專利名稱：彩色陰極射線管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于TV、監(jiān)視器等的彩色陰極射線管裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，廣泛使用著所謂自會(huì)聚直線型彩色陰極射線管裝置。該彩色陰極射線管裝置包括直線型(一字形排列)電子槍，發(fā)射由通過(guò)同一水平面上的中心電子束和其兩側(cè)的一對(duì)側(cè)電子束構(gòu)成的、排列成一列的三個(gè)電子束；偏轉(zhuǎn)裝置，產(chǎn)生枕(ピンクツシヨン)形水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)和筒(バレル)形垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)；以及上下一對(duì)或者上下一對(duì)及左右一對(duì)永久磁鐵，為了輔助該水平及垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，設(shè)在偏轉(zhuǎn)裝置的屏幕側(cè)開(kāi)口端部。該彩色陰極射線管裝置中，組合這些電子槍和偏轉(zhuǎn)裝置，使得三個(gè)電子束會(huì)聚在整個(gè)畫面上，并且畫面的上下或上下左右的偏轉(zhuǎn)失真(光柵失真)大致成為直線狀。
以前，以提高光柵失真性能為目的、及以降低溫度變化引起的會(huì)聚性能和光柵失真的變化為目的，而提出了偏轉(zhuǎn)裝置上設(shè)置各種輔助裝置的技術(shù)方案。
例如，專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了這樣的技術(shù)，即為了降低溫度變化引起的會(huì)聚特性的變化，在偏轉(zhuǎn)裝置上設(shè)置由電路構(gòu)成的溫度補(bǔ)償裝置。
此外，在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了這樣的技術(shù)，即，為了降低溫度變化引起的光柵失真特性的變化，而在偏轉(zhuǎn)裝置上設(shè)置了磁性溫度補(bǔ)償裝置，該磁性溫度補(bǔ)償裝置在光柵失真補(bǔ)償用磁鐵上粘貼著溫度系數(shù)不同于該磁鐵的部件。
專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了這樣的技術(shù)，即除了用于補(bǔ)償上下的枕狀光柵失真的一對(duì)第一磁鐵之外，在偏轉(zhuǎn)裝置的屏幕側(cè)開(kāi)口端部的上下設(shè)置了極性與一對(duì)第一磁鐵相反的一對(duì)第二磁鐵。
專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7中公開(kāi)了這樣的技術(shù)，即在偏轉(zhuǎn)裝置的屏幕側(cè)開(kāi)口端部的上下設(shè)置用于校正上下的枕狀光柵失真的一對(duì)第一磁鐵，在偏轉(zhuǎn)裝置的內(nèi)周面上設(shè)置極性與一對(duì)第一磁鐵相反的一對(duì)第二磁鐵，且該一對(duì)第二磁鐵沿管軸方向設(shè)在磁芯的中央位置附近。
專利文獻(xiàn)1(日本)特開(kāi)2001-52631號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2(日本)特開(kāi)平7-15736號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3(日本)特開(kāi)昭63-62139號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4(日本)特開(kāi)2001-160364號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5(日本)特開(kāi)2001-243899號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6(日本)特開(kāi)平6-283115號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7(日本)特公昭58-32892號(hào)公報(bào)近年來(lái)，對(duì)于使用了彩色陰極射線管裝置的電視裝置的高像質(zhì)及低成本的要求年年都越來(lái)越高。因此，追加安裝了高價(jià)且復(fù)雜的裝置來(lái)謀求高像質(zhì)的結(jié)構(gòu)，從成本方面看是難以實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)上述的專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2公開(kāi)的電路結(jié)構(gòu)的溫度補(bǔ)償裝置，雖然能夠降低溫度變化引起的會(huì)聚特性的變化，但不能降低溫度變化引起的光柵失真特性的變化。此外，根據(jù)偏轉(zhuǎn)裝置的阻抗，需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)的溫度補(bǔ)償裝置的各元件進(jìn)行設(shè)計(jì)變更。再者，存在偏轉(zhuǎn)裝置變復(fù)雜且高價(jià)的問(wèn)題。
根據(jù)專利文獻(xiàn)3公開(kāi)的磁性的溫度補(bǔ)償裝置，雖然可以降低溫度變化引起的光柵失真特性的變化，但存在同具有負(fù)溫度系數(shù)的通用的磁鐵一起使用的具有正溫度系數(shù)的特殊部件是高價(jià)的問(wèn)題。
根據(jù)專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5公開(kāi)的2對(duì)磁鐵，雖然改善了上下的光柵失真，但不能充分降低溫度變化引起的光柵失真特性的變化。此外，僅調(diào)整偏轉(zhuǎn)裝置的磁場(chǎng)分布，不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)左右光柵的直線性和會(huì)聚性。因此，為了校正左右的光柵失真，例如需要在電視組件中增加校正電路，存在裝置變復(fù)雜且高價(jià)的問(wèn)題。
根據(jù)專利文獻(xiàn)6、專利文獻(xiàn)7公開(kāi)的2對(duì)磁鐵，雖然改善了上下的光柵失真，但不能充分地降低溫度變化引起的光柵失真特性的變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決以往的彩色陰極射線管裝置具有的上述問(wèn)題而做出的，其目的在于提供一種彩色陰極射線管裝置，不必附加使用了特殊材料的輔助校正裝置或復(fù)雜的輔助校正裝置，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)降低對(duì)溫度變化的光柵失真特性的變化且價(jià)格低。
本發(fā)明的彩色陰極射線管裝置，包括彩色陰極射線管，具有發(fā)射出沿水平方向配置成一列的三個(gè)電子束的電子槍和通過(guò)從上述電子槍發(fā)射的上述三個(gè)電子束的轟擊而發(fā)光的熒光屏；以及偏轉(zhuǎn)裝置，具有發(fā)生使上述三個(gè)電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的水平偏轉(zhuǎn)線圈、發(fā)生使上述三個(gè)電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、提高上述水平偏轉(zhuǎn)線圈及垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁效率的磁芯、以及在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的外側(cè)且上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈及上述磁芯的內(nèi)側(cè)配置的間隔件。
上述偏轉(zhuǎn)裝置，在包含管軸及水平方向軸的水平方向面的上側(cè)設(shè)有第一磁場(chǎng)發(fā)生體，該第一磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的下側(cè)設(shè)有第二磁場(chǎng)發(fā)生體，該第二磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的上側(cè)設(shè)有第三磁場(chǎng)發(fā)生體，該第三磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的下側(cè)設(shè)有第四磁場(chǎng)發(fā)生體，該第四磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)。
上述第一磁場(chǎng)發(fā)生體和第二磁場(chǎng)發(fā)生體被配置在相對(duì)于上述磁芯的上述熒光屏側(cè)的最外周緣同管軸相反的一側(cè)，并離開(kāi)上述磁芯；上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體和第四磁場(chǎng)發(fā)生體被配置于在上述磁芯和上述間隔件之間沿管軸方向比上述磁芯的中央位置更位于上述熒光屏一側(cè)。
本發(fā)明的效果如下根據(jù)本發(fā)明，可以提供彩色陰極射線管裝置，不必附加輔助校正裝置，就能以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)降低對(duì)溫度變化的光柵失真特性的變化，且價(jià)格低。


圖1是示出了本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置的概略結(jié)構(gòu)的半剖面圖。
圖2是示出了在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置中，在某一瞬間水平偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的圖。
圖3是示出了在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置中，在某一瞬間垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的圖。
圖4A是示出了在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置中，從熒光屏側(cè)看去的第一對(duì)永久磁鐵的磁極配置的主視圖，圖4B是示出了第一對(duì)永久磁鐵對(duì)于四極磁場(chǎng)的上下光柵的作用的圖。
圖5A是示出了在本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置中，從熒光屏側(cè)看去的第二對(duì)永久磁鐵的磁極配置的主視圖，圖5B是示出了第二對(duì)永久磁鐵對(duì)于四極磁場(chǎng)的上下光柵的作用的圖。
圖6A是圖1的局部VIA的放大剖面圖。圖6B是在本發(fā)明的其他實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置中，示出了第三磁場(chǎng)發(fā)生體的周邊的、沿著包含管軸及垂直方向軸的垂直方向面的剖面圖。
圖7是示出了永久磁鐵的磁力測(cè)量方法的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置。
圖1是示出了本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的彩色陰極射線管裝置的概略結(jié)構(gòu)的半剖面圖。為了以下說(shuō)明的方便，將管軸作為Z軸，將水平方向(屏幕的長(zhǎng)邊方向)軸作為X軸，將垂直方向(屏幕的短邊方向)軸作為Y軸。X軸和Y軸在Z軸上正交。圖1中，在Z軸的上側(cè)示出了剖面圖，在下側(cè)示出了外觀圖。
如圖1所示，該彩色陰極射線管裝置1包括彩色陰極射線管10、偏轉(zhuǎn)裝置30、CPU(Convergence Purity Unit)40及速度調(diào)制線圈50等。
彩色陰極射線管10包括由面板11和漏斗部12接合而構(gòu)成的玻璃真空管，和被收容在其內(nèi)部的蔭罩15及直線型電子槍(下面簡(jiǎn)稱為“電子槍”)16。
在面板11的內(nèi)表面形成有規(guī)則地排列紅、綠、藍(lán)的各熒光體點(diǎn)(或者熒光體條)而構(gòu)成的大致矩形的熒光屏14。蔭罩15相對(duì)于熒光屏14隔著大致固定間隔而設(shè)置。在蔭罩15上設(shè)有多個(gè)點(diǎn)形狀或狹縫狀的電子束通過(guò)孔。從電子槍16射出的三束電子束18R、18G、18B(三束電子束排列在平行于X軸的一直線上，因此在圖中僅示出了靠前的一束電子束)，通過(guò)設(shè)在蔭罩15上的電子束通過(guò)孔，轟擊期望的熒光體并發(fā)光。
電子槍16配設(shè)在漏斗部12的頸部13的內(nèi)部。該電子槍16將在水平方向軸(X軸)上直線排列的3束電子束，即中央的中心電子束18G和在X軸方向配置在該中心電子束18G兩側(cè)的一對(duì)側(cè)電子束18R、18B朝著熒光屏14發(fā)射。
偏轉(zhuǎn)裝置30設(shè)在從漏斗部12的大直徑部至頸部13的部分的外周面上。偏轉(zhuǎn)裝置30是將鞍形的水平偏轉(zhuǎn)線圈32和環(huán)形的垂直偏轉(zhuǎn)線圈34作為主偏轉(zhuǎn)線圈而具有的鞍-環(huán)形偏轉(zhuǎn)裝置。垂直偏轉(zhuǎn)線圈34被卷繞在鐵氧體磁芯(下面簡(jiǎn)單稱為“磁芯”)36上。磁芯36是在熒光屏14側(cè)具有大直徑部、在電子槍16側(cè)具有小直徑部的大致漏斗形狀，提高垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)和水平偏轉(zhuǎn)線圈32發(fā)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁效率。在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34及磁芯36和配置在它們的漏斗部12一側(cè)(內(nèi)側(cè))的水平偏轉(zhuǎn)線圈32之間，設(shè)有樹(shù)脂框(間隔件)38。該樹(shù)脂框38保持水平偏轉(zhuǎn)線圈32和垂直偏轉(zhuǎn)線圈34之間的電絕緣狀態(tài)，并且實(shí)現(xiàn)支承兩偏轉(zhuǎn)線圈32、34的作用。
垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線以適當(dāng)?shù)姆植季砝@在磁芯36上，以便得到后述的期望的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。例如，可以在包含Z軸及Y軸的面(YZ面，即垂直方向面)上存在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線，也可以不存在。在圖1的Z軸的上側(cè)，示出了在YZ面上存在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線的情況，在圖1的Z軸的下側(cè)，示出了在YZ面上不存在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線的情況。
水平偏轉(zhuǎn)線圈32發(fā)生如圖2的虛線所示的枕形的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)32a，垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生如圖3的虛線所示的筒形的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)34a。從電子槍16射出的三束電子束18R、18G、18B通過(guò)該水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)32a及垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)34a向水平方向及垂直方向偏轉(zhuǎn)，以光柵掃描方式在熒光屏14上進(jìn)行掃描。此外，通過(guò)由水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)32a和垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)34a形成的非均勻磁場(chǎng)，三束電子束18R、18G、18B會(huì)聚在熒光屏14的整個(gè)面上。
在頸部13的外周面上，CPU40設(shè)在與電子槍16在Z軸方向上重復(fù)的位置，進(jìn)行畫面中央部的三個(gè)電子束18R、18G、18B的靜會(huì)聚調(diào)整及純度(purity)調(diào)整。CPU40包括安裝在圓筒形的樹(shù)脂框42上的純度(色純度)磁鐵44、四極磁鐵46和六極磁鐵48。純度磁鐵44、四極磁鐵46、六極磁鐵48都由具有圓環(huán)形的2片磁鐵為一組而構(gòu)成。
速度調(diào)制線圈50由夾著包含X軸及Z軸的面(XZ面，即水平方向面)配置在兩側(cè)的一對(duì)環(huán)形線圈構(gòu)成。一對(duì)環(huán)形線圈相對(duì)于Z軸大致對(duì)稱地安裝在CPU40的樹(shù)脂框42上。一對(duì)環(huán)形線圈中流過(guò)與對(duì)影像信號(hào)進(jìn)行微分而得到的速度調(diào)制信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流。速度調(diào)制線圈50發(fā)生垂直方向的磁場(chǎng)，通過(guò)調(diào)制電子束的水平掃描速度，進(jìn)行圖像的輪廓加強(qiáng)。
偏轉(zhuǎn)裝置30包括相互成對(duì)的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG，相互成對(duì)的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg。第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg都配置在包含Y軸及Z軸的面(YZ面)上。
圖4A是示出了從熒光屏14側(cè)看去的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的磁極配置和由此形成的磁場(chǎng)的主視圖。如圖所示，永久磁鐵TG及永久磁鐵BG是相同的永久磁鐵，其位置及磁極的朝向相對(duì)于Z軸是對(duì)稱的。
在XZ面的上側(cè)配置的永久磁鐵TG(第一磁場(chǎng)發(fā)生體)，發(fā)生與垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生的磁場(chǎng)相同極性的磁場(chǎng)，使得三個(gè)電子束18B、18G、18R向XZ面的上側(cè)偏轉(zhuǎn)。在XZ面的下側(cè)配置的永久磁鐵BG(第二磁場(chǎng)發(fā)生體)，發(fā)生與垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生的磁場(chǎng)相同極性的磁場(chǎng)，使得三個(gè)電子束18B、18G、18R向XZ面的下側(cè)偏轉(zhuǎn)。即，第一對(duì)永久磁鐵TG、BG發(fā)生將向畫面的Y軸上的上下端附近偏轉(zhuǎn)的三個(gè)電子束18B、18G、18R拉引向上下端的四極磁場(chǎng)。因此，如圖4B所示，第一對(duì)永久磁鐵TG、BG將用點(diǎn)劃線90表示的枕狀的上下光柵失真降低至如實(shí)線91所示(即，使上下的光柵接近筒形)。
圖5A是示出了從熒光屏14側(cè)看去的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的磁極配置和由此形成的磁場(chǎng)的主視圖。如該圖所示，永久磁鐵TIMg和永久磁鐵BIMg是相同的永久磁鐵，其位置及磁極的朝向相對(duì)于Z軸是對(duì)稱的。
在XZ面的上側(cè)配置的永久磁鐵TIMg(第三磁場(chǎng)發(fā)生體)，發(fā)生與垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生的磁場(chǎng)相反極性的磁場(chǎng)，使得三個(gè)電子束18B、18G、18R向XZ面的上側(cè)偏轉(zhuǎn)。在XZ面的下側(cè)配置的永久磁鐵BIMg(第四磁場(chǎng)發(fā)生體)，發(fā)生與垂直偏轉(zhuǎn)線圈34發(fā)生的磁場(chǎng)相反極性的磁場(chǎng)，使得三個(gè)電子束18B、18G、18R向XZ面的下側(cè)偏轉(zhuǎn)。即，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg發(fā)生將向畫面的Y軸上的上下端附近偏轉(zhuǎn)的三個(gè)電子束18B、18G、18R拉引向畫面中央的四極磁場(chǎng)。因此，如圖5B所示，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg將用點(diǎn)劃線90表示的枕形的上下的光柵失真增大至如實(shí)線92所示。
如圖1所示，第一對(duì)永久磁鐵TG、BG配置在磁芯36的大直徑側(cè)端部附近。更詳細(xì)地說(shuō)，在Y軸方向上，在相對(duì)于磁芯36的大直徑側(cè)的最外周邊同Z軸相反的一側(cè)，離開(kāi)磁芯36而配置。此外，在Z軸方向上，優(yōu)選第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的中心是與磁芯36的大直徑側(cè)端部相同的位置，或者位于比它更靠近熒光屏14一側(cè)。
如圖1所示，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg在Z軸方向上配置成，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的中心比磁芯36的Z軸方向的中央位置更靠近熒光屏14一側(cè)。在Z軸方向上，優(yōu)選第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的中心比磁芯36的大直徑側(cè)端部更靠近電子槍16一側(cè)。此外，如圖6A及6B所示，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg配置在磁芯36和樹(shù)脂框38之間。
示出將本發(fā)明應(yīng)用于21英寸型、偏轉(zhuǎn)角為90°的彩色陰極射線管裝置時(shí)(下面稱為“實(shí)驗(yàn)例”)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
本實(shí)施例的彩色陰極射線管裝置如圖1所示。如圖1的Z軸的上側(cè)所示，在YZ面上也配置了垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的卷線。
作為第一對(duì)永久磁鐵TG、BG，使用了X軸方向尺寸為51mm、Y軸方向尺寸為10mm、Z軸方向尺寸為11.5mm的長(zhǎng)方體形狀且磁力為3.5mT的永久磁鐵。從磁芯36的大直徑側(cè)的最外周邊到第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的Y軸方向距離TBLY設(shè)為6mm，從磁芯36的大直徑側(cè)端部到第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的中心的Z軸方向距離TBLZ設(shè)為5mm。第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的極性配置如圖4A所示。
作為第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，使用了縱橫尺寸都為5mm、厚度為1mm的薄板狀且磁力為0.5mT的永久磁鐵。如圖6A所示，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg在樹(shù)脂框38和垂直偏轉(zhuǎn)線圈34之間，沿著樹(shù)脂框38的外周面(即，相對(duì)于XZ面傾斜)安裝在該樹(shù)脂框38上。從垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的內(nèi)周面到第二永久磁鐵TIMg、BIMg的距離是0.5mm。從磁芯36的大直徑側(cè)端部到第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的中心的Z軸方向距離IMLZ是5mm。第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的磁極配置如圖5A所示。
使用圖7說(shuō)明第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的上述磁力(磁通密度)的測(cè)量方法。與作為測(cè)量對(duì)象物的永久磁鐵60的端面61相對(duì)置地設(shè)置了磁場(chǎng)測(cè)量探針65。此時(shí)，探針65的測(cè)量點(diǎn)65a位于從端面61的中央點(diǎn)立起的法線62上，到端面61的距離設(shè)為11.5mm。在此，在永久磁鐵60是第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的情況下，在搭載在偏轉(zhuǎn)裝置30上時(shí)，端面61是與Z軸對(duì)置的面；在永久磁鐵60是第二永久磁鐵TIMg、BIMg的情況下，端面61是與樹(shù)脂框38對(duì)置的面。如此地，通過(guò)運(yùn)算裝置66求出測(cè)量點(diǎn)65a的磁通密度，將其作為永久磁鐵60的磁力。測(cè)量在25℃的環(huán)境下進(jìn)行。
作為第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，使用了通常使用的廉價(jià)的鐵氧體類的永久磁鐵。其磁力的溫度系數(shù)是-0.2％/℃左右，具有溫度上升時(shí)磁力降低的特性。
磁芯36的Z軸方向長(zhǎng)度CLZ是37mm。從基準(zhǔn)線RL到第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的中心的Z軸方向距離D1是15mm，從基準(zhǔn)線RL到第二永久磁鐵TIMg、BIMg的中心的Z軸方向距離D2是5mm。在此，所謂“基準(zhǔn)線”指的是與Z軸垂直的假想的基準(zhǔn)線，該Z軸上的位置同陰極射線管的幾何學(xué)上的偏轉(zhuǎn)中心位置一致。
將彩色陰極射線管裝置設(shè)置在恒溫室內(nèi)，在停止?fàn)顟B(tài)下使彩色陰極射線管裝置的溫度與室溫相同。之后，使彩色陰極射線管裝置工作，測(cè)量了偏轉(zhuǎn)裝置30內(nèi)的各部分的溫度變化。在偏轉(zhuǎn)裝置30內(nèi)的各部分的溫度處于穩(wěn)定的狀態(tài)下，各部分相對(duì)于室溫的溫度上升如下所述。垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的內(nèi)周面的溫度上升是44℃。在從垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的內(nèi)周面向樹(shù)脂框38一側(cè)距0.5mm的地點(diǎn)，即第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的、與垂直偏轉(zhuǎn)線圈34相對(duì)置的一側(cè)的表面的溫度上升是42℃。在從磁芯36的大直徑側(cè)的最外周邊向與Z軸相反一側(cè)在Y軸方向上距6mm，且從磁芯36的大直徑側(cè)端部向熒光屏14一側(cè)在Z軸方向上距5mm的地點(diǎn)，即第一對(duì)永久磁鐵TG、BG與Z軸對(duì)置的一側(cè)的表面的溫度上升是13℃。與間隔件38的外周面上的安裝了第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的位置相對(duì)應(yīng)的間隔件38的內(nèi)周面上的位置S(參照?qǐng)D6A)附近的溫度上升是17℃。
在彩色陰極射線管裝置剛開(kāi)始工作后的偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升之前的狀態(tài)和工作后的偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度已上升并穩(wěn)定的狀態(tài)下，測(cè)量了畫面上的上下的光柵失真的變化。其結(jié)果，在溫度上升前是枕狀的上下的光柵，在溫度上升后向枕側(cè)變化了0.3％。
與此相比，在不使用第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg而僅使用了第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的情況下，在偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升之前為枕狀的上下的光柵，在溫度上升后向枕側(cè)變化了1.0％。
此外，在不使用第一對(duì)永久磁鐵TG、BG而僅使用了第二對(duì)永久磁鐵TIMG、BIMg的情況下，偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升之前為枕狀的上下的光柵，在溫度上升后向筒側(cè)變化了0.7％。
在此，上下的光柵“向枕側(cè)變化”的意思是，不論上下的光柵變化后的形狀是枕狀還是筒狀，如圖5B的從點(diǎn)劃線90至實(shí)線92的變化所示，上下光柵的Y軸上附近的部分以接近Z軸的方式變化。此外，上下的光柵“向筒側(cè)變化”的意思是，不論變化后的形狀是枕狀還是筒狀，如圖4B的從點(diǎn)劃線90至實(shí)線91的變化所示，上下光柵的Y軸上附近的部分以遠(yuǎn)離Z軸的方式變化。
偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升前后的上下光柵的變化量的優(yōu)選范圍是，向枕側(cè)和筒側(cè)的任一個(gè)變化時(shí)是0.5％以下，使用了第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的上述實(shí)施例滿足該條件。
從以前開(kāi)始，存在與本發(fā)明同樣地設(shè)置了安裝有2對(duì)永久磁鐵的偏轉(zhuǎn)裝置的彩色陰極射線管裝置，但在該以往的彩色陰極射線管中，偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升前后的上下光柵的變化量大于0.5％，如果包含偏轉(zhuǎn)裝置的組裝誤差等引起的偏差，偏轉(zhuǎn)裝置的溫度上升前后的上下光柵的變化量有時(shí)會(huì)大于1％。相對(duì)于此，在本發(fā)明中，即使包含偏轉(zhuǎn)裝置30的組裝誤差等引起的彩色陰極射線管裝置間的偏差，也可以將偏轉(zhuǎn)裝置30的溫度上升前后的上下光柵的變化量穩(wěn)定地抑制在0.5％以下。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，偏轉(zhuǎn)裝置30具有第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，從而能夠降低溫度上升引起的上下光柵的失真特性的變化。下面說(shuō)明該理由。
在具備了發(fā)生由圖2所示的枕形的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)32a和圖3所示的筒形的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)34a構(gòu)成的自會(huì)聚磁場(chǎng)的偏轉(zhuǎn)裝置的彩色陰極射線管裝置中，如果要將作為近年主流的面板11的外表面做成平坦，則像散變大，上下的光柵失真為枕狀。在本發(fā)明中，使用如圖4B及圖5B所示地對(duì)上下光柵的作用相反的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，來(lái)校正該上下光柵的枕狀的失真。
但是，一般使用的永久磁鐵的磁力具有溫度上升時(shí)磁力變?nèi)醯呢?fù)的溫度依賴性。因此，若第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的溫度變高，則圖4A所示的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG所發(fā)生的四極磁場(chǎng)變?nèi)酰瑘D4B所示的對(duì)上下光柵的作用變?nèi)?。即，隨著第一對(duì)永久磁體TG、BG的溫度變高，第一對(duì)永久磁鐵TG、BG校正上下光柵的枕狀失真的作用變?nèi)酰舷鹿鈻畔蛘韨?cè)變化。
此外，如果第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度變高，則圖5A所示的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg所發(fā)生的四極磁場(chǎng)變?nèi)?，圖5B所示的對(duì)上下光柵的作用變?nèi)?。即，隨著第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度變高，上下的光柵向筒側(cè)變化。
如此地，在溫度變高時(shí)的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG對(duì)上下光柵的作用的變化和溫度變高時(shí)的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg對(duì)上下光柵的作用的變化之間，存在相互抵消的關(guān)系。
從上述實(shí)施例也可以知道，使彩色陰極射線管裝置工作時(shí)的偏轉(zhuǎn)裝置30內(nèi)的各部分的溫度上升不一樣。偏轉(zhuǎn)裝置30的主要發(fā)熱源是水平偏轉(zhuǎn)線圈32及垂直偏轉(zhuǎn)線圈34。一般地，偏轉(zhuǎn)裝置30內(nèi)的溫度上升，在Z軸方向上，比磁芯36的Z軸方向的中央位置稍微向電子槍16側(cè)的位置(Z軸上的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)分布為最大的Z軸上的位置或其附近)處成為最大，在通過(guò)該Z軸上的位置的Y軸方向上，在水平偏轉(zhuǎn)線圈34內(nèi)的位置成為最大的45～50℃，在磁芯36的內(nèi)周面上是40～45℃，在磁芯36的外周面上是35～40℃。
因此，如果第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的偏轉(zhuǎn)裝置中的安裝位置相互不同，則第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度上升量有時(shí)相互不同。該情況下，例如即使將第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg配置成，在剛工作后的溫度上升前的狀態(tài)下使上下光柵的枕狀的失真被良好地校正，之后隨著偏轉(zhuǎn)裝置的溫度上升，第一對(duì)永久磁鐵TG、BG對(duì)上下光柵的作用和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg對(duì)上下光柵的作用之間的相對(duì)關(guān)系變化，上下的光柵失真增大而惡化。即，僅單純地配置第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)上下光柵失真的沒(méi)有溫度變化的靜態(tài)特性和溫度上升時(shí)的動(dòng)態(tài)特性。
本發(fā)明著眼于溫度上升量隨偏轉(zhuǎn)裝置的位置而不同的情況，將第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg如上所述地配置在最佳位置。由此，能夠降低對(duì)溫度變化的上下光柵失真特性的變化。
此外，本發(fā)明中使用永久磁鐵來(lái)校正上下的光柵失真，所以在阻抗不同的偏轉(zhuǎn)裝置中也可以使用相同的永久磁鐵。因此，能夠降低彩色陰極射線管裝置的成本。
此外，雖然省略了詳細(xì)說(shuō)明，但第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg還具有通過(guò)發(fā)生圖4A及圖5A所示的四極磁場(chǎng)來(lái)改善會(huì)聚特性的作用。根據(jù)本發(fā)明，能夠降低該會(huì)聚特性的溫度變化所引起的變化。
希望第一對(duì)永久磁鐵TG、BG及第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg，關(guān)于磁特性都具有負(fù)的溫度系數(shù)。在此，“關(guān)于磁特性具有負(fù)的溫度系數(shù)”意味著隨著溫度上升而磁力(磁通密度)變?nèi)醯拇盘匦?。由此，能夠使用一般通用的價(jià)廉的永久磁鐵。
希望第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的磁力比第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的磁力強(qiáng)。通過(guò)將磁力相互不同的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg組合使用，能夠校正沒(méi)有溫度變化的狀態(tài)下的上下光柵的枕狀失真。此外，將具有相對(duì)較強(qiáng)磁力的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG配置在溫度上升相對(duì)較小的位置，并且將具有相對(duì)較弱磁力的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg配置在溫度上升相對(duì)較大的位置，從而，能夠降低發(fā)生了溫度變化時(shí)的上下光柵的失真特性的變化。
用圖7所示的方法測(cè)量的第一對(duì)永久磁鐵TG、BG的磁力(磁通密度)設(shè)為TBT，用圖7所示的方法測(cè)量的第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的磁力(磁通密度)設(shè)為IMgT時(shí)，希望他們之比IMgT/TBT滿足0.01≤IMgT/TBT≤0.3。如果在將第一對(duì)永久磁鐵TG、BG和第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg安裝在如上所述的位置上時(shí)該比值IMgT/TBT滿足上述關(guān)系，則能夠容易地同時(shí)實(shí)現(xiàn)沒(méi)有溫度變化的狀態(tài)下的上下光柵的枕狀失真的校正、和發(fā)生了溫度變化時(shí)的上下光柵的失真特性的變化的降低。
如圖6A所示，希望在沿YZ面的截面中，在第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg和磁芯36之間存在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線的情況下，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg和垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的內(nèi)周面之間的距離IMD滿足0mm≤IMD≤2mm。若距離IMD超過(guò)2mm，則第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg從作為發(fā)熱源的垂直偏轉(zhuǎn)線圈34遠(yuǎn)離，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度上升變小。因此，降低發(fā)生了溫度變化時(shí)的上下光柵的失真特性的變化的本發(fā)明的效果減弱。
本發(fā)明也可以如圖6B所示，在沿YZ面的截面中，在第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg和磁芯36之間不存在垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的繞線。該情況下，希望第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg和磁芯36的內(nèi)周面之間的距離IMD滿足0mm≤IMD≤2mm。若距離IMD超過(guò)2mm，則第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg從環(huán)形卷繞了作為發(fā)熱源的垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的磁芯36遠(yuǎn)離，所以第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度上升變小。因此，降低發(fā)生了溫度變化時(shí)的上下光柵的失真特性的變化的本發(fā)明的效果減弱。
設(shè)第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的Z軸方向的中心和磁芯36的大直徑側(cè)端部之間的Z軸方向距離為IMLZ，磁芯36的Z軸方向長(zhǎng)度為CLZ時(shí)，希望它們之比IMLZ/CLZ滿足0≤IMLZ/CLZ≤0.4。在此，距離IMLZ的符號(hào)是，相對(duì)于磁芯36的大直徑側(cè)端部，將電子槍16側(cè)設(shè)為正、熒光屏14側(cè)設(shè)為負(fù)。
三束電子束18R、18G、18B在Y軸方向上的偏轉(zhuǎn)量，在Z軸方向上的磁芯36的中心附近或比此更靠近電子槍16一側(cè)的區(qū)域是很小的，隨著接近磁芯36的大直徑側(cè)而變大。因此，在滿足IMLZ/CLZ≤0.4的情況下，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg對(duì)向Y軸方向的上下偏轉(zhuǎn)的三個(gè)電子束18R、18G、18B產(chǎn)生的影響、和對(duì)不向Y軸方向偏轉(zhuǎn)卻沿Z軸前進(jìn)的三個(gè)電子束18R、18G、18B產(chǎn)生的影響之差變大，所以，對(duì)第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg引起的上下光柵的校正變得容易。
IMLZ/CLZ＜0意味著，在Z方向上，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的中心比磁芯36的大直徑側(cè)端部位于熒光屏14一側(cè)。該情況下，第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg從作為發(fā)熱源的垂直偏轉(zhuǎn)線圈34及環(huán)形卷繞了該垂直偏轉(zhuǎn)線圈34的磁芯36遠(yuǎn)離，所以第二對(duì)永久磁鐵TIMg、BIMg的溫度上升變小。因此，降低發(fā)生了溫度變化時(shí)的上下光柵的失真特性的變化的本發(fā)明的效果減弱。
產(chǎn)業(yè)上的使用可能性不特別限定，本發(fā)明的利用領(lǐng)域，例如在面向要求了高分辨率和低成本的電視機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)顯示器等的彩色陰極射線管中可以廣泛地利用。
權(quán)利要求
1.一種彩色陰極射線管裝置，其特征在于，包括彩色陰極射線管，具有發(fā)射出沿水平方向配置成一列的三個(gè)電子束的電子槍和通過(guò)從上述電子槍發(fā)射的上述三個(gè)電子束的轟擊而發(fā)光的熒光屏；以及偏轉(zhuǎn)裝置，具有發(fā)生使上述三個(gè)電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的水平偏轉(zhuǎn)線圈、發(fā)生使上述三個(gè)電子束向垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、提高上述水平偏轉(zhuǎn)線圈及垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁效率的磁芯、以及在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的外側(cè)且上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈及上述磁芯的內(nèi)側(cè)配置的間隔件；上述偏轉(zhuǎn)裝置，在包含管軸及水平方向軸的水平方向面的上側(cè)設(shè)有第一磁場(chǎng)發(fā)生體，該第一磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的下側(cè)設(shè)有第二磁場(chǎng)發(fā)生體，該第二磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的上側(cè)設(shè)有第三磁場(chǎng)發(fā)生體，該第三磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)；在上述水平方向面的下側(cè)設(shè)有第四磁場(chǎng)發(fā)生體，該第四磁場(chǎng)發(fā)生體在上述三個(gè)電子束向下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，發(fā)生極性與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)生的磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)；上述第一磁場(chǎng)發(fā)生體和第二磁場(chǎng)發(fā)生體被配置在相對(duì)于上述磁芯的上述熒光屏側(cè)的最外周緣同管軸相反的一側(cè)，并離開(kāi)上述磁芯；上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體和第四磁場(chǎng)發(fā)生體被配置于在上述磁芯和上述間隔件之間沿管軸方向比上述磁芯的中央位置更位于上述熒光屏一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管裝置，其特征在于，上述第一磁場(chǎng)發(fā)生體～第四磁場(chǎng)發(fā)生體關(guān)于磁場(chǎng)特性都具有負(fù)的溫度系數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管裝置，其特征在于，上述第一磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第二磁場(chǎng)發(fā)生體的磁力比上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及第四磁場(chǎng)發(fā)生體強(qiáng)。
4.如權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管裝置，其特征在于，設(shè)上述第一磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第二磁場(chǎng)發(fā)生體的磁力為TBT、上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及第四磁場(chǎng)發(fā)生體的磁力為IMgT時(shí)，它們之比IMgT/TBT滿足0.01≤IMgT/TBT≤0.3。
5.如權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管裝置，其特征在于，在沿著包含管軸及垂直方向軸的垂直方向面的截面中，在上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第四磁場(chǎng)發(fā)生體與上述磁芯之間存在上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的繞線時(shí)，上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第四磁場(chǎng)發(fā)生體與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的內(nèi)周面之間的距離設(shè)為IMD，在上述截面中，在上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及第四磁場(chǎng)發(fā)生體與上述磁芯之間不存在上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的繞線時(shí)，上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第四磁場(chǎng)發(fā)生體與上述磁芯的內(nèi)周面之間的距離設(shè)為IMD，則IMD滿足0mm≤IMD≤2mm。
6.如權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管裝置，其特征在于，上述第三磁場(chǎng)發(fā)生體及上述第四磁場(chǎng)發(fā)生體的管軸方向上的中心與上述磁芯的大直徑側(cè)端部之間的管軸方向距離設(shè)為IMLZ，上述磁芯的管軸方向長(zhǎng)度設(shè)為CLZ，則它們之比IMLZ/CLZ滿足0≤IMLZ/CLZ≤0.4。
全文摘要
提供彩色陰極射線管裝置，其偏轉(zhuǎn)裝置(30)被構(gòu)成為，在XZ面上側(cè)設(shè)有發(fā)生極性與上偏轉(zhuǎn)時(shí)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)的第一磁場(chǎng)發(fā)生體TG，在XZ面下側(cè)設(shè)有發(fā)生極性與下偏轉(zhuǎn)時(shí)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相同的磁場(chǎng)的第二磁場(chǎng)發(fā)生體BG，在XZ面上側(cè)設(shè)有發(fā)生極性與上偏轉(zhuǎn)時(shí)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)的第三磁場(chǎng)發(fā)生體TIMg，在XZ面下側(cè)設(shè)有極性與下偏轉(zhuǎn)時(shí)的垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)的第四磁場(chǎng)發(fā)生體BIMg。第一及第二磁場(chǎng)發(fā)生體被配置在相對(duì)于磁芯(36)的熒光屏(14)側(cè)的最外周緣與管軸相反一側(cè)并離開(kāi)磁芯。第三及第四磁場(chǎng)發(fā)生體在磁芯和間隔件(38)間被配置于沿管軸方向比磁芯的中央位置更位于熒光屏一側(cè)。由此能簡(jiǎn)單且低成本地降低對(duì)溫度變化的光柵失真特性。
文檔編號(hào)H01J29/76GK101042974SQ20071008877
公開(kāi)日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2007年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月24日
發(fā)明者谷輪賢一郎 申請(qǐng)人:松下東芝映象顯示株式會(huì)社