專利名稱：氣體放電板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于計算機的監(jiān)視器及電視機等的圖象顯示的等離子體顯示板等氣體放電板的制造方法。
在圖8中，110是正面玻璃基板，在該正面玻璃基板110上形成放電電極111。進一步，用由電介質玻璃層112及由氧化鎂(MgO)構成的電介質保護層113覆蓋放電電極111(例如，參照特開平5-342991號公報)。
另外，120是背面玻璃基板，在該背面玻璃基板120上形成地址電極121、覆蓋該地址電極121的可見光反射層122及障壁123、熒光體層124,130為封入放電氣體的放電空間。上述熒光體層124，為進行彩色顯示而依次配置著紅、綠、藍三種顏色的熒光體層。上述各熒光體層124，由通過放電產生的短波長紫外線(例如，波長147nm)激勵發(fā)光。
作為構成熒光體層124的熒光體，一般采用以下材料。
「藍色熒光體」BaMgAl10O17∶Eu「綠色熒光體」Zn2SiO4∶Mn或BaAl12O19∶Mn「紅色熒光體」Y2O3∶Eu或(YxGd1-x)BO3∶Eu各色熒光體可按如下方法制作。
藍色熒光體(BaMgAl10O17∶Eu)，首先，將碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鎂(MgCO3)、氧化鋁(α-Al2O3)按Ba、Mg、Al的原子比配合成1∶1∶10。
然后，對該混合物添加規(guī)定量的氧化銪(Eu2O3)。接著，在球磨機中與適量的助熔劑(AlF2、BaCl3)混合在一起，并在1400℃～1650℃下在還原氣氛中(H2或N2中)燒結規(guī)定時間(例如，半小時)，即可制成。
紅色熒光體(Y2O3∶Eu)，作為原料將氫氧化釔Y2(OH)3和硼酸(H3BO3)配合成Y、B的原子比1∶1。然后，對該混合物添加規(guī)定量的氧化銪(Eu2O3)，并在球磨機中與適量的助熔劑混合在一起，在1200℃～1450℃下在空氣中燒結規(guī)定時間(例如，1小時)，即可制成。
綠色熒光體(Zn2SiO4∶Mn)，作為原料將氧化亞鉛(ZnO)、氧化硅(SiO2)配合成Zn、Si的原子比2∶1。然后，對該混合物添加規(guī)定量的氧化錳(Mn2O3)，并在球磨機中混合，接著，在1200℃～1350℃下在空氣中燒結規(guī)定時間(例如，半小時)，即可制成。
將按上述制法制成的熒光體粒子粉碎后，通過篩分而獲得具有規(guī)定粒徑分布的熒光體材料。
以下，說明現(xiàn)有的PDP的制造方法。
首先，在正面玻璃基板上形成放電電極，并形成覆蓋該放電電極的由電介質玻璃構成的電介質層，進一步，在該電介質層上形成由MgO構成的保護層。然后，在背面玻璃基板上形成地址電極，并在其上按規(guī)定的間距形成可見光反射層及玻璃制障壁。
在由這些障壁夾隔出的各個空間內，分別涂敷包含著按如上所述方法制成的紅色熒光體、綠色熒光體、藍色熒光體的各色熒光體膏劑從而形成熒光體層，并于形成后在500℃左右燒結熒光體層，將膏劑內的樹脂成分等除去(熒光體燒結工序)。
在燒結熒光體后，在背面玻璃基板的周圍涂布與正面玻璃基板封接用的半熔玻璃料，并在350℃左右進行焙燒，以便將半熔玻璃料內的樹脂成分等除去(封接用玻璃焙燒工序)。
然后，將依次形成了放電電極、電介質玻璃層及保護層的正面玻璃基板與上述背面玻璃基板以使顯示電極與地址電極正交的形式隔著障壁相對配置，在450℃左右進行燒結，并用封接玻璃將周圍密封(封接工序)。
接著，一面加熱到規(guī)定溫度(350℃左右)，一面排出板內的氣體(排氣工序)，排氣結束后，以規(guī)定的壓力導入放電氣體。
在如上所述的現(xiàn)有的等離子體顯示板的制造方法中，存在著在板制作后的使發(fā)光特性及放電特性穩(wěn)定的老化工序中及正常動作時發(fā)光特性逐漸惡化的問題。
其原因是，在上述排氣工序中不能充分地清洗內部空間內的雜質(水蒸汽、氧氣、氮氣、二氧化碳等其組成與放電氣體不同的氣體成分)而使其殘留于內部空間。
為達到上述目的，本發(fā)明的一種氣體放電板制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后向外圍器內部充填將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體的子步驟；接著對外圍器內部進行真空排氣的子步驟。
另外，本發(fā)明的另一種氣體放電板制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后一面使將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體在外圍器內部流通一面將外圍器內部的氣體排出的子步驟。
而所謂「實質的」，其含義是「作為清洗氣體的主成分，對放電氣體不構成雜質」。因此，并非是「將該主成分氣體中從開始就作為雜質(通常濃度極低)含有的氣體排除」。
按照上述的制造方法，不只是像以往那樣簡單地將外圍器內部的氣體排出，而是如上所述在充填清洗氣體后將其排出或一面使清洗氣體流通一面排出，所以，與現(xiàn)有的制造方法相比，能夠將外圍器內的雜質濃度迅速地(在短時間內)排除到低濃度。
另外，在上述制造方法中，如果將外圍器整體或封接部加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度、同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，則使外圍器在由內外壓力差將兩基板從外側均勻壓緊的狀態(tài)下固化并封接，所以，可以在障壁頂部和與其相對配置的基板之間幾乎沒有間隙的狀態(tài)下進行封接。由于以往并不設置外圍器的內外壓力差而只是用夾子等將外周部夾緊，所以不能將外圍器的中央部壓緊，因而很容易在障壁頂部和與其相對配置的基板之間全部或局部分離的狀態(tài)下進行封接。
因此，按照如上所述的制造方法，可以很容易地制成PDP驅動時極少發(fā)生振動且顯示品位良好的PDP。
進一步，在上述制造方法中，如在對外圍器內部充填干燥氣體的狀態(tài)下進行封接步驟，則可以抑制熒光體的熱惡化。
圖2是在上述PDP中安裝了電路部件的顯示裝置的結構圖。
圖3是示意地表示本實施形態(tài)的封接工序中使用的封接·排氣裝置50的圖，(a)是俯視剖視圖，(b)是沿(a)中的A-A’線的垂直斷面圖。
圖4是表示封接時的溫度及壓力分布的圖(實施例)。
圖5是表示真空排氣工序·封入工序中的溫度及壓力分布的圖(實施例)。
圖6是表示封接時及真空排氣·封入工序的溫度及壓力分布的圖(實施例)。
圖7是示意地表示本發(fā)明另一實施形態(tài)的封接工序中使用的封接·排氣裝置70的圖。
圖8是表示現(xiàn)有例的實施形態(tài)中通用的PDP結構的透視圖。
用于實施發(fā)明的最佳形態(tài)以下，一面參照附圖，一面具體地說明本發(fā)明的等離子體顯示板制造方法。


圖1是表示實施形態(tài)的交流沿面放電型PDP的透視圖，圖2是在該PDP中安裝了電路部件的顯示裝置的結構圖。
該PDP，在對各電極施加脈沖狀電壓的情況下在放電空間內發(fā)生放電，并使伴隨著放電而在背面板側產生的各色可見光從正面板的主表面透射。
而且，該PDP在結構上是將在正面玻璃基板11上配置多個放電電極12(掃描電極12a、維持電極12b)、電介質層13、保護層14后構成的正面板10與在背面玻璃基板21上配置有多個放電電極22、電介質層23的背面板20以使電極12a、12b與地址電極22相互對置的狀態(tài)彼此平行地配置。
PDP的中央部是顯示圖象的區(qū)域，其中，正面板10與背面板20之間的間隙，通過由多個條帶狀的障壁24分隔而形成多個放電空間30，并在該放電空間30內封入放電氣體。另外，在放電空間30內，還在背面板20側配置著多個熒光體層25。該熒光體層25，按紅、綠、藍的順序反復排列。
放電電極12及地址電極22，都是條狀，放電電極12沿著與障壁24正交的方向配置，地址電極22沿著與障壁24平行的方向配置。
另外，板的構成方式是在放電電極12與地址電極22的交點處形成發(fā)出紅、綠、藍各色光的單元。
電介質層13，是由配置成覆蓋正面玻璃基板11的設有放電電極12的整個表面的介電物質構成的層，作為其材料，一般使用鉛系低熔點玻璃，但也可以用鉍系低熔點玻璃、或鉛系低熔點玻璃與鉍系低熔點玻璃的層疊物形成。
保護層14，是由氧化鎂(MgO)構成的薄層，該層覆蓋著電介質層13的整個表面。電介質層23，為了還兼有作為可見光反射層的作用，混合了TiO2粒子。障壁24，由玻璃材料構成，凸起地設置在背面板20的電介質層23的表面上。
另一方面，在PDP的外周部，用封接材料將正面板10與背面板20封接在一起。
障壁24的頂部與正面板10之間為基本上全部接觸或用接合材料接合的狀態(tài)。
以下說明制作這種PDP的方法一例。
正面板10的制作
按以下方法制作，即在正面玻璃基板11上，形成放電電極12，并形成覆蓋在其上的電介質層13，進一步，在電介質層13的表面上，用真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或CVD法形成由氧化鎂(MgO)構成的保護層14放電電極12，可以通過用絲網印刷法涂布銀電極用膏劑后進行燒結而形成。除此以外，也可以先用ITO(銦錫氧化物)或SnO2形成透明電極，然后在其上形成如上所述的銀電極或用光刻法形成Cr-Cu-Cr電極。
電介質層13，可以通過用絲網印刷法涂布含有鉛系玻璃材料(其組成，例如為氧化鉛[PbO]70重量％、氧化硼[B2O3]15重量％、氧化硅[SiO2]15重量％)的膏劑并進行燒結而形成。
背面板20的制作在背面玻璃基板21上，與放電電極12一樣用絲網印刷法形成地址電極22。
然后，通過用絲網印刷法涂布混合了TiO2粒子的玻璃材料并進行燒結而形成電介質層23。
接著形成障壁24。障壁24，可以通過用絲網印刷法反復涂布障壁用玻璃膏劑后進行燒結而形成。除此以外，也可以采用在背面玻璃基板21的整個表面上涂布障壁用玻璃膏劑后以噴砂法將不形成障壁的部分削去的方法形成障壁24。
然后，在各障壁24之間的溝槽內形成熒光體層25。該熒光體層25，一般是通過用絲網印刷法涂布含有各色熒光體粒子的熒光體膏劑并進行燒結而形成，但也可以通過用一面從噴嘴連續(xù)噴射一面沿著溝槽掃描的方法涂布熒光體油墨并在涂布后進行燒結以將熒光體油墨中所含有的溶劑或粘合劑除去而形成。這種熒光體油墨，是將各色熒光體粒子分散到粘合劑、溶劑、分散劑等的混合物內并調整到適當?shù)恼扯取?br> 作為熒光體粒子的具體例，可以列舉出「藍色熒光體」BaMgAl10O17∶Eu2+「綠色熒光體」BaAl12O19∶Mn或Zn2SiO4∶Mn「紅色熒光體」(YxGd1-x)BO3∶Eu3+或YBO3∶Eu3+。
在本實施形態(tài)中，按照40英寸級的VGA或高清晰度電視機，假定障壁的高度為0.06～0.15mm、障壁的間距為0.13～0.36mm。
封接工序·真空排氣工序·放電氣體封入工序接著，對按如上方式制作的正面板10與背面板20進行封接。
在該封接工序中，通過將正面板10和背面板20在其外周部填入封接材料后重疊在一起而形成外圍器，并用該封接材料進行封接。這時，根據(jù)需要也可以在背面板20的障壁24的頂部涂布接合材料。
作為封接材料，可以通過從外部施加熱能等能量使其軟化，通常采用低熔點玻璃，在將封接材料加熱而使其軟化后，通過固化進行封接。
另外，在進行封接工序時，在外圍器的內部和外部形成壓力差，從而使兩個板10和20從外側均勻壓緊。按照這種方式，可以在使障壁24的頂部與正面板10全部接觸或接近的狀態(tài)下進行封接。
如封接工序結束，則以高真空(例如，1.3×10-11MPa)對內部空間進行排氣，以便將吸附于外圍器內部的雜質氣體等逐出(真空排氣工序)。
然后，以規(guī)定的壓力將放電氣體(例如He-Xe系列、Ne-Xe系列、Ar-Xe系列的惰性氣體)封入到外圍器的內部(放電氣體封入工序)，從而制成PDP。
另外，在本實施形態(tài)中，將放電氣體中的Xe的含量設定為5體積％，并將封入壓力設定在0.067-0.11MPa的范圍內。
當驅動PDP進行顯示時，通過安裝如圖所示的電路部件而進行驅動。
以下，分為實施形態(tài)1～4，詳細說明封接工序、真空排氣工序、及放電氣體封入工序。
<實施形態(tài)1>
圖3是示意地表示本實施形態(tài)的封接工序中使用的封接·排氣裝置50的圖，(a)是俯視剖視圖，(b)是沿(a)中的A-A’線的垂直斷面圖。
該封接·排氣裝置50，包括將由正面板10和背面板20重疊而成的外圍器40裝在內部并對其進行加熱的加熱爐51、設在加熱爐51的外部的氣體導入系統(tǒng)52、及抽引排氣系統(tǒng)53。
該加熱爐51，可以用加熱器54進行加熱，內部溫度可以控制在所需的設定溫度。
采用該封接·排氣裝置50。按如下方式進行封接工序。
如圖3圖示，在背面板20上，預先在靠近顯示區(qū)域的外側的外周部上設置通氣孔21a、21b。通氣孔21a，在背面板20的右上方形成，通氣孔21b，在背面板20的左下方形成。
在正面板10與背面板20的相對面的任何一面或兩個面的外周部上涂布含有封接材料的膏劑并進行燒結，從而形成封接材料層41。這里，作為封接材料，采用軟化溫度比障壁24或電介質層23的材料低的低熔點玻璃。不言而喻，作為封接材料不限于這種低熔點玻璃，也可以采用金屬等。在這種情況下，封接溫度為使金屬熔融的溫度即熔點以上的溫度。
作為低熔點玻璃膏劑的具體例，可以舉出將低熔點半熔玻璃料(軟化點37℃)、乙基纖維素類粘合劑、乙酸異戊酯按80∶5∶15的比例混合后的膏劑，通過用分配器涂布該膏劑，可以形成封接材料層41。
在位于兩端的障壁與封接材料層41之間，設置將在其間形成的空間劃分為兩部分的分隔材料42。兩該分隔材料42，可以采用與封接材料層41、障壁相同的材料。由于該分隔材料42的存在，可以在各障壁之間形成的放電空間內更為有效地進行氣體的導入和排出。此外，當然也可以不設置該分隔材料42。
接著，一面將正面板10與背面板20的位置對準一面將其重疊而形成外圍器40。然后，用夾子將外圍器40的外周部夾緊固定，以使定位后的正面板10與背面板20的位置不會發(fā)生錯動。
將該外圍器40放置在加熱爐51內。然后，將氣體導入系統(tǒng)52通過連接管55連接于外圍器40的通氣孔21a。另一方面，將抽引排氣系統(tǒng)53通過連接管56連接于外圍器40的通氣孔21b。
連接管55及連接管56，是通過粘結材料55a、56a固定于背面板20的底面的玻璃管。對上述粘結材料55a、56a，例如可以采用與上述封接材料層41相同的材料，用分配器涂布含有低熔點玻璃的膏劑后進行干燥，并且也同時用夾子臨時固定。由此，隨著封接材料層41軟化、固化而將外圍器40封接，粘結材料55a、56a也軟化、固化，從而也自動地完成了連接管55及連接管56與背面板20的通氣孔21a及通氣孔21b的連接及氣密密封。
氣體導入系統(tǒng)52，由用于充填放電氣體的儲氣瓶52a及將連接管55與其連接的管線52b構成。在管線52b的中間部位設置著一個用于調整氣體導入量的通斷閥52c。連接管55與管線52b，通過夾緊等方式相互連接成可確保氣密性的狀態(tài)。
抽引排氣系統(tǒng)53，由集流腔53a、渦輪高真空泵53b、回轉泵53c、連接上述連接管56和集流腔53a的管線53d、連接上述集流腔53a和渦輪高真空泵53b的管線53e構成。在管線53e的中間部位設置著一個用于調整渦輪高真空泵的氣體抽引量的通斷閥53f。連接管56與管線53d，通過夾緊等方式相互連接成可確保氣密性的狀態(tài)。
另外，在本實施形態(tài)中，假定將正面板10設置在上側，將背面板20設置在下側，但也可以上下顛倒設置。此外，如果已固定成使兩個板10和20的位置不會發(fā)生錯動，則也可以將外圍器40豎立地放置在加熱爐內。
接著，將加熱爐51內加熱，并升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度(例如450℃)，在封接溫度下保持規(guī)定時間后，再次降溫到軟化點溫度以下，從而將兩個板10和20之間封接，但要一面用渦輪高真空泵53b從外圍器40內部排氣一面進行封接。此外，當使渦輪高真空泵53b動作時，應使回轉泵53c同時動作，以降低渦輪高真空泵53b內的背壓。封接條件，由玻璃基板材料與封接材料的親合性決定，當采用低熔點玻璃時，為大約450℃下10～20分鐘左右。
排氣最好在加熱爐51內已達到封接材料的軟化溫度后開始。其原因是，在達到封接材料的軟化溫度之前，由于兩個板10和20之間的外周部尚不具備足夠的氣密性，所以還不能通過從外圍器40內部排氣而使其內部達到高的真空度，但封接材料軟化后可以將兩個板10和20之間的外周部氣密密封，同時粘結材料層26a也被軟化從而使配管構件26與通氣孔21a的連接部分也被氣密密封，因此，當從外圍器40內部排氣時，可以減壓到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(幾乇左右))。
這樣，通過從外圍器40內部空間排氣而使兩個板10和20處于從外側均勻加壓的狀態(tài)。由于抽引排氣系統(tǒng)53的抽引排氣只需達到由外圍器40內的壓力與加熱爐內的壓力之差壓縮封接材料從而使兩個正面板和背面板接近并使正面板與障壁接觸的程度即可，所以只稍微進行抽引排氣(例如，0.08 MPa左右)就足夠了。
當對兩個板10和20從外側均勻加壓時，如圖3所示，使背面板20上的障壁頂部與正面板10為全部嚴密貼緊的狀態(tài)。然后，當在該狀態(tài)下降溫時，封接材料降到軟化以下的溫度并開始固化，從而進行外圍器40的封接。因此，在封接后的外圍器40中，就可以使障壁頂部與正面板10保持著全部嚴密貼緊的狀態(tài)。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度而是在比封接溫度低的溫度下加熱一定時間、例如在350℃左右加熱約30分鐘以將粘合劑材料除去，則在抑制熒光體的惡化上是有效的。
按照上述方式完成外圍器40的封接后，轉移到隨后的真空排氣工序。
真空排氣工序，一面將加熱爐15內的溫度加熱(烘烤)到比封接材料的軟化點低的溫度(排氣烘烤溫度)，一面在適當打開通斷閥53f的狀態(tài)下開動渦輪高真空泵53b及回轉泵53c以將外圍器40內抽引到真空狀態(tài)，然后，將放電氣體以規(guī)定壓力(例如，0.05 MPa)從氣體導入系統(tǒng)52導入到外圍器40內。充填放電氣體后，如將原有的壓力保持規(guī)定時間(5～10分鐘)，則尤為理想。其原因是，由于外圍器40內的障壁之間的傳導率小，所以在達到平衡壓力之前需要一定時間。
在如上所述一面加熱到排氣烘烤溫度一面進行真空排氣工序的情況下，在使吸附于外圍器40的內壁面上的雜質變?yōu)闅怏w狀態(tài)并充滿在放電空間內因而可以更為迅速地將雜質逐出到外圍器之外這一點上是令人滿意的，所以，一般可以按這種方式一面加熱到排氣烘烤溫度一面進行真空排氣，但當然也可以不按這種方式進行而只是簡單地進行真空排氣。
另外，上述排氣烘烤溫度，當然是比封接材料的軟化點低的溫度(在將金屬用作封接材料時，是比金屬熔點低的溫度)。另外，這里，假定為能達到使吸附于外圍器40的內壁面上的吸附水有效脫離的程度的溫度(例如，350℃左右)。
也可以將外圍器40的溫度冷卻到室溫左右后再轉移到真空排氣工序，但如果在從封接工序中的封接溫度冷卻到排氣烘烤溫度的時刻轉移，則能夠省去冷卻后再度加熱到排氣烘烤溫度的加熱時間，因而在使制造工序更為縮短上是很理想的。
接著，停止從氣體導入系統(tǒng)管理導入氣體，并由抽引排氣系統(tǒng)53將外圍器內的放電氣體抽引排出，從而使外圍器40內再次成為真空狀態(tài)。
這種真空排氣·放電氣體導入·真空排氣的處理，通常只進行一次就足夠了，但如反復進行則可以將外圍器40內的雜質氣體減低到更低的濃度。
按如上方式導入外圍器40內的氣體，即使不是放電氣體，但只要是對放電氣體不構成雜質的氣體，則任何氣體都可以。盡管雜質的定義并不明確，但指的是造成亮度降低的主要原因的氣體。另外，這種氣體，如果是干燥氣體，則最好是能夠抑制熒光體的特性惡化的氣體。這里，所謂干燥氣體，是水蒸汽分壓比通常的氣體低的氣體，例如，是水蒸汽分壓(露點)為0.0027Mpa(22℃)以下的氣體。
一旦抽成真空后，導入外圍器40內的壓力為從1.33×10-4MPa左右(幾乇)起到外圍器40不會破壞的壓力內即可，最好是低于大氣壓力。
接著，在封入工序中，由氣體導入系統(tǒng)52將放電氣體供給到外圍器40的內部空間，使其達到規(guī)定的封入壓力(例如，0.067 MPa)。然后，用燒嘴或加熱器將連接管55及連接管56的根部熔融封斷(封離)，從而將通氣孔21a及通氣孔21b封死。
在像以往那樣不設置外圍器40的內外壓力差而只是用夾子等將外周部夾緊的情況下，由于不能將外圍器40的中央部壓緊，因而很容易在背面板20上的障壁頂部與正面板10之間全部或局部分離的狀態(tài)下進行封接，與此不同，如上所述，由于外圍器40在由內外的壓力差將兩個板10和20從外側均勻壓緊的狀態(tài)下使封接材料層41固化而封接，所以，可以在障壁頂部與正面板10之間幾乎沒有間隙的狀態(tài)下進行封接。
因此，按照本實施形態(tài)的制造方法，可以很容易地制成PDP驅動時極少發(fā)生振動且顯示品位良好的PDP。
為取得上述效果，至少必須在使軟化后的封接材料層41固化的時刻開動抽引排氣系統(tǒng)以使外圍器40處于產生內外壓力差的狀態(tài)，但沒有必要從封接工序開始到結束連續(xù)地開動抽引排氣系統(tǒng)53。例如，即使在封接材料層41軟化后才開始抽引排氣系統(tǒng)53的動作，也可以充分地取得兩個板10和20的內外壓力差所產生的效果。
另外，通過上述真空排氣工序，還能夠將外圍器40內的雜質濃度迅速地(在短時間內)排除到低濃度。
這可以認為是基于以下的效果，即1)由大量放電氣體的充填產生的對雜質氣體的稀釋效果、2)由氣體充填、再次排氣時的粘性流將殘留的雜質氣體帶出到外圍器40之外的效果、3)排氣烘烤時因受熱而達到高溫的放電氣體分子沖擊熒光體或保護層等外圍器40的內壁面而使吸附氣體脫離的效果等。從第3個效果可知，在排氣工序中導入外圍器內的放電氣體(清洗氣體)最好采用預先加熱過的氣體。
在保持排氣烘烤溫度的狀態(tài)下對外圍器40內進行了真空排氣后，并不能充分地抽盡外圍器40內的由障壁圍出的放電空間內的殘留氣體。例如，當假定外圍器40內的障壁高度為120μm、其間距為200μm、排氣用加工孔的直徑約2mm、連接管57的內徑約2mm、連接管57的長度約90mm時，如在350℃的排氣烘烤溫度下進行排氣，則即使集流腔53a內的壓力為1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，外圍器40內的壓力也比其大約高出1位～2位。
當然，如將烘烤時間延長，則可以減少吸附于外圍器40的內壁上的水、二氧化碳、氮氣、氧氣的雜質氣體量，但制造成本將會增加。
在上述的真空排氣工序中，在封入放電氣體后，再次進行真空排氣，但如按照如下方式則可以迅速除去雜質氣體。
即，也可以在由氣體導入系統(tǒng)52將放電氣體導入外圍器40內的同時，由抽引排氣系統(tǒng)53將外圍器40內的氣體排出(在圖3(a)中用粗箭頭表示)。按照這種方式，由于在外圍器40內發(fā)生放電氣體的流動，因而能以更高的效率排出雜質氣體，特別是，在外圍器40的中央部分，位于離排氣口(通氣孔21b)較遠的放電空間內的雜質氣體的排出效率顯著提高。
另外，在這種情況下，在封入放電氣體的封入工序之前，也不需要特意進行一次真空排氣，可以在原有的狀態(tài)下進行封入。
<實施例1>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)進行各制造工序并制成實施例中的PDP的實施例。
圖4是表示封接時的溫度及壓力分布的圖，圖5是表示真空排氣工序·封入工序中的溫度及壓力分布的圖，在本實施例中根據(jù)該各分布圖制成PDP。此外，各圖中，虛線表示外圍器40的溫度，實線表示連接于外圍器40的抽氣排氣系統(tǒng)的集流腔53a內的壓力變化。
首先，在封接工序中，用2小時到3小時升溫到封接溫度450℃，并將該溫度保持20分鐘左右。同時，當達到450℃時，將集流腔53a內的壓力減壓到0.05Mpa左右，并停止抽引排氣系統(tǒng)的動作并保持該狀態(tài)。
然后，在保持減壓狀態(tài)的情況下，用2小時到3小時降溫到室溫。
在這一階段，正面板與背面板全部完成封接。
接著，在圖5中，進一步，繼續(xù)抽引排氣，以使集流腔53a內的壓力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，開始加熱并用2小時到3小時加熱到排氣烘烤溫度(350℃)。接著，當達到排氣烘烤溫度時再次開始抽引排氣，并在加熱升溫時將流入集流腔內的氣體排出。當再次開始抽引排氣時，從連接管56的內壁及外圍器40的內壁脫離的氣體將會使集流腔53a內的壓力如圖5中符號60所示的部分那樣上升，但通過再次進行抽引排氣將轉為減小。
下一步，在集流腔53a內的壓力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右的階段，停止抽引排氣系統(tǒng)53的動作，并開動氣體導入系統(tǒng)52，以0.05Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，并將該壓力保持5分鐘到10分鐘左右。
然后，一面冷卻，一面再次開始抽引排出外圍器40內的氣體，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由氣體導入系統(tǒng)52以0.067Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，在現(xiàn)有的真空排氣工序中，為將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，則為1小時左右，因而與現(xiàn)有技術相比，能夠迅速地減壓到該壓力。
這里，一般認為，如將抽引排氣系統(tǒng)的泵系統(tǒng)的驅動力進一步增大從而更強有力地對外圍器內進行抽引，則也可以在短時間內減到低壓。但是，如按這種方式，則將會發(fā)生使外圍器內的熒光體從熒光體層脫離等情況，因而將關系到板的特性的惡化，所以，如上所述，一般是使集流腔介于中間并以較弱的抽引力對外圍器內進行抽引。因此，在現(xiàn)有的真空排氣工序中，為將外圍器內減壓到所需要的壓力通常需要較長的時間。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
<實施例2>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)進行各制造工序并制成另一實施例中的PDP的實施例。
圖6是表示封接時的溫度及壓力分布及真空排氣工序·封入工序的溫度及壓力分布的圖，在本實施例中根據(jù)該各分布圖制成PDP。此外，各圖中，虛線表示外圍器40的溫度，實線表示連接于外圍器40的抽氣排氣系統(tǒng)的集流腔內的壓力變化。
首先，在封接工序中，用2小時到3小時升溫到封接溫度450℃，并將該溫度保持20分鐘左右。同時，當達到450℃時，將集流腔53a內的壓力減壓到0.05Mpa左右，并停止抽引排氣系統(tǒng)的動作并保持該狀態(tài)。
然后，在保持減壓狀態(tài)的情況下，用30分鐘左右降溫到排氣烘烤溫度(350℃)。
在這一階段，正面板與背面板全部完成封接，但如在溫度降低的同時監(jiān)視集流腔53a內的壓力，則可以發(fā)現(xiàn)封接的缺陷并在制造過程的早期階段對封接不良的發(fā)生進行處理，因而有助于降低成本。
接著，在降溫到排氣烘烤溫度后，繼續(xù)抽引排氣，直到將集流腔53a內的壓力抽排到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右。然后，停止抽引排氣系統(tǒng)53的動作，并開動氣體導入系統(tǒng)52，以0.05Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，并將該壓力保持5分鐘到10分鐘左右。
下一步，一面冷卻，一面再次開始抽引排出外圍器40內的氣體，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由氣體導入系統(tǒng)52以0.067Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，在現(xiàn)有的真空排氣工序中，為將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，一般需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，在1小時左右就可以減壓到該壓力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
與實施例1相比，在實施例2的制造方法中，具有可以縮短從外圍器40封接時起到冷卻的時間及從用于排氣烘烤的從室溫到排氣烘烤溫度的加熱時間的效果。此外，熒光體的惡化程度與實施例1相比也減小了百分之幾左右，因而比實施例1更好一些。
<實施形態(tài)2>
在本實施形態(tài)中，除上述真空排氣工序中的一些方法與上述實施形態(tài)不同以外，其他相同。
圖7是示意地表示本實施形態(tài)的封接工序中使用的封接·排氣裝置70的圖，是與圖3(b)相當?shù)膱D。
該封接·排氣裝置70，包括將由正面板10和背面板20重疊而成的外圍器40裝在內部并對其進行加熱的加熱爐71、及設在加熱爐71外部的氣體導入·抽引排氣系統(tǒng)72。
在背面板20上，按照與上述同樣的方法通過粘結材料73a及粘結材料74a分別臨時固定著連通通氣孔21a和內部空間的連接管73、連通通氣孔21b和內部空間的吸氣管74。
連接管73，是將與背面板20的接觸端打開的玻璃管，吸氣管74，是將與背面板20不接觸的一端封死的玻璃管。而且，吸氣管74，在背面板20的通氣孔21b的出口部分形成存放吸氣劑的吸氣劑存放空間74b。
氣體導入·抽引排氣系統(tǒng)72，由集流腔72a、渦輪高真空泵72b、回轉泵72c、用于充填放電氣體的儲氣瓶72d、連接上述連接管73和集流腔72a的管線72e、連接上述集流腔72a、渦輪高真空泵72b及儲氣瓶72d的分支管系72f構成。分支管系72f，將從集流腔72a伸出的一根管線72f1通過路徑選擇閥72g分別與2根管線72f2、管線72f3連接，并將2根管線72f2、72f3分別連接于渦輪高真空泵72b及儲氣瓶72d。在管線72f2及管線72f3的中間部位分別設置著用于調整渦輪高真空泵的抽引量的通斷閥72h、調整放電氣體流量的通斷閥72i。而且，連接管73與管線72e，通過夾緊等方式相互連接成可確保氣密性的狀態(tài)。路徑選擇閥72g，當渦輪高真空泵72b開動時，選擇管線72f2，當從儲氣瓶72d將放電氣體導入外圍器40內時，選擇管線72f3。
接著，用加熱器75對加熱爐71內進行加熱，并升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度(例如450℃)，在封接溫度下保持規(guī)定時間后，再次降溫到軟化點溫度以下，從而將兩個板10和20之間封接，但要一面用渦輪高真空泵72b從外圍器40內部排氣一面進行封接。封接條件，由玻璃基板材料與封接材料的親合性決定，當采用低熔點玻璃時，為大約450℃下10～20分鐘左右。
排氣最好在加熱爐71內已達到封接材料的軟化溫度后開始。其原因是，在達到封接材料的軟化溫度之前，由于兩個板10和20之間的外周部尚不具備足夠的氣密性，所以還不能通過從外圍器40內部排氣而使其內部達到高的真空度，但封接材料軟化后可以將兩個板10和20之間的外周部氣密密封，同時粘結材料層41也被軟化從而使連接管73與通氣孔21a的連接部分也被氣密密封，因此，當從外圍器40內部排氣時，可以減壓到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(幾乇左右))。
這樣，通過從外圍器40內部空間排氣而使兩個板10和20處于從外側均勻加壓的狀態(tài)。由于抽引排氣只需達到由外圍器40內的壓力與加熱爐內的壓力之差壓縮封接材料從而使兩個正面板和背面板接近并使正面板與障壁接觸的程度即可，所以只稍微進行抽引排氣(例如，0.08 MPa左右)就足夠了。
當對兩個板10和20從外側均勻加壓時，如上所述，使背面板20上的障壁頂部與正面板10為全部嚴密貼緊的狀態(tài)。然后，當在該狀態(tài)下降溫時，封接材料降到軟化以下的溫度并開始固化，從而進行外圍器40的封接。因此，在封接后的外圍器40中，就可以使障壁頂部與正面板10保持著全部嚴密貼緊的狀態(tài)。
下一步，在冷卻到室溫左右之后，將安裝在外圍器40上的吸氣管74的端部74c破開，并根據(jù)外圍器40的內部空間大小投入相應量的粒子狀的吸氣劑76，在將端部74c封斷后使吸氣劑76存留在吸氣劑存放空間74b內。對于投入的吸氣劑76，可采用通過加熱使表面活性化并能以不可逆的方式對雜質氣體進行化學吸附的吸氣劑。而且，在這種情況下，最好是在后續(xù)工序的真空排氣工序的排氣烘烤溫度下使其活性化。
接著，在將外圍器40內再次排氣到真空后，開始將加熱爐71爐內的溫度加熱(烘烤)到比封接材料層的軟化點低的溫度。
排氣烘烤溫度，當然是比封接材料的軟化點低的溫度(在將金屬用作封接材料時，是比金屬熔點低的溫度)。
這里，假定為能達到使吸氣劑76活性化及使吸附于外圍器40的內壁面上的吸附水有效脫離的程度的溫度(例如，350℃左右)。
在向排氣烘烤溫度升溫的過程中當達到吸氣劑76的活性溫度時，使水、二氧化碳、氮氣、氧氣等雜質氣體吸附于吸氣劑76粒子表面上，并連續(xù)不斷地被吸收到吸氣劑76的粒子孔內。其原因是，隨著雜質氣體被吸收到吸氣劑76，將在外圍器40的內部空間與存放吸氣劑76的吸氣劑存放空間74b之間形成壓力梯度(氣體濃度梯度)。
接著，在保持排氣烘烤溫度的狀態(tài)下，適當?shù)卮蜷_通斷閥72f，并開動渦輪高真空泵72b及回轉泵72c，進一步對外圍器40的內部進行抽引，然后，用路徑選擇閥72g選擇管線72f3，并打開通斷閥72i而以規(guī)定的壓力(例如，0.05MPa)將放電氣體導入到外圍器40內。充填放電氣體后，最好將原有的壓力保持規(guī)定時間(5分鐘～10分鐘)。其原因是，由于外圍器40內的障壁之間的傳導率小，所以在達到平衡壓力之前需要一定時間。
然后，停止放電氣體的導入，并將外圍器40內的放電氣體抽引排出，從而使外圍器40內再次成為真空狀態(tài)。
這種真空排氣·放電氣體導入·真空排氣的處理，通常只進行一次就足夠了，但如反復進行則可以將外圍器40內的雜質氣體減低到更低的濃度。
按如上方式導入外圍器40內的氣體，即使不是放電氣體，但只要是對放電氣體不構成雜質的氣體，則任何氣體都可以。此外，這種氣體，如果是干燥氣體，則最好是能夠抑制熒光體的特性惡化的氣體。
一旦抽成真空后，導入外圍器40內的壓力為從1.33×10-4MPa左右(幾乇)起到外圍器40不會破壞的壓力內即可，最好是低于大氣壓力。
接著，在封入工序中，將放電氣體供給到外圍器40的內部空間，使其達到規(guī)定的封入壓力(例如，0.067 MPa)。然后，用燒嘴或加熱器將連接管73及連接管74的根部熔融封斷(封離)，從而將通氣孔21a及通氣孔21b封死。
在像以往那樣不設置外圍器40的內外壓力差而只是用夾子等將外周部夾緊的情況下，由于不能將外圍器40的中央部壓緊，因而很容易在背面板20上的障壁頂部與正面板10之間全部或局部分離的狀態(tài)下進行封接，與此不同，如上所述，由于外圍器40在由內外壓力差將兩個板10和20從外側均勻壓緊的狀態(tài)下使封接材料層41固化而封接，所以，可以在障壁頂部與正面板10之間幾乎沒有間隙的狀態(tài)下進行封接。
因此，按照本實施形態(tài)的制造方法，可以很容易地制成PDP驅動時極少發(fā)生振動且顯示品位良好的PDP。
為取得上述效果，至少必須在使軟化后的封接材料層41固化的時刻開動抽引排氣系統(tǒng)以使外圍器40處于產生內外壓力差的狀態(tài)，但沒有必要從封接工序開始到結束連續(xù)地進行抽引。例如，即使在封接材料層41軟化后才開始抽引動作，也可以充分地取得兩個板10和20的內外壓力差所產生的效果。
另外，通過上述真空排氣工序，還能夠將外圍器40內的雜質濃度迅速地(在短時間內)排除到低濃度。
這可以認為是基于以下的效果，即1)由大量放電氣體的充填產生的對雜質氣體的稀釋效果、2)由氣體充填、再次排氣時的粘性流將殘留的雜質氣體帶出到外圍器40之外的效果、3)排氣烘烤時因受熱而達到高溫的放電氣體分子沖擊熒光體或保護層等外圍器40的內壁面而使吸附氣體脫離的效果等。從第3個效果可知，在排氣工序中導入外圍器內的放電氣體(清洗氣體)最好采用預先加熱過的氣體。
進一步，在本實施形態(tài)中，由于在升溫到排氣烘烤溫度的階段包含著用吸氣劑除去外圍器40內的雜質氣體的工序，所以，與只有真空排氣·放電氣體充填·真空排氣工序的實施形態(tài)1相比，能夠更為迅速地以更低的濃度將雜質氣體從外圍器40內除去。
<實施例3>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)2進行各制造工序并制成實施例中的PDP的實施例。
在本實施例中，根據(jù)圖4和圖5所示的各分布圖制成PDP。吸氣劑76，在進行封接并一旦降溫到室溫的階段裝在吸氣管74內，對于吸氣劑，采用了活性化溫度為280℃的釩、鈦、鐵系合金粒子。
在現(xiàn)有的真空排氣工序中，為將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11～1.3×10-10Mpa左右，需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，在1小時左右就可以減壓到該壓力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
與實施例1相比，在實施例3的制造方法中，老煉工序(所謂老煉工序，是指在放電氣體封入工序后用于使板的特性穩(wěn)定的工序)后的特性惡化將減少一些，效率也改善了百分之幾左右。
<實施形態(tài)3>
在本實施形態(tài)中，除封接工序中的一些方法與上述實施形態(tài)1不同以外，其他相同。
首先，將加熱爐51內加熱，并升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度(例如450℃)，在封接溫度下保持規(guī)定時間后，再次降溫到軟化點溫度以下，從而將兩個板10和20之間封接，但在向封接溫度升溫時，應一面開動氣體導入系統(tǒng)而將干燥氣體導入到外圍器40內一面進行升溫。此外，這里，將充填在上述儲氣瓶52a內的放電氣體干燥后用作干燥氣體。此外，也可以使用干燥空氣、干燥氮氣、干燥氬氣、干燥氖氣(總的說來，為干燥稀有氣體)等。而且，由于加熱到封接溫度時因封接材料的軟化而使外圍器40的外周部具有氣密性，所以使外圍器40的內壓升高。在監(jiān)測到內壓升高后，停止放電氣體的導入。
另外，在封接材料軟化而達到氣密密封的時刻，理所當然的要將干燥氣體的流量限制在即使干燥氣體仍流入外圍器40內也不會因壓力的急劇升高而使構成外圍器40的玻璃基板破損的程度。
這樣，由于在達到封接溫度之前的期間使干燥氣體在外圍器40內流通，所以，在因封接材料的軟化而使外圍器40的外周部具有氣密性的階段，在外圍器40內充填著干燥氣體。然后，在充填著干燥氣體的狀態(tài)下將封接溫度保持規(guī)定時間。該封接條件，由玻璃基板材料與封接材料的親合性決定，當采用低熔點玻璃時，為大約450℃下10～20分鐘左右。
由于在這種使干燥氣體充填了內部空間的狀態(tài)下進行封接，所以能夠抑制熒光體的熱惡化。
進一步，在充填著干燥氣體的狀態(tài)下將封接溫度保持規(guī)定時間的同時，一面用渦輪高真空泵53b從外圍器40內部排氣一面進行封接。此外，當使渦輪高真空泵53b動作時，應使回轉泵53c同時動作，以降低渦輪高真空泵53b內的背壓。
排氣最好在加熱爐51內已達到封接材料的軟化溫度后開始。其原因是，在達到封接材料的軟化溫度之前，由于兩個板10和20之間的外周部尚不具備足夠的氣密性，所以還不能通過從外圍器40內部排氣而使其內部達到高的真空度，但封接材料軟化后可以將兩個板10和20之間的外周部氣密密封，同時粘結材料層56a也被軟化從而使連接管56與通氣孔21b的連接部分也被氣密密封，因此，當從外圍器40內部排氣時，可以減壓到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(幾乇左右))。
這樣，通過從外圍器40內部空間排氣而使兩個板10和20處于從外側均勻加壓的狀態(tài)。由于抽引排氣只需達到由外圍器40內的壓力與加熱爐內的壓力之差壓縮封接材料從而使兩個正面板和背面板接近并使正面板與障壁接觸的程度即可，所以只稍微進行抽引排氣(例如，0.08 MPa左右)就足夠了。
當對兩個板10和20從外側均勻加壓時，如圖3所示，使背面板20上的障壁頂部與正面板10為全部嚴密貼緊的狀態(tài)。然后，當在該狀態(tài)下降溫時，封接材料降到軟化以下的溫度并開始固化，從而進行外圍器40的封接。因此，在封接后的外圍器40中，就可以使障壁頂部與正面板10保持著全部嚴密貼緊的狀態(tài)。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度而是在比封接溫度低的溫度下加熱一定時間、例如在350℃左右加熱約30分鐘以將粘合劑材料除去，則在抑制熒光體的惡化上是有效的。
在這之后，通過與實施形態(tài)1相同的真空排氣工序·封接工序·封入工序制成PDP。
<實施例4>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)進行各制造工序并制成實施例中的PDP的實施例。
在本實施例中，根據(jù)圖4和圖5所示的各分布圖制成PDP。
首先，在封接工序中，用2小時到3小時升溫到封接溫度450℃，并將該溫度保持20分鐘左右。同時，在達到封接溫度之前的期間開動氣體導入系統(tǒng)使干燥氣體在外圍器40內流通。
然后，當達到封接溫度450℃時，停止氣體導入系統(tǒng)的動作而將集流腔內的壓力減壓到0.05Mpa左右并保持該狀態(tài)。
然后，在保持減壓狀態(tài)的情況下，用2小時到3小時降溫到室溫。
在這一階段，正面板與背面板全部完成封接，但如在溫度降低的同時監(jiān)視集流腔內的壓力，則可以發(fā)現(xiàn)封接的缺陷并在制造過程的早期階段對封接不良的發(fā)生進行處理，因而有助于降低成本。集流腔內的壓力，在正常進行封接時應逐漸地減小，否則在加熱爐內氣體將因泄漏而以較快的速度減少。
接著，在圖5中，進一步，繼續(xù)抽引排氣，以使集流腔53a內的壓力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，開始加熱并用2小時到3小時加熱到排氣烘烤溫度(350℃)。接著，當達到排氣烘烤溫度時再次開始抽引排氣，并在加熱升溫時將流入集流腔內的氣體排出。當再次開始抽引排氣時，從連接管內壁及外圍器40的內壁脫離的氣體將會使集流腔53a內的壓力如圖5中符號60所示的部分那樣上升，但通過再次進行抽引排氣將轉為減小。
下一步，在集流腔53a內的壓力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右的階段，停止抽引排氣系統(tǒng)53的動作，并開動氣體導入系統(tǒng)52，以0.05Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，并將該壓力保持5分鐘到10分鐘左右。
然后，一面冷卻，一面再次開始抽引排出外圍器40內的氣體，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由氣體導入系統(tǒng)52以0.067Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，在現(xiàn)有的真空排氣工序中，將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，在1小時左右就可以減壓到該壓力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
另外，如以Xe受激準分子燈(波長173nm)照射的方式對板進行破壞性試驗從而對按如上所述方式使干燥氣體流通后進行封接的PDP及按現(xiàn)有技術不使干燥氣體流通而是在大氣壓力下進行封接的PID的熒光體的發(fā)光強度(亮度/色度坐標的y值)進行比較評價，則特別是藍色熒光體的發(fā)光強度改善了大約10％左右。如果干燥空氣是非反應性氣體，則同樣可以獲得改善的效果，特別是，干燥空氣效果更好。
<實施例5>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)進行各制造工序并制成另一實施例中的PDP的實施例。
在本實施例中，根據(jù)圖6所示的各分布圖制成PDP。
首先，在封接工序中，用2小時到3小時升溫到封接溫度450℃，并將該溫度保持20分鐘左右。同時，在達到封接溫度之前的期間開動氣體導入系統(tǒng)使干燥氣體在外圍器40內流通。
然后，當達到封接溫度450℃時，停止氣體導入系統(tǒng)的動作而將集流腔內的壓力減壓到0.05Mpa左右并保持該狀態(tài)。
然后，在保持減壓狀態(tài)的情況下，用2小時到3小時并用30分鐘左右降溫到排氣烘烤溫度(350℃)。
在這一階段，正面板與背面板全部完成封接，但如在溫度降低的同時監(jiān)視集流腔內的壓力，則可以發(fā)現(xiàn)封接的缺陷并在制造過程的早期階段對封接不良的發(fā)生進行處理，因而有助于降低成本。集流腔內的壓力，在正常進行封接時應逐漸地減小，否則在加熱爐內氣體將因泄漏而以較快的速度減少。
接著，在降溫到排氣烘烤溫度后，繼續(xù)抽引排氣，以使集流腔內的壓力降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，然后，停止抽引排氣系統(tǒng)53的動作，并開動氣體導入系統(tǒng)52，以0.05Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，并將該壓力保持5分鐘到10分鐘左右。
下一步，一面冷卻，一面再次開始抽引排出外圍器40內的氣體，并在降到1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右后由氣體導入系統(tǒng)以0.067Mpa左右的壓力將放電氣體充填到外圍器40內，在現(xiàn)有的真空排氣工序中，將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11MPa～1.3×10-10Mpa左右，一般需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，在1小時左右就可以減壓到該壓力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
與實施例4相比，在實施例5的制造方法中，具有可以縮短從外圍器40封接時起到冷卻的時間及從用于排氣烘烤的從室溫到排氣烘烤溫度的加熱時間的效果。此外，熒光體的惡化程度與實施例4相比也減小了百分之幾左右，因而比實施例4更好一些。
<實施形態(tài)4>
在本實施形態(tài)中，除封接工序中的一些方法與上述實施形態(tài)2不同以外，其他相同。
首先，將加熱爐71內加熱，并升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度(例如450℃)，在封接溫度下保持規(guī)定時間后，再次降溫到軟化點溫度以下，從而將兩個板10和20之間封接，但在向封接溫度升溫時，應一面開動氣體導入系統(tǒng)而將干燥氣體導入到外圍器40內一面進行升溫。此外，這里，將充填在上述儲氣瓶72d內的放電氣體干燥后用作干燥氣體。此外，也可以使用干燥空氣、干燥氮氣、干燥氬氣、干燥氖氣(總的說來，為干燥稀有氣體)等。而且，由于加熱到封接溫度時因封接材料的軟化而使外圍器40的外周部具有氣密性，所以使外圍器40的內壓升高。在監(jiān)測到內壓升高后，停止放電氣體的導入。
另外，在封接材料軟化而達到氣密密封的時刻，理所當然的要將干燥氣體的流量限制在即使干燥氣體仍流入外圍器40內也不會因壓力的急劇升高而使構成外圍器40的玻璃基板破損的程度。
這樣，由于在達到封接溫度之前的期間使干燥氣體在外圍器40內流通，所以，在因封接材料的軟化而使外圍器40的外周部具有氣密性的階段，在外圍器40內充填著干燥氣體。然后，在充填著干燥氣體的狀態(tài)下將封接溫度保持規(guī)定時間。該封接條件，由玻璃基板材料與封接材料的親合性決定，當采用低熔點玻璃時，為大約450℃下10～20分鐘左右。
由于在這種使干燥氣體充填了內部空間的狀態(tài)下進行封接，所以能夠抑制熒光體的熱惡化。
進一步，在充填著干燥氣體的狀態(tài)下將封接溫度保持規(guī)定時間的同時，一面用渦輪高真空泵72b從外圍器40內部排氣一面進行封接。此外，當使渦輪高真空泵72b動作時，應使回轉泵72c同時動作，以降低渦輪高真空泵72b內的背壓。
排氣最好在加熱爐71內已達到封接材料的軟化溫度后開始。其原因是，在達到封接材料的軟化溫度之前，由于兩個板10和20之間的外周部尚不具備足夠的氣密性，所以還不能通過從外圍器40內部排氣而使其內部達到高的真空度，但封接材料軟化后可以將兩個板10和20之間的外周部氣密密封，同時粘結材料層73a也被軟化從而使連接管73與通氣孔21a的連接部分也被氣密密封，因此，當從外圍器40內部排氣時，可以減壓到高的真空度(1.33×10-4MPa左右(幾乇左右))。
這樣，通過從外圍器40內部空間排氣而使兩個板10和20處于從外側均勻加壓的狀態(tài)。由于抽引排氣只需達到由外圍器40內的壓力與加熱爐內的壓力之差壓縮封接材料從而使兩個正面板和背面板接近并使正面板與障壁接觸的程度即可，所以只稍微進行抽引排氣(例如，0.08 MPa左右)就足夠了。
當對兩個板10和20從外側均勻加壓時，如圖3所示，使背面板20上的障壁頂部與正面板10為全部嚴密貼緊的狀態(tài)。然后，當在該狀態(tài)下降溫時，封接材料降到軟化以下的溫度并開始固化，從而進行外圍器40的封接。因此，在封接后的外圍器40中，就可以使障壁頂部與正面板10保持著全部嚴密貼緊的狀態(tài)。
另外，在上述封接工序中，如果不是一下子就升溫到比封接材料的軟化溫度高一些的封接溫度而是在比封接溫度低的溫度下加熱一定時間、例如在350℃左右加熱約30分鐘以將粘合劑材料除去，則在抑制熒光體的惡化上是有效的。
在這之后，通過與實施形態(tài)1相同的真空排氣工序·封接工序·封入工序制成PDP。
<實施例6>
以下，具體地說明根據(jù)上述實施形態(tài)進行各制造工序并制成實施例中的PDP的實施例。
在本實施例中，根據(jù)與實施例4相同的溫度·壓力分布制成PDP。吸氣劑76，在進行封接并一旦降溫到室溫的階段裝在吸氣管74內，對于吸氣劑，采用了活性化溫度為280℃的釩、鈦、鐵系合金粒子。
在現(xiàn)有的真空排氣工序中，將外圍器40內的壓力減壓1.3×10-11～1.3×10-10Mpa左右，需花費2小時左右，但在上述實施例的真空排氣工序中，在1小時左右就可以減壓到該壓力。
按如上方式制作的PDP，外周部的脫開現(xiàn)象很少，與以往只用夾子等夾緊的方法相比，放電特性也能獲得均勻的特性。此外，來自外周部的噪聲電平也能壓低幾dB到10 dB左右。而放電起始電壓也減低大約5到10V左右，放電電流提高了百分之幾到10％左右，效率提高了百分之幾到大約10％左右。
另外，如以Xe受激準分子燈(波長173nm)照射的方式對板進行破壞性試驗從而對按如上所述方式使干燥氣體流通后進行封接的PDP及按現(xiàn)有技術不使干燥氣體流通而是在大氣壓力下進行封接的PID的熒光體的發(fā)光強度(亮度/色度坐標的y值)進行比較評價，則特別是藍色熒光體的發(fā)光強度改善了大約10％左右。如果干燥空氣是非反應性氣體，則同樣可以獲得改善的效果，特別是，干燥空氣效果更好。
在上述各實施形態(tài)中，用同一裝置進行了封接工序及排氣工序，但不限于此，也可以用不同的裝置進行封接工序和排氣工序。
另外，在封接工序中，也可以不是對外圍器整體進行加熱而用激光光線等熱源有選擇地照射封接部分從而有選擇地加熱該部分并進行封接。在這種情況下，由于不是直接加熱熒光體，可以預計到，即使不將干燥氣體導入放電空間內，隨著封接工序的進行也并不會發(fā)生熒光體的熱惡化。
如上所述，按照本發(fā)明，提供一種氣體放電板的制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后向外圍器內部充填將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體的子步驟；接著對外圍器內部進行真空排氣的子步驟。
另一種氣體放電板的制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后一面使將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體在外圍器內部流通一面將外圍器內部的氣體排出的子步驟。
按照上述制造方法，不只是像以往那樣簡單地將外圍器內部的氣體排出，而是如上所述在充填清洗氣體后將其排出或一面使清洗氣體流通一面將其排出，所以，與現(xiàn)有的制造方法相比，能夠將外圍器內的雜質濃度迅速地(在短時間內)排除到低濃度。這種效果，越是高清晰度的氣體放電板越有效，其原因是，越是高清晰度的氣體放電板，為減低雜質氣體的濃度所花費的時間越多。
另外，當充填清洗氣體后進行排氣時，與其在充填后緊接著就排氣，莫如最好是設法隔開一段時間再進行排氣。
這里，上述封接步驟，可以將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。而作為封接材料，也可以采用鉛合金。
按照這種方式，由于在由內外壓力差將兩基板從外側均勻壓緊的狀態(tài)下固化并封接，所以，可以在障壁頂部和與其相對配置的基板之間幾乎沒有間隙的狀態(tài)下進行封接。
這里，在上述封接步驟和排氣步驟之間，可以包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
按照這種方式，可以更為迅速地將雜質氣體從外圍器內除去。
這里，上述排氣步驟，可以在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。此外，如上所述，當使用吸氣劑時，最好使其活性化溫度在該排氣步驟中的加熱溫度的范圍內。
按照這種方式，可以更為迅速地將雜質從外圍器內排除到外部。
這里，上述封接步驟中的冷卻，可以是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
按照這種方式，一旦冷卻到室溫附近之后，可以迅速地轉移到后續(xù)的排氣步驟，而無須經過再次加熱到排氣烘烤溫度的工序。
這里，上述封接步驟，包括將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并一面使干燥氣體在外圍器內部流通一面將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的子步驟；在加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力然后冷卻從而進行封接的子步驟。
按照這種方式，由于在對外圍器內部充填干燥氣體的狀態(tài)下進行封接步驟，因而可以抑制熒光體的熱惡化。
這里，上述封接步驟，可以將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器的封接部加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。
這里，將放電氣體用作上述清洗氣體，是最為理想的。
其原因是，清洗氣體，對在排氣步驟后進行的封入步驟中封入的放電氣體完全不存在構成雜質氣體的可能性。
這里，可以將稀有氣體用作上述放電氣體。
這里，上述稀有氣體，可以至少包含氦、氖、氬及氙中的任何一種氣體。
這里，上述發(fā)光單元，可以通過使并列設置在第一基板上的電極群與并列設置在第二基板上的電極群相隔一定距離彼此間隔交叉而形成。
產業(yè)上的可應用性。
本發(fā)明的放電板的制造方法，可以應用于作為計算機的監(jiān)視器等的圖象顯示器使用的PDP等的制造。
權利要求
1．一種氣體放電板的制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后向外圍器內部充填將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體的子步驟；接著對外圍器內部進行真空排氣的子步驟。
2．一種氣體放電板的制造方法，包括通過將第2基板對置地配置在主表面形成有將各發(fā)光單元隔開的障壁的第1基板的該障壁一側的表面之上而形成外圍器的外圍器形成步驟；用封接材料將該外圍器的兩個基板的外周部封接在一起的封接步驟；將該外圍器內部的氣體排出的排氣步驟；將放電氣體封入到該外圍器內部的封入步驟，該制造方法的特征在于上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；然后一面使將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體在外圍器內部流通一面將外圍器內部的氣體排出的子步驟。
3．根據(jù)權利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。
4．根據(jù)權利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。
5．根據(jù)權利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
6．根據(jù)權利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
7．根據(jù)權利要求3所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
8．根據(jù)權利要求4所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
9．根據(jù)權利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
10．根據(jù)權利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
11．根據(jù)權利要求3所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
12．根據(jù)權利要求4所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
13．根據(jù)權利要求5所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
14．根據(jù)權利要求6所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
15．根據(jù)權利要求7所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
16．根據(jù)權利要求8所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
17．根據(jù)權利要求3所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
18．根據(jù)權利要求4所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
19．根據(jù)權利要求11所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
20．根據(jù)權利要求12所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
21．根據(jù)權利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，包括將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并一面使干燥氣體在外圍器內部流通一面將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的子步驟；在加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力然后冷卻從而進行封接的子步驟。
22．根據(jù)權利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，包括將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并一面使干燥氣體在外圍器內部流通一面將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的子步驟；在加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度的同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力然后冷卻從而進行封接的子步驟。
23．根據(jù)權利要求21所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
24．根據(jù)權利要求22所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
25．根據(jù)權利要求21所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
26．根據(jù)權利要求22所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
27．根據(jù)權利要求23所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
28．根據(jù)權利要求24所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
29．根據(jù)權利要求21所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
30．根據(jù)權利要求22所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
31．根據(jù)權利要求25所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
32．根據(jù)權利要求26所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟中的冷卻，是在軟化點或熔點以下的溫度范圍內的加熱冷卻。
33．根據(jù)權利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器的封接部加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。
34．根據(jù)權利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述封接步驟，將封接材料夾在第一基板與第二基板之間并將外圍器的封接部加熱到封接材料的軟化點或熔點以上的溫度，同時使外圍器的內部壓力低于外部壓力，然后進行冷卻，從而進行封接。
35．根據(jù)權利要求33所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
36．根據(jù)權利要求34所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于在上述封接步驟和排氣步驟之間，包括一個將吸氣劑裝在與外圍器內部連通的容器內的步驟。
37．根據(jù)權利要求33所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
38．根據(jù)權利要求34所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
39．根據(jù)權利要求35所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
40．根據(jù)權利要求36所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述排氣步驟，在將外圍器整體加熱到封接材料的軟化點或熔點以下的溫度的同時進行。
41．根據(jù)權利要求1～40中的任何一項所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于將放電氣體用作上述清洗氣體。
42．根據(jù)權利要求41所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述放電氣體由稀有氣體構成。
43．根據(jù)權利要求42所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述稀有氣體，至少包含氦、氖、氬及氙中的任何一種氣體。
44．根據(jù)權利要求1～40中的任何一項所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述發(fā)光單元，通過使并列設置在第一基板上的電極群與并列設置在第二基板上的電極群相隔一定距離彼此間隔交叉而形成。
45．根據(jù)權利要求41中的任何一項所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述發(fā)光單元，通過使并列設置在第一基板上的電極群與并列設置在第二基板上的電極群相隔一定距離彼此間隔交叉而形成。
46．根據(jù)權利要求42中的任何一項所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述發(fā)光單元，通過使并列設置在第一基板上的電極群與并列設置在第二基板上的電極群相隔一定距離彼此間隔交叉而形成。
47．根據(jù)權利要求43中的任何一項所述的氣體放電板的制造方法，其特征在于上述發(fā)光單元，通過使并列設置在第一基板上的電極群與并列設置在第二基板上的電極群相隔一定距離彼此間隔交叉而形成。
全文摘要
提供一種氣體放電板的制造方法，包括外圍器形成步驟、封接步驟、排氣步驟及放電氣體封入步驟，上述排氣步驟，包括對外圍器內部進行真空排氣的子步驟；向外圍器內部充填將對放電氣體不構成雜質的氣體作為實質的成分的清洗氣體的子步驟；對外圍器內部進行真空排氣的子步驟。
文檔編號H01J9/38GK1318204SQ00801454
公開日2001年10月17日 申請日期2000年5月17日 優(yōu)先權日1999年5月20日
發(fā)明者東野秀隆, 長尾宣明 申請人:松下電器產業(yè)株式會社