專利名稱：偏轉(zhuǎn)線圈裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在彩色電視設(shè)備等的圖象顯示器中設(shè)置在顯象管中的偏轉(zhuǎn)線圈裝置。
背景技術(shù)：
在將圖象投影到前方屏幕上的投射型彩色電視設(shè)備中，裝備有R(紅)用、G(綠)用和B(藍)用的三個圖象顯示器，這些圖象顯示器朝前方的屏幕排列。
各個圖象顯示器由如圖6所示的顯象管2和偏轉(zhuǎn)線圈裝置10構(gòu)成。顯象管2一體地包括錐體部21，突出設(shè)置在錐體部21的小徑側(cè)的管頸部22和在錐體部21的大徑側(cè)形成的面板23，并且在管頸部22內(nèi)內(nèi)置有電子槍3。偏轉(zhuǎn)線圈裝置10跨過顯象管2的錐體部21和管頸部22設(shè)置。另外，在下面的說明中參照的附圖中，分別由X軸和Y軸表示顯象管2的水平方向和垂直方向，由Z軸表示電子槍3的電子束的發(fā)射方向。
如圖7所示，偏轉(zhuǎn)線圈裝置10包括應(yīng)偏轉(zhuǎn)從電子槍3發(fā)射的電子束的主線圈部4、和應(yīng)調(diào)整該電子束的會聚的會聚線圈部5，接近于主線圈部4，在主線圈部4的后方配置該會聚線圈部5。另外，在圖7中，由局部截面?zhèn)让鎴D表示偏轉(zhuǎn)線圈裝置10的上半部的同時，由垂直截面圖表示偏轉(zhuǎn)線圈裝置10的下半部。
主線圈部4由沿錐狀線軸80的內(nèi)周面配置的主線圈水平線圈6，包圍線軸80的外周面而設(shè)置的磁芯8，和繞在該磁芯8的周圍的主線圈垂直線圈7構(gòu)成。通過在主線圈水平線圈6上流過電流，在顯象管2的內(nèi)部生成水平磁場，通過在主線圈垂直線圈7上流過電流，在顯象管2的內(nèi)部生成垂直磁場。通過這些磁場，將從電子槍3發(fā)射的電子束沿水平方向和垂直方向偏轉(zhuǎn)。
這里，在主線圈水平線圈6和主線圈垂直線圈7上流過周期性的鋸齒波電流時，電子束在顯象管2的面板23上沿水平方向和垂直方向掃描，由此將圖象生成到面板23上。并且，由三個圖象顯示器生成的R、G、B圖象放大投影到前方的屏幕上，通過重疊這些圖象而將彩色圖象顯現(xiàn)到屏幕上。在近年來的數(shù)字對應(yīng)的彩色電視設(shè)備中，使用具有水平掃描頻率為31.5KHz、垂直掃描頻率為60.0Hz的鋸齒波電流。
如圖9所示，會聚線圈部5包括環(huán)狀的會聚磁芯53、纏繞在該會聚磁芯53上的水平會聚線圈51和垂直會聚線圈52。水平會聚線圈51跨過與會聚磁芯53的X軸交叉的左右兩個區(qū)域纏繞，該線圈的兩端被連接到水平會聚校正電路11上。另外，垂直會聚線圈52跨過與會聚磁芯53的Y軸交叉的上下兩個區(qū)域纏繞，該線圈的兩端被連接到垂直會聚校正電路12上。
當在水平會聚線圈51上沿圖中箭頭所示方向流過電流時，如圖中的實線箭頭所示，在顯象管2的內(nèi)部空間S0中生成從上向下的磁場，通過該磁場，從電子槍3向垂直紙面向前方向發(fā)射的電子束9偏轉(zhuǎn)到紙面右方。另外，如圖中的虛線箭頭所示，當在垂直會聚線圈52上沿圖中箭頭所示方向流過電流時，在內(nèi)部空間S0的上半部生成從右向左的磁場的同時，在下半部生成從左向右的磁場，通過該磁場，電子束9偏轉(zhuǎn)到紙面下方。
因此，通過調(diào)整流過R用、G用、B用的圖象顯示器的水平會聚線圈51和垂直會聚線圈52的電流，在將RGB三個電子束偏轉(zhuǎn)到任一方向時，也使這些電子束被會聚到顯象管面板上的一點上，可使RGB三個圖象在屏幕上完全重疊。
但是，當在圖8所示的主線圈水平線圈6上流過具有水平掃描頻率的電流時，在主線圈水平線圈6的搭接部60的周圍沿與電流流向垂直的方向生成變化磁場m。這里，如圖7所示，在偏轉(zhuǎn)線圈裝置10中，由于在接近于主線圈水平線圈6的搭接部60的位置上配置會聚線圈部5，所以從搭接部60生成的變化磁場m泄漏到會聚線圈部5，通過該泄漏磁場，在水平會聚線圈51上生成感應(yīng)電壓。
圖10是表示在主線圈水平線圈6上流過水平掃描頻率31.5KHz的鋸齒波電流的同時，在主線圈垂直線圈7上流過垂直掃描頻率60.0Hz的鋸齒波電流時，測量在水平會聚線圈51上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓的時間變化結(jié)果。從圖中可清楚地看出，在水平掃描周期31.75μS內(nèi)水平會聚線圈51的電壓急劇上升。由此，可推定通過從主線圈水平線圈6漏入變化磁場m，而在水平會聚線圈51上生成感應(yīng)電壓。在實際設(shè)備中，通過主線圈部的變化磁場，在水平會聚線圈上周期性地生成10V以上的電壓。
這樣，在圖7所示的偏轉(zhuǎn)線圈裝置10中，由于在會聚線圈部5的水平會聚線圈51上生成了感應(yīng)電壓，所以存在因水平會聚線圈51所造成的會聚調(diào)整困難的問題。作為解決該問題的方法，雖然考慮配置消除來自主線圈部4的變化磁場用的消除電路，但是由此不僅存在應(yīng)連接到偏轉(zhuǎn)線圈裝置10上的電路構(gòu)成復(fù)雜，而且存在為構(gòu)成消除電路需要價格昂貴的耐壓高電路部件的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種構(gòu)成簡單的偏轉(zhuǎn)線圈裝置，可有效地抑制因來自主線圈部的泄漏磁場而在會聚線圈部生成的感應(yīng)電壓，而不需要配置消除電路等特殊電路。
根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置，在同軸上的彼此接近的位置上配置應(yīng)偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)射的電子束的主線圈部和應(yīng)調(diào)整該電子束的會聚的會聚線圈部，在會聚線圈部上，配置了兩端彼此短路的短路線圈。
在所述本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，由于在會聚線圈部配置了短路線圈，所以即使從主線圈部向會聚線圈部漏入了變化磁場，由于使短路線圈在抵消泄漏磁場的方向上生成磁場，由此，作用在會聚線圈部的泄漏磁場的影響大幅減小，有效地抑制了因泄漏磁場而在會聚線圈部生成的感應(yīng)電壓。
在具體的構(gòu)成中，會聚線圈部包括環(huán)狀的會聚磁芯、跨過與水平軸交叉的會聚磁芯的左右兩個區(qū)域纏繞的水平會聚線圈、跨過與垂直軸交叉的會聚磁芯的上下兩個區(qū)域纏繞的垂直會聚線圈，分別在會聚磁芯的所述左右兩個區(qū)域上纏繞上短路線圈。
在該具體構(gòu)成中，雖然來自主線圈部的泄漏磁場主要在會聚磁芯的所述左右兩個區(qū)域，即在纏繞有水平會聚線圈的區(qū)域上作用，但因在該區(qū)域上纏繞有短路線圈，所以通過該短路線圈，而感應(yīng)出與所述泄漏磁場反方向的磁場。結(jié)果，幾乎完全抑制了由來自主線圈部的泄漏磁場在會聚線圈部生成的感應(yīng)電壓。但由于在纏繞有垂直會聚線圈的區(qū)域上沒有纏繞短路線圈，所以應(yīng)由垂直會聚線圈產(chǎn)生的會聚校正用磁場不受影響。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置，只通過在會聚線圈部上配置短路線圈的簡單構(gòu)成，而不用配置消除來自主線圈部的變化磁場用的消除電路等的特殊電路，可抑制在會聚線圈部上生成的感應(yīng)電壓，由此可進行比過去更正確的會聚校正。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置的會聚線圈部的正面圖；圖2是表示該偏轉(zhuǎn)線圈裝置的局部的截面?zhèn)让鎴D；圖3是表示在該偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，測量因來自主線圈水平線圈的磁場而在水平會聚線圈上生成的感應(yīng)電壓的時間變化結(jié)果的圖表；圖4(a)是表示在現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，測量垂直會聚線圈的端子間電壓結(jié)果的圖表；圖4(b)是表示在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，測量垂直會聚線圈的端子間電壓結(jié)果的圖表；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置的會聚線圈部的另一構(gòu)成例的正面圖；圖6是包括現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈裝置的顯象管的側(cè)面圖；圖7是表示該偏轉(zhuǎn)線圈裝置的局部的截面?zhèn)让鎴D；圖8是表示該偏轉(zhuǎn)線圈裝置的主線圈水平線圈的斜視圖；圖9是表示該偏轉(zhuǎn)線圈裝置的會聚線圈部的正面圖；圖10是表示在該偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，測量因來自主線圈水平線圈的磁場而在水平會聚線圈上生成的感應(yīng)電壓的時間變化結(jié)果的圖表。
具體實施例方式
下面，隨附圖具體說明在投射型的彩色電視設(shè)備的圖象顯示器中實施本發(fā)明的形式。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置1跨過顯象管2的錐體部21和管頸部22而被安裝在顯象管2上，包括應(yīng)偏轉(zhuǎn)從電子槍3發(fā)射的電子束的主線圈部4和應(yīng)調(diào)整該電子束的會聚的會聚線圈部5。接近于主線圈部4，在主線圈部4的后方配置會聚線圈部5。另外，在圖2中，由局部截面?zhèn)让鎴D表示偏轉(zhuǎn)線圈裝置1的上半部的同時，由垂直截面圖表示偏轉(zhuǎn)線圈裝置1的下半部。
主線圈部4由沿錐狀線軸80的內(nèi)周面配置的主線圈水平線圈6、包圍線軸80的外周面而設(shè)置的磁芯8和纏繞在該磁芯8的周圍的主線圈垂直線圈7構(gòu)成。
另外，如圖1所示，會聚線圈部5包括環(huán)狀的會聚磁芯53、纏繞在該會聚磁芯53上的水平會聚線圈51和垂直會聚線圈52。水平會聚線圈51包括跨過與X軸交叉的會聚磁芯53的左右兩個區(qū)域，分別在小于90度的角度范圍內(nèi)纏繞的一對左右的水平線圈纏繞部51a、51a，該線圈的兩端被連接到水平會聚校正電路11。另外，垂直會聚線圈52包括跨過與Y軸交叉的會聚磁芯53的上下兩個區(qū)域，分別在小于90度的角度范圍內(nèi)纏繞的一對上下的垂直線圈纏繞部52a、52a，該線圈的兩端被連接到垂直會聚校正電路12。
更進一步的，在會聚磁芯53上，在與X軸交叉的左右兩個位置上分別纏繞匝數(shù)是1～幾圈的短路線圈54、54，各短路線圈54其兩端彼此短路。
在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置1中，當在圖1所示的會聚線圈部5的水平會聚線圈51上流過電流時，在顯象管2的內(nèi)部空間S1上生成磁場，由此，該磁場產(chǎn)生的力作用于從電子槍3向垂直紙面向前方向發(fā)射的電子束，電子束沿水平方向偏轉(zhuǎn)。另外，當在垂直會聚線圈52上流過電流時，在內(nèi)部空間S1上生成磁場，電子束因該磁場產(chǎn)生力的作用，沿垂直方向偏轉(zhuǎn)。水平會聚校正電路11和垂直會聚校正電路12調(diào)整在兩個線圈51、52中流過的電流，從而使得從R用、G用和B用的三個圖象顯示器投影到屏幕上的RGB三個圖象在屏幕的任何位置上都一致。
如圖2所示，在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置1中，由于在接近于主線圈水平線圈6的搭接部60的位置上配置了會聚線圈部5，所以雖然從搭接部60產(chǎn)生的變化磁場泄漏到了會聚線圈部5，但如圖1所示，在會聚線圈部5的會聚磁芯53上，在與X軸交叉的左右兩個區(qū)域，即在所述泄漏磁場作用的區(qū)域上，纏繞了短路線圈54、54，所以通過該短路線圈54、54感應(yīng)出與所述泄漏磁場反方向的磁場。結(jié)果，幾乎完全抑制了因來自主線圈水平線圈6的泄漏磁場而在會聚線圈部5上生成的感應(yīng)電壓。
圖3是表示在主線圈水平線圈6上流過水平掃描頻率31.5KHz的鋸齒波電流的同時，在主線圈垂直線圈7上流過垂直掃描頻率60.0Hz的鋸齒波電流時，測量在水平會聚線圈51上生成的感應(yīng)電壓的時間變化的結(jié)果。從圖中可清楚地看出，由所述泄漏磁場產(chǎn)生微小的感應(yīng)電壓，其最大值小于5V，與圖10所示的現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈裝置10的最大電壓比較，顯著地減小了。因此，證實了通過一對短路線圈54、54的磁場抵消了來自主線圈水平線圈6的泄漏磁場。
另外，由于短路線圈54、54不纏繞在垂直會聚線圈52的纏繞區(qū)域，所以應(yīng)由垂直會聚線圈52產(chǎn)生的會聚校正用磁場不受影響。
圖4(a)表示在現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈裝置10中在使主線圈部4動作的狀態(tài)下測量垂直會聚線圈52的端子間電壓的結(jié)果，圖4(b)表示在根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置1中，在使主線圈部4動作的狀態(tài)下，測量垂直會聚線圈52的端子間電壓的結(jié)果。從圖中可清楚看出，垂直會聚線圈52的端子間電壓的變化無論有沒有裝備一對短路線圈54、54，都具有相同波形。因此，即使裝有一對短路線圈54、54，也可正確地進行由垂直會聚線圈52而產(chǎn)生的會聚。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置1，只通過在會聚線圈部5上配置短路線圈54、54的簡單構(gòu)成，而不需為消除來自主線圈部4的變化磁場而配置消除電路等的特殊電路，來抵消水平會聚線圈51上作用的來自主線圈部4的泄漏磁場，而可有效地抑制在水平會聚線圈51上生成的感應(yīng)電壓，由此可進行比從前更正確的水平會聚校正。
另外，本發(fā)明的各部分構(gòu)成并不限于上述實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可在不脫離在權(quán)利要求中所記載的本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)作出各種可能的變形。例如，如圖5所示，配置在會聚磁芯53上的一對短路線圈56a、56b也可為通過搭接線55a彼此連接一個線圈56a的一端和另一個線圈56b的一端的同時，通過搭接線55b彼此連接一個線圈56a的另一端和另一個線圈56b的另一端的短路構(gòu)造。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)線圈裝置，其特征在于在同軸上的彼此接近位置上配置應(yīng)偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)射的電子束的主線圈部、和應(yīng)調(diào)整該電子束的會聚的會聚線圈部，在會聚線圈部上配置短路兩端的短路線圈。
2.在根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，其特征在于會聚線圈部包括環(huán)狀的會聚磁芯、跨過與水平軸交叉的會聚磁芯的左右兩個區(qū)域纏繞的水平會聚線圈和跨過與垂直軸交叉的會聚磁芯的上下兩個區(qū)域纏繞的垂直會聚線圈；分別在會聚磁芯的所述左右兩個區(qū)域上纏繞短路線圈。
3.在根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，其特征在于纏繞在會聚磁芯的所述左右兩個區(qū)域的兩個短路線圈各自的兩端彼此連接。
4.在根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，其特征在于纏繞在會聚磁芯的所述左右兩個區(qū)域的兩個短路線圈在彼此連接一個線圈的一端和另一個線圈的一端的同時，彼此連接一個線圈的另一端和另一個線圈的另一端。
5.在根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，其特征在于各個短路線圈具有1個以上的匝數(shù)。
6.在根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)線圈裝置中，其特征在于將水平會聚校正電路連接到水平會聚線圈的兩端，將垂直會聚校正電路連接到垂直會聚線圈的兩端。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈裝置包括應(yīng)偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)射的電子束的主線圈部(4)和應(yīng)調(diào)整該電子束的會聚的會聚線圈部(5)。會聚線圈部(5)包括環(huán)狀的會聚磁芯(53)、跨過與水平軸交叉的會聚磁芯(53)的左右兩個區(qū)域纏繞的水平會聚線圈(51)和跨過與垂直軸交叉的會聚磁芯(53)的上下兩個區(qū)域纏繞的垂直會聚線圈(52)，分別在會聚磁芯(53)的所述左右兩個區(qū)域上纏繞短路線圈(54)(54)。
文檔編號H01J29/70GK1477674SQ0317866
公開日2004年2月25日 申請日期2003年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月19日
發(fā)明者宮崎雅彥 申請人:三洋電機株式會社, 三洋電子部品株式會社