專(zhuān)利名稱(chēng)：氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及X射線探測(cè)，特別是一種應(yīng)用于X射線探測(cè)的氣體電子倍增器的聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法。
背景技術(shù)：
氣體電子倍增器(GEM)如圖1所示，其主要組成部分是聚合物薄膜網(wǎng)格。目前制作聚合物薄膜網(wǎng)格的辦法，主要是采用光刻技術(shù)。由于光刻技術(shù)對(duì)設(shè)備的要求很高，價(jià)格昂貴，因此實(shí)際使用受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種簡(jiǎn)單實(shí)用的氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案一種氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法，其特征在于該方法的實(shí)質(zhì)是利用308nm準(zhǔn)分子激光直接對(duì)聚酰亞胺薄膜(6)打孔來(lái)制作氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格。
該方法包括下列具體步驟①在XeCl準(zhǔn)分子激光器的輸出光路的光軸上，依次設(shè)置衰減器、蠅眼光束均勻器、匯聚透鏡、微孔陣列掩膜板和聚酰亞胺薄膜，該微孔陣列掩膜板緊貼該聚酰亞胺薄膜，所述的聚酰亞胺薄膜的兩面各鍍有一層紫銅膜；②調(diào)整各元部件，使該激光器發(fā)出的308nm準(zhǔn)分子激光，經(jīng)衰減器、蠅眼光束均勻器輸出均勻光斑，使聚酰亞胺薄膜位于匯聚透鏡的焦面上；③啟動(dòng)XeCl準(zhǔn)分子激光器，該激光器發(fā)出的308nm準(zhǔn)分子激光，經(jīng)衰減器、蠅眼光束均勻器輸出均勻光斑，再經(jīng)匯聚透鏡聚焦，激光通過(guò)微孔陣列掩膜板對(duì)聚酰亞胺薄膜照射直接打孔，形成微孔網(wǎng)格。
所述的聚酰亞胺薄膜放置在一X-Y掃描平臺(tái)上。利用x-y平臺(tái)的掃描，可以獲得任意大小的微孔網(wǎng)格。
本發(fā)明的GEM聚合物薄膜網(wǎng)格制作，利用308nm準(zhǔn)分子激光直接打孔的方法，簡(jiǎn)單有效。


圖1為氣體電子倍增器和聚合物薄膜網(wǎng)格的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2為本發(fā)明實(shí)施例的示意圖。308nm的準(zhǔn)分子激光1，經(jīng)過(guò)衰減器2和蠅眼均勻器3后，經(jīng)匯聚透鏡4，照射到兩面鍍有紫銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜6，緊貼PI薄膜6之前為一片用YAG激光打孔獲得的微孔陣列掩膜板5。微孔陣列5的微孔大小為70μm，孔間距140μm，掩膜板厚度為70μm。PI薄膜厚50μm，兩面各鍍有10μm的紫銅膜。照射到PI薄膜6的有效光斑大小為3.5mm×3.5mm，激光單脈沖能量為120mJ，工作頻率10Hz。
利用x-y平臺(tái)的掃描，可以獲得任意大小的微孔網(wǎng)格。
實(shí)際我們制作的是20mm×20mm的網(wǎng)格。
權(quán)利要求
1.一種氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法，其特征在于該方法的實(shí)質(zhì)是利用308nm準(zhǔn)分子激光直接對(duì)聚酰亞胺薄膜(6)打孔來(lái)制作氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法，其特征在于該方法包括下列具體步驟①在XeCl準(zhǔn)分子激光器(1)的輸出光路的光軸上，依次設(shè)置衰減器(2)、蠅眼光束均勻器(3)、匯聚透鏡(4)、微孔陣列掩膜板(5)和聚酰亞胺薄膜(6)，該微孔陣列掩膜板(5)緊貼該聚酰亞胺薄膜(6)，所述的聚酰亞胺薄膜(6)的兩面各鍍有一層紫銅膜；②調(diào)整各元部件，使該激光器(1)發(fā)出的308nm準(zhǔn)分子激光，經(jīng)衰減器(2)、蠅眼光束均勻器(3)輸出均勻光斑，使聚酰亞胺薄膜(6)位于匯聚透鏡(4)的焦面上；③啟動(dòng)XeCl準(zhǔn)分子激光器(1)，該激光器(1)發(fā)出的308nm準(zhǔn)分子激光，經(jīng)衰減器(2)、蠅眼光束均勻器(3)輸出均勻光斑，再經(jīng)匯聚透鏡(4)聚焦，激光通過(guò)微孔陣列掩膜板(5)對(duì)聚酰亞胺薄膜(6)照射直接打孔，形成微孔網(wǎng)格。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法，其特征在于所述的聚酰亞胺薄膜(6)放置在一X-Y掃描平臺(tái)上。
全文摘要
一種應(yīng)用于X射線探測(cè)的氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格的制作方法，是采用308nm準(zhǔn)分子激光照射兩面鍍有紫銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜，利用緊貼PI薄膜之前的微孔陣列掩膜板的作用，在PI膜上形成微孔網(wǎng)格。利用X－Y掃描平臺(tái)，可以獲得任意尺寸的網(wǎng)格。本發(fā)明利用308nm準(zhǔn)分子激光直接打孔的方法制作氣體電子倍增器聚合物薄膜網(wǎng)格，簡(jiǎn)單有效。
文檔編號(hào)H01J43/00GK1547232SQ200310108970
公開(kāi)日2004年11月17日 申請(qǐng)日期2003年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者葉震寰, 樓祺洪, 魏運(yùn)榮, 董景星, 汪琳 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所