專利名稱：等離子體離子植入中的輪廓調(diào)整的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本裝置及方法大體而言是關(guān)于提供等離子體摻雜(plasma doping, PLAD) 應(yīng)用中的輪廓調(diào)整解決方案以符合濃度及結(jié)深度(junction depth)要求。的更確切地說，所述的裝置及方法是針對提供對元件縮放關(guān)鍵的垂直方向及橫向上 的陡結(jié)。
背景技術(shù)：
等離子體摻雜系統(tǒng)是已知的且用于在半導(dǎo)體晶圓中形成淺結(jié)且用于要求 具有相對低能量離子的高電流的其他應(yīng)用。在等離子體摻雜系統(tǒng)中，半導(dǎo)體晶 圓置放在導(dǎo)電平臺上，導(dǎo)電平臺充當(dāng)陰極且定位于等離子體摻雜反應(yīng)室中。將 可離子化的摻雜氣體引入反應(yīng)室中，且將電壓脈沖施加于平臺與陽極或腔壁之 間，從而導(dǎo)致含摻雜劑氣體的離子的等離子體的形成。等離子體在晶圓的附近 具有等離子體鞘。所施加脈沖使等離子體中的離子加速穿過等離子體鞘且植入 品圓。植入的深度與晶圓與陽極之間所施加的電壓相關(guān)?？蛇_(dá)成-1夂常f氐的植入 能量。這些等離子體摻雜系統(tǒng)的實例在頒予Sheng的美國專利第5,354,381號、 頒予Liebert等人的美國專利第6，020，592號以及頒予Goeckner的美國專利第 6,182,604號中加以描述。在上述等離子體摻雜系統(tǒng)中，所施加的電壓脈沖產(chǎn)生 等離子體且加快自等離子體向晶圓的正離子的速度。在其他類型的等離子體系 統(tǒng)中，舉例而言，連續(xù)等離子體是借由來自定位于等離子體摻雜反應(yīng)室的內(nèi)部 或外部的天線的電感耦合射頻電源來產(chǎn)生。天線連接至RF電源。在間隔處， 電壓脈沖施加于平臺與陽極之間，從而導(dǎo)致等離子體中的離子向晶圓的速度加 快。
用于等離子體植入的摻雜劑氣體種類可在植入制程期間分解或解離為可 沉積在晶圓的表面上的原子或分子片段。由摻雜劑氣體分子的解離產(chǎn)生的原子 或分子片段在本文中被稱為"中性粒子"。在植入制程中解離的摻雜劑氣體種類的實例包括AsH3、 PH3、 BF3以及B2Hs。舉例而言，砷氣AsH3可解離為As、 AsH以及AsH2,其可沉積在被植入的晶圓的表面上。這些沉積表面層可導(dǎo)致許 多問題，包括劑量不可重復(fù)性、較差劑量均一性及劑量測量問題。詳言之，形 成沉積表面層的中性粒子不借由劑量測量系統(tǒng)來測量。此外，摻雜劑的深度輪 廓借由沉積表面層自身且借由其對植入離子的影響來改變。另外，當(dāng)晶圓在其 他設(shè)備(諸如緩冷器)中隨后加以處理時沉積表面層可導(dǎo)致此設(shè)備的污染。
因此，需要提供在等離子體摻雜應(yīng)用中的輪廓調(diào)整解決方案以符合濃度及 結(jié)深度要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括提供等離子體摻雜系統(tǒng)中的摻雜劑輪廓調(diào)整解決方案以符合 濃度及結(jié)深度要求的方法及裝置?？蓤?zhí)行偏壓斜線上升(Bias ramping)及偏壓 斜線上升率調(diào)整(bias ramp rate adjusting)以達(dá)成所要的摻雜劑輪廓，使得實 現(xiàn)對等離子體摻雜系統(tǒng)中的元件縮放關(guān)鍵的垂直方向及橫向上淺并陡的結(jié)。植 入偏壓的斜線上升可為線性或非線性斜線上升?？烧{(diào)整斜線上升植入偏壓的速 率且可相對于沉積速率變化速率。具體言之，斜線上升植入偏電的速率可快于、 慢于或匹配沉積速率。可結(jié)合斜線上升工作周期(duty cycle)且結(jié)合改變至少 一個植入制程參數(shù)來斜線上升植入偏壓。執(zhí)行斜線上升及調(diào)整以在最小化垂直 方向及橫向上的摻雜劑擴(kuò)展的同時最大化保留劑量及近表面濃度。
本發(fā)明的第一 目的是針對一種用于工件的等離子體植入的方法，其包含將 摻雜劑氣體引入至等離子體摻雜反應(yīng)室中及斜線上升植入偏電以加快摻雜劑 氣體離子向工件的速度的步驟。斜線上升植入偏壓以最大化植入工件中的摻雜 劑氣體離子的保留劑量及近表面濃度。
本發(fā)明的第二目的是針對一種等離子體摻雜裝置，其包含等離子體摻雜反 應(yīng)室、平臺、氣體源及用于將摻雜劑氣體植入工件中的電壓源。電壓源產(chǎn)生植 入偏壓以加快摻雜劑氣體離子自等離子體向工件的速度，斜線上升植入偏壓以 最大化植入工件中的摻雜劑氣體離子的保留劑量及近表面濃度。
本發(fā)明的前述及其他特征自本發(fā)明的實施例的以下更詳細(xì)的描述將顯而 易見。


本發(fā)明的實施例參看以下圖式將更詳細(xì)地加以描述，其中相似編號指示相 似元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的等離子體摻雜系統(tǒng)的方塊圖。
圖2(a)及2(b)是根據(jù)本發(fā)明的實施例的植入斜線上升偏壓的曲線圖。
圖3展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的五步偏壓斜線上升的SIMS及Rs資料 比對。
圖4展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的偏壓斜線上升的摻雜劑輪廓。
圖5(a)、 5(b)以及5(c)展示根據(jù)本發(fā)明的實施例與工作周期斜線上升組合 的偏壓斜線上升。
圖6展示對用于與根據(jù)本發(fā)明的實施例的偏壓斜線上升關(guān)聯(lián)的各種沉積速率的摻雜劑輪廓的影響。
圖7展示用于根據(jù)本發(fā)明的實施例的反向偏壓斜線上升的結(jié)輪廓。
圖8展示用于根據(jù)本發(fā)明的實施例的以具有初始沉積的制程偏壓斜線上升的結(jié)輪廓。
具體實施例方式
箱形摻雜劑輪廓在用于半導(dǎo)體元件制造的離子植入制程中是需要的。對于 單能入射離子(諸如源自射束線布植機(jī)的離子)而言，摻雜劑輪廓通常是 Gaussian型的。PLAD輪廓傾向于接近表面的最大值，其輪廓的尾部接近相同 植入能量的射束線尾部。在需要某一輪廓形狀的應(yīng)用中，可借由改變植入能量 及劑量進(jìn)行輪廓調(diào)整。在PLAD應(yīng)用中，表面沉積可在植入過程中發(fā)生，且借 由施加與沉積厚度成正比的偏壓可達(dá)成箱狀輪廓。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 描述方法以控制PLAD應(yīng)用中的斜線上升及/或斜線上升偏壓的速率以最大化 保留劑量及近表面濃度，同時最小化垂直方向及橫向上的摻雜劑擴(kuò)展。
在等離子體植入制程中，歸因于源自等離子體的中性及低能量離子，沉積 通常在晶圓表面發(fā)生。此沉積經(jīng)由植入自植入開始處的零至較小值(例如，100 埃)向高劑量植入的結(jié)尾(例如，2E16)逐漸增加。晶圓表面上的沉積薄膜可阻止植入離子的穿透深度，其可使離子植入經(jīng)由植入制程逐漸變得更淺。本發(fā) 明的一個實施例借由經(jīng)由植入步驟逐漸增加植入電壓來補(bǔ)償增加的沉積。此補(bǔ) 償說明沉積速率在不同化學(xué)物及條件中是不同的事實。補(bǔ)償可借由植入系統(tǒng)中 安裝的預(yù)程序化軟件查找表或現(xiàn)地監(jiān)視元件來達(dá)成。通過經(jīng)由等離子體植入步 驟變化表面沉積的厚度，離子的植入厚度可相應(yīng)地經(jīng)由等離子體植入步驟改 變。植入特征借此加以改變以使植入對影響植入時間的劑量、偏壓頻率、脈沖 寬度及其他制程參數(shù)敏感。
對于典型植入制程而言，近表面摻雜劑濃度的增加可導(dǎo)致尾部區(qū)域輪廓處 成比例的增加。結(jié)深度(垂直及橫向上的)對離子能量及尾部濃度是敏感的。 深結(jié)通常對元件效能產(chǎn)生負(fù)面影響。對于要求高的近表面摻雜劑濃度的應(yīng)用而 言，需要高植入劑量但植入能量受結(jié)目標(biāo)限制。低能量存在一個問題高劑量 植入導(dǎo)致低晶圓產(chǎn)量。在PLAD中，低能量離子也可借由表面沉積阻斷，從而 導(dǎo)致低保留劑量問題。高偏壓可滿足劑量目標(biāo)但不符合結(jié)目標(biāo)。
需要高劑量或表面濃度以達(dá)成低接觸電阻及低擴(kuò)展電阻。垂直方向及橫向
上的淺并陡的結(jié)對元件縮放是關(guān)鍵的。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供PLAD 的輪廓調(diào)整解決方案以符合濃度及結(jié)深度需要。適合于本發(fā)明的實施例的等離 子體離子植入系統(tǒng)的一實例在圖1中加以說明。處理反應(yīng)室10界定封閉體積 12。定位于處理室10內(nèi)的平臺提供用于固持基板(諸如半導(dǎo)體晶圓20)的表 面。陽極24可與平臺14成間隔關(guān)系安置于處理室10內(nèi)。陽極24可連接至處 理反應(yīng)室10的導(dǎo)電壁，其兩者可連接至地面?；蛘?，平臺可連接至地面，且 陽極24脈沖至負(fù)電壓。在進(jìn)一步的實施例中，陽極24及平臺14兩者可相對 于地面而偏壓。半導(dǎo)體晶圓20及陽極可經(jīng)由平臺14連接至高電壓源30使得 半導(dǎo)體晶圓20充當(dāng)陰極。電壓源30可提供振幅在約20至2000伏的范圍內(nèi)的 脈沖持續(xù)約1至200微秒并提供約100赫茲至20千赫茲的脈沖重復(fù)率。然而， 應(yīng)了解這些脈沖參數(shù)值僅以舉例方式給出且其他值可由熟習(xí)此項技術(shù)者在本 發(fā)明的范疇內(nèi)來利用。
控制器50調(diào)節(jié)氣體自氣體源(未圖示)供應(yīng)至處理反應(yīng)室10的速率以供 應(yīng)含植入至半導(dǎo)體晶圓20中的所要摻雜劑的可離子化氣體。此組態(tài)以所要流 動速率及恒壓提供處理氣體的連續(xù)流動。熟習(xí)此項技術(shù)者應(yīng)了解可利用其他組態(tài)以調(diào)節(jié)氣體壓力及流動。厚度檢測器52與處理室IO連通且提供檢測信息至
控制器50。厚度檢測器52可為基于反射率的現(xiàn)地薄膜厚度監(jiān)視器，然而，其 他已知感應(yīng)器可用于觀測晶圓表面的沉積速率。視系統(tǒng)的組態(tài)而定，等離子體 離子植入系統(tǒng)也可包括額外組件。系統(tǒng)通常包括控制且監(jiān)視等離子體離子植入 系統(tǒng)的組件的制程控制系統(tǒng)(未圖示)以實施所要植入制程。利用連續(xù)或脈沖 RF能量的系統(tǒng)包括耦接至天線或感應(yīng)線圈的RF源。系統(tǒng)也可包括磁元件，其
提供限制電子且控制等離子體密度及空間分布的磁場。
在運(yùn)作過程中，半導(dǎo)體晶圓20定位于平臺14上且壓力控制系統(tǒng)在處理反 應(yīng)室10內(nèi)產(chǎn)生所要壓力及氣體流動速率。電壓源30施加一系列高電壓脈沖至 半導(dǎo)體晶圓20，從而導(dǎo)致在半導(dǎo)體晶圓20與陽極24之間的等離子體放電區(qū)域 48中形成等離子體40。等離子體40含有可離子化氣體的正離子且包括半導(dǎo)體 晶圓20附近(通常在表面處)的等離子體鞘42。陽極24與平臺14之間在高 電壓脈沖期間顯現(xiàn)的電場加快正離子自等離子體40越過等離子體鞘42至平臺 14的速度。加速離子植入至半導(dǎo)體晶圓20中以形成雜質(zhì)材料的區(qū)域。脈沖r乜 壓經(jīng)選擇以在半導(dǎo)體晶圓20中植入正離子至所要深度。脈沖的數(shù)目及脈沖持 續(xù)時間經(jīng)選擇以在半導(dǎo)體晶圓20中提供雜質(zhì)材料的所要劑量。每脈沖的電流 是脈沖電壓、脈沖寬度、脈沖頻率、氣體壓力及種類以及電極的任何可變位置 的函數(shù)。舉例而言，可調(diào)整陰極至陽極的間隔以用于不同電壓。
如上所注意的，通常用于等離子體植入的摻雜劑氣體種類在植入制程中可 解離為中性粒子且在半導(dǎo)體晶圓20上形成沉積表面層。形成沉積表面層的摻 雜劑氣體種類的實例包括AsH、 PH3 (三磷化氫)及B2H6。某些氟化物(諸如 BF3)可在確定的等離子體摻雜條件下形成沉積表面層。舉例而言，砷氣可解 離為As、 AsH及AsH2，其可沉積在半導(dǎo)體晶圓20的表面上。類似地，三氟化 硼可解離為B、 BF及BF2，其可沉積在半導(dǎo)體晶圓20的表面上。這些沉積表 面層導(dǎo)致劑量不可重復(fù)性、較差劑量均一性及度量問題。
在本實施例中，作為化學(xué)物及等離子體摻雜條件的函數(shù)的沉積速率得以特 征化。沉積層對于入射離子的阻止能力(stopping power)也得以特征化。第一 植入偏壓(VI)用以完成預(yù)定第一目標(biāo)劑量，從而允許第一沉積層在如圖2(a) 所示的第一植入時期tl期間成長。接著第二植入偏壓(V2)用以完成第二劑量，其中第二植入能量根據(jù)沉積層厚度來調(diào)整。隨后的植入偏壓及植入時間可 重復(fù)直至達(dá)成總植入劑量。反復(fù)的數(shù)目n可根據(jù)特定應(yīng)用加以選擇。在特征化 作為化學(xué)物及等離子體摻雜條件的函數(shù)的沉積速率中，可開發(fā)知識庫。等離子 體摻雜系統(tǒng)可存取此知識庫用以估計取決于植入過程所要求的配方的沉積速 率。植入偏壓或偏壓頻率通常經(jīng)由植入制程緩升以補(bǔ)償始于零且隨著植入制程 逐漸增加的沉積。
在本發(fā)明的另一實施例中，遵循線性或非線性曲線，連續(xù)調(diào)整偏壓直至總劑量如圖2(b)所示達(dá)成?？墒褂冒ìF(xiàn)地薄膜厚度檢測器52及其他制程監(jiān)視器的反饋控制系統(tǒng)使得植入偏壓或頻率的增加對于獲得額外動量的離子穿透表 面薄膜剛好是足夠的。偏壓增加量可多于或少于補(bǔ)償沉積層以達(dá)成所要摻雜劑輪廓所需的量。
在本發(fā)明的一個實施例中，此方法以五步偏壓斜線上升(自4千伏至6千 伏，每步0.5千伏)在B2H6等離子體掾雜系統(tǒng)中測試。在閣3中，次級離子質(zhì) 譜分析(secondary ion mass spectroscopy, SIMS)纟吉果展示近似于6千伏的保 留劑量及表面濃度，但結(jié)深度淺于5千伏處的深度且這種結(jié)果可借由Rs資料 來確認(rèn)。本發(fā)明的實施例也可加以實施用于要求箱狀輪廓的PLAD制程，諸如 超淺纟吉(ultra shallow junction, USJ)丌鄉(xiāng)成、汰 :/漏極延伸(source/drain extension, SDE)、源/漏極及多晶硅柵極摻雜以及使用高劑量、低能量植入的材料改性。
對于本發(fā)明的一個目的而言，所要的摻雜劑輪廓可借由偏壓斜線上升來達(dá) 成。在此實施例中，執(zhí)行依賴于沉積速率的線性偏壓斜線上升且在另一實施例 中，執(zhí)行也依賴于沉積速率的非線性偏壓斜線上升以最大化保留劑量。也可調(diào) 整偏壓斜線上升率快于或慢于沉積速率。又，可執(zhí)行反向偏壓斜線上升以用于 具有凈蝕刻的制程。偏壓斜線上升也可與工作周期斜線上升組合以防止可在高 工作周期偏壓斜線上升處發(fā)生的晶圓表面電弧(wafer surface arcing)。偏壓斜 線上升也可與改變一或多個制程參數(shù)組合以最大化保留劑量而無需深摻雜劑 輪廓?？筛淖兊闹瞥虆?shù)的實例包括壓力、氣體流量、氣體成份、射頻電源及 溫度。應(yīng)了解可改變其他制程參數(shù)且本發(fā)明不受提供為某些實例的上述參考制 程參數(shù)的限制。又，為高表面濃度或深輪廓尾部可執(zhí)行在任何情形中設(shè)計的輪 廓、沉積、蝕刻或一個也不執(zhí)行。可執(zhí)行初始沉積以減少溝道效應(yīng)(channeling)。開路或閉路控制可用于偏壓斜線上升?，F(xiàn)地及非原位(ex-situ)沉積測量可用
于這些控制回路。
如圖4所示，偏壓如箭頭長度所指示在等離子體植入期間增加。每一離子 的能量增益均等于穿過沉積層的能量損失，使得基板內(nèi)的離子分布保持很大程 度上的相同。如上所述，偏壓的增加視沉積速率而定可與時間成線性或非線性， 沉積速率也可與時間成線性或非線性。因此，保持劑量得以最大化而無需深摻 雜劑輪廓。
圖5(a)、 5(b)及5(c)說明偏壓斜線上升，其與工作周期斜線上升組合從而 以較低斜線上升偏壓達(dá)成較高工作周期以改良晶圓產(chǎn)量及晶圓的光阻調(diào)節(jié)。偏 壓僅在如圖5(a)所示的"開"時期施加。然而，可控制偏壓的振幅由控制器50分 離。又，偏壓可始于如圖5(b)所示的較低工作周期且結(jié)束于如圖5(c)所示的較 高工作周期，或偏壓可始于如圖5(c)所示的較高工作周期且結(jié)束于如圖5(b)所 示的較低工作周期。
圖6說明當(dāng)偏壓斜線上升相對于沉積速率變化時對摻雜劑輪廓的影響。在 圖6中，線I展示慢于沉積速率的偏壓斜線上升，線II展示匹配沉積速率的偏 壓斜線上升且線III展示快于沉積速率的偏壓斜線上升。對子降低接觸電阻而 言，表面最大輪廓是所耍的，同時淺或較深輪廓對于結(jié)深度控制及致動是所要 的。
圖7說明在具有凈表面蝕刻的制程中利用反向偏壓斜線上升的本發(fā)明的實 施例。減少離子能量以匹配表面移除率使得基板內(nèi)的離子分布保持很大程度上 的相同。又，偏壓的減小視表面移除率而定可與時間成線性或非線性。因此， 保留劑量得以最大化而無需發(fā)生深摻雜劑輪廓。
圖8說明本發(fā)明的實施例，其中在未施加偏壓持續(xù)預(yù)定量的時間的情況下， 可進(jìn)行初始沉積。當(dāng)使用單晶基板時，歸因于穿透初始沉積層的離子的角擴(kuò)展， 可減少或甚至消除溝道尾部。借此，可減少溝道效應(yīng)而無需預(yù)非晶化 (pre-amorphization)植入，其對SDE摻雜中USJ的形成是關(guān)鍵的。又，摻雜 劑橫向分布可用入射離子能量、通量及沉積速率的知識而模型化。
雖然本發(fā)明已結(jié)合上文概述的特定實施例加以描述，顯然，許多替代、修 改及變化對熟習(xí)此項技術(shù)者而言是顯而易見的。因此，如上陳述的本發(fā)明的實施例欲為說明性的而非限制性的。在不偏離如以下權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的 精神及范疇的情況下，可作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于工件的等離子體植入的方法，包含引入摻雜劑氣體至等離子體摻雜反應(yīng)室中以形成含所述摻雜劑氣體的離子的等離子體，所述等離子體在所述工件的表面處或接近所述工件的表面處具有等離子體鞘；以及斜線上升植入偏壓以加快所述摻雜劑氣體的離子穿過所述等離子體鞘朝向所述工件且植入所述摻雜劑氣體的離子至所述工件中，其中所述植入偏壓的斜線上升將摻雜劑氣體的離子的保留劑量及近表面濃度最大化至所述工件。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所述植入偏壓的歩驟包含線性斜線上升。
3. 如權(quán)利耍求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的步驟包含非線性斜線上升。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的步驟包含調(diào)整斜線上升的速率。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的步驟還包含與其組合的斜線上升工作周期的步驟。
6. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的步驟還包含與其組合的改變至少一個植入制程參數(shù)的步驟。
7. 如權(quán)利要求6所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中所述至少--個植入制程參數(shù)包含壓力、氣體流量、氣體成份、射頻電源及溫度參數(shù)。
8. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的速率匹配中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的沉積速率。
9. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的速率快于中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的沉積速率。
10. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的速率慢于中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的沉積速率。
11. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中斜線上升所 述植入偏壓的步驟包含反向斜線上升。
12. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，還包含在引入所 述摻雜劑氣體的離子的步驟之前的中性粒子及掾雜劑氣體的離子的初始沉積 步驟。
13. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，還包含監(jiān)視沉積 層的厚度且回應(yīng)于監(jiān)視到的厚度提供反饋控制至所述植入偏壓的斜線上升的 步驟。
14. 如權(quán)利要求1所述的用于工件的等離子體植入的方法，其中所述工件是半導(dǎo)體晶圓。
15. —種等離子體摻雜裝置，其包含 等離子體摻雜反應(yīng)室；平臺，定位在所述等離子體摻雜反應(yīng)室中；氣體源，耦接至所述等離子體摻雜反應(yīng)室，以引入摻雜劑氣體至所述等離 子體摻雜反應(yīng)室中且產(chǎn)生含所述摻雜劑氣體的離子的等離子體；以及電壓源，用于產(chǎn)生植入偏壓以加快所述摻雜劑氣體的離子自所述等離子體 朝向工件且植入所述摻雜劑氣體的離子至所述工件中，其中所述植入偏壓經(jīng)斜 線上升以將摻雜劑氣體的離子的保留劑量及近表面濃度最大化至所述工件。
16. 如權(quán)利要求15所述的等離子體掾雜裝置，其中所述植入偏壓是線性斜 線上升的。
17. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓是非線性 斜線上升的。
18. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓的速率經(jīng) 調(diào)整。
19. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓是結(jié)合斜 線上升工作周期而斜線上升。
20. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓是結(jié)合改 變至少一個植入制程參數(shù)而斜線上升。
21. 如權(quán)利要求20所述的等離子體摻雜裝置，其中所述至少 一個植入制程 參數(shù)包含壓力、氣體流量、氣體成份、射頻電源及溫度參數(shù)。
22. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓斜線上升的速率匹配中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的沉積速率。
23. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓斜線上升的速率快于中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的所述沉積速率。
24. 如權(quán)利要求15所述的等離子體摻雜裝置，其中所述植入偏壓斜線上升 的速率慢于中性粒子及所述摻雜劑氣體的離子的所述沉積速率。
25. 如權(quán)利要求15所述的等離子體慘雜裝置，其中所述植入偏壓是反向斜 線上升的。
全文摘要
一種方法及裝置是針對提供等離子體摻雜系統(tǒng)中的摻雜劑輪廓調(diào)整解決方案以符合濃度及結(jié)深度要求。可執(zhí)行偏壓斜線上升及偏壓斜線上升率調(diào)整以達(dá)成所要的摻雜劑輪廓，使得實現(xiàn)對等離子體摻雜系統(tǒng)中的元件縮放是關(guān)鍵的垂直方向及橫向上淺并陡的結(jié)。
文檔編號H01J37/32GK101203933SQ200680013410
公開日2008年6月18日 申請日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月15日
發(fā)明者哈勒德·M·波辛, 文森特·丹龍, 方子韋, 理查·艾波, 維克拉姆·辛區(qū) 申請人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司