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基于硅基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件的制作方法

文檔序號:9809352閱讀:738來源:國知局
基于硅基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及的是一種光纖通信領域的技術,具體是一種基于硅基雙薩格納克環(huán)鏡 環(huán)路結構的光濾波器件。
【背景技術】
[0002] 硅基光子器件具有強模場束縛的特性,且能夠與互補金屬氧化物半導體CMOS工藝 相兼容的優(yōu)點,是集成光路的理想選擇。硅基光子器件主要包括濾波器、調制器、光開路、路 由器和探測器等。在可重構的網絡中,可調濾波器是一類重要的器件,包括波長可調交織器 和可調梳狀濾波器等。
[0003] 經過對現(xiàn)有技術檢索發(fā)現(xiàn),Junfeng Song等發(fā)表在2008年Optics Express,第16 卷 11 期的論文"Proposed silicon wire interleaver structure"提出了基于分插復用型 環(huán)形諧振器ADRR和馬赫曾德干涉儀MZI的環(huán)形交織器,利用ADRR的Drop端和Through端輸出 的信號具有η相位差的特點,用一個ADRR實現(xiàn)了緊湊的具有方形濾波譜的交織器,但其沒有 采用反射式的結構進一步降低器件尺寸和提高調節(jié)效率。
[0004] 進一步檢索發(fā)現(xiàn),Xiaomeng Sun等人發(fā)表在2012年Optic Letter,第38卷第4期的 論文"Tunable silicon Fabry-Perot comb filters formed by Sagnac loop mirrors" 提出了在絕緣體上硅晶片SOI上實現(xiàn)了中心波長可調光頻率梳濾波器的方案,通過在PN結 加外置電壓實現(xiàn)濾波器中心波長的移動,但該方案不能進行濾波器帶寬的調節(jié)。
[0005] 中國專利文獻號CN103941430A,公開日為2014年07月23日,公開了一種光纖通信
技術領域的基于硅基FP諧振腔的可調光頻率梳濾波器,該光頻率梳濾波器有兩個級聯(lián)的薩 格納克環(huán)反射鏡SLR組成的FP諧振腔實現(xiàn)。通過兩臂帶有移相器的馬赫曾德干涉儀改變FP 諧振腔的腔長和SLR的反射率,從而分別調節(jié)光頻率梳濾波器的中心波長和帶寬。中心波長 調節(jié)是通過在MZI兩臂同時加正或負的相移以改變SLR的反射率,從而調節(jié)濾波器的帶寬。 但該裝置的傳輸函數沒有零點,不能實現(xiàn)高消光比。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明針對現(xiàn)有技術存在的上述不足,提出一種基于硅基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結 構的光濾波器件。通過改變耦合系數可以實現(xiàn)波長可調交織器和波長帶寬均可調梳狀濾波 器的功能,且提高了消光比。
[0007] 本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
[0008] 本發(fā)明包括:兩個薩格納克環(huán)鏡(SLM,Sagnac Loop Mirror)和一個定向親合器, 其中:兩個SLM的一側波導相連,另一側波導分別與定向耦合器一側的兩個波導相連,定向 耦合器另一側設有輸入端口、透射端口和反射端口,通過調節(jié)各個耦合器的耦合系數和各 段波導的長度,可以改變雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的透射函數和反射函數,從而實現(xiàn)波長 可調交織器和波長帶寬均可調梳狀濾波器;
[0009]所述的透射函數Us和反射函數ns為:
[0020] 其中:tFP和rFP分別為兩個S LM相連后的透射函數和反射函數Λ(和4分別為單個 SLM的透射函數和反射函數,&1是各段波導的傳輸率,^和^為各個耦合器的耦合系數和傳 輸系數,h是各段波導的長度,α和β為波導的損耗系數和傳播常數。n g為群折射率,λ為波長。
[0021] 所述的薩格納克環(huán)鏡由定向耦合器兩段波導的同側端口連接組成,其中:另一側 的兩個端口作為輸入口和輸出口。
[0022] 所述的定向耦合器由兩段相鄰的平行波導組成,通過倏逝場耦合實現(xiàn)光功率分 配。
[0023] 所述的輸入端口、透射端口和反射端口由光柵耦合器組成。 技術效果
[0024] 與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明可以通過調節(jié)耦合系數和波導長度實現(xiàn)波長可調交織器 和波長帶寬均可調梳狀濾波器的功能,且尺寸小,調節(jié)效率高,消光比高。
【附圖說明】
[0025] 圖1為本發(fā)明結構不意圖;
[0026]圖2為交織器功能仿真光譜圖;
[0027] 圖3為交織器功能的中心波長調節(jié)仿真光譜圖;
[0028] 圖4為梳狀濾波器功能仿真光譜圖;
[0029] 圖5為梳狀濾波器功能的中心波長調節(jié)仿真光譜圖;
[0030] 圖6為梳狀濾波器功能的帶寬調節(jié)仿真光譜圖。
【具體實施方式】
[0031] 下面對本發(fā)明的實施例作詳細說明,本實施例在以本發(fā)明技術方案為前提下進行 實施,給出了詳細的實施方式和具體的操作過程,但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施 例。 實施例1
[0032] 如圖1所示,本實施例包括:兩個薩格納克環(huán)鏡SLM和一個定向耦合器,其中:SLM和 耦合器串聯(lián)形成雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構,連接后的波導長度分別為11、11和13,定向耦合 器一側設有輸入端口 I、透射端口 T和反射端口 R。三個耦合器的耦合系數分別為、t#Pt3。
[0033]所述的SLM是指將定向耦合器的同側端口連接起來,其波導長度為12,另一側兩個 端口分別作為輸入和輸出端口的光學器件,將光導入輸入端口的同時,也反射回輸入端口。 定向耦合器是指由兩段相鄰的平行波導組成,通過倏逝場耦合實現(xiàn)光功率分配的光學器 件。
[0034]通過改變各個耦合器的耦合系數和各段波導的長度^^改變雙薩格 納克環(huán)鏡環(huán)路結構的透射函數Us和反射函數m,其中:
[0045] 其中:tFP和rFP分別為兩個SLM相連后的透射函數和反射函數Λ.和4分別為單個 SLM的透射函數和反射函數,&1是各段波導的傳輸率,^和^為各個耦合器的耦合系數和傳 輸系數,h是各段波導的長度,α和β為波導的損耗系數和傳播常數。n g為群折射率,λ為波長。
[0046] 調節(jié)ti使得tLS公式中的(tf-kAtFP和+> )在濾波通帶相位差為2ηπ(η 為整數),在阻帶內的相位差為(2n+lMn為整數),即可實現(xiàn)波長可調交織器功能。其中心 波長可以通過13調節(jié)。將t設為0.707,通過〖 2調節(jié)濾波器帶寬,即可實現(xiàn)帶寬可調梳狀濾波 器功能。其中心波長可以通過13調節(jié)。在反射函數中引入了零點,可提高消光比。
[0047] 所述的雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的參數為:11 = 1 Ομπι、12 = 1 Ομπι、13 = 200μηι。該結 構可以在SOI平臺上實現(xiàn),所有的波導均為450nmX220nm的單模波導。仿真中,波導的群折 射率為4.3,損耗系數為160。
[0048] 所述的輸入端口、透射端口和反射端口由光柵耦合器組成,實現(xiàn)與單模光纖的耦 合。
[0049] 如圖2所示,為實現(xiàn)波長可調交織器功能,參數設為:^ = 0.382 42 = 0.25 43 = 0·23。自由頻譜范圍FSR=2·631nm,3-dB帶寬BW=l·310nm,消光比ER = 43·04170dB,插損IL = 0.2654dB。其波長調節(jié)可通過改變13實現(xiàn)。根據相移公式A^ = 2;Z7jAL//L,仿真中,將外加 電壓引起的波導折射率變化等效為波導長度變化。以如圖3所示的反射光譜為例,當波導長 度變化由0.20μπι增加到0.28μπι時,中心波長紅移0.588nm。
[0050] 如圖4所示,為實現(xiàn)波長帶寬均可調梳狀濾波器功能,親合系數為々 = 0.70742 = 0.707、七3 = 0.36。圖中可見,卩51?=1.33111111,8¥=1.3311111141? = 42.88983(18,11^ = 1 · 41360dB。其波長調節(jié)通過改變13實現(xiàn),如圖5所示,當波導長度13由Ο · 2um增加到Ο · 28um 時,中心波長紅移為〇.586nm。其帶寬調節(jié)是通過t3實現(xiàn)的,如圖6所示,當t3由0.25增加到 0 · 45時,帶寬由0 · 305nm減少到0 · 120nm。
[0051 ]本裝置與現(xiàn)有技術相比,通過調節(jié)耦合系數和波導長度來實現(xiàn)波長可調交織器和 波長帶寬均可調梳狀濾波器的功能,且尺寸小,調節(jié)效率高,消光比高。
【主權項】
1. 一種基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征在于,包括:兩個薩格 納克環(huán)鏡SLM和一個定向禪合器,其中:兩個SLM的一側波導相連,另一側波導分別與定向禪 合器一側的兩個波導相連,定向禪合器另一側設有輸入端口、透射端口和反射端口。通過調 節(jié)各個禪合器的禪合系數和各段波導的長度,可W改變雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的透射函 數和反射函數,從而實現(xiàn)波長可調交織器和波長帶寬均可調梳狀濾波器; 所述的透射函數tLS和反射函數rLs為:其中:tFP和肝P分別為兩個SLM相連后的透射函數和反射函數Λ和分別為單個SLM的 透射函數和反射函數,ai是各段波導的傳輸率,ti和ri為各個禪合器的禪合系數和傳輸系 數,li是各段波導的長度,α和β為波導的損耗系數和傳播常數,ng為群折射率,λ為波長。2. 根據權利要求1所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 所述的薩格納克環(huán)鏡由定向禪合器兩段波導的同側端口連接組成,其中:另一側的兩個端 口作為輸入口和輸出口。3. 根據權利要求2所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 所述的定向禪合器由兩段相鄰的平行波導組成,通過倏逝場禪合實現(xiàn)光功率分配。4. 根據權利要求1所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 所述的輸入端口、透射端口和反射端口由光柵禪合器組成。5. 根據權利要求1所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 調節(jié)ti使得tLS公式中的(ti2-ki2)tFP和./誠〇'巧+咕)在濾波通帶相位差為化:π,其中η為整 數,在阻帶內的相位差為(2η+1)π,即實現(xiàn)波長可調交織,其中屯、波長通過13調節(jié)。6. 根據權利要求1所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 將ti設為0.707,通過t2調節(jié)濾波器帶寬,即實現(xiàn)帶寬可調梳狀濾波,其中屯、波長通過13調 T。7. 根據上述任一權利要求所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其 特征是,所述的雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的參數為:11 = 10皿、12 = 10皿、13 = 200皿,其中所 有的波導均為450nm X 220nm的單模波導。8. 根據權利要求5所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 所述的波長可調交織的參數為:ti = 0.382、t2 = 0.25、t3 = 0.23,自由頻譜范圍=2.631nm, 3-地帶寬=1.31 Onm,消光比=43.04170地,插損=0.2654地。9. 根據權利要求6所述的基于娃基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,其特征是, 所述的波長帶寬均可調梳狀濾波,其禪合系數為:ti = 0.707、t2 = 0.707、t3 = 0.36,自由頻 譜范圍=1.331nm,3-地帶寬=1.331nm,消光比=42.88983地,插損=1.41360地。
【專利摘要】一種基于硅基雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的光濾波器件,包括:兩個薩格納克環(huán)鏡和一個定向耦合器,其中:兩個薩格納克環(huán)鏡的一側波導相連,另一側波導分別與定向耦合器一側的兩個波導相連,定向耦合器另一側設有輸入端口、透射端口和反射端口。本發(fā)明通過調節(jié)各個耦合器的耦合系數和各段波導的長度,可以改變雙薩格納克環(huán)鏡環(huán)路結構的透射函數和反射函數,從而實現(xiàn)波長可調交織器和波長帶寬均可調的梳狀濾波器,且尺寸小,調節(jié)效率高,消光比高。
【IPC分類】G02B6/293
【公開號】CN105572806
【申請?zhí)枴緾N201510952930
【發(fā)明人】姜新紅, 蘇翼凱
【申請人】上海交通大學
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月17日
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