陣列基板及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及顯示面板，包括：第一基板；位于所述第一基板第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層包括位于同一層且相互絕緣的公共電極和像素電極；與所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層位于所述第一基板同一側(cè)的彩膜膜層，所述彩膜膜層包括黑色矩陣和位于由所述黑色矩陣定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻；其中，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣與所述像素電極至少部分交疊，且所述黑色矩陣為導(dǎo)體層，在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位，從而增加了所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容，進(jìn)而緩解了顯示畫面中的閃爍現(xiàn)象或殘像，提高了顯示畫面的顯示質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】
陣列基板及顯不面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但是，現(xiàn)有IPS(In-PlaneSwitching，平面轉(zhuǎn)換)的液晶顯示面板中，其用于控制液晶分子翻轉(zhuǎn)的公共電極和像素電極位于同一層，且所述公共電極與所述像素電極之間沒(méi)有交疊區(qū)域，使得所述公共電極與所述像素電極之間形成的存儲(chǔ)電容較小，從而導(dǎo)致IPS液晶顯示面板在顯示畫面時(shí)容易存在閃爍現(xiàn)象或殘像，影響顯示畫面的顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板，以增大所述陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板中的存儲(chǔ)電容，緩解顯示畫面中的閃爍現(xiàn)象或殘像，提高顯示質(zhì)量。
[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0005]—種陣列基板，包括:
[0006]第一基板；
[0007]位于所述第一基板第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層包括位于同一層且相互絕緣的公共電極和像素電極；
[0008]與所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層位于所述第一基板同一側(cè)的彩膜膜層，所述彩膜膜層包括黑色矩陣和位于由所述黑色矩陣定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻；
[0009]其中，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣與所述像素電極至少部分交疊，且所述黑色矩陣為導(dǎo)體層，在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位。
[0010]可選的，所述固定電位與所述公共電極上施加的電位相同。
[0011]可選的，所述第一基板的第一側(cè)還設(shè)置有像素驅(qū)動(dòng)膜層，所述像素驅(qū)動(dòng)膜層包括:
[0012]交叉設(shè)置且相互絕緣的多條數(shù)據(jù)線和掃描線，所述多條數(shù)據(jù)線和掃描線限定出多個(gè)子像素；
[0013]與所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線電連接的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線電連接，源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，漏極與所述像素電極電連接，在所述掃描線的控制下，將所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)所述像素電極提供給其對(duì)應(yīng)的子像素，控制該子像素的顯示。
[0014]可選的，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極通過(guò)過(guò)孔電連接。
[0015]可選的，所述黑色矩陣與所述漏極至少部分交疊。
[0016]可選的，所述彩膜膜層位于所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層和所述像素驅(qū)動(dòng)膜層之間。
[0017]可選的，所述黑色矩陣位于所述彩色色阻朝向所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層一側(cè)。
[0018]可選的，所述陣列基板中的彩色色阻包括:紅色色阻、藍(lán)色色阻和綠色色阻，所述紅色色阻、所述藍(lán)色色阻和所述綠色色阻的厚度不完全相同。
[0019]可選的，所述彩膜膜層背離所述第一基板表面一側(cè)還設(shè)置有平坦化層。
[0020]—種顯示面板，包括:相對(duì)設(shè)置的陣列基板和第二基板，以及位于所述陣列基板和所述第二基板之間的液晶層，其中，所述陣列基板為上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0021 ]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，包括:位于第一基板第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層和彩膜膜層，其中，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層包括位于同一層且相互絕緣的公共電極和像素電極，所述彩膜膜層包括黑色矩陣和位于由所述黑色矩陣定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻，且在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣與所述像素電極至少部分交疊，且所述黑色矩陣為導(dǎo)體層，在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位，從而使得所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容不僅包括像素電極和公共電極之間形成的電容，還包括像素電極與黑色矩陣之間形成的電容，增加了所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容，進(jìn)而緩解了顯示畫面中的閃爍現(xiàn)象或殘像，提高了顯示畫面的顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為圖4所示的陣列基板中，像素驅(qū)動(dòng)膜層的俯視圖；
[0029]圖6為圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)膜層中一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[°03°]圖7為圖6所不子像素中A處的剖視圖；
[0031]圖8為圖6所示子像素中B處的剖視圖；
[0032]圖9為圖6所示子像素中B處的另一種剖視圖；
[0033]圖10為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖11為圖6所示子像素中B處的又一種剖視圖；
[0035]圖12為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖
[0036]圖13為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0039]如圖1所示，圖1是示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述陣列基板包括:
[0040]第一基板10;
[0041]位于所述第一基板10第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層20，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20包括位于同一層且相互絕緣的公共電極21和像素電極22;
[0042]與所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20位于所述第一基板10同一側(cè)的彩膜膜層30，所述彩膜膜層30包括黑色矩陣31和位于由所述黑色矩陣31定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻32;
[0043]其中，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31與所述像素電極22至少部分交疊，且在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位，從而在所述陣列基板工作時(shí)，在所述黑色矩陣31和所述像素電極22之間形成電容，作為所述陣列基板中存儲(chǔ)電容的一部分，增大所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容。
[0044]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述固定電位與所述公共電極21上施加的電位相同，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要保證所述陣列基板中各像素電極22對(duì)應(yīng)的黑色矩陣31上所施加的電位相同即可。
[0045]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，繼續(xù)如圖1所示，所述黑色矩陣31與所述像素電極22至少部分交疊為所述黑色矩陣31與所述像素電極22僅部分交疊，即所述黑色矩陣31的部分與所述像素電極22的部分相交疊;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，圖2示出了本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，所述黑色矩陣31與所述像素電極22至少部分交疊為所述像素電極22在所述第一基板10上的投影完全覆蓋所述黑色矩陣31在第一基板10上的投影，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要保證所述像素電極22與所述公共電極21相互絕緣，且所述像素電極22與所述黑色矩陣31至少部分交疊即可。
[0046]需要說(shuō)明的是，在圖1和圖2所示的陣列基板中，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20位于所述彩膜膜層30背離所述第一基板10—側(cè)，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，圖3示出了本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20還可以位于所述彩膜膜層30朝向所述第一基板10—側(cè)，具體視情況而定，只要保證所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20和所述彩膜膜層30位于所述第一基板10的同一側(cè)即可。
[0047]如圖4-圖6所示，圖4示出了本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4所示的陣列基板中，像素驅(qū)動(dòng)膜層的俯視圖；圖6為圖5所示的像素驅(qū)動(dòng)膜層中一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一基板10的第一側(cè)還設(shè)置有像素驅(qū)動(dòng)膜層40，所述像素驅(qū)動(dòng)膜層40包括:交叉且相互絕緣的多條數(shù)據(jù)線41和多條掃描線42，所述多條數(shù)據(jù)線41和多條掃描線42限定出多個(gè)子像素43;與所述數(shù)據(jù)線41和所述掃描線42電連接的薄膜晶體管44，所述薄膜晶體管44的柵極g與所述掃描線42電連接，所述薄膜晶體管44的源極s與所述數(shù)據(jù)線41電連接，所述薄膜晶體管44的漏極d與所述像素電極22電連接，具體工作時(shí)，所述薄膜晶體管44在所述掃描線42的控制下，將所述數(shù)據(jù)線41輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)所述像素電極22提供給其對(duì)應(yīng)的子像素43，控制該子像素43的顯示。
[0048]如圖7所示，圖7為圖6所示子像素中A處的剖視圖。在上述實(shí)施例中，所述源極s與所述漏極d之間具有溝道區(qū)，所述溝道區(qū)的制作材料為半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料為非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物或低溫多晶氧化物;所述溝道區(qū)與所述柵極g之間設(shè)置有柵極絕緣層45，且所述溝道區(qū)設(shè)置于所述柵極g的正上方，即所述溝道區(qū)在所述第一基板10上的投影覆蓋所述柵極g在所述第一基板10上的投影，其中，所述柵極絕緣層45可以為氮化硅層或氧化硅層。
[0049]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線41和所述掃描線42可選為金屬走線，且所述數(shù)據(jù)線41和所述掃描線42的厚度可選為不同，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。可選的，所述金屬走線可以為鋁走線，也可以為銅走線。
[0050]具體的，如圖8所示，圖8為圖6所示子像素中B處的剖視圖。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述薄膜晶體管44的漏極d與所述像素電極22通過(guò)過(guò)孔50電連接。
[0051 ]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，繼續(xù)如圖8所示，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31與所述漏極d至少部分交疊，從而將所述黑色矩陣31與所述漏極d之間形成的電容也作為存儲(chǔ)電容的一部分，進(jìn)一步增大所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容。
[0052]需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施例中，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，繼續(xù)如圖8所示，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31與所述漏極d至少部分交疊可以為在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31的部分與所述漏極d的部分相交疊;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖9所示，圖9示出了圖6所示子像素中B處的另一種剖視圖，在本發(fā)明實(shí)施例中，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31與所述漏極d至少部分交疊也可以為在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31在所述第一基板10上的投影完全覆蓋所述漏極d在所述第一基板10上的投影，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0053]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，當(dāng)所述彩膜膜層30位于所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20朝向所述第一基板10—側(cè)時(shí)，繼續(xù)如圖4所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述彩膜膜層30位于所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20與所述像素驅(qū)動(dòng)膜層40之間。
[0054]如圖10所示，圖10示出了本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述彩膜膜層30還可以位于所述像素驅(qū)動(dòng)膜層40與所述第一基板10之間。本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0055]需要說(shuō)明的是，雖然圖1-圖4中所示的陣列基板中，不同顏色的色阻呈矩陣設(shè)置，所述黑色矩陣31與所述彩色色阻32位于同一層，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，不同顏色的色阻相互交疊。
[0056]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖8所示，所述黑色矩陣31位于所述彩色色阻32與所述像素電極22之間，即所述黑色矩陣31位于所述彩色色阻32朝向液晶驅(qū)動(dòng)膜層20—側(cè)，以縮小所述黑色矩陣31與所述像素電極22之間的距離，在相同正對(duì)面積下，增加所述黑色矩陣31與所述像素電極22之間的電容。
[0057]如圖11所示，圖11為圖6所示子像素中B處的又一種剖視圖，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述黑色矩陣31還可以位于所述彩色色阻32朝向所述第一基板10—側(cè)，具體視情況而定。
[0058]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述陣列基板包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述陣列基板中的彩色色阻32包括:紅色色阻、藍(lán)色色阻和綠色色阻，以使得所述陣列基板的出射光包括紅光、綠光和藍(lán)光。其中，所述紅色色阻對(duì)應(yīng)所述紅色子像素，所述藍(lán)色色阻對(duì)應(yīng)所述藍(lán)色子像素，所述綠色色阻對(duì)應(yīng)所述綠色子像素，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括白色子像素或黃色子像素等其他顏色子像素，具體視情況而定。
[0059]需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施例中，所述紅色色阻、所述藍(lán)色色阻和所述綠色色阻的厚度不完全相同。即在本發(fā)明實(shí)施例中，所述紅色色阻、所述藍(lán)色色阻和所述綠色色阻的厚度可以相同，也可以部分相同，部分不同，還可以完全不同。
[0060]如圖12所示，圖12示出了本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述彩膜膜層30背離所述第一基板10表面一側(cè)還設(shè)置有平坦化層60，以利用所述平坦化層60對(duì)所述陣列基板的表面進(jìn)行平坦化。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述平坦化層60還作為所述黑色矩陣31與所述像素電極22之間的絕緣層，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述平坦化層60還可以不作為所述黑色矩陣31與所述像素電極22之間的絕緣層，在本實(shí)施例中，所述平坦化層60與所述黑色矩陣31之間額外設(shè)置有絕緣層，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0061]需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施例中，所述平坦化層60可以為有機(jī)層，也可以為無(wú)機(jī)層，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0062]如圖13所示，圖13示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述顯示面板包括:相對(duì)設(shè)置的陣列基板100和第二基板200，以及位于所述陣列基板100和所述第二基板200之間的液晶層300，其中，所述陣列基板100為上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板。
[0063]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板，包括:位于第一基板10第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層20和彩膜膜層30，其中，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層20包括位于同一層且相互絕緣的公共電極21和像素電極22，所述彩膜膜層30包括黑色矩陣31和位于由所述黑色矩陣31定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻32，且在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣31與所述像素電極22至少部分交疊，且所述黑色矩陣31為導(dǎo)體層，在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位，從而使得所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容不僅包括像素電極22和公共電極21之間形成的電容，還包括像素電極22與黑色矩陣31之間形成的電容，增加了所述陣列基板中的存儲(chǔ)電容，進(jìn)而減弱所述顯示面板中的漏電現(xiàn)象對(duì)利用所述存儲(chǔ)電容中的電荷控制液晶分子偏轉(zhuǎn)時(shí)的影響，緩解了由于漏電現(xiàn)象的存在而導(dǎo)致的顯示畫面中的閃爍現(xiàn)象或殘像，提高了顯示畫面的顯示質(zhì)量。
[0064]本說(shuō)明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0065]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 第一基板； 位于所述第一基板第一側(cè)的液晶驅(qū)動(dòng)膜層，所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層包括位于同一層且相互絕緣的公共電極和像素電極； 與所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層位于所述第一基板同一側(cè)的彩膜膜層，所述彩膜膜層包括黑色矩陣和位于由所述黑色矩陣定義的多個(gè)區(qū)域內(nèi)的彩色色阻； 其中，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣與所述像素電極至少部分交疊，且所述黑色矩陣為導(dǎo)體層，在所述陣列基板工作時(shí)電連接固定電位。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述固定電位與所述公共電極上施加的電位相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一基板的第一側(cè)還設(shè)置有像素驅(qū)動(dòng)膜層，所述像素驅(qū)動(dòng)膜層包括: 交叉設(shè)置且相互絕緣的多條數(shù)據(jù)線和掃描線，所述多條數(shù)據(jù)線和掃描線限定出多個(gè)子像素； 與所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線電連接的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線電連接，源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，漏極與所述像素電極電連接，在所述掃描線的控制下，將所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)所述像素電極提供給其對(duì)應(yīng)的子像素，控制該子像素的顯示。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極通過(guò)過(guò)孔電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述陣列基板表面的方向上，所述黑色矩陣與所述漏極至少部分交疊。6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜膜層位于所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層和所述像素驅(qū)動(dòng)膜層之間。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述黑色矩陣位于所述彩色色阻朝向所述液晶驅(qū)動(dòng)膜層一側(cè)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板中的彩色色阻包括:紅色色阻、藍(lán)色色阻和綠色色阻，所述紅色色阻、所述藍(lán)色色阻和所述綠色色阻的厚度不完全相同。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜膜層背離所述第一基板表面一側(cè)還設(shè)置有平坦化層。10.—種顯示面板，其特征在于，包括:相對(duì)設(shè)置的陣列基板和第二基板，以及位于所述陣列基板和所述第二基板之間的液晶層，其中，所述陣列基板為權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/133GK105974659SQ201610615293
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年7月29日
【發(fā)明人】金慧俊
【申請(qǐng)人】上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司