的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要 彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0028] 如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的小型化器件用單模光纖，包括有芯層和包層，芯層 〇〇由摻鍺（Ge)和氟（F)的石英玻璃組成；圍繞在芯層的是包層。包層有三個(gè)分層，第一分 層31緊密圍繞芯層，由摻氟（F)的石英玻璃組成，直徑D31為12 μ m~15 μ m ;第二分層32 緊密圍繞第一分層31，直徑D32為15 μπι~17 μπι;第三分層為純二氧化硅石英玻璃層，即 其相對折射率Α33為0%，直徑D33為79μπι~81μπι。緊密圍繞包層的是聚合物涂層，該 涂層為光纖玻璃部分提供保護(hù)，涂層的外直徑為160 μ m~170 μ m。本發(fā)明實(shí)施例中，芯層、 包層的第一分層、第一分層以及第三分層的直徑，以及各個(gè)分層的相對折射率如圖2所示。
[0029] 按照上述單模光纖的技術(shù)方案，在其所規(guī)定的范圍內(nèi)對光纖的參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)， 并通過我們熟知的PCVD工藝、MCVD工藝、OVD工藝或VAD工藝等芯棒制造工藝來根據(jù)光 纖的設(shè)計(jì)要求制造芯棒，通過套管工藝、POD工藝（等離子體外噴工藝，plasma outside exposition)、0VD工藝或VAD工藝等外包工藝來完成整個(gè)預(yù)制棒的制造。PCVD工藝和POD 工藝在進(jìn)行高濃度的摻氟（F)時(shí)，具有一定的優(yōu)勢。
[0030] 所拉光纖的折射率剖面使用PK2400設(shè)備進(jìn)行測試。光纖的折射率剖面的主要參 數(shù)如表1所示。
[0031] 表1 :光纖的結(jié)構(gòu)參數(shù)
[0032]
[0033] 所拉制光纖的主要性能參數(shù)如表2所示。
[0034] 表2 :光纖的主要性能
[0035]
[0037] 從實(shí)施例可以看出：1.芯層摻Ge濃度對光纖的抗彎曲能力和衰減會產(chǎn)生影響，適 當(dāng)提尚芯層慘Ge的濃度，可以提尚光纖的抗彎曲性能。然而，過尚濃度的Ge慘雜，會引起 芯層材散射損耗的增加，同時(shí)，對制造成本和工藝難度也有一定的影響；2.包層中的摻F二 氧化硅石英玻璃分層，其寬度將改變光纖的材料結(jié)構(gòu)和應(yīng)力分布，同時(shí)，會對光纖的波導(dǎo)性 能產(chǎn)生影響。折射率下陷的摻F分層對光纖的抗彎曲性能的提高有積極的作用。其寬度或 者深度的增加都將進(jìn)一步的改善光纖的彎曲性能，然而，寬度和深度的增加也意味著成本 和工藝難度的增加。在滿足一定彎曲要求的前提條件下，需要找到合適的寬度和深度的結(jié) 構(gòu)參數(shù)。3.第二包層的摻鍺二氧化硅石英玻璃分層，與第一包層的摻氟二氧化硅石英玻璃 分層共同構(gòu)成一個(gè)陷阱區(qū)域，阻擋了光學(xué)能量的外泄，提高了抗微彎能力。
[0038] 測試結(jié)果表明，按照本發(fā)明的技術(shù)方案所制造的光纖，截止波長在 1300nm-1460nm，在 1550nm 工作波長，其 MFD 為 7. 0 μ m-7. 6 μ m，光纖衰減小于 0· 26dB/km， 宏彎損耗小于0. 03dB/ (Φ 10mm25圈），宏彎損耗小于0. 03dB/ (Φ 15mm400圈）。
[0039] 本發(fā)明單模光纖具有較好的抗彎曲性能，可在水聽器中使用。
[0040] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以 限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含 在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種小型化器件用單模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于，芯層為摻鍺（Ge)和 氟（F)的的二氧化娃（SiO 2)石英玻璃，芯層的直徑Dcore為6. 5 ym至7. 5 ym，芯層的相對 折射率Al的范圍為0.70 %至0.75 % ;包層有3個(gè)分層，由內(nèi)到外依次為第一分層、第二 分層，第三分層，其中第一分層為摻氟二氧化娃石英玻璃，第二分層為摻鍺二氧化娃石英玻 璃，第三分層為純二氧化硅石英玻璃層。2. 如權(quán)利要求1所述的單模光纖，其特征在于，所述第一分層緊密環(huán)繞芯層，該分層的 相對折射率A 31與芯層的相對折射率Al之差為0.89%蘭A I-A 31蘭0.99%，A 31的 范圍為-0.18%至-0.22%，該分層的直徑031為12^111至15 11111。3. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，第二分層緊密環(huán)繞第一分層，該分 層的相對折射率A32的范圍為0%至0. 1%，該分層的直徑D32為15ym至17ym。4. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述第三分層的相對折射率A 33 為0%，該分層的直徑D33為79 y m至81 y m。5. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，在包層外有一層緊密圍繞包層的聚 合物涂層，聚合物涂層的直徑為160 y m至170 y m。6. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，該單模光纖的截止波長為1300nm 至 1460nm〇7. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖的的MFD在1550nm 波長時(shí)為7. 0 y m_7. 6 y m。8. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖的衰減在1550nm波 長時(shí)小于0. 26dB/km。9. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖的宏彎損耗在 1550nm 波長時(shí)小于 0. 02dB(? 10mm25 圈）。10. 如權(quán)利要求1或2所述的單模光纖，其特征在于，所述單模光纖的宏彎損耗在 1550nm 波長時(shí)小于 0. 03dB (C> 15mm400 圈）。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種小型化器件用單模光纖，包括有芯層和包層，芯層為摻鍺(Ge)和氟(F)的二氧化硅(SiO2)石英玻璃，芯層的直徑Dcore為6.5μm至7.5μm，芯層的相對折射率Δ1的范圍為0.70％至0.75％；包層有3個(gè)分層，由內(nèi)到外依次為第一分層、第二分層，第三分層，其中第一分層為摻氟二氧化硅石英玻璃，第二分層為摻鍺二氧化硅石英玻璃，第三分層為純二氧化硅石英玻璃層；包層的直徑Dclad為79μm至81μm。本發(fā)明光纖的截止波長為1300nm-1460nm，工作波長范圍為1550nm，其MFD為7.0μm-7.6μm，光纖衰減小于0.26dB/km(在1550nm)。本發(fā)明光纖具有80μm包層直徑和165μm涂層直徑，可較好滿足器件小型化的需求。具有較好的抗彎曲性能，其宏彎損耗小于0.02dB/(Φ10mm25圈)；繞成小尺寸器件時(shí)具有良好的抗彎曲性能，其宏彎損耗小于0.03dB/(Φ15mm400圈)。
【IPC分類】G02B6/036
【公開號】CN105137534
【申請?zhí)枴緾N201510598968
【發(fā)明人】曹蓓蓓, 王忠太, 王玉
【申請人】長飛光纖光纜股份有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年9月18日