本發(fā)明涉及oled顯示器件制程領(lǐng)域，尤其涉及一種toc型oled顯示器的制作方法及toc型oled顯示器。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(organiclightemittingdiode，oled)等平板顯示裝置已經(jīng)逐步取代陰極射線管顯示器(cathoderaytube)。

oled顯示器具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了將薄膜晶體管(thin-filmtransistor，tft)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在彩色濾光層(colorfilter，cf)上的toc(transistoroncolorfilter)型oled顯示器。toc型oled顯示器可以省去偏光片(polarizer)，能夠使oled顯示器件更輕薄，制作成本更低。

toc型oled顯示器的制作流程包括：

先在襯底基板上制備cf；

然后在彩色濾光層上制備tft。

由于先制備出了cf，后續(xù)tft的制備必須在低于230℃的溫度限制條件下進(jìn)行。

另一方面，現(xiàn)有的toc型oled顯示器通常采用含有銦(in)、鎵(ga)等昂貴稀有金屬的材料來(lái)制作tft的溝道層，雖然能夠提高tft的電學(xué)性能，但生產(chǎn)成本有待進(jìn)一步降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種toc型oled顯示器的制作方法，能夠在低于230℃的溫度限制條件下制備出tft，有效降低溝道層的材料成本以及tft的設(shè)備成本，經(jīng)濟(jì)環(huán)保。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種toc型oled顯示器，其內(nèi)tft的電學(xué)性能較好，生產(chǎn)成本較低。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種toc型oled顯示器的制作方法，包括以下步驟：

步驟s1、提供襯底基板，對(duì)襯底基板進(jìn)行清洗和預(yù)烘烤；

步驟s2、沉積黑色遮光薄膜，對(duì)黑色遮光薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成黑色矩陣；

步驟s3、在所述黑色矩陣內(nèi)依次沉積不同顏色的色阻，形成彩色濾光層；

步驟s4、在所述彩色濾光層上沉積形成平坦層；

步驟s5、在所述平坦層上沉積第一金屬層，對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成柵極；

步驟s6、在所述柵極與平坦層上沉積覆蓋柵極絕緣層；

步驟s7、配置摻雜有鋰的氧化鋅溶液，將配置好的摻雜有鋰的氧化鋅溶液旋涂在柵極絕緣層上形成摻雜有鋰的氧化鋅涂層，然后對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層做退火處理，再對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層進(jìn)行圖案化處理，形成溝道層；

步驟s8、沉積刻蝕阻擋層，并對(duì)刻蝕阻擋層進(jìn)行圖案化處理，形成分別暴露出溝道層兩側(cè)的第一過(guò)孔、與第二過(guò)孔；

步驟s9、在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬層，并對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成源極、與漏極；所述源極、漏極分別經(jīng)由第一過(guò)孔、第二過(guò)孔接觸溝道層的兩側(cè)；

步驟s10、在所述刻蝕阻擋層、源極、及漏極上依次制作出保護(hù)層、陽(yáng)極、像素定義層、oled發(fā)光層、及陰極。

所述步驟s1中，所述襯底基板為玻璃基板。

所述步驟s3中，所述不同顏色的色阻包括紅色色阻、綠色色阻、及藍(lán)色色阻。

所述平坦層、柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、與保護(hù)層的材料均為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。

所述第一金屬層與第二金屬層的材料均為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或幾種的堆棧組合。

所述步驟s7中，以氫氧化鋰與氫氧化鋅為原料來(lái)配置摻雜有鋰的氧化鋅溶液。

所述陽(yáng)極的材料為氧化銦錫。

本發(fā)明還提供一種toc型oled顯示器，通過(guò)上項(xiàng)toc型oled顯示器的制作方法制得，其內(nèi)的溝道層的材料為摻雜有鋰的氧化鋅。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種toc型oled顯示器的制作方法，在制備出彩色濾光層后，通過(guò)旋涂摻雜有鋰的氧化鋅溶液形成摻雜有鋰的氧化鋅涂層，再對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層做退火處理的方式制備出tft的溝道層，制程溫度可低至200℃，滿足制作toc型oled顯示器的溫度限制條件，且操作簡(jiǎn)單，無(wú)需使用昂貴的真空設(shè)備；采用鋰代替銦、鎵等昂貴稀有金屬摻雜在溝道層中，不僅能夠提高tft的電學(xué)性能，而且材料成本低，更經(jīng)濟(jì)環(huán)保。本發(fā)明提供的toc型oled顯示器，其內(nèi)溝道層的材料為摻雜有鋰的氧化鋅，使得tft的電學(xué)性能較好，生產(chǎn)成本較低。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的toc型oled顯示器的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的toc型oled顯示器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，結(jié)合圖2，本發(fā)明首先提供一種toc型oled顯示器的制作方法，包括以下步驟：

步驟s1、提供襯底基板1，對(duì)襯底基板1進(jìn)行清洗和預(yù)烘烤。

具體地，所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板。

步驟s2、沉積黑色遮光薄膜，利用光罩對(duì)黑色遮光薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成黑色矩陣2。

步驟s3、在所述黑色矩陣2內(nèi)依次沉積不同顏色的色阻，形成彩色濾光層3。

具體地，所述不同顏色的色阻至少包括紅色色阻r、綠色色阻g、及藍(lán)色色阻b。

步驟s4、在所述彩色濾光層3上沉積形成平坦層4。

具體地，所述平坦層4的材料為氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、或二者的組合。

步驟s5、在所述平坦層4上沉積第一金屬層，利用光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成柵極5。

具體地，所述第一金屬層的材料為鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或幾種的堆棧組合。

步驟s6、在所述柵極5與平坦層4上沉積覆蓋柵極絕緣層6。

具體地，所述柵極絕緣層6的材料為siox、sinx、或二者的組合。

步驟s7、配置摻雜有鋰(li)的氧化鋅(zno)溶液，將配置好的摻雜有鋰的氧化鋅(li-zno)溶液旋涂在柵極絕緣層6上形成摻雜有鋰的氧化鋅涂層，然后對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層做退火處理，再利用光罩對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層進(jìn)行圖案化處理，形成溝道層7。

具體地，該步驟s7以氫氧化鋰(lioh)與氫氧化鋅(zn(oh)2)為原料來(lái)配置摻雜有鋰的氧化鋅溶液。

步驟s8、沉積刻蝕阻擋層8，并利用光罩對(duì)刻蝕阻擋層8進(jìn)行圖案化處理，形成分別暴露出溝道層7兩側(cè)的第一過(guò)孔81、與第二過(guò)孔82。

具體地，所述刻蝕阻擋層8的材料為siox、sinx、或二者的組合。

步驟s9、在所述刻蝕阻擋層8上沉積第二金屬層，并利用光罩對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，形成源極91、與漏極92。

具體地，所述第二金屬層的材料亦為mo、ti、al、cu中的一種或幾種的堆棧組合。

所述源極91、漏極92分別經(jīng)由第一過(guò)孔81、第二過(guò)孔82接觸溝道層7的兩側(cè)。

所述柵極5、柵極絕緣層6、溝道層7、源極91、及漏極92構(gòu)成tft。

步驟s10、在所述刻蝕阻擋層8、源極91、及漏極92上依次制作出保護(hù)層10、陽(yáng)極11、像素定義層12、oled發(fā)光層13、及陰極14。

具體地，所述保護(hù)層10的材料也為siox、sinx、或二者的組合；

所述陽(yáng)極11的材料為氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)；

所述像素定義層12的材料為有機(jī)光阻；

所述保護(hù)層10經(jīng)過(guò)圖案化處理而具有暴露出漏極92部分表面的第三過(guò)孔101，所述像素定義層12經(jīng)過(guò)圖案化處理而具有暴露出陽(yáng)極11部分表面的第四過(guò)孔121，所述陽(yáng)極11經(jīng)由第三過(guò)孔101接觸漏極92，所述oled發(fā)光層13與陰極14依次位于第四過(guò)孔121內(nèi)。

上述toc型oled顯示器的制作方法，在制備出彩色濾光層3后，通過(guò)旋涂摻雜有鋰的氧化鋅溶液形成摻雜有鋰的氧化鋅涂層，再對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層做退火處理的方式制備出tft的溝道層7，制程溫度可低至200℃，滿足制作toc型oled顯示器的溫度限制條件，且操作簡(jiǎn)單，無(wú)需使用昂貴的真空設(shè)備；采用鋰代替銦、鎵等昂貴稀有金屬摻雜在溝道層7中，不僅能夠提高tft的電學(xué)性能，而且材料成本低，更經(jīng)濟(jì)環(huán)保。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種由上述toc型oled顯示器的制作方法制得的toc型oled顯示器，如圖2所示，包括襯底基板1、設(shè)在所述襯底基板1上的黑色矩陣2、填充在所述黑色矩陣2內(nèi)的彩色濾光層3、覆蓋所述彩色濾光層3的平坦層4、設(shè)在所述平坦層4上的柵極5、覆蓋所述柵極5與平坦層4的柵極絕緣層6、于所述柵極5上方設(shè)在柵極絕緣層6上的溝道層7、覆蓋所述溝道層7與柵極絕緣層6的蝕刻阻擋層8、設(shè)在所述蝕刻阻擋層8上的源極91與漏極92、覆蓋所述源極91、漏極92、與蝕刻阻擋層8的保護(hù)層10、設(shè)在所述保護(hù)層10上的陽(yáng)極11、設(shè)在所述陽(yáng)極11上的像素定義層12、以及于所述像素定義層12內(nèi)依次層疊在陽(yáng)極11上的oled發(fā)光層13、與陰極14。

所述刻蝕阻擋層8具有分別暴露出溝道層7兩側(cè)的第一過(guò)孔81、與第二過(guò)孔82，所述保護(hù)層10具有暴露出漏極92部分表面的第三過(guò)孔101，所述像素定義層12具有暴露出陽(yáng)極11部分表面的第四過(guò)孔121；所述源極91、漏極92分別經(jīng)由第一過(guò)孔81、第二過(guò)孔82接觸溝道層7的兩側(cè)；所述陽(yáng)極11經(jīng)由第三過(guò)孔101接觸漏極92；所述oled發(fā)光層13與陰極14依次位于第四過(guò)孔121內(nèi)；

所述溝道層7的材料為摻雜有鋰的氧化鋅，能夠使得tft的電學(xué)性能較好，生產(chǎn)成本較低。

綜上所述，本發(fā)明的toc型oled顯示器的制作方法，在制備出彩色濾光層后，通過(guò)旋涂摻雜有鋰的氧化鋅溶液形成摻雜有鋰的氧化鋅涂層，再對(duì)摻雜有鋰的氧化鋅涂層做退火處理的方式制備出tft的溝道層，制程溫度可低至200℃，滿足制作toc型oled顯示器的溫度限制條件，且操作簡(jiǎn)單，無(wú)需使用昂貴的真空設(shè)備；采用鋰代替銦、鎵等昂貴稀有金屬摻雜在溝道層中，不僅能夠提高tft的電學(xué)性能，而且材料成本低，更經(jīng)濟(jì)環(huán)保。本發(fā)明的toc型oled顯示器，其內(nèi)溝道層的材料為摻雜有鋰的氧化鋅，使得tft的電學(xué)性能較好，生產(chǎn)成本較低。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。