專利名稱：具有被覆蓋以介電層的電極的等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板。更具體地說，本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，其可以根據(jù)放電間隙的尺寸來改變介電層的介電常數(shù)從而改善放電均勻性。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板通?？梢允褂糜蓺怏w放電產(chǎn)生的等離子體所發(fā)射的真空紫外(VUV)射線，以激發(fā)熒光物質(zhì)。所激發(fā)的熒光物質(zhì)可以產(chǎn)生紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)可見光束，從而可以顯示影像。
在交流(AC)型等離子體顯示面板中，尋址電極可以形成在后基板上。尋址電極可以被覆蓋以介電層。障肋可以相應(yīng)地在尋址電極之間按照條形圖案被布置在介電層上。R、G和B熒光層可處于障肋中。前基板可面對后基板。由成對的維持電極與掃描電極所構(gòu)成的顯示電極，可按照與尋址電極交叉的方向而位于前基板上。顯示電極可以被覆蓋以介電層和MgO保護(hù)層。放電單元可以位于后基板上的尋址電極與前基板上的顯示電極相交叉的部分。幾百萬或更多單位的放電單元可以按照矩陣圖案被排布在等離子體顯示面板中。
可以使用存儲特性來驅(qū)動等離子體顯示面板的放電單元。具體地說，為了在構(gòu)成顯示電極的維持電極與掃描電極之間產(chǎn)生放電，可能需要在一預(yù)定電壓范圍內(nèi)的電勢差，其閾值電壓可以為點(diǎn)火電壓Vf。當(dāng)將掃描電壓和尋址電壓分別施加于掃描電極和尋址電極時(shí)，可產(chǎn)生初始放電從而在放電單元中產(chǎn)生等離子體。等離子體的電子和離子可被傳送到相反極性的電極。
等離子體顯示面板的每個(gè)電極均可被涂覆以介電層。大多數(shù)被傳送的空間電荷可積聚在相反極性的介電層上。因此，掃描電極與尋址電極之間的凈空間電壓可變得低于初始提供的尋址電壓Va。其結(jié)果是，放電可能減少，而尋址放電可能消失。在這種情況下，積聚在維持電極中的電子量可能相對較少，而積聚在掃描電極中的離子量可能相對較多。積聚在覆蓋維持電極和掃描電極的介電層上的電荷為壁電荷Qw。通過壁電荷Qw而在維持電極與掃描電極之間產(chǎn)生的空間電壓為壁電壓Vw。
當(dāng)放電維持電壓Vs被施加于維持電極和掃描電極時(shí)，如果放電維持電壓Vs與壁電壓Vw的總電壓Vs+Vw大于點(diǎn)火電壓Vf，則在放電單元中可能發(fā)生維持放電。其結(jié)果是，可以產(chǎn)生VUV射線從而激發(fā)相應(yīng)的熒光層。相應(yīng)地，可以穿過透明前基板而發(fā)射可見光束。
當(dāng)在掃描電極與尋址電極之間未發(fā)生尋址放電時(shí)(也就是說，當(dāng)未被提供尋址電壓Va時(shí))，壁電荷Qw不可能積聚在維持電極與掃描電極之間。其結(jié)果是，在維持電極與掃描電極之間不可能存在壁電壓Vw。在這種情況下，在放電單元中可能只產(chǎn)生被施加于維持電極和掃描電極的放電維持電壓Vs。由于放電維持電壓Vs可低于點(diǎn)火電壓Vf，因此，在維持電極與掃描電極之間的氣體空間中不可能發(fā)生放電。
在以上述方式驅(qū)動的等離子體顯示面板中，在維持電極的透明電極與掃描電極的透明電極之間可形成放電間隙。
參見圖9，每個(gè)均具有相對較長間隙的放電單元LC可具有高點(diǎn)火電壓，而每個(gè)均具有較短間隙的放電單元SC可具有低點(diǎn)火電壓。每個(gè)均具有中等間隙的放電單元MC可具有在高點(diǎn)火電壓與低點(diǎn)火電壓之間的點(diǎn)火電壓。
透明電極可通過使用諸如刻蝕方法的各種方法來形成。不過，由于制造誤差，可能難以形成具有均勻尺寸的透明電極。在這種情況下，等離子體顯示面板的透明電極可能具有不一致的尺寸，因而放電間隙也可能變得不一致。其結(jié)果是，由于點(diǎn)火電壓變得不一致而可能產(chǎn)生問題。
在該背景技術(shù)部分中公開的上述信息，僅用于加強(qiáng)對本發(fā)明背景的理解，因此，其中可包含在本國中對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的并不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明實(shí)施例的特征在于提供一種等離子體顯示裝置，其具有被覆蓋以介電層的電極，這樣基本上克服了由于現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)的限制和不足而導(dǎo)致的一種或多種問題。
本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種，可以通過提供一種等離子體顯示面板而實(shí)現(xiàn)。所述等離子體顯示面板可包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；位于所述第一基板與所述第二基板之間的障肋，所述障肋用于限定放電單元；對應(yīng)于所述放電單元的尋址電極，所述尋址電極沿著第一方向延伸；沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極處于所述第一基板和所述第二基板中的任一基板上且對應(yīng)于所述放電單元，所述第一電極和所述第二電極互相分開從而形成具有距離的放電間隙；和覆蓋所述第一電極和所述第二電極的介電層，所述介電層依據(jù)所述放電間隙的相應(yīng)距離而具有不同的介電常數(shù)。
所述放電間隙可具有至少兩個(gè)不同的距離。所述介電層可具有至少兩個(gè)介電常數(shù)。所述放電間隙可包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中對應(yīng)于所述第一放電間隙的介電層的介電常數(shù)可大于對應(yīng)于所述第二放電間隙的介電層的介電常數(shù)。所述第一電極和第二電極可包括匯流電極，其在所述放電單元的兩個(gè)邊緣處沿著所述第二方向延伸；和透明電極，其沿著所述第一方向從所述匯流電極而朝向所述放電單元的相應(yīng)中部突出；其中，所述放電間隙可形成在所述第一電極的透明電極與所述第二電極的透明電極之間。
所述第一基板或所述第二基板可為長方形的形狀，從所述長方形的一個(gè)長側(cè)到所述長方形的另一個(gè)長側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)可變大。所述第一基板或所述第二基板可為長方形的形狀，從所述長方形的一個(gè)短側(cè)到所述長方形的另一個(gè)短側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)可變大。所述介電層可由具有至少兩個(gè)介電常數(shù)的板構(gòu)成。所述放電間隙可包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中對應(yīng)于所述第一放電間隙的介電層的厚度可大于對應(yīng)于所述第二放電間隙的介電層的厚度。所述放電間隙可包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中所述介電層被覆蓋以保護(hù)層，對應(yīng)于所述第一放電間隙的保護(hù)層的局部壓力可低于對應(yīng)于所述第二放電間隙的保護(hù)層的局部壓力。
本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種，可以通過提供一種制造等離子體顯示面板的方法而實(shí)現(xiàn)。所述方法可包括將第一基板與第二基板面對而置；在所述第一基板與所述第二基板之間形成障肋，所述障肋限定放電單元；將尋址電極沿第一方向延伸從而對應(yīng)于所述放電單元；將第一電極和第二電極沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一電極和所述第二電極處于所述第一基板和所述第二基板中的任一基板上且對應(yīng)于所述放電單元，所述第一電極和所述第二電極互相分開從而形成具有距離的放電間隙；以及將所述第一電極和所述第二電極覆蓋以介電層，所述介電層依據(jù)所述放電間隙的相應(yīng)距離而具有不同的介電常數(shù)。


通過結(jié)合附圖對本發(fā)明各示范性實(shí)施例的詳細(xì)描述，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板的分解示意圖；圖2是沿圖1中的線II-II’所截取的剖視圖；圖3是障肋與電極之間的布置關(guān)系的平面圖；圖4是形成短間隙的透明電極的局部放大圖；圖5是形成長間隙的透明電極的局部放大圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的介電板的平面圖；
圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的介電板的平面圖；圖8示出點(diǎn)火電壓相對于放電間隙的分布；和圖9示出點(diǎn)火電壓相對于放電間隙和介電層的介電常數(shù)的分布。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖在下文中對本發(fā)明進(jìn)行全面的描述，其中本發(fā)明的示范性實(shí)施例被例示在附圖中。不過，本發(fā)明可具體化為不同的形式，并且本發(fā)明不應(yīng)被認(rèn)為是局限于在此所述的實(shí)施例，相反地，提供這些實(shí)施例，是使得本公開內(nèi)容詳盡而完全，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的保護(hù)范圍。
在附圖中，為了例示清楚，可能夸大各層和各區(qū)域的尺寸。還應(yīng)理解的是，當(dāng)層或元件被稱為處于另一層或基板“之上”時(shí)，其可被直接置于所述另一層或基板上，或者也可具有中間層。進(jìn)一步地，應(yīng)理解的是，當(dāng)層被稱為處于另一層“之下”時(shí)，其可被直接置于所述另一層之下，或者也可具有一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還應(yīng)理解的是，當(dāng)層被稱為位于兩個(gè)層“之間”時(shí)，其可為所述兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可具有一個(gè)或多個(gè)中間層。在全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板的分解示意圖。圖2是沿圖1中的線II-II’所截取的剖視圖。
參照圖1和圖2，等離子體顯示面板可包括第一基板10(在下文中稱為后基板)和第二基板20(在下文中稱為前基板)，二者彼此面對且分開預(yù)定的距離，并可被密封在一起。多個(gè)障肋16可位于基板10與基板20之間。
障肋16可位于后基板10與前基板20之間，從而限定多個(gè)放電單元17。放電單元17可被充以放電氣體，例如包含氖(Ne)和氙(Xe)的氣體混合物，以便可通過氣體放電而產(chǎn)生真空紫外(VUV)射線。每個(gè)放電單元17可包括熒光層19，而熒光層19吸收VUV射線從而發(fā)射可見光束。
為了通過氣體放電而形成影像，等離子體顯示面板可包括置于后基板10與前基板20之間的尋址電極11，并且尋址電極11對應(yīng)于相應(yīng)放電單元17。等離子體顯示面板還可包括第一電極31(在下文中稱為維持電極)和第二電極32(在下文中稱為掃描電極)。
尋址電極11可處于后基板10的上表面上，并可沿著第一方向(圖中的y軸方向)延伸從而對應(yīng)于鄰近的放電單元17。尋址電極11可以沿著與第一方向交叉的第二方向(圖中的x軸方向)而相互平行并對應(yīng)于鄰近的放電單元17。
尋址電極11被覆蓋以介電層13，而介電層13覆蓋后基板10的上表面。介電層13可在放電過程中防止尋址電極11被正離子或電子直接轟擊，從而保護(hù)尋址電極11免受損壞。進(jìn)一步地，介電層13可形成并積聚壁電荷。當(dāng)可見光束向前傳輸時(shí)，后基板10上的尋址電極11不可能干涉。這樣，尋址電極11可由不透光材料制成，例如由具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬材料制成。
障肋16可位于后基板10之上的介電層13上，以用于限定放電單元17。障肋16可包括沿著第一方向延伸的第一障肋構(gòu)件16a和沿著第二方向延伸的第二障肋構(gòu)件16b，從而按照矩陣圖案形成放電單元17。
如果障肋16僅包括沿著第一方向延伸的第一障肋構(gòu)件16a，而對于第二方向也類似地，則放電單元17可形成為條形圖案。
熒光層19可相應(yīng)地形成在放電單元17中。為了形成熒光層19，可將光電導(dǎo)熒光膏涂覆在障肋16的側(cè)表面上和介電層13的表面上。所述光電導(dǎo)熒光膏然后可經(jīng)受干燥、曝光、顯影和退火處理。
對于沿著第一方向排布的放電單元17，熒光層19可具有相同的顏色。而另一方面，對于沿著第二方向重復(fù)排列的放電單元17，可重復(fù)地形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光層19。
維持電極31和掃描電極32可位于前基板20的下表面上，并可對應(yīng)于相應(yīng)的放電單元17，從而形成表面放電結(jié)構(gòu)。維持電極31和掃描電極32可沿著與第一方向交叉的第二方向延伸。
維持電極31和掃描電極32可與尋址電極11相交叉，并可彼此面對以對應(yīng)于放電單元17，而且可被覆蓋以介電層40。介電層40可保護(hù)維持電極31和掃描電極32免于遭受氣體放電。進(jìn)一步地，介電層40可在放電過程中形成并積聚壁電荷。
介電層40可被覆蓋以保護(hù)層23。保護(hù)層23可由諸如MgO的透明材料制成，其可保護(hù)介電層40，從而在放電過程中增加二次電子發(fā)射系數(shù)。
維持電極31和掃描電極32可分別包括產(chǎn)生放電的透明電極31a和32a，和分別向透明電極31a和32a提供電壓信號的匯流電極31b和32b。
透明電極31a和32a可在放電單元17中產(chǎn)生表面放電。為了確保放電單元17的良好孔徑比，透明電極31a和32a可由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)之類的透明材料制成。匯流電極31b和32b可由具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬材料制成，以便可以補(bǔ)償透明電極31a和32a的高電阻。
參照圖3，透明電極31a和32a可沿著第一方向從放電單元17的邊緣部分而朝向放電單元17的中心部分突出。放電間隙G可處于每個(gè)放電單元17的中心部分。如圖1中所示，放電間隙G可具有分別延伸到透明電極31a和32a之中的延伸間隙部分W31和W32。
匯流電極31b和32b可分別排布在透明電極31a和32a上，并沿著第二方向從放電單元17的邊緣部分延伸。當(dāng)電壓信號被施加到匯流電極31b和32b時(shí)，所述電壓信號可分別被施加到分別連接至匯流電極31b和32b的透明電極31a和32a。
當(dāng)?shù)入x子體顯示面板被驅(qū)動時(shí)，在重置周期期間，響應(yīng)于施加到維持電極31的重置脈沖而發(fā)生重置放電。在尋址周期期間，響應(yīng)于施加到掃描電極32的掃描脈沖以及施加到尋址電極11的尋址脈沖而發(fā)生尋址放電。在維持周期期間，響應(yīng)于施加到維持電極31和掃描電極32的維持脈沖而發(fā)生維持放電。
維持電極31和掃描電極32可被用作用于提供維持放電所需維持脈沖的電極。掃描電極32可被用作用于提供重置脈沖和掃描脈沖的電極。尋址電極11可被用作用于提供尋址脈沖的電極。維持電極31、掃描電極32和尋址電極11可根據(jù)施加于每個(gè)電極的電壓波形而以不同方式起作用。因此，這些電極并不局限于上述的作用。
在等離子體顯示面板中，當(dāng)由于尋址電極11與掃描電極32之間的相互作用而發(fā)生尋址放電時(shí)，可以選擇將被選通的放電單元17。進(jìn)一步地，當(dāng)由于維持電極31與掃描電極32之間的相互作用而發(fā)生維持放電時(shí)，可以驅(qū)動所選擇的那些放電單元17。其結(jié)果是，可以形成影像。
覆蓋維持電極31和掃描電極32的介電層40的介電常數(shù)，可依據(jù)放電間隙G的尺寸，即距離而改變。例如，對于具有大約70μm、大約75μm、大約80μm或大約85μm尺寸的放電間隙G，介電層40的介電常數(shù)可分別為大約12.3、大約12.8、大約13.3或大約13.6。如果認(rèn)為其為線性關(guān)系，則所述放電間隙乘以大約0.168將得到近似的介電常數(shù)。
加大放電間隙G的距離可以增大點(diǎn)火電壓Vf?？s小放電間隙G的距離可以減小點(diǎn)火電壓Vf。而且，降低介電層40的介電常數(shù)可以升高點(diǎn)火電壓Vf，而升高介電層40的介電常數(shù)可以降低點(diǎn)火電壓Vf。
在本發(fā)明中，由于介電層40的介電常數(shù)可隨著放電間隙G的距離的加大而增加，因此，由放電間隙G的距離的增加而導(dǎo)致的點(diǎn)火電壓Vf的升高，與由介電層40的介電常數(shù)的增加而導(dǎo)致的點(diǎn)火電壓Vf的降低，可相互補(bǔ)償。
而且，由于介電層40的介電常數(shù)可隨著放電間隙G的距離的縮小而減小，因此，由放電間隙G的距離的減小而導(dǎo)致的點(diǎn)火電壓Vf的降低，與由介電層40的介電常數(shù)的減小而導(dǎo)致的點(diǎn)火電壓Vf的升高，可相互補(bǔ)償。
根據(jù)本發(fā)明，由于介電層40的介電常數(shù)可隨著放電間隙G的改變而改變，因此，點(diǎn)火電壓Vf可被保持均勻。其結(jié)果是，等離子體顯示面板可具有改善的放電均勻性。
點(diǎn)火電壓Vf的值可與介電層40的厚度相關(guān)。當(dāng)介電層40的厚度增加大約1μm時(shí)，點(diǎn)火電壓Vf可增加大約3V。因此，點(diǎn)火電壓Vf不但可通過控制介電層40的介電常數(shù)被保持均勻，而且可通過控制介電層40的厚度被保持均勻。也就是說，當(dāng)放電間隙G較寬時(shí)，點(diǎn)火電壓Vf較高。在這種情況下，可通過減小介電層40的厚度而降低點(diǎn)火電壓Vf。其結(jié)果是，點(diǎn)火電壓Vf可被保持均勻。當(dāng)然，類似的方式也適用于當(dāng)放電間隙G較窄時(shí)的情況。
增加覆蓋介電層40的保護(hù)層23的局部壓力，可升高點(diǎn)火電壓Vf。當(dāng)所述局部壓力為大約1.26×10-7托時(shí)，點(diǎn)火電壓Vf為大約248V。不過，當(dāng)所述局部壓力為大約7.73×10-7托時(shí)，所述點(diǎn)火電壓Vf為大約256V，即增加了大約8V。而且，如果保護(hù)層23的晶粒尺寸較大，則其局部壓力可增加。因此，增加晶粒尺寸可升高點(diǎn)火電壓Vf。相應(yīng)地，當(dāng)放電間隙G較寬時(shí)，點(diǎn)火電壓Vf較高，可通過使用具有較低局部壓力的保護(hù)層23而將點(diǎn)火電壓Vf保持均勻。相反地，當(dāng)放電間隙G較窄時(shí)，以相反的方式也可實(shí)現(xiàn)類似的情況。
放電間隙G可形成在維持電極31的透明電極31a與掃描電極32的透明電極32a之間。
透明電極31a和32a可形成在相應(yīng)的放電單元17中，從而具有兩種不同的尺寸而不是具有相同的尺寸。透明電極31a和32a對于相應(yīng)的放電單元17可具有不同的尺寸。類似地，介電層40的介電常數(shù)在每個(gè)放電單元17中可有所不同。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，為了將點(diǎn)火電壓Vf保持均勻，介電層40的介電常數(shù)可依據(jù)放電間隙G的尺寸而改變。
參照圖4，短間隙SG可形成在透明電極131a與132a之間。為了適應(yīng)于所述短間隙SG，介電層40可具有低介電常數(shù)P1。
用于形成短間隙SG的透明電極131a和132a，可在低點(diǎn)火電壓Vf下產(chǎn)生維持放電。具有低介電常數(shù)P1的介電層40會略微降低點(diǎn)火電壓Vf。
參照圖5，長間隙LG可形成在透明電極231a與232a之間。為了適應(yīng)于所述長間隙LG，介電層40可具有高介電常數(shù)P2。
用于形成長間隙LG的透明電極231a和232a，可在高點(diǎn)火電壓Vf下產(chǎn)生維持放電。因此，具有高介電常數(shù)P2的介電層40可顯著降低點(diǎn)火電壓Vf。
在此，短間隙SG、長間隙LG、低介電常數(shù)P1和高介電常數(shù)P2可均為相對的值。
參照圖6，介電層40可連附在前基板20上，前基板20具有彼此平行的第一長側(cè)21a和第二長側(cè)22a，以及垂直于第一長側(cè)21a和第二長側(cè)22a的短側(cè)21b和22b。介電層40可被構(gòu)造為包括用于覆蓋維持電極31和掃描電極32的長方形板。
除了所述長方形板，介電層40可利用膏狀物或其他等同物來構(gòu)成。在本發(fā)明中，整體型板可使用諸如帶來進(jìn)行連附。
介電層40可具有這樣的介電常數(shù)分布，即從第一長側(cè)21a到第二長側(cè)22a，其介電常數(shù)變大。在這種情況下，放電間隙G具有一種這樣的方式，即從形成短間隙SG的第一長側(cè)21a到形成長間隙LG的第二長側(cè)22a，放電間隙G變大。
參照圖7，介電層41可具有這樣的介電常數(shù)分布，即從第一短側(cè)21b到第二短側(cè)22b，其介電常數(shù)變大。在這種情況下，放電間隙G可具有一種這樣的方式，即從形成短間隙SG的第一短側(cè)21b到形成長間隙LG的第二短側(cè)22b，放電間隙G變大。而且，還可能具有一種這樣的介電層，即其結(jié)合了圖6和圖7中所示的介電常數(shù)梯度，使得最小介電常數(shù)可位于一角處而最大介電常數(shù)可位于其相對的對角處。
參照圖8，對于熒光層19的每種顏色，放電間隙可形成為短間隙SG。當(dāng)放電單元17對應(yīng)于具有低介電常數(shù)P1的介電層40時(shí)，放電間隙可形成為長間隙LG。點(diǎn)火電壓Vf幾乎是均勻的，除非放電單元17對應(yīng)于具有高介電常數(shù)P2的介電層40。在圖8中，示出了有關(guān)在顯示B、G或R熒光層下的點(diǎn)火電壓Vf_B、Vf_G或Vf_R以及有關(guān)在全顯示條件下的點(diǎn)火電壓Vf_W的分布。
當(dāng)將圖8與圖9進(jìn)行比較時(shí)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板中所獲得的點(diǎn)火電壓(參見圖8)，與圖9中的通常的點(diǎn)火電壓相比，可具有更好的分布均勻性。
本發(fā)明的各示范性實(shí)施例已經(jīng)公開于此，雖然采用了特定的用語，不過其使用應(yīng)被認(rèn)為是通用的而且僅為描述性的，而并非用于限制。因此，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言應(yīng)理解的是，在不偏離如所附權(quán)利要求書中所述的本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種形式上和細(xì)節(jié)上的修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；位于所述第一基板與所述第二基板之間的障肋，所述障肋用于限定放電單元；對應(yīng)于所述放電單元的尋址電極，所述尋址電極沿著第一方向延伸；沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極處于所述第一基板和所述第二基板中的任一基板上且對應(yīng)于所述放電單元，所述第一電極和所述第二電極互相分開從而形成具有距離的放電間隙；和覆蓋所述第一電極和所述第二電極的介電層，所述介電層依據(jù)所述放電間隙的相應(yīng)距離而具有不同的介電常數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述放電間隙具有至少兩個(gè)不同的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層具有至少兩個(gè)介電常數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述放電間隙包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中，對應(yīng)于所述第一放電間隙的介電層的介電常數(shù)大于對應(yīng)于所述第二放電間隙的介電層的介電常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述第一電極包括匯流電極，其在所述放電單元的兩個(gè)邊緣處沿著所述第二方向延伸；和透明電極，其沿著所述第一方向從所述匯流電極而朝向所述放電單元的相應(yīng)中部突出；其中所述第二電極包括匯流電極，其在所述放電單元的兩個(gè)邊緣處沿著所述第二方向延伸；和透明電極，其沿著所述第一方向從所述匯流電極而朝向所述放電單元的相應(yīng)中部突出；并且其中，所述放電間隙形成在所述第一電極的透明電極與所述第二電極的透明電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一基板或所述第二基板為長方形的形狀，而且從所述長方形的一長側(cè)到所述長方形的另一長側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)變大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一基板或所述第二基板為長方形的形狀，而且從所述長方形的一短側(cè)到所述長方形的另一短側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)變大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層為具有至少兩個(gè)介電常數(shù)的板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述放電間隙包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中，對應(yīng)于所述第一放電間隙的介電層的厚度大于對應(yīng)于所述第二放電間隙的介電層的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述放電間隙包括具有第一距離的第一放電間隙；和具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中，所述介電層被覆蓋以保護(hù)層，而且對應(yīng)于所述第一放電間隙的保護(hù)層的局部壓力低于對應(yīng)于所述第二放電間隙的保護(hù)層的局部壓力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，其中當(dāng)所述局部壓力約為1.26×10-7托時(shí)，點(diǎn)火電壓約為248V，而當(dāng)所述局部壓力約為7.73×10-7托時(shí)，點(diǎn)火電壓約為256V。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中當(dāng)所述放電間隙的距離約為70μm、75μm、80μm或85μm時(shí)，所述介電層的介電常數(shù)分別約為12.3、12.8、13.3或13.6。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中當(dāng)所述介電層的厚度增加約1μm時(shí)，點(diǎn)火電壓增加約3V。
14.一種制造等離子體顯示面板的方法，包括將第一基板與第二基板面對而置；在所述第一基板與所述第二基板之間形成障肋，所述障肋用于限定放電單元；將尋址電極沿第一方向延伸從而對應(yīng)于所述放電單元；將第一電極和第二電極沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一電極和所述第二電極處于所述第一基板和所述第二基板中的任一基板上且對應(yīng)于所述放電單元，所述第一電極和所述第二電極互相分開從而形成具有距離的放電間隙；以及將所述第一電極和所述第二電極覆蓋以介電層，所述介電層依據(jù)所述放電間隙的相應(yīng)距離而具有不同的介電常數(shù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述放電間隙具有至少兩個(gè)不同的距離。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述介電層具有至少兩個(gè)介電常數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述形成放電間隙的步驟包括形成具有第一距離的第一放電間隙；以及形成具有第二距離的第二放電間隙，所述第二距離小于所述第一距離；其中，對應(yīng)于所述第一放電間隙的介電層的介電常數(shù)大于對應(yīng)于所述第二放電間隙的介電層的介電常數(shù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述將第一電極延伸的步驟包括將匯流電極在所述放電單元的兩個(gè)邊緣處沿著所述第二方向延伸；以及將透明電極沿著所述第一方向從所述匯流電極而朝向所述放電單元的相應(yīng)中部突出；其中所述將第二電極延伸的步驟包括將匯流電極在所述放電單元的兩個(gè)邊緣處沿著所述第二方向延伸；以及將透明電極沿著所述第一方向從所述匯流電極而朝向所述放電單元的相應(yīng)中部突出；其中，所述放電間隙形成在所述第一電極的透明電極與所述第二電極的透明電極之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一基板或所述第二基板形成為長方形的形狀，而且從所述長方形的一長側(cè)到所述長方形的另一長側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)變大。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一基板或所述第二基板形成為長方形的形狀，而且從所述長方形的一短側(cè)到所述長方形的另一短側(cè)，所述放電間隙的距離和所述介電層的介電常數(shù)變大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板，其盡管具有不均勻的放電間隙，但還是具有均勻分布的點(diǎn)火電壓。所述等離子體顯示面板包括第一基板；面對第一基板的第二基板；位于第一基板與第二基板之間的障肋，所述障肋用于限定放電單元；對應(yīng)于所述放電單元的尋址電極，所述尋址電極沿著第一方向延伸；分別沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極形成在所述第一基板和第二基板中的任一基板上且對應(yīng)于所述放電單元；和覆蓋所述第一電極和第二電極的介電層。其中，所述第一電極和第二電極互相分開從而形成具有距離的放電間隙，所述介電層依據(jù)所述放電間隙的距離而具有不同的介電常數(shù)，從而根據(jù)所述放電間隙的距離來改善放電均勻性。
文檔編號H01J17/04GK101047093SQ20071008953
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月29日
發(fā)明者宋正錫, 金基東, 秋成勛, 金俊亨, 金相賢, 李普遠(yuǎn) 申請人:三星Sdi株式會社