一種顯示屏、顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型描述了一種顯示屏、顯示裝置。所述顯示屏包括：陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；彩膜基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置且包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，設(shè)置于所述陣列基板上；多個(gè)像素電極，設(shè)置于所述陣列基板上；公共電極，設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板；導(dǎo)電引線(xiàn)，位于所述陣列基板的非顯示區(qū)，用于給所述顯示區(qū)的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及屏蔽層，與所述導(dǎo)電引線(xiàn)相對(duì)設(shè)置并被施加恒定電位，所述屏蔽層用于屏蔽所述導(dǎo)電引線(xiàn)因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射；其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)與所述屏蔽層之間至少設(shè)置有一絕緣層。本實(shí)用新型提供的顯示屏能夠有效外圍走線(xiàn)的電磁場(chǎng)輻射。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種顯示屏、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示屏、包含該顯示屏的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示(LiquidCrystal Display，LCD)作為目前主要的顯示方式，其具有諸多的優(yōu)點(diǎn)，例如，低壓驅(qū)動(dòng)、功耗低、壽命長(zhǎng)等。液晶顯示器通過(guò)在像素電極和公共電極之間形成電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶分子旋轉(zhuǎn)，從而控制光線(xiàn)能否穿過(guò)液晶層。其中，公共電極為電連接的面狀或者具有空隙的面狀。通常情況下，為了獲得高的透過(guò)率，公共電極采用透明的導(dǎo)電材料，例如，氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ITO)。雖然采用ITO提高了透過(guò)率，但是由于ITO阻抗與金屬相比較高，因此，為了降低公共電極在信號(hào)傳輸過(guò)程中產(chǎn)生的信號(hào)延遲，會(huì)在公共電極的外圍設(shè)置與公共電極電連接的金屬公共走線(xiàn)。
[0003]對(duì)于一些驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示屏，公共電極需要接入變化的信號(hào)，此時(shí)，金屬公共走線(xiàn)會(huì)向外輻射出大量的電磁波。一方面，顯示屏輻射的電磁波會(huì)對(duì)某些電磁波產(chǎn)生干擾從而會(huì)限制其在無(wú)線(xiàn)通信中的應(yīng)用，例如，當(dāng)液晶顯示屏應(yīng)用于汽車(chē)的儀表盤(pán)時(shí)，由于目前的汽車(chē)都設(shè)置有導(dǎo)航裝置，因此液晶顯示屏?xí)?duì)導(dǎo)航裝置的性能產(chǎn)生影響；另一方面，顯示屏輻射的電磁波會(huì)對(duì)身體產(chǎn)生傷害。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種顯示屏，以及包含該顯示屏的顯示裝置。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種顯示屏，包括:
[0006]陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；
[0007]彩膜基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置且包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；
[0008]多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，設(shè)置于所述陣列基板上；
[0009]多個(gè)像素電極，設(shè)置于所述陣列基板上；
[0010]公共電極，設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板；
[0011]導(dǎo)電引線(xiàn)，位于所述陣列基板的非顯示區(qū)，用于給所述顯示區(qū)的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
[0012]以及屏蔽層，與所述導(dǎo)電引線(xiàn)相對(duì)設(shè)置并被施加恒定電位，所述屏蔽層用于屏蔽所述導(dǎo)電引線(xiàn)因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射；
[0013]其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)與所述屏蔽層之間至少設(shè)置有一絕緣層。
[0014]進(jìn)一步的，所述公共電極被施加變化的電位，所述導(dǎo)電引線(xiàn)為公共電極外引線(xiàn)。
[0015]進(jìn)一步的，所述公共電極外引線(xiàn)在所述陣列基板上的垂直投影落在所述屏蔽層在所述陣列基板上的垂直投影范圍內(nèi)。
[0016]進(jìn)一步的，所述屏蔽層與接地點(diǎn)連接。
[0017]進(jìn)一步的，所述公共電極與所述屏蔽層均設(shè)置在所述陣列基板。
[0018]進(jìn)一步的，所述屏蔽層與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置。
[0019]進(jìn)一步的，所述屏蔽層與所述像素電極同層設(shè)置。
[0020]進(jìn)一步的，所述公共電極設(shè)置在所述陣列基板，且所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板。
[0021 ]進(jìn)一步的，所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板靠近所述陣列基板的一側(cè)。
[0022]進(jìn)一步的，所述彩膜基板包括黑矩陣，且所述黑矩陣與所述屏蔽層之間至少存在一絕緣層。
[0023]進(jìn)一步的，所述顯示屏還包括導(dǎo)電膠，且所述導(dǎo)電膠與所述屏蔽層連接。
[0024]進(jìn)一步的，所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)。
[0025]進(jìn)一步的，所述屏蔽層通過(guò)銀膠與接地點(diǎn)電連接。
[0026]進(jìn)一步的，所述屏蔽層為金屬。
[0027]本實(shí)用新型還提供了一種包含該顯示屏的顯示裝置。
[0028]本實(shí)用新型提供的顯示屏及其顯示裝置能夠有效屏蔽外圍走線(xiàn)發(fā)出的電磁輻射，從而使得顯示屏應(yīng)用于需要無(wú)線(xiàn)通信的裝置時(shí)對(duì)其他性能沒(méi)有影響。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示屏；
[0030]圖2是圖1所示的顯示屏的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的又一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖6是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的再一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[00；35]圖7是圖1所示顯示屏的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖8是圖7所示的陣列基板在B-B’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖9是圖7所示的陣列基板在B-B’處的另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖10是圖1所不顯不屏的另一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0039]圖11是圖10所示的陣列基板在C-C’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖12是圖1O所不的陣列基板在C-C’處的另一種截面結(jié)構(gòu)不意圖；
[0041]圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0043]需要說(shuō)明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0044]請(qǐng)參考圖1至圖3，圖是I本是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯不屏，圖2是圖1所不的顯示屏的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，如圖1所示，顯示屏包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板11和彩膜基板22，以及位于陣列基板11和彩膜基板22之間的液晶層33。其中，陣列基板11和彩膜基板22均包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)(圖中未示出)。陣列基板11包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)1106和柵極線(xiàn)1102，數(shù)據(jù)線(xiàn)1106和柵極線(xiàn)1102互相交叉。在數(shù)據(jù)線(xiàn)1106和柵極線(xiàn)1102對(duì)應(yīng)的位置，彩膜基板22相應(yīng)的設(shè)置有黑矩陣2112。此外，陣列基板11在顯示區(qū)設(shè)置有像素電極，在非顯示區(qū)設(shè)置有導(dǎo)電引線(xiàn)，公共電極設(shè)置于陣列基板11或者彩膜基板12(圖1中未示出)。其中，導(dǎo)電引線(xiàn)用于給顯示區(qū)的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)。例如，導(dǎo)電引線(xiàn)為公共電極傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。
[0045]進(jìn)一步地，圖2示出了圖1所示的顯示屏的彩膜基板22的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。彩膜基板22包括顯示區(qū)A-A和非顯示區(qū)non A_A，非顯示區(qū)non A-A圍繞顯示區(qū)A-A設(shè)置，在顯示區(qū)A-A中包括相互交叉的黑矩陣2112和色阻層2114;在非顯示區(qū)non A-A中，設(shè)置有屏蔽層2110，屏蔽層2110用于屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射。如圖所示，屏蔽層2110繞顯示區(qū)A-A—圈形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，導(dǎo)電引線(xiàn)包括公共電極外引線(xiàn)、柵極外引線(xiàn)等，但由于公共電極外引線(xiàn)占導(dǎo)電引線(xiàn)的比重較大且電勢(shì)變化頻率高，因此，只要公共電極外引線(xiàn)在陣列基板11上的垂直投影落在屏蔽層2110在陣列基板11上的垂直投影范圍內(nèi)就能夠明顯降低電磁輻射。
[0046]具體地，圖3示出了圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的一種截面結(jié)構(gòu)。結(jié)合圖1至圖3，屏蔽層2110設(shè)置在彩膜基板22遠(yuǎn)離陣列基板11的一側(cè)。具體地，彩膜基板22包括在基板200的一側(cè)設(shè)置的黑矩陣2112、色阻層2114、平坦化層2120和間隔柱2122，以及在基板200的另一側(cè)設(shè)置的背屏蔽電極2116和屏蔽電極2110。其中，屏蔽電極2110位于非顯示區(qū)non A-A,背屏蔽電極2116位于顯示區(qū)A-A和非顯示區(qū)non A_A。在本實(shí)施方式中，屏蔽層2110為金屬，且屏蔽層2110設(shè)置在背屏蔽電極2116之上。但是本使用新型實(shí)施例并非限于此，在其他的實(shí)施方式中，屏蔽層2110可以為導(dǎo)電的非金屬材料。其中，屏蔽層2110被給予一個(gè)恒定的電位或者與接地點(diǎn)電連接。具體地，其可以通過(guò)導(dǎo)電膠、導(dǎo)電柱以及導(dǎo)電引線(xiàn)等方式與陣列基板上的驅(qū)動(dòng)芯片IC電連接或者接地線(xiàn)電連接，也可以是先在彩膜基板上連接到柔性電路板，再通過(guò)電路板與電源或者接地點(diǎn)連接。
[0047]進(jìn)一步地，請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，圖4是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。與圖3所示的彩膜基板不同的是，屏蔽層2110設(shè)置在非顯示區(qū)non A-A且位于背屏蔽層2116的下面;在顯示區(qū)A-A中，還有與屏蔽層2110位于同一層的透明電極2118。其他部分的結(jié)構(gòu)與圖3所示的彩膜基板一致，如圖所示，在基板200的下方，設(shè)置有依次形成的黑矩陣2112、的色阻2114、平坦化層2120、間隔柱2122。其中，這里所說(shuō)的“屏蔽層2110與透明電極2118位于同一層”并非是屏蔽層2110與透明電極2118是同一次成膜工藝形成，而是指空間位置上位于相同的層疊結(jié)構(gòu)。
[0048]目前，背屏蔽電極2116為透明的導(dǎo)電材料，例如，氧化銦錫(IndiumTin Oxides，ΙΤ0)，這是防止顯示面板的透過(guò)率降低。背屏蔽電極2116用于屏蔽外部靜電，同時(shí)，也能屏蔽數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)等發(fā)出的電磁輻射。然而，背屏蔽電極2116只能屏蔽顯示屏正上方的電磁輻射，顯示屏側(cè)邊的電磁輻射依然很?chē)?yán)重。
[0049]上述實(shí)施例提供的顯示屏在彩膜基板遠(yuǎn)離陣列基板的一側(cè)的非顯示區(qū)設(shè)置金屬屏蔽層，能夠進(jìn)一步減少顯示屏側(cè)邊的電磁輻射。需要說(shuō)明的是，由于屏蔽層為金屬，與背屏蔽電極相比，其導(dǎo)通電阻較小，因此其屏蔽電磁輻射的能力更強(qiáng)。此外，由于金屬為不透光材料，因此將金屬屏蔽層設(shè)置在彩膜基板外側(cè)的非顯示區(qū)不僅不會(huì)降低顯示面板的透過(guò)率，還具有黑矩陣的作用，能夠降低顯示屏側(cè)面漏光的風(fēng)險(xiǎn)。
[0050]優(yōu)選地，繼續(xù)參考圖5，圖5是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的又一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在基板200的下方設(shè)置有依次形成的的黑矩陣2112、色阻2114、平坦化層2120、屏蔽層2110以及間隔柱2122;在基板200的上方設(shè)置有背屏蔽電極2116。其中，屏蔽層2110通過(guò)導(dǎo)電膠與設(shè)置在陣列基板11的接地點(diǎn)電連接，或者與陣列基板11上的通有恒定電位的導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)電連接，所述導(dǎo)電膠可以是銀膠。此外，屏蔽層2110為金屬材料，但是在其他實(shí)施方式中，屏蔽層2110可以是其他導(dǎo)電材料。該實(shí)施方式中，屏蔽層2110設(shè)置在彩膜基板靠近陣列基板的一側(cè)，由于與導(dǎo)電引線(xiàn)的距離與圖3或/和圖4所示的實(shí)施方式相比較近，因此其屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)發(fā)出的電磁輻射的能力更強(qiáng)，能夠進(jìn)一步減弱顯示面板側(cè)邊的電磁輻射。
[0051]然而，本實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)方式并非局限于圖5所示，具體地，如圖6所示，圖6是圖2所示的彩膜基板在A(yíng)-A’處的再一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在基板200的上方設(shè)置有背屏蔽電極2116，在基板200的下方依次設(shè)置黑矩陣2112和色阻層2114、平坦化層2120、間隔柱2122以及屏蔽層2120，屏蔽層2120優(yōu)選金屬材料，但是在其他實(shí)施方式中，屏蔽層2120可以是其他導(dǎo)電材料。其中，屏蔽層2120通過(guò)導(dǎo)電膠與設(shè)置在陣列基板11的接地點(diǎn)電連接，或者與陣列基板11上的通有恒定電位的導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)電連接，所述導(dǎo)電膠可以是銀膠。同樣地，該實(shí)施方式中屏蔽層2120設(shè)置在彩膜基板靠近陣列基板的一側(cè)，因此其屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)發(fā)出的電磁輻射的能力更強(qiáng)，能夠進(jìn)一步減弱顯示面板側(cè)邊的電磁輻射。需要說(shuō)明的是，在該實(shí)施方式中，屏蔽層2120是在形成間隔柱2122后形成的，其屏蔽層2120的具體形成過(guò)程如下:在基板上形成屏蔽材料層，然后采用掩模對(duì)屏蔽材料層進(jìn)行刻蝕形成屏蔽層2120。采用一道掩模對(duì)屏蔽材料層進(jìn)行刻蝕的工藝來(lái)形成屏蔽層2120是為了防止屏蔽層2120具有位于間隔柱2122表面的區(qū)域。
[0052]上述實(shí)施例中，屏蔽層均設(shè)置在彩膜基板，然而本實(shí)用新型實(shí)施例并非局限于此，例如，屏蔽層可以設(shè)置在陣列基板。具體地，圖7是圖1所示顯示屏的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，陣列基板11分為顯示區(qū)A-A和非顯示區(qū)non A_A。在顯示區(qū)A-A中，陣列基板11包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)1106，多條柵極線(xiàn)1102，多條數(shù)據(jù)線(xiàn)1106和多條柵極線(xiàn)1102相互交叉形成像素區(qū)域Pix。在非顯示區(qū)non A-A中，陣列基板11包括用于給所述顯示區(qū)A-A的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)1108。此外，陣列基板還包括與導(dǎo)電引線(xiàn)1108相對(duì)設(shè)置的屏蔽層1110，屏蔽層1110用于屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)1108因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射。其中，導(dǎo)電引線(xiàn)1108與屏蔽層1110均與驅(qū)動(dòng)芯片IC電連接，且驅(qū)動(dòng)芯片IC給屏蔽層1110通直流電壓。
[0053]繼續(xù)參考圖8，圖8是圖7所示的陣列基板在B-B’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖，其示出了一像素區(qū)域(顯示區(qū)A-A)和非顯示區(qū)non A-A的截面結(jié)構(gòu)。一像素區(qū)域包括一像素電極1112，一薄膜晶體管以及公共電極1114。其中，各像素區(qū)域的公共電極1114之間電連接;薄膜晶體管包括柵極G、源極S、漏極D以及半導(dǎo)體層1120。在非顯示區(qū)non A-A設(shè)置有接地線(xiàn)GND、導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)1108以及屏蔽層1110。具體地，柵極G、公共電極1114、導(dǎo)電引線(xiàn)1108以及連接接地點(diǎn)的接地線(xiàn)GND位于基板100上且同層設(shè)置;在半導(dǎo)體層1120與柵極G之間設(shè)置柵極絕緣層1116;屏蔽層1110與源極S、漏極D同層設(shè)置，即屏蔽層1110與數(shù)據(jù)線(xiàn)1106同層設(shè)置。其中，屏蔽層1110可以與源極S、漏極D采用相同的材料并通過(guò)一道掩模一次成型，屏蔽層1110與導(dǎo)電引線(xiàn)1108之間設(shè)置有柵極絕緣層1116。像素電極1112與源極S之間設(shè)置有絕緣層1118，故需要通過(guò)過(guò)孔連接。同樣地，屏蔽層1110為金屬材料，也可以是其他的導(dǎo)電材料。
[0054]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中位于陣列基板的屏蔽層的設(shè)置方式還可以是如圖9所示的結(jié)構(gòu)。同樣地，陣列基板11包括在基板100上的設(shè)置的薄膜晶體管、導(dǎo)電引線(xiàn)1108、屏蔽層1110、接地線(xiàn)GND、公共電極1114、像素電極1112、柵極絕緣層1116以及絕緣層1118，薄膜晶體管包括柵極G、源極S、漏極D和半導(dǎo)體層1120。其中，與圖8所示的陣列基板不同的是，非顯示區(qū)non A-A的屏蔽層1110與顯示區(qū)A-A的像素電極1112位于同一層。同樣地，屏蔽層1110為金屬材料，也可以是其他導(dǎo)電材料。
[0055]與屏蔽層設(shè)置在彩膜基板的實(shí)施例相比，本實(shí)施例提供的實(shí)施方式均將屏蔽層設(shè)置在陣列基板，且導(dǎo)電引線(xiàn)與屏蔽層之間僅僅設(shè)置有一層絕緣層，因此，發(fā)出電磁輻射的導(dǎo)電引線(xiàn)與屏蔽層之間的距離大大降低，顯示屏屏蔽電磁輻射的能力大大增強(qiáng)。
[0056]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了另一種陣列基板。圖10是圖1所示顯示屏的另一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，陣列基板11分為顯示區(qū)A-A和非顯示區(qū)non A_A。在顯示區(qū)A-A中，陣列基板11包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)1106，多條柵極線(xiàn)1102，多條數(shù)據(jù)線(xiàn)1106和多條柵極線(xiàn)1102相互交叉形成像素區(qū)域Pix。在非顯示區(qū)non A-A中，陣列基板11包括用于給所述顯示區(qū)A-A的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)1108，以及與接地點(diǎn)連接的接地線(xiàn)GND，接地線(xiàn)GND與柔性電路板FPC電連接并接地。此外，陣列基板還包括與導(dǎo)電引線(xiàn)1108相對(duì)設(shè)置的屏蔽層1110，屏蔽層1110用于屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)1108因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射。
[0057]請(qǐng)繼續(xù)參考圖11，圖11是圖10所示的陣列基板在C-C’處的一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。其示出了一像素區(qū)域(顯示區(qū)A-A)和非顯示區(qū)non A-A的截面結(jié)構(gòu)。一像素區(qū)域包括一像素電極1112，一薄膜晶體管以及公共電極1114。其中，各像素區(qū)域的公共電極1114之間電連接;薄膜晶體管包括柵極G、源極S、漏極D以及半導(dǎo)體層1120。在非顯示區(qū)non A-A設(shè)置有接地線(xiàn)GND、導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)1108以及屏蔽層1110。具體地，柵極G、公共電極1114、導(dǎo)電引線(xiàn)1108以及連接接地點(diǎn)的接地線(xiàn)GND位于基板100上且同層設(shè)置;在半導(dǎo)體層1120與柵極G之間設(shè)置柵極絕緣層1116;屏蔽層1110與源極S、漏極D同層設(shè)置，即屏蔽層1110與數(shù)據(jù)線(xiàn)1106同層設(shè)置。其中，屏蔽層1110與接地線(xiàn)GND之間具有柵極絕緣層1116，因此需要通過(guò)過(guò)孔連接。像素電極1112與源極S之間設(shè)置有絕緣層1118，故需要通過(guò)過(guò)孔連接。同樣地，屏蔽層1110為金屬材料，也可以是其他的導(dǎo)電材料。
[0058]同樣地，在其他的實(shí)施方式中，屏蔽層可以與像素電極位于同一層，如圖12所示，圖12是圖10所示的陣列基板在C-C’處的另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，一像素區(qū)域(顯示區(qū)A-A)包括一像素電極1112，一薄膜晶體管以及公共電極1114。其中，各像素區(qū)域的公共電極1114之間電連接；薄膜晶體管包括柵極G、源極S、漏極D以及半導(dǎo)體層1120。在非顯示區(qū)non A-A設(shè)置有接地線(xiàn)GND、導(dǎo)線(xiàn)引線(xiàn)1108以及屏蔽層1110。具體地，柵極G、公共電極1114、導(dǎo)電引線(xiàn)1108以及連接接地點(diǎn)的接地線(xiàn)GND位于基板100上且同層設(shè)置;在半導(dǎo)體層1120與柵極G之間設(shè)置柵極絕緣層1116;屏蔽層1110與源極S、漏極D同層設(shè)置，即屏蔽層1110與數(shù)據(jù)線(xiàn)1106同層設(shè)置。其中，屏蔽層1110與接地線(xiàn)GND之間具有柵極絕緣層1116和絕緣層1118，因此需要通過(guò)過(guò)孔連接。同樣地，屏蔽層1110為金屬材料，也可以是其他的導(dǎo)電材料。
[0059]同樣地，采用本實(shí)施例的陣列基板的顯示屏能夠大大降低電磁輻射。進(jìn)一步地，與圖7至圖9所示的陣列基板相比，本實(shí)施例中屏蔽層直接通過(guò)接地線(xiàn)直接與接地點(diǎn)電連接，無(wú)需在非顯示區(qū)設(shè)置額外的走線(xiàn)，這不僅沒(méi)有增加工藝難度，且沒(méi)有增加非顯示區(qū)的面積。
[0060]—般地，導(dǎo)電引線(xiàn)包括公共電極外引線(xiàn)和柵極外引線(xiàn)。對(duì)于內(nèi)置觸摸顯示屏，其導(dǎo)電引線(xiàn)還包括用于觸摸的電極引線(xiàn)等。由于公共電極外引線(xiàn)的電壓變化頻率最高，因此，在本實(shí)用新型所述實(shí)施例中，如果屏蔽層在陣列基板的投影包括公共電極外引線(xiàn)在陣列基板的投影，屏蔽層就能夠屏蔽顯示屏產(chǎn)生的大量電磁輻射。
[0061]最后，本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，如圖13所示，圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置。具體地，該顯示裝置包括外殼2，上述實(shí)施例或者實(shí)施方式所示的任意一個(gè)顯示屏4、攝像頭6以及信號(hào)燈8。其中，顯示屏4包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板均包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，設(shè)置于陣列基板上；多個(gè)像素電極，設(shè)置于陣列基板上;公共電極，設(shè)置于陣列基板或彩膜基板;導(dǎo)電引線(xiàn)，位于陣列基板的非顯示區(qū)，用于給顯示區(qū)的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及屏蔽層，與導(dǎo)電引線(xiàn)相對(duì)設(shè)置并被施加恒定電位，屏蔽層用于屏蔽導(dǎo)電引線(xiàn)因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射;其中，導(dǎo)電引線(xiàn)與屏蔽層之間至少設(shè)置有一絕緣層。其中，該顯示裝置具有很低的電磁輻射，顯示正常。本實(shí)施例提供的顯示裝置并不局限于此，其顯示裝置還可以是汽車(chē)導(dǎo)航儀，帶有顯示屏的醫(yī)療器械，帶有顯示屏的自動(dòng)取款機(jī)以及帶有顯示屏的自動(dòng)刷卡機(jī)等。
[0062]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯不屏，包括: 陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)； 彩膜基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置且包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)； 多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，設(shè)置于所述陣列基板上； 多個(gè)像素電極，設(shè)置于所述陣列基板上； 公共電極，設(shè)置于所述陣列基板或所述彩膜基板； 導(dǎo)電引線(xiàn)，位于所述陣列基板的非顯示區(qū)，用于給所述顯示區(qū)的導(dǎo)電元件傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 以及屏蔽層，與所述導(dǎo)電引線(xiàn)相對(duì)設(shè)置并被施加恒定電位，所述屏蔽層用于屏蔽所述導(dǎo)電引線(xiàn)因電壓變化而激發(fā)的空間電磁波輻射； 其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)與所述屏蔽層之間至少設(shè)置有一絕緣層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述公共電極被施加變化的電位，所述導(dǎo)電引線(xiàn)為公共電極外引線(xiàn)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示屏，所述公共電極外引線(xiàn)在所述陣列基板上的垂直投影落在所述屏蔽層在所述陣列基板上的垂直投影范圍內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述屏蔽層與接地點(diǎn)連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述公共電極與所述屏蔽層均設(shè)置在所述陣列基板。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述屏蔽層與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述屏蔽層與所述像素電極同層設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏，所述公共電極設(shè)置在所述陣列基板，且所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示屏，所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板靠近所述陣列基板的一側(cè)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏，所述彩膜基板包括黑矩陣，且所述黑矩陣與所述屏蔽層之間至少存在一絕緣層。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏，所述顯示屏還包括導(dǎo)電膠，且所述導(dǎo)電膠與所述屏蔽層連接。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示屏，所述屏蔽層設(shè)置在所述彩膜基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示屏，所述屏蔽層通過(guò)銀膠與接地點(diǎn)電連接。14.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的顯示屏，所述屏蔽層為金屬。15.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的顯示屏。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK205656396SQ201620325010
【公開(kāi)日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2016年4月18日 公開(kāi)號(hào)201620325010.7, CN 201620325010, CN 205656396 U, CN 205656396U, CN-U-205656396, CN201620325010, CN201620325010.7, CN205656396 U, CN205656396U
【發(fā)明人】丁宗財(cái), 杜勇, 毛冰, 姚莎, 張強(qiáng), 李峻
【申請(qǐng)人】上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司