陽(yáng)157]EAL1030包含穿過(guò)EAL1030形成的多個(gè)光圈層光圈1036。光圈層光圈1036與 穿過(guò)光阻擋層1004形成的后光圈1006對(duì)齊。EAL1030可W包含一或多層材料。如圖5A 所示，EAL1030包含導(dǎo)電材料層1034和在導(dǎo)電材料層1034的頂部形成的光吸收層1032。 光吸收層1032可W是電絕緣材料，諸如被經(jīng)配置W導(dǎo)致破壞性干擾的電介質(zhì)堆疊或絕緣 聚合物矩陣，在一些實(shí)施方案中包含光吸收微粒。在一些實(shí)施方案中，絕緣聚合物矩陣可W 與光吸收微粒混合。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電材料層1034可W被像素化W形成多個(gè)電性隔 離的導(dǎo)電區(qū)域。每個(gè)電性隔離的導(dǎo)電區(qū)域可W對(duì)應(yīng)于下層快口組合件并且可W經(jīng)由錯(cuò)固件 1040電性禪合到下層快口 1020。如此，快口 1020和在EAL1030上形成的對(duì)應(yīng)的電性隔離 的導(dǎo)電區(qū)域可W被保持在相同的電壓電勢(shì)。將隔離導(dǎo)電區(qū)域和它們相應(yīng)的快口保持在共 同電壓下使得顯示設(shè)備1000能夠包含控制矩陣，例如在圖3B中描繪的控制矩陣860,其中 不同的電壓被施加到不同的快口，而不會(huì)實(shí)質(zhì)上增加快口靜摩擦的風(fēng)險(xiǎn)。在一些實(shí)施方案 中，導(dǎo)電材料是或可W包含侶（Al)、銅（化）、儀（Ni)、銘（化）、鋼（Mo)、鐵燈i)、粗燈a)、妮 (Nb)、欽（Nd)或其合金，或半導(dǎo)體材料，例如類金剛石碳、娃（Si)、錯(cuò)（Ge)、神化嫁（GaAs)、 蹄化儒（CdTe)或其合金。在使用半導(dǎo)體層的一些實(shí)施方案中，半導(dǎo)體滲雜有諸如憐（P)、神 (As),棚做或Al之類的雜質(zhì)。
[0158]EAL1030面向上朝著形成顯示設(shè)備1000的前部的蓋板1008。蓋板1008可W是涂 布有一或多層抗反射和/或吸光材料的玻璃、塑料或其它合適的實(shí)質(zhì)上透明的襯底。在一 些實(shí)施方案中，光阻擋層1010涂在面向EAL1030的蓋板1008的表面上。在一些其它實(shí)施 方案中，光阻擋層1010由光吸收材料構(gòu)成。穿過(guò)光阻擋層1010形成多個(gè)前光圈1012。前 光圈1012與光圈層光圈1036和后光圈1006對(duì)齊。W運(yùn)種方式，來(lái)自穿過(guò)在EAL1030中 形成的光圈層光圈1036的背光1015的光也可W穿過(guò)重疊的前光圈1012W形成圖像。 陽(yáng)159] 經(jīng)由沿著顯示設(shè)備1000的周邊形成的邊封（未繪出），蓋板1008被支撐在透明 襯底1002上方。邊封被經(jīng)配置W密封在顯示設(shè)備1000的蓋板1008和透明襯底1002之間 的流體。在一些實(shí)施方案中，蓋板1008也可W由形成在透明襯底1002上的間隔件（未繪 出）支撐。間隔件可W被經(jīng)配置W允許蓋板1008朝向EAL1030變形。此外，間隔件可W 足夠高W阻止蓋板發(fā)生足W與光圈層接觸的變形。W運(yùn)種方式，可W避免由蓋板1008沖擊 EAL1030引起的對(duì)EAL1030的損壞。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)蓋板1008處于松弛狀態(tài)時(shí)，蓋 板1008通過(guò)至少約20微米的間隙與EAL分開(kāi)。在一些其它的實(shí)施方案中，間隙介于約2 微米和約30微米之間。W運(yùn)種方式，即使由于顯示設(shè)備1000中所含流體的收縮或外部壓 力的施加造成蓋板1008變形，蓋板1008與EAL1030接觸的可能性也將減少。 陽(yáng)160]圖5B示出圖5A中示出的EAL1030的示例性部分的俯視圖。圖5B示出光吸收層 1032和導(dǎo)電材料層1034。導(dǎo)電材料層1034用虛線示出，因?yàn)樗挥诠馕諏?032下方。 使導(dǎo)電材料層1034像素化W形成多個(gè)電性隔離的導(dǎo)電區(qū)域1050a-1050n(概括性稱為導(dǎo)電 區(qū)域1050)。導(dǎo)電區(qū)域1050的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于顯示設(shè)備1000的特定快口組合件1001。一組 光圈層光圈1036可W穿過(guò)光吸收層1032形成，使得每個(gè)光圈層光圈1036與在后光阻擋層 1004中形成的相應(yīng)后光圈1006對(duì)齊。在一些實(shí)施方案中，例如當(dāng)導(dǎo)電材料層1034由不透 明材料形成時(shí)，光圈層光圈1036穿過(guò)光吸收層1032且穿過(guò)導(dǎo)電材料層1034形成。此外，導(dǎo) 電區(qū)域1050的每一區(qū)域在相應(yīng)導(dǎo)電區(qū)域1050的大約拐角處由四個(gè)錯(cuò)固件1040支撐。在 一些其它的實(shí)施方案中，EAL1030可W由每個(gè)導(dǎo)電區(qū)域1050的更少或更多的錯(cuò)固件1040 支撐。 陽(yáng)161] 在一些實(shí)施方案中，顯示設(shè)備1000可W包含開(kāi)槽快n，例如圖2中所示的快口 202。在一些此類實(shí)施方案中，EAL1030可W包含用于每一個(gè)開(kāi)槽快口的多個(gè)光圈層光圈。 陽(yáng)162] 在一些其它實(shí)施方案中，可W使用單層光阻擋導(dǎo)電材料實(shí)施EAL1030。在此些實(shí) 施方案中，每個(gè)電性隔離的導(dǎo)電區(qū)域1050可W豎立在其相應(yīng)的快口組合件1001上方，與其 鄰近的導(dǎo)電區(qū)域1050物理地分開(kāi)。通過(guò)實(shí)例的方式，從俯視圖看，EAL1030可W看起來(lái)類 似于一桌子陣列，其中導(dǎo)電材料層1034形成桌子頂部，并且錯(cuò)固件1040形成相應(yīng)桌子的 腳。
[016引如上所述，結(jié)合EAL在利用類似于圖3B的控制矩陣860的控制矩陣的顯示設(shè)備 (其中驅(qū)動(dòng)電壓選擇性地施加到顯示設(shè)備快口）中特別有利。對(duì)于結(jié)合控制矩陣且其中所 有的快口均保持在共同電壓的顯示設(shè)備而言，EAL的使用仍然提供若干優(yōu)點(diǎn)。例如，在一些 此類實(shí)施方案中，不需要對(duì)EAL像素化，并且整個(gè)EAL可W保持在與快口相同的共同電壓 下。
[0164] 圖6A不出結(jié)合EAL1130的不例性顯不設(shè)備1100的詢!視圖。除了顯不設(shè)備1100 的EAL1130并未像素化W形成電性隔離的導(dǎo)電區(qū)域（例如圖5B中示出的電性隔離的導(dǎo)電 區(qū)域1050)之外，顯示設(shè)備1100實(shí)質(zhì)上類似于在圖5A中示出的顯示設(shè)備1000。 陽(yáng)1化]EAL1130限定對(duì)應(yīng)于下層后光圈1006的多個(gè)光圈層光圈1136,下層后光圈1006 穿過(guò)光阻擋層1004形成在透明襯底1002上。EAL1130可W包含一層光阻擋材料，使得被 朝向光圈層光圈1136引導(dǎo)的來(lái)自背光1015的光穿過(guò)，同時(shí)阻擋了無(wú)意中繞過(guò)快口 1020的 調(diào)節(jié)或彈離快口 1020的光。其結(jié)果是，僅僅由快口調(diào)節(jié)并穿過(guò)光圈層光圈1036的光有助 于形成圖像，增強(qiáng)了顯示設(shè)備1100的對(duì)比度。
[0166] 圖她示出圖6A所示的EAL1130的示例性部分的俯視圖。如上所述，除了EAL 1130未被像素化之外，EAL1130類似于圖5A中的EAL1030。也就是說(shuō)，EAL1130不包含 電隔離的導(dǎo)電區(qū)域。
[0167] 圖6C-6E不出另外的不例性EAL的部分的俯視圖。圖6C不出不例性EAL1150的 一部分的俯視圖。除了EAL1150包含穿過(guò)EAL1150形成的多個(gè)蝕刻孔1158a-1158n(概 括地稱為蝕刻孔1158)之外，EAL1150實(shí)質(zhì)上類似于EAL1130。蝕刻孔1158在顯示設(shè)備 的制造過(guò)程期間形成W便于去除用于形成快口組合件和EAL1150的模具材料。特別地，蝕 刻孔1158被形成W允許流體蝕刻劑（例如氣體、液體或等離子體）更很容易地到達(dá)模具材 料、與模具材料反應(yīng)、并去除模具材料，所述模具材料被用于形成顯示元件和EAL。從包含 EAL的顯示設(shè)備去除模具材料可能是困難的，運(yùn)是因?yàn)镋AL覆蓋大部分的模具材料，只有很 少的模具材料直接暴露。運(yùn)使得蝕刻劑難W到達(dá)模具材料，并可W顯著地增加用于釋放下 層快口組合件所需的時(shí)間量。除需要額外的時(shí)間之外，長(zhǎng)時(shí)間暴露于蝕刻劑具有損壞意圖 在釋放過(guò)程中被保全的顯示設(shè)備的部件的可能性。用于制造結(jié)合EAL的顯示設(shè)備的釋放過(guò) 程有關(guān)的另外的細(xì)節(jié)在下面相對(duì)于圖9所示的階段1410提供。
[0168] 蝕刻孔1158可W策略性地形成在與包含在顯示設(shè)備1100中的每一快口組合件相 關(guān)聯(lián)的光阻擋區(qū)域1155之外的EAL的位置處。光阻擋區(qū)域1155由EAL的后表面上的區(qū)域 限定，在所述區(qū)域內(nèi)穿過(guò)相應(yīng)的后光圈的來(lái)自背光的實(shí)質(zhì)上所有的光，如果沒(méi)有穿過(guò)光圈 層光圈1136或被阻擋或被快口 1020吸收，將接觸EAL的后表面。理想情況下，所有穿過(guò)后 光圈層的光或繞過(guò)或者穿過(guò)快口 1020(在透射狀態(tài)中）或被快口 1020吸收（在光阻擋狀 態(tài)中）。但是實(shí)際上，在關(guān)閉狀態(tài)中，一些光從快口 1020的后表面彈回，并且甚至可W再?gòu)?光阻擋層1004彈回。一些光也可W從快口的邊緣散射掉。同樣，在透射狀態(tài)中，一些光可 W從快口 1020的各表面彈回，或被快口 1020的各表面散射。其結(jié)果是，保持相對(duì)大的光阻 擋區(qū)域1155可W有助于保持較高的對(duì)比度。如果限定為相對(duì)較大，則很少乃至沒(méi)有來(lái)自背 光的光撞擊光阻擋區(qū)域1155W外的EAL1150的后表面。因此，相對(duì)安全的是在位于光阻 擋區(qū)域W外的區(qū)域中形成蝕刻孔1158,而不會(huì)明顯地危及顯示器的對(duì)比度。
[0169]蝕刻孔1158可W具有各種形狀和大小。在一些實(shí)施方案中，蝕刻孔1158是圓形 孔，具有大約5至大約30微米的直徑。 陽(yáng)170] 在概念上而言，EAL 1150可W被認(rèn)為包含多個(gè)光圈層部分1151a-n(概括地稱為 光圈層部分1151)，每個(gè)光圈層部分對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的顯示元件。光圈層部分1151可W與鄰近 的光圈層部分1151共享邊界。在一些實(shí)施方案中，蝕刻孔1158形成在光阻擋區(qū)域1155的 外部，位于光圈層部分的邊界附近。 陽(yáng)171]圖抓示出另一示例性EAL1160的一部分的俯視圖。除了EAL1160限定了形成在 光圈層部分1161的交叉點(diǎn)處的多個(gè)蝕刻孔1168a-1168n(概括地稱為蝕刻孔1168)之外， EAL1160實(shí)質(zhì)上類似于圖6C所示的EAL1150。也就是說(shuō)，與圖6C中所示的較多、較小的 蝕刻孔1158的EAL1150不同，EAL1160包含較少、較大的蝕刻孔1168。 陽(yáng)17引圖6E示出另一示例性EAL1170的一部分的俯視圖。除了圖抓中的EAL1170限 定多個(gè)大小和尺寸不同于圖6B中所示的圓形蝕刻孔1158的蝕刻孔1178a-1178n(概括地 稱為蝕刻孔1178)之外，EAL1170實(shí)質(zhì)上類似于在圖她中所示的EAL1150。特別地，蝕刻 孔1178是矩形的并具有大于或約等于在其中形成蝕刻孔1178的相應(yīng)光圈層部分1171的 長(zhǎng)度一半的長(zhǎng)度。類似于在圖6B中所示的EAL1150的蝕刻孔1158,圖6E中的每個(gè)蝕刻孔 1178也被形成在EAL1170的光阻擋區(qū)域外部。 陽(yáng)17引圖7示出結(jié)合EAL1230的示例性顯示設(shè)備1200的剖視圖。顯示設(shè)備1200實(shí)質(zhì)上 類似于在圖6A中所示的顯示設(shè)備1100,在于顯示設(shè)備1200包含基于快口的顯示元件的陣 列，所述陣列包含制造在透明襯底1202上且朝顯示設(shè)備1200的后方設(shè)置的多個(gè)快口 1220。 透明襯底1202涂覆有光阻擋層1204,穿過(guò)光阻擋層1204形成后光圈1206。透明襯底1202 設(shè)置在背光1215的前方。由背光1215發(fā)出的光源穿過(guò)后光圈1206被快口 1220調(diào)節(jié)。 陽(yáng)174] 顯示設(shè)備1200還包含EAL1230,其類似于在圖6A中所示的EAL1130。EAL1230 包含穿過(guò)EAL1230形成并且對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的下層快口 1220的多個(gè)光圈層光圈1236。EAL1230被形成在透明襯底1202上并被支撐在透明襯底1202和快口 1220的上方。
[01巧]然而，顯示設(shè)備1200不同于顯示設(shè)備1100,在于使用不支撐下層快口組合件的錯(cuò) 固件1250將EAL1230支撐在透明襯底1202的上方。相反，通過(guò)與錯(cuò)固件1250分開(kāi)的錯(cuò) 固件1225支撐快口組合件。 陽(yáng)176]在圖5A-17所示的顯示設(shè)備結(jié)合MEMS向上配置的EAL。在MEMS向下的配置中的 顯示設(shè)備也可W結(jié)合類似的EAL。 陽(yáng)177]圖8示出示例性MEMS向下顯示設(shè)備的一部分的剖視圖。顯示設(shè)備1300包含襯底 1302,襯底1302具有反射光圈層1304,穿過(guò)反射光圈層1304形成光圈1306。在一些實(shí)施 方案中，光吸收層被沉積在反射光圈層1304的頂部。設(shè)置在前襯底1310上的快口組合件 1320與在其上形成反射光圈層1304的襯底1302分開(kāi)。在其上形成反射光圈層1304的襯 底1302限定多個(gè)光圈1306,在本文中也被稱為光圈板。在MEMS向下的配置中，承載基于 MEMS的快口組合件1320的前襯底1310代替在圖5A中所示的顯示設(shè)備1000的蓋板1008， 且被定向?yàn)槭沟没贛EMS的快口組合件1320被設(shè)置在前襯底1310的后表面1312上，也 就是說(shuō)，背離觀察者并且朝向背光1315的表面上。光阻擋層1316可形成在前襯底1310的 后表面上。在一些實(shí)施方案中，光阻擋層1316可由吸收光的或黑的金屬形成。在一些其它 的實(shí)施方案中，光阻擋層1316可由非金屬的光吸收材料形成?？纱┻^(guò)光阻擋層1316形成 多個(gè)光圈1318。 陽(yáng)17引基于MEMS的快口組合件1320被直接設(shè)置為與反射光圈層1304相對(duì)并與之相隔 一間隙?？炜诮M合件1320通過(guò)多個(gè)錯(cuò)固件1340從襯底1310支撐快口組合件1320。 陽(yáng)179] 錯(cuò)固件1340也可W被配置W支撐EAL1330。EAL限定多個(gè)光圈層光圈1336,多 個(gè)光圈層光圈1336與穿過(guò)光阻擋層1316形成的光圈1318和穿過(guò)光反射光圈層1304形成 的光圈1306對(duì)齊。類似于在圖5A中所示的EAL1030，EAL1330也可W被像素化W形成電 性隔離的導(dǎo)電區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，EAL1330,除了相對(duì)于其在襯底1319上的位置之 夕F，可W在結(jié)構(gòu)上基本類似于圖6A所示的EAL1130。 陽(yáng)180] 在一些其它的實(shí)施方案中，反射光圈層1304沉積在EAL1330的后表面而不是沉 積在襯底1302上。在一些此類實(shí)施方案中，襯底1302可W禪合到前襯底1310,實(shí)質(zhì)上無(wú) 需對(duì)齊。在一些其它運(yùn)樣實(shí)施方案中，例如，在穿過(guò)EAL分別形成與圖6C-6E所示的蝕刻 孔1158U168和1178類似的蝕刻孔的一些實(shí)施方案中，仍然可W將反射光圈層施加到襯底 1302上。然而，此反射光圈層僅需要阻擋穿過(guò)蝕刻孔的光線，并且因此可W包含相對(duì)大的光 圈。運(yùn)種大的光圈將導(dǎo)致襯底1302與襯底1310之間的對(duì)齊公差的顯著增加。 陽(yáng)181] 圖9示出用于制造顯示設(shè)備的示例性過(guò)程1400的流程圖。所述顯示設(shè)備可W形成在襯底上，并且包含用于支撐形成在快口組合件上方的EAL的錯(cuò)固件，所述快口組合 件也由所述錯(cuò)固件支撐。簡(jiǎn)略地概括，過(guò)程1400包含在襯底上形成第一模具部分（階段 1401)。第二模具部分形成在第一模具部分上方（階段1402)。然后，使用模具形成快口組合 件（階段1404)。然后，第=模具部分形成在快口組合件、第一及第二模具部分的上方（階 段1406)，接著，形成EAL(階段1408)。然后，快口組合件與EAL被釋放（階段1410)。每個(gè) 運(yùn)些處理階段W及制造過(guò)程1400的其它方面在下面相對(duì)于圖10A-10IW及圖11A-11D進(jìn) 行描述。在一些實(shí)施方案中，在EAL的形成（階段1408)與EAL和快口組合件的釋放（階 段1410)之間實(shí)施附加的處理階段。更具體地說(shuō)，如相對(duì)于圖16和17所做的進(jìn)一步討論， 在一些實(shí)施方案中，在釋放階段（階段1410)之前，一或多個(gè)電性互連件形成在EAL的頂部 (階段 1409)。 陽(yáng)182] 圖10A-10I示出根據(jù)圖9所示的制造過(guò)程1400的示例性顯示設(shè)備的構(gòu)造階段的 剖視圖。此過(guò)程得到顯示設(shè)備，形成在襯底上并且包含用于支撐集成的EAL的錯(cuò)固件，所述 EAL形成在也由所述錯(cuò)固件支撐的快口組合件的上方。在圖10A-10I所示的方法中，顯示設(shè) 備形成在由犧牲材料制作的模具上。 陽(yáng)18引參照?qǐng)D9和圖10A-10I，用于形成顯示設(shè)備的過(guò)程1400從在襯底的頂部形成第一 模具部分開(kāi)始（階段1401)，如圖IOA所示。通過(guò)在下層襯底1502的光阻擋層1503的頂部 沉積并圖案化第一犧牲材料1504來(lái)形成第一模具部分。犧牲材料1504的第一層可W是或 者可包含聚酷亞胺、聚酷胺、含氣聚合物、苯并環(huán)下締、聚苯基單酸哇嗯嘟、聚對(duì)亞苯基二甲 基、聚降冰片締、聚醋酸乙締醋、聚乙締乙締及酪或酪醒清漆樹(shù)脂或本文指出適于用作犧牲 材料的任何其它材料。取決于選擇用作第一層犧牲材料1504的材料，第一層犧牲材料1504 可W利用各種光刻技術(shù)及過(guò)程進(jìn)行圖案化，例如利用直接光圖案化（用于光敏犧牲材料） 或通過(guò)利用光刻圖案化抗蝕劑形成的掩模的化學(xué)或等離子蝕刻。
[0184] 附加層（其包含形成顯示控制矩陣的材料層）可W沉積在光阻擋層1503的下方 和/或光阻擋層1503與第一犧牲材料1504之間。光阻擋層1503限定多個(gè)后光圈1505。 在第一犧牲材料1504中限定的圖案產(chǎn)生凹部1506,用于快口組合件的錯(cuò)固件將最終形成 在所述凹部?jī)?nèi)。 陽(yáng)化5] 形成顯示設(shè)備的過(guò)程繼續(xù)，形成第二模具部分（階段1402)。通過(guò)在由第一犧牲 材料1504形成的第一模具部分的頂部沉積并圖案化第二犧牲材料1508而形成第二模具部 分。第二犧牲材料可W是與第一犧牲材料1504相同類型的材料。 陽(yáng)186] 圖IOB示出模具1599的形狀，其包含圖案化第二犧牲材料1508后的第一和第二 模具部分。第二犧牲材料1508被圖案化W形成凹部1510,W便暴露形成在第一犧牲材料 1504中的凹部1506。凹部1510寬于凹部1506,使得類似階梯的結(jié)構(gòu)形成在模具1599中。 模具1599還包含具有之前限定的凹部1506的第一犧牲材料1504。 陽(yáng)187] 形成顯示設(shè)備的過(guò)程繼續(xù)，使用模具來(lái)形成快口組合件（階段1404)，如圖IOC和 IOD中所示。通過(guò)將結(jié)構(gòu)材料1516沉積到模具1599的暴露表面上而形成快口組合件，如圖IOC中所示，接著對(duì)結(jié)構(gòu)材料1516進(jìn)行圖案化，W得到圖IOD中所示的結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)材料1516 可包含一或多個(gè)層，其中包含機(jī)械層和導(dǎo)電層。適合的結(jié)構(gòu)材料1516包含：金屬，例如A1、 化、Ni、化、Mo、Ti、化、Nb、Nd或其合金；電介質(zhì)材料，例如氧化侶（Al2〇3)、氧化娃（Si化）、五 氧化二粗燈曰2〇5)或氮化娃（SIsNa);或半導(dǎo)電材料，例如類金剛石碳、5;[、66、6曰43、〔扣6或 其合金。在一些實(shí)施方案中，結(jié)構(gòu)材料1516包含材料堆疊。例如，一層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)材料可W 沉積于兩個(gè)非導(dǎo)電層之間。在一些實(shí)施方案中，非導(dǎo)電層沉積于兩個(gè)導(dǎo)電層之間。在一些 實(shí)施方案中，運(yùn)種"夾層"結(jié)構(gòu)有助于確保沉積之后所殘留的應(yīng)力和/或溫度變化所施加的 應(yīng)力不會(huì)作用為導(dǎo)致結(jié)構(gòu)材料1516出現(xiàn)彎曲、翅曲或其它變形。結(jié)構(gòu)材料1516沉積為小 于約2微米的厚度。在一些實(shí)施方案中，結(jié)構(gòu)材料1516經(jīng)沉積后具有小于約1. 5微米的厚 度。
[0188] 在沉積之后，對(duì)結(jié)構(gòu)材料1516(其可W是如上所述的若干材料的復(fù)合物）進(jìn)行圖 案化，如圖IOD中所示。首先，將光致抗蝕劑掩模沉積于結(jié)構(gòu)材料1516上。之后對(duì)光致抗 蝕劑進(jìn)行圖案化。發(fā)展成光致抗蝕劑的圖案被設(shè)計(jì)為使得結(jié)構(gòu)材料1516在隨后的蝕刻階 段之后保留下來(lái)，從而形成快口 1528、錯(cuò)固件1525W及兩個(gè)相對(duì)的致動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)梁1526和 負(fù)載梁1527。結(jié)構(gòu)材料1516的蝕刻可W是各向異性蝕刻并且可W在等離子體氣體環(huán)境中 進(jìn)行，同時(shí)將偏壓施加至襯底或鄰近襯底的電極。
[0189] 一旦顯示設(shè)備的快口組合件已經(jīng)形成，則制造過(guò)程繼續(xù)，制造顯示器的EAL。形成 EAL的過(guò)程開(kāi)始于在快口組合件的頂部上形成第S模具（階段1406)。第S模具部分由第S 犧牲材料層1530形成。圖IOE示出在沉積第=犧牲材料層1530之后所產(chǎn)生的模具1599 (包 含第一模具部分、第二模具部分和第=模具部分）的形狀。圖IOF示出在對(duì)第=犧牲材料 層1530進(jìn)行圖案化之后產(chǎn)生的模具1599的形狀。特別地，圖IOF中所示出的模具1599包 含凹部1532,其中將形成用于將EAL支撐于下層快口組合件上方的錯(cuò)固件的一部分。第S 犧牲材料層1530可W是或包含本文所公開(kāi)的任何犧牲材料。
[0190] 然后，形成EAL如圖IOG中所示（階段1408)。首先，在模具1599上沉積一或多 層光圈層材料1540。在一些實(shí)施方案中，光圈層材料可W是或者可W包含一或多層導(dǎo)電材 料，例如金屬氧化物或?qū)щ娧趸?，或者半?dǎo)體。在一些實(shí)施方案中，光圈層可由不導(dǎo)電的 聚合物制成或包含不導(dǎo)電的聚合物。上文相對(duì)于圖5A提供適合材料的一些實(shí)例。 陽(yáng)1川階段1408繼續(xù)，蝕刻所沉積的光圈層材料1540(如圖IOG中所示），得到EAL1541，如圖IOH中所示。結(jié)構(gòu)材料1540的蝕刻可W是各向異性蝕刻并且可W在等離子體氣 體環(huán)境中進(jìn)行，同時(shí)將偏壓施加至襯底或鄰近襯底的電極。在一些實(shí)施方案中，W與相對(duì)于 圖IOD所述的各向異性蝕刻類似的方式完成各向異性蝕刻的施加。在一些其它的實(shí)施方案 中，取決于用于形成光圈層的材料的類型，可使用其它技術(shù)來(lái)對(duì)光圈層進(jìn)行圖案化和蝕刻。 在施加蝕刻之后，在與穿過(guò)光阻擋層1503而形成的光圈1505相對(duì)齊的EAL1541的部分 中，形成光圈層光圈1542。
[0192] 形成顯示設(shè)備1500的過(guò)程W去除模具1599結(jié)束（階段1410)。圖101中所示出 的結(jié)果包含將EAL1541支撐于下層快口組合件上方的錯(cuò)固件1525,而運(yùn)些快口組合件包 含也由錯(cuò)固件1525進(jìn)行支撐的快口 1528。錯(cuò)固件1525是由在上述圖案化階段之后所留下 的結(jié)構(gòu)材料層1516和光圈層材料1540的部分形成。
[0193] 在一些實(shí)施方案中，采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS釋放方法來(lái)去除模具，其中包含例如將模具暴 露于氧等離子體中、濕法化學(xué)蝕刻或氣相蝕刻。然而，當(dāng)用于形成模具的犧牲層的數(shù)量增加 而產(chǎn)生EAL時(shí)，將犧牲材料去除可能變得比較困難，運(yùn)是因?yàn)榭赡苄枰コ罅康牟牧稀４?夕F，EAL的添加實(shí)質(zhì)上阻擋了釋放劑直接到達(dá)材料。其結(jié)果是，釋放過(guò)程可能花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí) 間。盡管選擇用于最終顯示器組合件中的大多數(shù)結(jié)構(gòu)材料（如果不是所有）是被選擇用于 抵抗釋放劑的，但是長(zhǎng)時(shí)間地暴露于運(yùn)種釋放劑中可能仍然會(huì)對(duì)各種材料造成破壞。相應(yīng) 地，在一些其它的實(shí)施方案中，可W采用各種替代的釋放技術(shù)，