或更多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或DC電壓波形或電勢 波形的振幅、高度或深度逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階梯 式、漸近或其它方式增大、或者以階梯式、漸近或其它方式減小x3伏；其中，x3選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于0. lV;(ii)0. 1-0. 2V; (iii)0.2-0. 3V (iv)0. 3-0. 4V ； (v) 0. 4-0. 5V ； (vi) 0. 5-0. 6V ； (vii) 0. 6-0. 7V ； (viii)0. 7-0. 8V(ix)0. 8-0. 9V ； (x) 0. 9-1. 0V ； (xi) 1. 0-1. 5V ； (xii) 1. 5-2. 0V ； (xiii) 2. 0-2. 5V(xiv)2. 5-3. 0V ； (xv) 3. 0-3. 5V ； (xvi) 3. 5-4. 0V ； (xvii) 4. 0-4. 5V ； (xviii) 4. 5-5. 0V (xix)5. 0-5. 5V ； (xx) 5. 5-6. 0V ； (xxi)6. 0-6. 5V ； (xxii)6. 5-7. 0V ； (xxiii)7. 0-7. 5V(xxiv)7.5-8.0V;(xxv)8.0-8.5V;(xxvi)8.5-9.0V;(xxvii)9.0-9.5V (xxviii)9. 5-10. 0V ；以及(xxix)大于 10. 0V ；和 / 或其中，t3選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于lms ； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ；(x)80-90ms； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ；(xv)400-500ms ； (xvi)500-60 0ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l_2s ； (xxii)2_3s ； (xxiii)3_4s ； (xxiv)4_5s ； 以及(xxv)大于5s。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括第六裝置，該第六 裝置被設(shè)置成在時(shí)間段t4把向所述電極施加所述一個或更多個瞬態(tài)DC電壓或電勢或DC 電壓波形或電勢波形的速度或速率逐漸增大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減 小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或者以階梯式、漸近或其它方式減小x4m/s ；其中，x4選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組⑴小于1 ;(ii)l-2 ;(iii)2-3 ;(iv)3-4 ；(v)4-5； (vi)5-6 ； (vii)6-7 ； (viii)7-8 ； (ix)8-9 ； (x)9-10 ； (xi) 10-11 ； (xii) 11-12 ； (xiii)12-13 ； (xiv)13 — 14 ； (xv)14—15 ； (xvi)15—16 ； (xvii)16—17 ； (xviii)17—18 ； (xix)18-19 ； (xx)19-20 ； (xxi)20-30 ； (xxii)30-40 ； (xxiii)40-50 ； (xxiv)50-60 ；(xxv)60-70 ；(xxvi) 70-80 ；(xxvii) 80-90 ； (xxviii) 90-100 ； (xxix) 100-150 ； (xxx) 150-200 ； (xxxi)200-250 ； (xxxii)250-300 ； (xxxiii)300-350 ； (xxxiv)350-400 ； (xxxv)400-450 ； (xxxvi)450-500 ；以及(xxxvii)大于 500 ；和 / 或其中，t4選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)小于lms ； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ； (iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2_3s ； (xxiii) 3_4s ； (xxiv) 4_5s ； 以及(xxv)大于5s。
28.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括被 設(shè)置為沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的長度或離子引導(dǎo)路徑的至 少 1%,5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 保持恒定的 非零DC電壓梯度的單元。
29.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，所述第二裝置被設(shè)置成 將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑或所述第一離子引導(dǎo)器質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選擇性地 轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑或所述第二離子引導(dǎo)器中，和/或從所述第二離子引導(dǎo)路徑 或所述第二離子引導(dǎo)器質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移到所述第一離子引導(dǎo)路徑或 所述第一離子引導(dǎo)器中。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，影響離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑 質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中和/或從所述第二離子 引導(dǎo)路徑質(zhì)量選擇性地或質(zhì)荷比選擇性地轉(zhuǎn)移到所述第一離子引導(dǎo)路徑中的參數(shù)逐漸增 大、逐漸減小、逐漸變化、掃描、線性增大、線性減小、以階梯式、漸近或其它方式增大、或者 以階梯式、漸近或其它方式減小。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，所述參數(shù)選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)在使用中，跨著或沿著所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或 更多個區(qū)段或部分保持的、或者在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個 或更多個區(qū)段或部分之間保持的軸向和/或徑向DC電壓梯度；和/或(ii)施加到所述多個第一電極和/或所述多個第二電極中的至少一些電極或大致全 部電極的一個或更多個AC或RF電壓。
32.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中，所述第一離子引導(dǎo)器 和/或所述第二離子引導(dǎo)器被設(shè)置成接收離子束或組并且對所述離子束或組進(jìn)行轉(zhuǎn)換或 劃分，以使得在任何特定時(shí)間離子的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、 18、19或20個單獨(dú)的離子包被限制和/或隔離于所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子 引導(dǎo)器中，并且其中各個離子包被單獨(dú)地限制和/或隔離于形成在所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)的單獨(dú)的軸向勢阱中。
33.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中(a)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個部分包括離子遷 移譜儀或分離器部分、區(qū)段或級，其中根據(jù)離子在所述離子遷移譜儀或分離器部分、區(qū)段或 級中的離子遷移率使離子暫時(shí)性地分離；和/或(b)所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個部分包括高場非 對稱波形離子遷移譜儀(FAIMS)部分、區(qū)段或級，其中使離子根據(jù)離子的隨著所述高場非 對稱波形離子遷移譜儀(FAIMS)部分、區(qū)段或級中的電場強(qiáng)度而變化的離子遷移率變化率暫時(shí)性地分離；和/或(c)在使用中，所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一個或更多個區(qū)段 內(nèi)提供有緩沖氣體；和/或(d)在工作模式下，離子被設(shè)置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器 的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后在不裂解的情況下被碰撞冷卻；和/或(e)在工作模式下，離子被設(shè)置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器 的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后被加熱；和/或(f)在工作模式下，離子被設(shè)置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器 的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后被裂解；和/或(g)在工作模式下，離子被設(shè)置為在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器 的一部分或一個區(qū)域內(nèi)與氣體分子相互作用后展開或至少部分地展開；和/或(h)在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的一部分或一個區(qū)域內(nèi)軸向地 俘獲離子。
34.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述第一離子引導(dǎo)器和 /或所述第二離子引導(dǎo)器還包括碰撞、裂解或反應(yīng)裝置，其中在工作模式下離子被設(shè)置為在 所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器內(nèi)通過以下方式裂解(i)碰撞誘發(fā)解離 (“CID”)； (ii)表面誘發(fā)解離(“SID”)； (iii)電子轉(zhuǎn)移解離(“ETD”)； (iv)電子捕獲 解離(“ECD”)； (v)電子碰撞或沖擊解離；(vi)光誘發(fā)解離(“PID”)； (vii)激光誘發(fā)解 離；(viii)紅外輻射誘發(fā)解離；(ix)紫外輻射誘發(fā)解離；(x)熱或溫度解離；(xi)電場誘 發(fā)解離；(xii)磁場誘發(fā)解離；(xiii)酶消化或酶降解解離；(xiv)離子_離子反應(yīng)解離； (xv)離子-分子反應(yīng)解離；(xvi)離子-原子反應(yīng)解離；(xvii)離子-亞穩(wěn)態(tài)離子反應(yīng)解 離；(xviii)離子-亞穩(wěn)態(tài)分子反應(yīng)解離；(xix)離子-亞穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)解離；以及(xx)電 子電離解離(“EID”)。
35.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括(i)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的裝置；和/或(ii)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括一個、 兩個、三個或多于三個的分離的離子引導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域的裝置，通過該離子引 導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域可以將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引 導(dǎo)器；和/或(iii)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括多個 電極的裝置，該多個電極中的各電極包括一個、兩個、三個孔或多于三個孔；和/或(iv)用于將離子注入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的、包括一個或 更多個偏轉(zhuǎn)電極的裝置，其中在使用中向所述一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極施加一個或更多個電 壓，以將離子從一個或更多個離子引導(dǎo)通道或輸入離子引導(dǎo)區(qū)域?qū)胨龅谝浑x子引導(dǎo)器 和/或所述第二離子引導(dǎo)器中。
36.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括(i)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置；和/或(ii)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置，所述裝 置包括一個、兩個、三個或多于三個分離的離子引導(dǎo)通道或退出離子引導(dǎo)區(qū)域，離子可以從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排入該離子引導(dǎo)通道或退出離子引導(dǎo)區(qū) 域；和/或(iii)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置，所述 裝置包括多個電極，各電極包括一個、兩個、三個孔或多于三個孔；和/或(iv)用于從所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器排出離子的裝置，所述裝 置包括一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極，其中在使用中向所述一個或更多個偏轉(zhuǎn)電極施加一個或更 多個電壓，以把離子從所述離子引導(dǎo)器導(dǎo)入一個或更多個離子引導(dǎo)通道或退出離子引導(dǎo)區(qū) 域中。
37.根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括(a)用于在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的至少一 部分保持在選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的壓強(qiáng)下的裝置(i)大于1.0Xl(T3mbar;(ii)大 于 1. OX 10_2mbar ； (iii)大于 1. 0X10_1mbar ； (iv)大于 lmbar (v)大于 lOmbar ； (vi)大 于 lOOmbar ； (vii)大于 `5. OX l(T3mbar ； (viii)大于 5. OX 10_2mbar ； (ix) l(T4-l(T3mbar ； (x) l(T3-l(T2mbar ；以及(xi) 10"2-lOOmbar ；禾口 / 或(b)用于在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或第二離子引導(dǎo)器的至少L長 度保持在壓強(qiáng)P下的裝置，其中乘積PXL選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)大于等于 1. OX lOOmbar cm;(ii)大于等于 1. 0 X l(T2mbarcm ； (iii)大于等于 1. 0 X lO—mbar cm; (iv)大于等于 lmbar cm ； (v)大于等于 lOmbar cm ； (vi)大于等于 102mbar cm ； (vii)大于 等于103mbar cm ； (viii)大于等于104mbar cm ；以及(ix)大于等于105mbar cm ；禾口 /或(c)用于在工作模式下將所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器保持在選 自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的壓強(qiáng)下的裝置(i)大于lOOmbar ;(ii)大于lOmbar ； (iii)大于 lmbar ； (iv)大于 0. lmbar ； (v)大于 lCT2mbar ； (vi)大于 lCT3mbar ； (vii)大于 lCT4mbar ； (viii)大于 10_5mbar ； (ix)大于 10_6mbar(x)小于 lOOmbar ； (xi)小于 lOmbar ； (xii)小 于 lmbar ； (xiii)小于 0. lmbar ； (xiv)小于 lOOmbar (xv)小于 l(T3mbar ； (xvi)小于 lOOmbar ； (xvii)小于 l(T5mbar ； (xviii)小于 lOOmbar ； (xix) 10-lOOmbar ； (xx) l-10mbar ； (xxi)0. 1-lmbar ； (xxii) 1(T2 至 lOOmbar ； (xxiii) 1(T3 至 10_2mbar ； (xxiv) 1(T4 至 lOOmbar ； 以及(xxv)l(T5 至 l(T4mbar。
38.一種質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀包括前述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的離子引導(dǎo)裝置。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀還包括(a)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游的離子源，其中所 述離子源選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)電噴霧電離(“ESI”)離子源；(ii)大氣壓光電離 (“APPI”)離子源；(iii)大氣壓化學(xué)電離(“APCI”)離子源；(iv)基質(zhì)輔助激光解吸電 離(“MALDI”)離子源；(v)激光解吸電離(“LDI”)離子源；(vi)大氣壓電離(“API”)離 子源；(vii)硅上解吸電離(“DI0S”)離子源；(viii)電子沖擊(“EI”)離子源；(ix)化 學(xué)電離(“CI”)離子源；(x)場電離(“FI”)離子源；(xi)場解吸(“FD”)離子源；(xii) 感應(yīng)耦合等離子體(“ICP”)離子源；(xiii)快原子轟擊(“FAB”)離子源；(xiv)液體二 次離子質(zhì)譜(“LSIMS”)離子源；(xv)解吸電噴霧電離(“DESI”)離子源；(xvi)鎳-63放 射性離子源；(xvii)大氣壓基質(zhì)輔助激光解吸電離離子源；(xviii)熱噴霧離子源；和/或(b)連續(xù)或脈沖式離子源；和/或(c)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個離子引導(dǎo)器；和/或(d)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個離子遷移分離裝置和/或一個或更多個高場非對稱波形離子遷移譜儀裝置；和/ 或(e)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個離子俘獲器或一個或更多個離子俘獲區(qū)域；和/或(f)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個碰撞、裂解或反應(yīng)單元，其中所述一個或更多個碰撞、裂解或反應(yīng)單元選自由以下 各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)碰撞誘發(fā)解離(“CID”)裂解裝置；(ii)表面誘發(fā)解離(“SID”)裂解 裝置；(iii)電子轉(zhuǎn)移解離(“ETD”)裂解裝置；(iv)電子捕獲解離(“ECD”)裂解裝置； (v)電子碰撞或沖擊解離裂解裝置；(vi)光誘發(fā)解離(“PID”)裂解裝置；(vii)激光誘發(fā) 解離裂解裝置；(viii)紅外輻射誘發(fā)解離裝置；(ix)紫外輻射誘發(fā)解離裝置；(x)噴嘴-分 液器接口裂解裝置；(xi)內(nèi)源裂解裝置；(xii)離子源碰撞誘發(fā)解離裂解裝置；(xiii)熱 或溫度源裂解裝置；(xiv)電場誘發(fā)裂解裝置；(xv)磁場誘發(fā)裂解裝置；(xvi)酶消化或酶 降解裂解裝置；(xvii)離子-離子反應(yīng)裂解裝置；(xviii)離子-分子反應(yīng)裂解裝置；(xix) 離子_原子反應(yīng)裂解裝置；(xx)離子_亞穩(wěn)態(tài)離子反應(yīng)裂解裝置；(xxi)離子_亞穩(wěn)態(tài)分 子反應(yīng)裂解裝置；(xxii)離子_亞穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)裂解裝置；(xxiii)用于使離子反應(yīng)以形 成加合物或產(chǎn)物離子的離子-離子反應(yīng)裝置；(xxiv)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物 離子的離子_分子反應(yīng)裝置；(xxv)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子_原 子反應(yīng)裝置；(xxvi)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子_亞穩(wěn)態(tài)離子反應(yīng) 裝置；(xxvii)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子_亞穩(wěn)態(tài)分子反應(yīng)裝置；(xxviii)用于使離子反應(yīng)以形成加合物或產(chǎn)物離子的離子-亞穩(wěn)態(tài)原子反應(yīng)裝置；以及(xxix)電子電離解離(“EID”)裂解裝置；和/或(g)選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組的質(zhì)量分析器(i)四極質(zhì)量分析器；(ii)2D或線性四極 質(zhì)量分析器；(iii)保羅或3D四極質(zhì)量分析器；(iv)彭寧俘獲器質(zhì)量分析器；(v)離子俘 獲器質(zhì)量分析器；(vi)磁式扇形質(zhì)量分析器；(vii)離子回旋共振(“ICR”)質(zhì)量分析器； (viii)傅立葉變換離子回旋共振(“FTICR”)質(zhì)量分析器；(ix)靜電或軌道阱質(zhì)量分析器； (x)傅立葉變換靜電或軌道阱質(zhì)量分析器；(xi)傅立葉變換質(zhì)量分析器；(xii)飛行時(shí)間質(zhì) 量分析器；(xiii)正交加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析器；以及(xiv)線性加速飛行時(shí)間質(zhì)量分析 器；和/或(h)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個能量分析器或靜電能量分析器；和/或(h)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一個 或更多個離子檢測器；和/或(i)設(shè)置在所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的上游和/或下游的一 個或更多個質(zhì)量過濾器，其中所述一個或更多個質(zhì)量過濾器選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i) 四極質(zhì)量過濾器；(ii) 2D或線性四極離子俘獲器；(iii)保羅或3D四極離子俘獲器；(iv) 彭寧離子俘獲器；(v)離子俘獲器；(vi)磁式扇形質(zhì)量過濾器；(vii)飛行時(shí)間質(zhì)量過濾器；以及(viii)維恩過濾器；和/或(j)用于使離子以脈沖形式進(jìn)入所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二離子引導(dǎo)器的裝 置或離子門；和/或(k)用于將大致連續(xù)的離子束轉(zhuǎn)換為脈沖式離子束的裝置。
40.根據(jù)權(quán)利要求38或39所述的質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀還包括 C形俘獲器；以及軌道阱質(zhì)量分析器；其中，在第一工作模式，離子被發(fā)送到所述C形俘獲器然后注入所述軌道阱質(zhì)量分析 器；以及其中，在第二工作模式，離子被發(fā)送到所述C形俘獲器然后被發(fā)送到碰撞單元，其中至 少一些離子被裂解為裂解離子，并且其中所述裂解離子然后在被注入到所述軌道阱質(zhì)量分 析器之前被發(fā)送到所述C形俘獲器。
41.一種包括離子引導(dǎo)裝置的質(zhì)譜儀的控制系統(tǒng)可執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序，所述離子引導(dǎo) 裝置包括包括多個第一電極的第一離子引導(dǎo)器；以及包括多個第二電極的第二離子引導(dǎo) 器；所述計(jì)算機(jī)程序被設(shè)置為使所述控制系統(tǒng)(i)在第一離子引導(dǎo)路徑和第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引導(dǎo)裝置的長度在一個 或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及(ii)通過驅(qū)策離子跨過一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移 到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。
42.一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括存儲在該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算 機(jī)可執(zhí)行指令，所述指令被設(shè)置成能夠由包括離子引導(dǎo)裝置的質(zhì)譜儀的控制系統(tǒng)執(zhí)行，以 使所述控制系統(tǒng)執(zhí)行以下操作，所述離子引導(dǎo)裝置包括包括多個第一電極的第一離子引 導(dǎo)器；以及包括多個第二電極的第二離子引導(dǎo)器，(i)在第一離子引導(dǎo)路徑和第二離子引導(dǎo)路徑之間沿所述離子引導(dǎo)裝置的長度在一個 或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及(ii)通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑 轉(zhuǎn)移到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)選自由以下各 項(xiàng)構(gòu)成的組(i)ROM ； (ii)EAROM ； (iii)EPROM ； (iv)EEPROM ； (v)閃存；以及(vi)光盤。
44.一種引導(dǎo)離子的方法，該方法包括以下步驟設(shè)置包括多個第一電極的第一離子引導(dǎo)器，其中沿著所述第一離子引導(dǎo)器或在所述第 一離子引導(dǎo)器內(nèi)形成第一離子引導(dǎo)路徑；設(shè)置包括多個第二電極的第二離子引導(dǎo)器，其中沿著所述第二離子引導(dǎo)器或在所述第 二離子引導(dǎo)器內(nèi)形成不同的第二離子引導(dǎo)路徑；在所述第一離子引導(dǎo)路徑和所述第二離子引導(dǎo)路徑之間沿著所述離子引導(dǎo)裝置的長 度在一個或更多個點(diǎn)處產(chǎn)生一個或更多個偽勢壘；以及通過驅(qū)策離子跨過所述一個或更多個偽勢壘，來將離子從所述第一離子引導(dǎo)路徑轉(zhuǎn)移 到所述第二離子引導(dǎo)路徑中。
45.一種質(zhì)譜分析方法，該質(zhì)譜分析方法包括根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法。
46.一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括兩個或更多個平行地結(jié)合的離子引導(dǎo)器。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的離子引導(dǎo)裝置，其中所述兩個或更多個平行地結(jié)合的離子 引導(dǎo)器包括第一離子引導(dǎo)器和第二離子引導(dǎo)器，其中所述第一離子引導(dǎo)器和/或所述第二 離子引導(dǎo)器選自由以下各項(xiàng)構(gòu)成的組(i)包括多個電極的離子隧道式離子引導(dǎo)器，其中所述多個電極具有至少一個孔，使用 中離子穿過所述至少一個孔傳送；和/或(ii)包括多個桿電極的桿集式離子引導(dǎo)器；和/或(iii)堆疊板式離子引導(dǎo)器，其包括大致設(shè)置于使用中離子所行進(jìn)的平面中的多個板 電極。
48.根據(jù)權(quán)利要求46或47所述的離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置還包括被設(shè)置成跨過 一個或更多個徑向的或縱向的偽勢壘在所述結(jié)合的離子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移離子的裝置。
49.一種引導(dǎo)離子的方法，該方法包括以下步驟沿著包括兩個或更多個平行地結(jié)合 的離子引導(dǎo)器的離子引導(dǎo)裝置引導(dǎo)離子。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，該方法還包括以下步驟跨過一個或更多個徑向的 或縱向的偽勢壘在所述結(jié)合的離子引導(dǎo)器之間轉(zhuǎn)移離子。
全文摘要
公開了一種離子引導(dǎo)裝置，該離子引導(dǎo)裝置包括與第二離子引導(dǎo)器(8)相結(jié)合的第一離子引導(dǎo)器(7)。通過DC電勢梯度驅(qū)策離子跨過將兩個引導(dǎo)區(qū)域隔離開的徑向偽勢壘。可以將離子從具有相對大的截面輪廓的離子引導(dǎo)器轉(zhuǎn)移到具有相對小的截面輪廓的離子引導(dǎo)器，以提高離子的后續(xù)離子約束。
文檔編號H01J49/06GK101868843SQ200880115648
公開日2010年10月20日 申請日期2008年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日
發(fā)明者凱文·賈爾斯 申請人:英國質(zhì)譜公司