專利名稱：電子源襯底的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子源襯底的制造方法和制造裝置，該電子源襯底是通過配置多個電子發(fā)射元件而構(gòu)成的，每個電子發(fā)射元件包括一對元件電極和連接各元件電極的導電性薄膜，并在上述導電性薄膜的一部分上形成電子發(fā)射部分。
背景技術(shù)：
近年來，作為機場侯機廳等內(nèi)的大型顯示器和大型TV等的顯示元件，F(xiàn)PD和PDP的應用越來越普及，并隨著技術(shù)進步越來越趨于大型化。作為FPD顯示元件的一種的電子源襯底，也越來越趨于大型化。
電子源襯底是通過配置多個電子發(fā)射元件而構(gòu)成的顯示用襯底，每個電子發(fā)射元件包括一對元件電極和連接各元件電極的導電性薄膜，并在上述導電性薄膜的一部分上形成電子發(fā)射部分，更具體地，以形成表面?zhèn)鲗偷碾娮影l(fā)射元件作為電子源的情況作為對象。
現(xiàn)在，已知主要使用熱電子發(fā)射元件和冷陰極電子發(fā)射元件這兩種類型的電子發(fā)射元件。冷陰極電子發(fā)射元件包括場發(fā)射型(以下稱“FE型”)、金屬/絕緣層/金屬型(以下稱“MIM型”)和表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件等。
在文獻W.P.Dyke&W.W.Dolan，“Field emission”，Advancein Electron Physics，8，89(1956)，或C.A.Spindt，“PHYSICALProperties of thin-film field emission cathodes with molybdeniumcones”，J.Appl.Phys.，47，5248(1976)等中已公開了FE型的例子。
另外，在文獻C.A.Mead，“Operation of Tunnel-EmissionDevice”，J.Appl.Phys.，32，646(1961)等中已公開了MIM型的例子。
在文獻M.I.Elinson，Radio Eng.Electron Pys.，10，1290(1965)等中公開了表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件型的例子。表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件是利用這樣一種現(xiàn)象，即通過對在襯底上形成的小面積薄膜施加平行于薄膜表面的電流而產(chǎn)生電子發(fā)射。作為這種表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件，已公開了使用根據(jù)前述Elinson等的SnO2薄膜的表面?zhèn)鲗碗娮釉?、使用Au薄膜的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件(G.Dittmer，“Thin Solid Films”，9，317(1972))、使用In2O3/SnO2薄膜的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件(M.Hartwell and C.G.Fonstad，“IEEE Trans.EDConf.”，519(1975))和使用碳薄膜的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件(荒木久他，真空，第26卷，第1號，22頁(1983))等。
作為這些表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件的典型例子，圖5展示了上述M.Hartwell的元件結(jié)構(gòu)的示意圖。在該圖中，11為玻璃襯底，12和13為在玻璃襯底11上相互對置形成的一對元件電極。14為通過濺射等在H型形狀的圖案中形成的金屬氧化物薄膜的導電性薄膜，并通過稱為“通電成形”的通電處理而形成電子發(fā)射部分15。并且，圖中的元件電極的間隔L設定為0.5～1mm，W設定為0.1mm。由于電子發(fā)射部分15的位置和形狀不確定，所以僅示意性進行表示。
作為表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件的便宜且簡易的制造方法，已公開了通過這樣一種工序制作電子源襯底的方法(EP717428A，對應日本公開公報特開平9-69334號公報)，即在一對電極之間以液滴的狀態(tài)施加含有導電性薄膜材料的液體，檢測加到該電極間的該液滴的施加狀態(tài)，并根據(jù)所得到的有關(guān)施加狀態(tài)的信息在該電極間施加液滴。
還公開了一種導電性膜的形成方法，它是與共用布線電學連接的多個導電性膜的形成方法(EP936652A，對應日本公開公報特開2000-251665號公報)，其特征在于包括下列工序檢測上述共用布線或附屬于該共用布線的部件的配置狀態(tài)，在上述檢測結(jié)果的基礎上算出有關(guān)施加與該共用布線電學連接的多個上述導電性膜材料的位置的位置信息，以及在上述位置信息的基礎上在多個位置上施加上述導電性膜材料。
但是，隨著襯底尺寸的增加，施加液滴的區(qū)域尺寸也會一起增加，從而極難以與小尺寸襯底相同的水平保持整個襯底上的電極(或其代替物)的總體位置精度(畸變)，另外，沿襯底的厚度方向的精度也變差。因此，為了高精度地在襯底上的所有元件電極的位置上吐出液滴，與常規(guī)的方式相比，必須增加元件電極的位置的測定點數(shù)。
對于每個測定點還必須重復進行襯底的移動、定位以使得元件電極圖案位于測定光學系統(tǒng)的視野內(nèi)，然后，在光學系統(tǒng)的焦點范圍內(nèi)控制位置以測定圖案位置，使得測定多個元件電極所需的時間也與測定點的數(shù)量相應地增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是針對上述問題而提出的的，其第1目的在于，為了以液滴的狀態(tài)在襯底上精確而高速地吐出含有金屬的溶液，減少作為其工序之一的測定襯底的目標位置的時間。第2目的在于，消除襯底的目標位置的測定時間與液滴吐出時間之間的時間差，從而消除由于襯底溫度等的變化而產(chǎn)生的熱膨脹誤差。第3目的在于，提供一種使用高速且高精度的液滴施加技術(shù)的電子源襯底的制造方法和制造裝置，該液滴施加技術(shù)可以一邊測定襯底的目標圖案，一邊吐出和施加液滴。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電子源襯底的制造方法的特征在于包括測定工序，其中，沿一個方向?qū)Ρ砻嫔暇哂卸鄬﹄姌O的襯底和在該襯底的相互正交的X、Y、X方向中的至少一個方向中測定襯底位置的測定裝置中的至少一個進行相對地掃描，以測定襯底的位置；控制工序，其中，基于測定工序的結(jié)果而控制吐出液滴的吐出位置，該液滴是由含有導電性薄膜材料的液滴的噴墨頭施加于上述襯底上的；以及吐出工序，其中，基于控制工序，沿一個方向?qū)ι鲜鰢娔^和上述襯底中的至少一個進行相對地掃描，同時，由噴墨頭在上述襯底表面上的一對電極間吐出并施加含有導電性薄膜材料的液滴；且上述測定工序的掃描方向和上述吐出工序中的掃描方向基本平行，并在一個掃描過程中進行上述測定工序和上述吐出工序。
另外，上述測定裝置和上述噴墨頭可以一體化形成。
此時，可以與上述測定工序或上述吐出工序中的掃描方向平行地配置上述測定裝置和上述噴墨頭。
或者，也可以與上述測定工序或上述吐出工序中的掃描方向正交地配置上述測定裝置和上述噴墨頭。
并且，上述控制工序可以控制從上述噴墨頭吐出液滴的吐出定時(timing)，并且，上述控制工序還可以控制沿一個方向?qū)ι鲜鰢娔^和上述襯底中的至少一個進行相對掃描時的掃描方向。
另外，在上述吐出工序之前，可以進一步包含從上述噴墨頭預備吐出液滴的預備吐出工序。
另外，可以由表面?zhèn)鲗桶l(fā)射元件構(gòu)成上述電子源。在這種情況下，可以進一步包含在由上述吐出工序施加的液滴形成的導電性薄膜上進行通電成形的成形工序。
另外，在本發(fā)明的電子源襯底的制造方法中，在上述測定工序中，通過Z測定裝置測定上述襯底表面的Z方向的多個位置，并根據(jù)上述Z測定裝置得到的測定結(jié)果沿Z方向移動上述襯底，并且通過X-Y測定裝置對襯底上的多個圖案進行光學識別，然后進行圖像處理，以測定上述圖案的X、Y方向的多個位置。
另外，在本發(fā)明的電子源襯底的制造方法中，可以設置吐出液滴的多個噴墨頭，而在每個噴墨頭的附近設置上述測定裝置。
并且，本發(fā)明的電子源的制造裝置是這樣一種制造裝置，即由多個電子發(fā)射元件構(gòu)成電子源襯底，每個電子發(fā)射元件包括一對元件電極和連接各元件電極的導電性薄膜，并在上述導電性薄膜的一部分上形成電子發(fā)射部分，該裝置包含下列部件可以沿相互正交的X、Y方向移動襯底的工作臺；測定上述襯底的X、Y方向和與X、Y方向正交的Z方向的位置的測定裝置；向上述襯底上吐出含有上述導電性薄膜的形成材料的液滴的噴墨頭；沿X、Y、Z中的至少一個方向移動上述頭部件的頭移動裝置；以及基于上述測定裝置的測定數(shù)據(jù)控制從上述頭部件向上述襯底吐出上述液滴的吐出位置的控制裝置，并進一步包括位置控制吐出裝置，該位置控制吐出裝置在向上述襯底吐出液滴時，相對于上述頭部件沿一個方向掃描上述襯底，同時由上述測定裝置測定上述襯底在Z方向上的位置和上述襯底上的圖案在X、Y方向上的位置，并由上述控制裝置控制上述頭部件的吐出位置，同時吐出液滴。
另外，在本發(fā)明的電子源襯底的制造裝置中，上述測定裝置進一步包含下列裝置測定上述襯底的Z方向的多個位置的Z測定裝置，以及基于上述Z測定裝置得到的測定結(jié)果沿Z方向移動，光學識別上述襯底上的多個圖案并進行圖像處理，并測定該圖案在X、Y方向上的多個位置的XY測定裝置。
另外，在本發(fā)明的電子源襯底的制造裝置中，進一步具有吐出液滴的多個噴墨頭和位于各噴墨頭附近的上述測定裝置。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子源襯底的制造裝置的示意圖。
圖2是用于說明根據(jù)本發(fā)明的上述制造裝置的電子源襯底的制造方法的流程圖。
圖3是用于展示本發(fā)明的電子源襯底的制造方法中電子發(fā)射元件的制造方法的一例的示意圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的制造方法制作的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件的一例的示意圖，(a)為平面圖，(b)為剖面圖。
圖5為常規(guī)的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件的示意圖。
圖6為沿襯底的掃描方向的平行方向在頭部件的前方和后方的兩個位置配置了測定器的實例的平面配置圖。
圖7為沿襯底的掃描方向的平行方向僅在頭部件的前方配置了測定器的實例的平面配置圖。
圖8為在沿與襯底的掃描方向正交的方向的直線上在頭部件的附近配置測定裝置的實例的平面配置圖。
具體實施例方式
以下參照

本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖3的示意圖用于展示本發(fā)明的電子源襯底的制造方法中電子發(fā)射元件的制造方法的一例。圖4為根據(jù)本發(fā)明的制造方法制成的表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件的一例的示意圖，(a)為平面圖，(b)為剖面圖。
在圖3和圖4中，11為襯底，12和13為元件電極，14為導電性薄膜，15為電子發(fā)射部分，31為液滴吐出頭，32為液滴。
下面對包含本發(fā)明的前后工序的電子發(fā)射元件的制造方法依次說明。
首先，在本發(fā)明的前工序中，在襯底11上相隔間距L形成元件電極12和13(圖3(a))。然后，在本發(fā)明的裝置中，由液滴吐出頭31吐出由含有金屬元素的溶液形成的液滴32(圖3(b))，形成連接元件電極12和13的導電性薄膜14(圖3(c))。然后，通過例如成形處理在導電性薄膜中產(chǎn)生龜裂，以形成電子發(fā)射部分15(圖3(d))。
在現(xiàn)有例(特開平9-69334號公報，特開2000-251665號公報)等中已說明了元件電極的形成方法和通過成形處理的電子發(fā)射部分的形成方法，因此這里不再贅述。
作為液滴的吐出頭，可以在十幾毫克到幾十毫克的范圍內(nèi)進行控制，且可以很容易地形成十幾毫克到幾十毫克的微細液滴的噴墨方式的吐出頭是優(yōu)選的。作為噴墨方式的頭，可舉出使用壓電元件等的噴墨噴射頭、通過熱能在液體中形成氣泡把該液體作為液滴吐出的方式(以下稱為“氣泡噴射方式”)的噴墨噴射頭等。
為了得到良好的電子發(fā)射特性，特別優(yōu)選由微粒子構(gòu)成的微粒子膜作為導電性薄膜14，并根據(jù)元件電極12和13的臺階覆蓋率(step coverage)、元件電極12、13之間的電阻值以及通電成形條件等對該導電性薄膜設定適宜的膜厚，該膜厚優(yōu)選為幾個到幾千，特別優(yōu)選為10到500。
本發(fā)明的電子源襯底的制造方法和制造裝置的最大的特征在于包括測定工序，其中，沿一個方向?qū)Ρ砻嫔暇哂卸鄬﹄姌O的襯底和在該襯底的相互正交的X、Y、X方向中的至少一個方向中測定襯底位置的測定裝置中的至少一個進行相對地掃描，以測定襯底的位置；控制工序，其中，基于測定工序的結(jié)果而控制吐出液滴的吐出位置，該液滴是由吐出含有導電性薄膜材料的液滴的噴墨頭施加于上述襯底上的；以及吐出工序，其中，基于控制工序，沿一個方向?qū)ι鲜鰢娔^和上述襯底中的至少一個進行相對地掃描，同時，由噴墨頭在上述襯底表面上的一對電極之間吐出并施加含有導電性薄膜材料的液滴，而且，上述測定工序的掃描方向和上述吐出工序中的掃描方向基本平行，并在一個掃描過程中進行上述測定工序和上述吐出工序。
本發(fā)明的測定工序、吐出工序中的搜查對象優(yōu)選為襯底。在這種情況下，頭部件和測定裝置保持靜止，而僅移動襯底，就可以實現(xiàn)襯底相對于頭部件、測定裝置的掃描。
另外，對于用于測定襯底位置的測定器的配置，可以考慮采用各種布局，但在任何情況下都優(yōu)選盡可能靠近頭部件的位置。例如，如圖6所示的測定器的配置，其中，沿襯底的掃描方向的平行方向在頭部件的前方和后方的兩個位置配置測定器，這樣，對于前進后退的兩個方向都可以測定所需吐出液滴的位置，但這需要用于掃描頭部件和測定器之間的距離的額外時間。另外，例如如圖7所示，可以沿襯底的掃描方向的平行方向僅在頭部件的前方配置測定器，以在前進后退的一個方向時測定所需吐出液滴的位置并加以存儲，并對其它方向使用該存儲的數(shù)據(jù)，但這仍需要用于掃描頭部件和測定器之間的距離的額外時間。
其它的配置的例子如圖8所示，可以在相對于頭部件和測定裝置掃描襯底的方向正交的方向上并列配置頭部件和測定器。在這種情況下，必須對用于測定第一應吐出線的測定裝置進行掃描，測定襯底上的所需位置并加以存儲。然后，相對于頭部件和測定裝置在與掃描方向正交的方向上移動襯底(以下稱為“分段移動”)，然后，實施位置控制工序和吐出工序的動作。
在任一種情況下，通過這種掃描(例如X方向)在包含噴墨頭正下方的掃描距離的范圍的襯底上吐出并施加液滴，然后，沿掃描方向的正交方向(Y方向)移動所需的距離(工作臺移動)。在這種位置上，沿X方向相對地掃描頭部件和襯底，同時重復進行上述位置控制工序和吐出工序的動作。通過這種重復操作，可以在頭部件長度以上的大面積上高速且高精度地吐出并施加液滴。
(實施例)圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子源襯底的制造裝置的示意圖。
在圖1中，101是裝置搭載用的本體定盤，102是用于支撐定盤101并阻斷外部振動的消振臺，103是在定盤上設置的用于進行大沖程移動的Y工作臺導軸，104是Y工作臺驅(qū)動用的線性馬達，105是Y工作臺，是具有X工作臺的導軸功能的Y工作臺，106是X工作臺驅(qū)動用的線性馬達，107是具有θ軸功能的X工作臺，108是搭載襯底的板部件，109是由噴墨頭構(gòu)成的頭部件，110是用于測定襯底上的圖案位置(XY方向)的XY測定光學系統(tǒng)，111是用于測定襯底的Z方向的位置的Z測定光學系統(tǒng)，112是沿Z方向移動對準(alignment)測定光學系統(tǒng)的Z移動部件，113是頭移動部件，用于沿襯底的掃描方向的正交方向，即與X方向正交的Y和Z方向移動頭部件109，114是用于支撐Z移動部件和頭移動部件的柱體，115是用于測定工作臺位置的激光光學系統(tǒng)，116是清洗噴墨頭的吐出嘴表面并穩(wěn)定吐出量和吐出位置的清洗部件和驅(qū)動系統(tǒng)。
圖2是用于說明根據(jù)本發(fā)明的上述制造裝置的電子源襯底的制造方法的流程圖。根據(jù)本圖的工序進行說明。

在本制造裝置的XY工作臺上搭載作為電子源襯底的基礎的襯底，并真空吸附該襯底。
通過Z測定光學系統(tǒng)測定襯底上面的位置，基于該測定結(jié)果沿Z方向移動XY測定光學系統(tǒng)進入焦點范圍，同時測定襯底與頭部件在X、Y、θ方向中的相對位置關(guān)系。作為合適的方法，XY測定光學系統(tǒng)可以通過CCD等的傳感器讀取在襯底上設置的對準標記，并根據(jù)在圖像處理單元中分析所得到的圖像信息，測定襯底與頭部件的相對位置關(guān)系。
在該測定過程中，對于多個標記，可以使用多個測定光學系統(tǒng)對多個標記進行測定，也可以使用一個測定光學系統(tǒng)通過移動工作臺對多個標記進行測定。另外，也可讀取元件電極等的圖案以取代對準標記。
在上述工序得到的測定結(jié)果的基礎上，調(diào)整XY工作臺的位置，并校正工作臺上的襯底和頭部件的相對位置。
為了穩(wěn)定噴墨頭的吐出位置和吐出量，在可能吐出液滴的位置進行預備吐出?？赡芡鲁鲆旱蔚奈恢每梢允牵r底上的預先設定的區(qū)域，或工作臺上的襯底外的設定區(qū)域，或用于接收吐出的液滴的盤部件移動到頭部件的正下方。另外，通過觀察頭部件吐出面的表面狀態(tài)和余計的液滴的附著情況，并通過后面所述的恢復功能，有效地清洗頭部件的吐出面。另外，在噴墨頭的吐出位置和吐出量已穩(wěn)定的情況下，可以省略本工序。
通過沿一個方向(例如X方向)相對于Z測定光學系統(tǒng)和XY測定光學系統(tǒng)相對地掃描襯底，測定該襯底上的相互正交的X、Y、Z方向上的位置。對于測定位置的對象，優(yōu)選為從在工序16中由頭部件吐出并施加液滴的區(qū)域中的所有元件電極圖案中預選出的多個位置的圖案。
沿上述工序S15的掃描方向的正交方向(Y方向)相對于頭部件相對地移動襯底(分段移動)。
基于上述工序S1 5中測定的多個圖案在X、Y、Z方向上的測定結(jié)果，沿一個方向(例如X方向)相對地掃描頭部件或襯底，同時控制液滴在襯底上的吐出位置，并由頭部件在襯底所需的位置上吐出液滴，并且測定在下一個工序中應吐出液滴的區(qū)域在襯底的互相正交的X、Y、Z方向上的位置。
然后，與工序S16相同，沿掃描方向的正交方向(Y方向)相對于頭部件分段移動襯底。
然后，與工序S17相同，沿一個方向相對于頭部件相對地掃描襯底，同時吐出液滴，然后測定應吐出液滴的區(qū)域在襯底的互相正交的X、Y、Z方向上的位置。具體而言，吐出位置的控制是指吐出定時、掃描方向的補正和工作臺的θ(角度)補正等。
然后，通過重復工序S16和S17，在襯底上的所有所需區(qū)域上高精度地吐出液滴。并且，位置測定對于X、Y和Z三個方向并不都是必須的，在襯底的精度足夠的情況下，可以僅對X、Y(如果必要，θ)進行測定。相反，在元件電極的排列圖案的精度足夠的情況下，可以僅對于Z方向進行測定。另外，在形成元件電極時，在元件電極的配置圖案的偏差具有方向性的情況下，在配置時可以考慮該方向性并對X、Y(如果必要，θ)中的任一方向進行測定。
并且，在本實施例中，雖然給出了在頭部件的Y方向的位置上設置襯底位置的測定裝置的例子，但如實施方式部分所述，也可以考慮在頭部件的X方向的位置上設置襯底位置的測定裝置。在這種情況下，工序S15包含于工序S17中。
在這樣形成的導電性薄膜上進行上述通電成形，由此形成具有由表面?zhèn)鲗桶l(fā)射元件形成的電子源的電子源襯底。如上所述，由于在上述實施例中具有這樣一種裝置，即根據(jù)襯底上的多個圖案的X、Y、Z方向上的測定結(jié)果，沿一個方向(X方向)相對掃描頭部件和襯底，同時控制液滴在襯底上的吐出位置，并由頭部件在襯底上的所需位置上吐出液滴，并且，測定應吐出液滴的區(qū)域在襯底的互相正交的X、Y、Z方向上的位置，所以不必在吐出之前預先測定襯底上的應吐出的所有區(qū)域的圖案位置，可以大大減少其測定時間。
另外，作為本發(fā)明的制造裝置的構(gòu)成，增加用于噴墨頭的恢復裝置、預備輔助裝置等可以進一步為本發(fā)明增加穩(wěn)定化的效果，所以是優(yōu)選的。它們的具體的例子包括用于噴墨頭的壓蓋裝置、清洗裝置、加壓裝置或吸引裝置、電熱轉(zhuǎn)換器或其它加熱元件或其組合的預備加熱裝置、以及將本來的吐出與別的預備吐出模式分開的裝置，這些裝置都可以有效地使吐出穩(wěn)定。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，為了在襯底上高精度且高速地以液滴狀態(tài)吐出含有金屬溶液的液滴，可以減少作為其一個工序的測定襯底的目標位置的時間。另外，由于可以消除襯底的目標位置的測定時間和液滴吐出時間之間的時間差，并消除由于襯底溫度等的變化而產(chǎn)生的熱膨脹溫差，所以可以提供使用在測定襯底的目標圖案的同時吐出并施加液滴的高速高精度的液滴施加技術(shù)的電子源襯底的制造方法和制造裝置。另外，還可以提供根據(jù)以上方法制造的電子源襯底。
權(quán)利要求
1.一種電子源襯底的制造方法，其特征在于包括測定工序，其中，沿一個方向?qū)Ρ砻嫔暇哂卸鄬﹄姌O的襯底和在該襯底的相互正交的X、Y、X方向中的至少一個方向上測定襯底位置的測定裝置中的至少一個進行相對地掃描，以測定襯底的位置；控制工序，其中，基于測定工序的結(jié)果而控制吐出液滴的吐出位置，該液滴是由吐出含有導電性薄膜材料的液滴的噴墨頭施加于所述襯底上的；以及吐出工序，其中，基于控制工序，沿一個方向?qū)λ鰢娔^和所述襯底中的至少一個進行相對地掃描，同時，由噴墨頭在所述襯底表面上的一對電極間吐出并施加含有導電性薄膜材料的液滴；其中，所述測定工序的掃描方向和所述吐出工序中的掃描方向基本平行，且在一個掃描過程中進行所述測定工序和所述吐出工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源襯底的制造方法，其特征在于，所述測定裝置和所述噴墨頭一體化形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電子源襯底的制造方法，其特征在于，與所述測定工序或所述吐出工序中的掃描方向平行地設置所述測定裝置和所述噴墨頭。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的電子源襯底的制造方法，其特征在于，與所述測定工序或所述吐出工序中的掃描方向正交地設置所述測定裝置和所述噴墨頭。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源襯底的制造方法，其特征在于，所述控制工序控制由所述噴墨頭吐出的液滴的吐出定時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源襯底的制造方法，其特征在于，所述控制工序控制沿一個方向相對地掃描所述噴墨頭和所述襯底中的至少一個時的掃描方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源襯底的制造方法，其特征在于，在所述吐出工序之前還包含從所述噴墨頭中預備吐出液滴的預備吐出工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的電子源襯底的制造方法，其特征在于，所述電子源由表面?zhèn)鲗桶l(fā)射元件構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電子源襯底的制造方法，其特征在于，還包含在由所述吐出工序中施加的液滴形成的導電性薄膜上進行通電成形的成形工序。
全文摘要
提供一種電子源襯底的制造方法，可以減少測定襯底的目標位置的時間，其包括測定工序，其中，沿一個方向?qū)σr底和測定裝置中的至少一個進行掃描，以測定襯底的位置；控制工序，其中，根據(jù)測定工序的結(jié)果而控制吐出液滴的吐出位置；以及吐出工序，其中，基于控制工序，沿一個方向?qū)λ鰢娔^和所述襯底中的至少一個進行相對地掃描，同時，由噴墨頭在所述襯底表面上的一對電極間吐出并施加含有導電性薄膜材料的液滴；其中，所述測定工序的掃描方向和所述吐出工序中的掃描方向基本平行，且在一個掃描過程中進行所述測定工序和所述吐出工序。
文檔編號H01J9/02GK1497640SQ20031010143
公開日2004年5月19日 申請日期2003年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月17日
發(fā)明者堀越康夫, 大塚博之, 之 申請人:佳能株式會社