液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，在一面上具有電極及光配向膜的兩張基板的各自一面是相對的；在光配向膜之間具有包括垂直配向型的液晶材料的液晶層；在基板的面方向上形成有多個(gè)矩陣狀的像素區(qū)域，各個(gè)像素區(qū)域具有根據(jù)兩個(gè)光配向膜規(guī)定的基準(zhǔn)配向方向各自不同的至少兩個(gè)液晶象限。一側(cè)的電極(2)具有在和各液晶象限對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，以和各自的基準(zhǔn)配向方向平行的方式延伸的傾斜狹縫(21)。而且，在行方向排列的液晶象限的邊界部分，設(shè)置有在列方向延伸的縱狹縫(22)，在列方向排列的液晶象限的邊界部分設(shè)置有在行方向延伸的橫狹縫(23)。縱狹縫(22)及橫狹縫(23)和傾斜狹縫(21)不連續(xù)，從傾斜狹縫(21)獨(dú)立出來。
【專利說明】
液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及電視接收機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等具有的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示裝置中，液晶顯示裝置具有薄型、耗電量低的特征。液晶顯示裝置的顯示面 板，其具有彩色濾光片(CF :Col〇r Filter)基板、液晶層、有源矩陣基板(TFT(薄膜晶體管） 基板）、2張偏光板。CF基板和有源矩陣基板通過夾住密封材料而互相貼合在一起，在所述CF 基板和有源矩陣基板中間注入液晶來形成液晶層。有源矩陣基板在液晶層側(cè)具有像素電 極，CF基板在液晶層側(cè)具有共用電極。2張偏光板配置在CF基板及有源矩陣基板的各自的和 液晶層側(cè)相反一側(cè)的面上。
[0003] 使用了作為液晶材料的垂直配向型的材料的液晶顯示裝置，稱為V A (V e r t i c a 1 Alignment:垂直配向）模式的液晶顯示裝置。為了在這樣的液晶顯示裝置中提高透過率及 響應(yīng)速度，采用在一個(gè)像素上形成有多個(gè)液晶象限(domain)的配向分割結(jié)構(gòu)。作為形成這 樣的配向分割結(jié)構(gòu)的方法，例如有MVA(Multi_domain Vertical Alignment:多象限垂直配 向）模式。在MVA模式中，通過在夾著液晶層的基板的液晶層側(cè)設(shè)置線狀突起，在像素電極設(shè) 置開口部(狹縫)來獲得限制配向結(jié)構(gòu);根據(jù)這樣的限制配向結(jié)構(gòu)形成多個(gè)液晶象限（例如 專利文獻(xiàn)1)。通過使狹縫微細(xì)化，能夠良好地控制液晶分子的配向，提高透過率及響應(yīng)速 度。
[0004] 在夾著液晶層的相對的兩基板的液晶層側(cè)，以預(yù)傾(preti 11)方向（配向處理方 向）互相正交的方式，分別設(shè)置光配向膜等的配向膜，在施加電壓時(shí)液晶分子呈扭曲配向狀 態(tài)，以這樣方式構(gòu)成的VA模式稱為VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic:垂直配向 扭曲向列)模式(例如專利文獻(xiàn)2)。其中，在一個(gè)像素區(qū)域中，通過以兩個(gè)配向膜來規(guī)定預(yù)傾 方向，在施加電壓時(shí)將形成有以兩行兩列的方式分割的四個(gè)液晶象限的結(jié)構(gòu)稱為4D結(jié)構(gòu)。
[0005] 圖19是對具有這樣的4D結(jié)構(gòu)的VATN模式的液晶顯示裝置的像素區(qū)域進(jìn)行表示的 俯視圖。
[0006] 在圖19中，虛線箭頭表示根據(jù)在源矩陣基板上設(shè)置的光配向膜而規(guī)定的預(yù)傾方 向，實(shí)線箭頭表示根據(jù)在在CF基板上設(shè)置的光配向膜而規(guī)定的預(yù)傾方向。而且，將在向液晶 層施加電壓的情況下，各液晶象限的傾斜方向（基準(zhǔn)配向方向）用大頭針的朝向來表示。以 大頭針的圓盤部靠近觀看液晶顯示裝置的觀看者的方式，表示出液晶分子呈傾斜的狀態(tài)。 即，基準(zhǔn)配向方向是斜45度。
[0007] 在該液晶顯示裝置的像素電極上未形成狹縫。
[0008] 圖20是對圖19的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖，圖21是在配置有配線 及接觸孔的情況下，對所述像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0009] 根據(jù)圖20及圖21可知，在液晶象限的邊界部分產(chǎn)生了寬度較寬的暗線。暗線是因 為液晶分子在液晶象限的邊界部分，在和偏光軸（縱向及橫向的軸）垂直或平行的方向配 向，導(dǎo)致光無法透過而產(chǎn)生的。
[0010] 暗線導(dǎo)致光的透過率低下。特別是在像素較小的高精細(xì)顯示器中，因暗線導(dǎo)致的 光的透過率低下的影響更大。
[0011] 在具有4D結(jié)構(gòu)的VATN模式中，還對上述的MVA模式進(jìn)行了組合（多象限的VATN模 式，例如專利文獻(xiàn)3等）。
[0012] 圖22是對多象限的VATN模式的液晶顯示裝置的像素區(qū)域中的有源矩陣基板的像 素電極52進(jìn)行表示的俯視圖。
[0013] 在像素電極52上，同時(shí)在4個(gè)液晶象限的斜45度的各個(gè)傾斜方向上形成有多個(gè)傾 斜的狹縫21。通過這些傾斜的狹縫21來減少在上述的VATN模式的液晶象限的邊界部分產(chǎn)生 的暗線，從而提高光的透過率。在像素區(qū)域的中央部形成有接觸孔12。
[0014] 圖23是表示圖22的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)的俯視圖，圖24是在配置有配線孔及接 觸孔的情況下，對所述像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0015] 可知即使在這樣的結(jié)構(gòu)中，邊界部分也會(huì)產(chǎn)生一定寬度的暗線，無法充分獲得提 高光透過率的效果。另外，沿著傾斜的狹縫21也會(huì)產(chǎn)生暗線。
[0016] 圖25是圖24的部分放大圖。
[0017]在圖25中，用針(pin)來表不液晶分子的配向。
[0018] 如圖25所不，多個(gè)液晶分子61在邊界部分以和偏光軸垂直的方式配向，另外也有 以和偏光軸大致平行的方式配向的液晶分子61，導(dǎo)致產(chǎn)生了一定寬度的光無法透過的部 分，透過率較低。
[0019] 圖26是對另一液晶顯示裝置的像素區(qū)域中的有源矩陣基板的像素電極52進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0020] 像素電極52上，除了設(shè)置有多個(gè)傾斜的狹縫21，還設(shè)置有狹縫28、28及狹縫29、29。 狹縫28，將3個(gè)傾斜的狹縫的偏光軸側(cè)端部，分別連接到在與縱的該偏光軸平行的狹縫上。 狹縫29,將2個(gè)傾斜的狹縫的偏光軸側(cè)端部，分別連接到與橫的該偏光軸平行的狹縫上。
[0021] 圖27是對圖26的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0022] 如圖27所示，可知在和各個(gè)偏光軸平行的狹縫上，在對傾斜的狹縫的該偏光軸側(cè) 端部進(jìn)行連接的部分上，會(huì)產(chǎn)生具有較寬寬度的暗線。
[0023]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [0024]專利文獻(xiàn)
[0025] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-149647號(hào)公報(bào)
[0026] 專利文獻(xiàn)2:國際公開第2006/132369號(hào)
[0027] 專利文獻(xiàn)3:國際公開第2013/054828號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0028]發(fā)明要解決的課題
[0029] 本發(fā)明是鑒于以上情況而提出的，其目的在于提供一種液晶顯示裝置，在像素區(qū) 域，在光透過時(shí)產(chǎn)生暗線的面積小、光的透過率良好、畫質(zhì)良好。
[0030] 用于解決課題的方法
[0031] 本發(fā)明的液晶顯示裝置，在兩張基板的各自一面上按順序形成有電極及光配向 膜，所述兩張基板的所述各自一面是相對的，在兩光配向膜之間存在液晶層，所述液晶層包 含垂直配向型的液晶材料;在所述基板上，在該基板的面方向形成有矩陣狀的多個(gè)像素區(qū) 域;各像素區(qū)域至少具有兩個(gè)液晶象限，所述兩個(gè)液晶象限的由兩光配向膜規(guī)定的基準(zhǔn)配 向方向各不相同；一側(cè)的電極具有多個(gè)開口部，所述多個(gè)開口部在和各液晶象限對應(yīng)的區(qū) 域中分別與各個(gè)基準(zhǔn)配向方向平行地延伸;所述液晶顯示裝置的特征在于，所述一側(cè)的電 極具有第二開口部，所述第二開口部在沿一個(gè)方向排列的兩個(gè)液晶象限間，以和所述開口 部不連續(xù)的狀態(tài)，在和所述一個(gè)方向正交的另一方向上延伸。
[0032] 在本發(fā)明中，通過第二開口部，使得位于液晶象限的邊界部分的液晶分子隨著邊 界的延伸方向進(jìn)行配向。因此，在和偏光軸垂直或平行的方向上配向的液晶分子減少，該液 晶分子存在的部分的寬度變窄，所以和以往的液晶顯示裝置的像素區(qū)域相比暗線的寬度變 窄，透過率上升。
[0033] -般的RGB(紅綠藍(lán))條紋結(jié)構(gòu)的像素是縱長狀的，因?yàn)榱蟹较虻囊壕笙捱吔绲?長度比行方向的液晶象限邊界的長度長，所以在第二開口部的延伸方向是列方向的情況 下，透過率的提高效果更大。
[0034] 本發(fā)明的液晶顯示裝置，在兩張基板的各自一面上按順序形成有電極及光配向 膜，所述兩張基板的所述各自一面是相對的，在兩光配向膜之間存在液晶層，所述液晶層包 含垂直配向型的液晶材料;在所述基板上，在該基板的面方向形成有矩陣狀的多個(gè)像素區(qū) 域;各像素區(qū)域至少具有兩個(gè)液晶象限，所述兩個(gè)液晶象限的由兩光配向膜規(guī)定的基準(zhǔn)配 向方向各不相同；一側(cè)的電極具有多個(gè)開口部，所述多個(gè)開口部在和各液晶象限對應(yīng)的區(qū) 域中分別與各個(gè)基準(zhǔn)配向方向平行地延伸;所述液晶顯示裝置的特征在于，所述一側(cè)的電 極其具有第二開口部，所述第二開口部在沿一個(gè)方向排列的兩個(gè)液晶象限間，以在與所述 一個(gè)方向正交的另一方向的一端部側(cè)與所述開口部連續(xù)的狀態(tài)，在所述另一方向上延伸。
[0035] 在本發(fā)明中，通過第二開口部，位于液晶象限的邊界部分的液晶分子隨著邊界的 延伸方向進(jìn)行配向。因此，因?yàn)樵诤推廨S垂直或平行的方向上配向的液晶分子減少，該液 晶分子存在的部分的寬度變窄，所以暗線的寬度變窄，透過率變得良好。
[0036]本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于，所述一側(cè)的電極具有第三開口部，所述第三 開口部在沿所述另一方向排列的兩個(gè)液晶象限間，以與所述開口部不連續(xù)的狀態(tài)，在所述 一個(gè)方向上延伸。
[0037]在本發(fā)明中，因?yàn)樵谝壕笙薜碾p方的邊界部分形成有第二開口部及第三開口 部，所以透過率變得更加良好。
[0038]本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于，所述一側(cè)的電極具有第三開口部，所述第三 開口部在沿所述另一方向排列的兩個(gè)液晶象限間，以在所述一個(gè)方向的一端部側(cè)與所述開 口部連續(xù)的狀態(tài)，在所述一個(gè)方向上延伸。
[0039]在本發(fā)明中，因?yàn)樵谝壕笙薜碾p方的邊界部分上形成有第二開口部及第三開口 部，所以透過率變得更加良好。
[0040] 本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二開口部的位置或所述第三開口部 的位置，與在一側(cè)的基板上形成的配線的位置對齊。
[0041] 在本發(fā)明中，通過使在液晶象限邊界產(chǎn)生的暗線和有源矩陣基板等的基板的配線 相匹配(對齊），能夠良好地抑制光的透過損失。
[0042]本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于，一側(cè)的基板，在所述像素區(qū)域的端部附近具 有接觸孔。
[0043] 在本發(fā)明中，因?yàn)橄袼貐^(qū)域的中央部未形成接觸孔，不需要確保使像素電極和漏 極電極的連接區(qū)域位于像素區(qū)域的中央部分，所以能夠?qū)⒌诙_口部或第三開口部的中央 側(cè)端部配置在靠近中央部的位置，能夠使開口部的長度變長?；蛘?，能夠使第二開口部或第 三開口部在中央部分以不間斷的方式連續(xù)或交叉。因此，透過率變得更加良好。
[0044] 發(fā)明的效果
[0045] 根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)殡姌O具有第二開口部，所述第二開口部在兩個(gè)液晶象限間，以和 在基準(zhǔn)配向方向平行延伸的開口部不連續(xù)的狀態(tài)，在該液晶象限的邊界方向上延伸，因此， 位于液晶象限的邊界部分的液晶分子隨著邊界的延伸方向進(jìn)行配向。因此，在和偏光軸垂 直或平行的方向配向的液晶分子減少，該液晶分子存在的部分的寬度變窄，和以往的液晶 顯示裝置的像素區(qū)域相比，暗線的寬度變窄，透過率良好。在像素較小的高精細(xì)液晶顯示裝 置中，透過率提高效果更高，液晶顯示裝置的畫質(zhì)變得良好。
【附圖說明】
[0046] 圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀立體圖。
[0047]圖2是對本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的顯示面板的一像素區(qū)域中的像 素電極進(jìn)行表示的俯視圖。
[0048]圖3是圖2的III 一 III線上的顯示模塊的剖面圖。
[0049] 圖4是對有源矩陣基板的配線進(jìn)行表示的俯視圖。
[0050] 圖5是對CF基板的黑矩陣進(jìn)行表示的俯視圖。
[0051] 圖6是對圖2的像素區(qū)域中的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0052]圖7是圖6的部分放大圖。
[0053]圖8是對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表示 的俯視圖。
[0054]圖9是對圖8的像素區(qū)域中的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0055] 圖10是對本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0056] 圖11是對圖10的像素區(qū)域中的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0057] 圖12是對本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0058]圖13是對圖12的像素區(qū)域中的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0059] 圖14是對本發(fā)明的第五實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0060] 圖15是在第一及第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，對傾斜的狹縫的寬度改變時(shí)的 間距和透過率之間的關(guān)系進(jìn)行表示的圖表。
[0061] 圖16是在第一及第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，對傾斜的狹縫的寬度改變時(shí)的 間距和透過率比之間的關(guān)系進(jìn)行表示的圖表。
[0062]圖17是在第三及第四實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，對傾斜的狹縫的寬度改變時(shí)的 間距和透過率之間的關(guān)系進(jìn)行表示的圖表。
[0063]圖18是在第三及第四實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，對傾斜的狹縫的寬度改變時(shí)的 間距和透過率比之間的關(guān)系進(jìn)行表示的圖表。
[0064]圖19是對具有4D結(jié)構(gòu)的VATN模式的液晶顯示裝置的像素區(qū)域進(jìn)行表示的俯視圖。 [0065]圖20是對圖19的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0066] 圖21是對在配置有配線及接觸孔的情況下的所述像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0067] 圖22是對在多象限的VATN模式的液晶顯示裝置的像素區(qū)域中的有源矩陣基板的 像素電極進(jìn)行表示的俯視圖。
[0068] 圖23是對圖22的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0069] 圖24是對在配置有配線及接觸孔的情況下的所述像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0070] 圖25是圖24的部分放大圖。
[0071] 圖26是對在另一液晶顯示裝置的像素區(qū)域中的有源矩陣基板的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0072] 圖27是對圖26的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0073] 以下，基于表示本發(fā)明的實(shí)施方式的附圖進(jìn)行具體的說明。
[0074]第一實(shí)施方式
[0075]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的外觀立體圖，圖2是對液晶顯 示裝置100的顯示面板102的一像素區(qū)域中的像素電極2進(jìn)行表示的俯視圖，圖3是圖2的 III一III線上的顯示模塊101的剖面圖，圖4是對有源矩陣基板1的配線進(jìn)行表示的俯視圖， 圖5是對CF基板7的黑矩陣進(jìn)行表示的俯視圖。
[0076] 液晶顯示裝置100具有：顯示模塊101，其包括顯示面板102及背光單元103;合成樹 脂制的前殼104及后殼105、支架106,以夾住該顯示模塊101的方式收納該顯示模塊101。顯 示模塊101，其整體呈橫向較長的大致長方體狀，以垂直姿態(tài)收納在前殼104及后殼105內(nèi)。 [0077]本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示面板102,其具有在面方向以矩陣狀配置的多個(gè)像 素區(qū)域。
[0078]顯示面板102是多象限的VATN模式的顯示面板，在有源矩陣基板1的像素電極2上， 和4個(gè)液晶象限的斜45度的各傾斜方向?qū)?yīng)，形成有多個(gè)傾斜的狹縫21。
[0079] 而且，在像素電極2上，在行方向排列的液晶象限的邊界部分上，設(shè)置有在列方向 上延伸的縱狹縫22、22;在列方向排列的液晶象限的邊界部分，設(shè)置有在行方向延伸的橫狹 縫23、23。縱狹縫22及橫狹縫23，都與傾斜的狹縫21不連續(xù)，從傾斜的狹縫21中獨(dú)立出來。列 方向和縱狹縫22的軸心成的角度在±5°的范圍內(nèi)，行方向和橫狹縫23的軸心成的角度在± 5°的范圍內(nèi)。
[0080] 像素電極2,例如是通過濺射法形成ΙΤ0(氧化銦錫)膜后，通過圖案化，以具有傾斜 的狹縫21、縱狹縫22及橫狹縫23的狀態(tài)來形成的。像素區(qū)域的中央部形成有接觸孔12，接觸 孔12上也形成有像素電極2。
[0081 ]如圖3所示，顯示模塊101的顯示面板102具有:有源矩陣基板1、CF基板7、液晶層6、 兩張偏光板4、11 <XF基板7和有源矩陣基板1以夾住密封材料的方式互相貼合在一起，在該 CF基板7和有源矩陣基板1之間注入垂直配向型的液晶材料來形成液晶層6。兩張偏光板11、 4配置在CF基板7、有源矩陣基板1各自的與液晶層6側(cè)相反一側(cè)的面上。
[0082]有源矩陣基板1的基板部3,例如在玻璃制的絕緣性基板上形成有如下構(gòu)件：后述 的TFT(薄膜晶體管）36(參照圖4);多個(gè)柵極配線（掃描配線）31，用于向TFT36提供掃描信 號(hào);多個(gè)源極配線(信號(hào)配線)33,用于向TFT36提供圖像信號(hào)。
[0083]如圖4所示，柵極配線31及Cs配線32以互相平行的方式延伸；源極33,以互相平行 的方式延伸，和柵極配線31及Cs配線32交叉。
[0084] Cs配線32,其在中央部具有呈矩形狀的漏極對向部321。
[0085]在圖4中左側(cè)的源極配線33的下端部，以朝向右側(cè)的源極配線33的方式，設(shè)置有呈 矩形狀的源極電極331。
[0086] 漏極電極35具有:Cs對向部351，其呈比漏極對向部321小的矩形狀;源極電極對向 部352,其和源極電極331在面方向相對。Cs配線32的漏極對向部321和漏極電極35的Cs對向 部351，以柵極絕緣膜(未圖示)介于這兩者之間的狀態(tài)相對，在該區(qū)域形成有輔助容量（電 容)(Cs) 〇
[0087] 下側(cè)的柵極配線31的靠左的部分形成有柵極電極，由該柵極電極、源極電極331及 源極電極對向部352構(gòu)成了 TFT36。
[0088] 如圖3所示，基板部3的液晶層6側(cè)形成有像素電極2,所述像素電極2具有上述的傾 斜的狹縫21、縱狹縫22及橫狹縫23;像素電極2被光配向膜5覆蓋。漏極電極35和像素電極2 通過接觸孔12來電連接。
[0089] CF基板7的基板部10,例如由在玻璃制的絕緣性基板上排列黑矩陣(BM)及R(紅）、G (綠）、B(藍(lán))等的彩色濾光片(未圖示)來組成。圖5是示出BMlOa的俯視圖。
[0090] 在基板10的液晶層6側(cè)，例如形成有由氧化銦錫等組成的共用電極9。共用電極9被 光配向膜8覆蓋。
[0091 ] 偏光板4及11以分別和偏光軸互相正交的方式配置。
[0092] 背光單元103配置在顯示面板102的背面?zhèn)取１彻鈫卧?03也可以是邊緣照明方式 (側(cè)面照明方式、導(dǎo)光板方式)及直下型方式中的任一種。在邊緣照明方式的情況下，背光單 元103是通過將光學(xué)板、導(dǎo)光板及發(fā)光二極管基板等的光源收納在機(jī)殼來形成的。
[0093]圖6是對圖2的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0094] 根據(jù)圖6,通過和上述的以往的液晶顯示裝置比較可知:在各液晶象限的邊界部分 產(chǎn)生的暗線的寬度變窄。
[0095]圖7是圖6的部分放大圖。
[0096]在圖7中，通過大頭針來表示液晶分子61的配向。
[0097] 如圖7所示，通過縱狹縫22,位于液晶象限的邊界部分的液晶分子隨著邊界的延伸 方向進(jìn)行配向。在橫狹縫23中，同樣位于液晶象限的邊界部分的液晶分子61也隨著邊界的 延伸方向進(jìn)行配向。因此，因?yàn)樵诤推廨S垂直或平行的方向上配向的液晶分子61減少，該 液晶分子61存在的部分的寬度變窄，所以暗線的寬度變窄，透過率提高。
[0098] 在本實(shí)施方式中，通過使在液晶象限邊界產(chǎn)生的暗線和有源矩陣基板1的金屬配 線(Cs配線32、柵極配線31、漏極電極35)對齊，來抑制光的透過損失。即，將有源矩陣基板1 的光配向膜5的紫外線的照射方向設(shè)為縱條紋，使液晶分子在縱方向配向，通過使縱狹縫22 及橫狹縫23和金屬配線對齊，來獲得良好的透過率。
[0099]因?yàn)橐话愕募t綠藍(lán)條紋結(jié)構(gòu)的像素是縱長的，所以列方向的液晶象限邊界的長度 比行方向的液晶象限邊界的長度長。因此，通過設(shè)置縱狹縫22,能夠獲得更高的透過率提高 效果;進(jìn)而，通過將縱狹縫和金屬配線對齊，透過率提高效果進(jìn)一步提高。
[0100]第二實(shí)施方式
[0101] 圖8是對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極2進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0102] 就本實(shí)施方式的像素電極2而言，與第一實(shí)施方式的像素電極2同樣地，在行方向 排列的液晶象限的邊界部分設(shè)置有在列方向延伸的縱狹縫22、22;在列方向排列的液晶象 限的邊界部分設(shè)置有在行方向延伸的橫狹縫23、23。縱狹縫22及橫狹縫23從傾斜狹縫21中 獨(dú)立出來。
[0103] 在本實(shí)施方式中，傾斜的狹縫21之間的寬度（間隔），和第一實(shí)施方式的像素電極2 的傾斜的狹縫21之間的寬度不同。
[0104] 圖9是對圖8的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0105] 根據(jù)圖9可知液晶象限的邊界部分產(chǎn)生的暗線的寬度變窄。
[0106] 第三實(shí)施方式
[0107] 圖10是對本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0108] 在本實(shí)施方式中和第一及第二實(shí)施方式不同，接觸孔12未在像素區(qū)域的中央部形 成，而是形成在像素區(qū)域的靠近端部的構(gòu)成有TFT36的部分。
[0109] 就像素電極2而言，和第一及第二實(shí)施方式的像素電極2同樣地，在行方向排列的 液晶象限的邊界部分設(shè)置有在列方向延伸的縱狹縫22、22;在列方向排列的液晶象限的邊 界部分設(shè)置有在行方向延伸的橫狹縫23、23。縱狹縫22及橫狹縫23從傾斜狹縫21中獨(dú)立出 來。
[0110] 在本實(shí)施方式中，像素區(qū)域的中央部未形成接觸孔12,不需要確保漏極電極35在 像素區(qū)域的中央部分，即，不需要確保與TFT36連接的區(qū)域在像素區(qū)域的中央部分，因此，能 夠?qū)⒖v狹縫22及橫狹縫23各自的中央側(cè)端部以靠近中央部的方式配置，能夠使各狹縫的長 度變長。
[0111] 因此，能夠提高光的透過率。
[0112] 圖11是對圖10的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0113] 根據(jù)圖11可知液晶象限的邊界部分產(chǎn)生的暗線的寬度變窄。
[0114] 第四實(shí)施方式
[0115] 圖12是對本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0116] 本實(shí)施方式中，和第一及第二實(shí)施方式不同，接觸孔12未在像素區(qū)域的中央部形 成，而是形成在像素區(qū)域的靠近端部的構(gòu)成有TFT36的部分。
[0117]就像素電極2而言，在行方向排列的液晶象限的邊界部分設(shè)置有在列方向延伸的 縱狹縫24;在列方向排列的液晶象限的邊界部分設(shè)置有在行方向延伸的橫狹縫25?？v狹縫 24及橫狹縫25從傾斜狹縫21中獨(dú)立出來。而且，縱狹縫24及橫狹縫25分別在中央部分以未 間斷的方式連續(xù)交叉。
[0118] 在本實(shí)施方式中，像素區(qū)域的中央部未形成接觸孔12,不需要確保和漏極電極35 (TFT36)的連接區(qū)域在像素區(qū)域的中央部分，所以能夠使縱狹縫24及橫狹縫25以在中央部 分以未間斷的方式連續(xù)交叉。
[0119] 在能夠使光的透過率進(jìn)一步提高的同時(shí)，像素電極2的圖案化較容易，能夠防止發(fā) 生不良。
[0120] 圖13是對圖12的像素區(qū)域的光透過狀態(tài)進(jìn)行表示的俯視圖。
[0121] 根據(jù)圖13可知在液晶象限的邊界部分產(chǎn)生的暗線的寬度變窄。
[0122] 第五實(shí)施方式
[0123] 圖14是對本發(fā)明的第五實(shí)施方式的顯示面板的一像素區(qū)域中的像素電極2進(jìn)行表 示的俯視圖。
[0124] 在本實(shí)施方式中，雖然狹縫26是在列方向延伸的狹縫，但是在該狹縫的一端部具 有和傾斜狹縫連續(xù)的形狀。而且，雖然狹縫27是在行方向延伸的狹縫，但是在該狹縫的一端 部具有和傾斜狹縫連續(xù)的形狀。
[0125] 在本實(shí)施方式中，通過狹縫26及27在列方向延伸的部分，液晶分子也是隨著邊界 的延伸方向配向。因此，在和偏光軸垂直或平行的方向上配向的液晶分子減少，該液晶分子 存在的部分的寬度變窄，所以暗線的寬度變窄，光透過率提高。
[0126] 實(shí)施例
[0127] 以下，雖然對本發(fā)明的實(shí)施例及比較例進(jìn)行具體的說明，但是本發(fā)明并不限定于 這些實(shí)施例。
[0128] (1)第一及第二實(shí)施方式的像素電極
[0129] [第一至十四實(shí)施例]
[0130]對于傾斜的狹縫21之間的寬度（間隔）α:μπι)、傾斜的狹縫21的寬度（S:ym)、間距 (L+S)、縱狹縫22及橫狹縫23的寬度(μπι)，分別以下列的表1所示的數(shù)值的方式進(jìn)行圖案化， 形成第一至十四實(shí)施例的像素電極2。
[0131]表1
[0132]
[0133] [第一比較例]
[0134] 第一比較例的像素電極是不具有傾斜的狹縫21、縱狹縫22及橫狹縫23的像素電 極。
[0135] [第二比較例]
[0136] 第二比較例的像素電極是如圖22所示的僅具有傾斜的狹縫21的像素電極。
[0137] 對上述實(shí)施例和第一及第二比較例，求出了光的透過率，將結(jié)果通過所述表1及圖 15來表不。
[0138] 另外，在將第一比較例的像素電極的透過率設(shè)為1的情況下，將各實(shí)施例及第二比 較例的透過率比用所述表1及圖16來表示。
[0139] 根據(jù)所述表一、圖15及圖16可知:和第一及第二比較例的像素電極相比，具有縱狹 縫22及橫狹縫23的實(shí)施例的像素電極2的透過率大幅提高。
[0140]而且，可知在傾斜的狹縫21的S寬度較小、間距較小的情況下，透過率進(jìn)一步提高。
[0141] (2)第三及第四實(shí)施方式的像素電極
[0142] [第十五及十六實(shí)施例]
[0143] 對于傾斜的狹縫21之間的寬度（間隔）α:μπι)、傾斜的狹縫21的寬度（S:ym)、間距 (L+S)、縱狹縫22及橫狹縫23的寬度(μπι)，分別以下列的表2所示的數(shù)值的方式進(jìn)行圖案化， 形成與第三實(shí)施方式對應(yīng)的第十五及十六實(shí)施例的像素電極2。
[0144] 表2
[0145]
[0146] [第十七及十八實(shí)施例]
[0147] 對于傾斜的狹縫21之間的寬度（間隔）α:μπι)、傾斜的狹縫21的寬度（S:ym)、間距 (L+S)、縱狹縫24及橫狹縫25的寬度(μπι)，分別以所述表2所示的數(shù)值的方式進(jìn)行圖案化，形 成與第四實(shí)施方式對應(yīng)的第十七及十八實(shí)施例的像素電極2。
[0148] 比較例和上述的第一及第二比較例相同。
[0149] 對上述實(shí)施例和第一及第二比較例，求出了光的透過率，將結(jié)果通過所述表2及圖 17來表示。
[0150] 另外，在將第一比較例的像素電極的透過率設(shè)為1的情況下，將各實(shí)施例及第二比 較例的透過率用所述表2及圖18來表示。
[0151 ]根據(jù)所述表2、圖17及圖18可知：和第一及第二比較例的像素電極相比，具有縱狹 縫22及橫狹縫23的第十五及十六實(shí)施例的像素電極2,以及具有縱狹縫24及橫狹縫25的第 十七及十八實(shí)施例的像素電極2的透過率提高。
[0152]而且，可知在傾斜的狹縫21的S寬度較小、間距較小的情況下，透過率進(jìn)一步提高。 [0153]進(jìn)而，在S寬度及間距相同的情況下，可知第三及第四實(shí)施方式的像素電極2比上 述第一及第二實(shí)施方式的像素電極2的透過率高。
[0154] 根據(jù)以上內(nèi)容可知:通過將傾斜的狹縫21的L寬度、S寬度以及縱狹縫22、24、橫狹 縫23、25的形狀及長度等設(shè)計(jì)成合適的值，能夠控制透過率。
[0155] 并且，本發(fā)明并非限定于上述的第一至五實(shí)施方式的內(nèi)容，而是在權(quán)利要求項(xiàng)所 示的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更。即，在權(quán)利要求項(xiàng)所示的范圍內(nèi)，通過對經(jīng)過合適的變更的 技術(shù)方法進(jìn)行組合來獲得的實(shí)施方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0156] 例如，不限定于將縱狹縫22或橫狹縫23連續(xù)設(shè)置的情況，也可以將它們間斷地設(shè) 置，也可以平行地設(shè)置多個(gè)狹縫。雖然未將縱狹縫22或橫狹縫23的寬度也限定成均等的長 度的情況，但是為了更容易地決定液晶分子的位置，優(yōu)選所述縱狹縫22或橫狹縫23的寬度 是均等的。
[0157] 附圖標(biāo)記的說明
[0158] 1 有源矩陣基板
[0159] 2 像素電極
[0160] 21 傾斜的狹縫
[0161] 22、24、26 縱狹縫
[0162] 23、25、27 橫狹縫
[0163] 3,10 基板部
[0164] 31 柵極配線
[0165] 32 Cs 配線
[0166] 33 源極配線
[0167] 35 漏極電極
[0168] 36 TFT(薄膜晶體管）
[0169] 4、11 偏光板
[0170] 5、8 光配向膜
[0171] 6 液晶層
[0172] 61 液晶分子
[0173] 7 CF(彩色濾光片)基板
[0174] 9 共用電極
[0175] 12 接觸孔
[0176] 1〇〇 液晶顯示裝置
[0177] 1〇1 顯示模塊
[0178] 102 顯示面板
[0179] 103 背光單元
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種液晶顯示裝置， 在兩張基板的各自一面上按順序形成有電極及光配向膜，所述兩張基板的所述各自一 面彼此相對，在兩光配向膜之間存在液晶層，所述液晶層包含垂直配向型的液晶材料， 在所述基板上，在該基板的面方向形成有矩陣狀的多個(gè)像素區(qū)域， 各像素區(qū)域至少具有兩個(gè)液晶象限，所述兩個(gè)液晶象限的由兩光配向膜規(guī)定的基準(zhǔn)配 向方向各不相同， 一側(cè)的電極具有多個(gè)開口部，所述多個(gè)開口部在和各液晶象限對應(yīng)的區(qū)域中分別與各 個(gè)基準(zhǔn)配向方向平行地延伸， 所述液晶顯示裝置的特征在于， 所述一側(cè)的電極具有第二開口部，所述第二開口部在沿一個(gè)方向排列的兩個(gè)液晶象限 之間，以和所述開口部不連續(xù)的狀態(tài)，在和所述一個(gè)方向正交的另一方向上延伸。2. -種液晶顯示裝置， 在兩張基板的各自一面上按順序形成有電極及光配向膜，所述兩張基板的所述各自一 面彼此相對，在兩光配向膜之間存在液晶層，所述液晶層包含垂直配向型的液晶材料， 在所述基板上，在該基板的面方向形成有矩陣狀的多個(gè)像素區(qū)域， 各像素區(qū)域至少具有兩個(gè)液晶象限，所述兩個(gè)液晶象限的由兩光配向膜規(guī)定的基準(zhǔn)配 向方向各不相同， 一側(cè)的電極具有多個(gè)開口部，所述多個(gè)開口部在和各液晶象限對應(yīng)的區(qū)域中分別與各 個(gè)基準(zhǔn)配向方向平行地延伸， 所述液晶顯示裝置的特征在于， 所述一側(cè)的電極其具有第二開口部，所述第二開口部在沿一個(gè)方向排列的兩個(gè)液晶象 限之間，以在與所述一個(gè)方向正交的另一方向的一端部側(cè)與所述開口部連續(xù)的狀態(tài)，在所 述另一方向上延伸。3. 如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述一側(cè)的電極具有第三開口部，所述第三開口部在沿所述另一方向排列的兩個(gè)液晶 象限之間，以與所述開口部不連續(xù)的狀態(tài)，在所述一個(gè)方向上延伸。4. 如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述一側(cè)的電極具有第三開口部，所述第三開口部在沿所述另一方向排列的兩個(gè)液晶 象限之間，以在所述一個(gè)方向的一端部側(cè)與所述開口部連續(xù)的狀態(tài)，在所述一個(gè)方向上延 伸。5. 如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第二開口部的位置或所述第三開口部的位置，與在一側(cè)的基板上形成的配線的位 置對齊。6. 如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 一側(cè)的基板，在所述像素區(qū)域的端部附近具有接觸孔。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK105874381SQ201480002587
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年8月19日
【發(fā)明人】平田貢祥
【申請人】堺顯示器制品株式會(huì)社