電子照相感光構(gòu)件及其制造方法、處理盒和電子照相設(shè)備、和羥基鎵酞菁晶體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子照相感光構(gòu)件、所述電子照相感光構(gòu)件的制造方法、包括所 述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備、和羥基鎵酞菁晶體。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)在，在電子照相領(lǐng)域內(nèi)通常用作圖像曝光裝置的半導(dǎo)體激光器的振蕩波長(zhǎng)是 650至820nm的長(zhǎng)波長(zhǎng)。因此，正在開(kāi)發(fā)對(duì)具有這樣的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光高度敏感的電子照相感光 構(gòu)件。酞菁顏料作為對(duì)在這樣的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)的光具有高的感光度的電荷產(chǎn)生材料是有效 的。特別地，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優(yōu)異的感光特性，并且已經(jīng)報(bào)道了多種晶型。
[0003] 日本專利特開(kāi)No. 5-249716記載了一種羥基鎵酞菁晶體，其在CuKa X射線衍射 中在布拉格角（2 Θ ±0.2° )為7.9°、16. 5°、24. 4°和27. 6°處具有峰。日本專利特開(kāi) No. 3-128973記載了一種氧鈦酞菁晶體，其在CuK a X射線衍射中在布拉格角（2 Θ ±0. 2° ) 為 9.0°、14.2°、23· 9° 和 27. 1。處具有峰。
[0004] 然而，感光度不與電場(chǎng)強(qiáng)度成比例，因此，由于感光層的厚度不均勻的影響，容易 導(dǎo)致感光度不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 作為本發(fā)明人進(jìn)行的研究的結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，在以上文獻(xiàn)中記載的羥基鎵酞 菁晶體和氧鈦酞菁晶體對(duì)于抑制感光度不均勻方面依然具有改善空間。
[0006] 本發(fā)明的方面提供了一種電子照相感光構(gòu)件，其中抑制了由厚度不均勻?qū)е碌母?光度不均勻；和所述電子照相感光構(gòu)件的制造方法。本發(fā)明的方面也提供了包括所述電子 照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。本發(fā)明的方面也提供了一種具有新型晶型的羥基 嫁釀?shì)季w。
[0007] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種電子照相感光構(gòu)件包括支承體和在所述支承體上 的感光層，其中所述感光層包括在CuK a X射線衍射中在布拉格角2 Θ ±0.2°為6.9°、 7. 7°、16. 4°、24. 4°和26. 5°處具有峰的羥基鎵酞菁晶體。
[0008] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種處理盒可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體并且 一體化地支承所述電子照相感光構(gòu)件、和選自充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔構(gòu)件的 至少一種。
[0009] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種電子照相設(shè)備包括所述電子照相感光構(gòu)件、充電裝 置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
[0010] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，羥基鎵酞菁晶體在CuK a X射線衍射中在布拉格角 2 9±〇.2。為6.9。、7.7。、16.4。、24.4。和26.5。處具有峰。
[0011] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種電子照相感光構(gòu)件的制造方法，所述電子照 相感光構(gòu)件包括支承體和在所述支承體上的感光層，其中所述方法包括以下步驟：通過(guò)添 加酰胺化合物和羥基鎵酞菁并且進(jìn)行研磨處理來(lái)提供在CuK α X射線衍射中在布拉格角 2 Θ ±0.2°為6.9°、7. 7°、16. 4°、24. 4°和26. 5°處具有峰的羥基鎵酞菁晶體；和通過(guò) 形成含有所述羥基鎵酞菁晶體的感光層形成用涂布液的涂膜并且干燥所述涂膜來(lái)形成感 光層，其中所述酰胺化合物是選自以下式（1)表示的化合物、以下式（2)表示的化合物和以 下式（3)表示的化合物的至少一種。
[0012]
[0013] 在本發(fā)明的一個(gè)方面中，一種電子照相感光構(gòu)件的制造方法，所述電子照相感光 構(gòu)件包括支承體、在所述支承體上的電荷產(chǎn)生層、和在所述電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層，其 中所述方法包括以下步驟：通過(guò)添加酰胺化合物和羥基鎵酞菁并且進(jìn)行研磨處理來(lái)提供在 CuK α X射線衍射中在布拉格角2 Θ ±0.2°為6.9°、7. 7°、16. 4°、24. 4°和26. 5°處具 有峰的羥基鎵酞菁晶體；和通過(guò)形成含有所述羥基鎵酞菁晶體的電荷產(chǎn)生層形成用涂布液 的涂膜并且干燥所述涂膜來(lái)形成電荷產(chǎn)生層，其中所述酰胺化合物是選自以上式（1)表示 的化合物、以上式（2)表示的化合物和以上式（3)表示的化合物的至少一種。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，可以提供一種電子照相感光構(gòu)件，其中抑制了由厚度不 均勻?qū)е碌母泄舛炔痪鶆颍缓退鲭娮诱障喔泄鈽?gòu)件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案， 可以提供包括所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案， 可以提供一種具有新型晶型的羥基鎵酞菁晶體。
[0015] 本發(fā)明的進(jìn)一步特征將參考附圖從示例性實(shí)施方案的以下說(shuō)明而變得明顯。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1表明包括含有電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示例性結(jié)構(gòu)的 實(shí)例。
[0017] 圖2示出在實(shí)施例1-1中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案。
[0018] 圖3示出在實(shí)施例1-2中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案。
[0019] 圖4示出在實(shí)施例1-3中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案。
[0020] 圖5示出在實(shí)施例1-4中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案。
[0021] 圖6示出在比較例1-2中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖案。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的電子照相感光構(gòu)件包括支承體和形成在支承體上的感 光層。感光層包含在CuKa X射線衍射中在布拉格角2 Θ ±0.2°為6.9°、7. 7°、16.4°、 24.4°和26. 5°處具有峰的羥基鎵酞菁晶體。下文中，這也稱為"具有特定的晶型的羥基 嫁釀?shì)季w"。
[0023] 在具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體中，光電轉(zhuǎn)換量子效率線性地依賴于電場(chǎng)強(qiáng) 度。因此，相信抑制了由厚度不均勻?qū)е碌母泄舛炔痪鶆颉?br>[0024] 具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體通過(guò)進(jìn)行以下處理來(lái)獲得。即，當(dāng)將通過(guò)酸溶 法獲得的酞菁通過(guò)研磨處理來(lái)進(jìn)行晶體變換時(shí)，添加以下式（1)至（3)表示的化合物并且 進(jìn)行研磨處理。特別地，通過(guò)將氯鎵酞菁進(jìn)行酸溶處理而獲得的羥基鎵酞菁可以進(jìn)行上述 研磨處理。下文中，以下式（1)至（3)的任何一種表示的化合物也稱為"特定的酰胺化合 物"。
[0026] 研磨處理是使用具有分散介質(zhì)例如玻璃珠、鋼珠或氧化鋁球的研磨機(jī)例如砂磨機(jī) 或球磨機(jī)來(lái)進(jìn)行的處理。研磨時(shí)間是例如大約10至500小時(shí)。特別期望的方法是每5至 10小時(shí)進(jìn)行采樣并且檢測(cè)羥基鎵酞菁晶體的布拉格角。在研磨處理中添加的特定的酰胺化 合物的量是例如以質(zhì)量基準(zhǔn)的酞菁的量的5至30倍。
[0027] 當(dāng)以上式（1)表示的化合物用于研磨處理時(shí)，具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體 進(jìn)一步具有以下峰。即，具有特定的晶型的上述羥基鎵酞菁晶體進(jìn)一步在CuK α X射線衍射 中在布拉格角2 Θ ±0.2°為12.0°、19. 0°、23.0°和27.6°處具有峰。
[0028] 當(dāng)以上式（2)表示的化合物用于研磨處理時(shí)，具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體 進(jìn)一步具有以下峰。即，具有特定的晶型的上述羥基鎵酞菁晶體進(jìn)一步在CuK α X射線衍射 中在布拉格角2 Θ ±0.2°為8.3°、17. Γ和25. 3°處具有峰。
[0029] 當(dāng)以上式（3)表示的化合物用于研磨處理時(shí)，具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體 進(jìn)一步具有以下峰。即，具有特定的晶型的上述羥基鎵酞菁晶體進(jìn)一步在CuK α X射線衍射 中在布拉格角2 Θ ±0.2°為13. 2°、17. Γ和27. 3°處具有峰。
[0030] 羥基鎵酞菁晶體的X射線衍射光譜在以下條件下測(cè)量。
[0031] 粉末X射線衍射測(cè)量
[0032] 使用的測(cè)量?jī)x=Rigaku Corporation制造的X射線衍射儀RINT-TTR II
[0033] X 射線管：Cu
[0034] 管電壓：5OkV
[0035] 管電流：300mA
[0036] 掃描模式：2 θ / Θ掃描
[0037] 掃描速度：4.0° /分鐘
[0038] 采樣間隔：0.02°
[0039] 起始角度（2Θ) :5.0°
[0040] 終止角度（2 Θ) :40.0。
[0041] 附件：標(biāo)準(zhǔn)樣品架
[0042] 過(guò)濾器：不使用
[0043] 入射單色儀：使用
[0044] 計(jì)數(shù)器單色儀（Counter monochromator):不使用
[0045] 發(fā)散狹縫：打開(kāi)
[0046] 發(fā)散垂直限制狹縫：10.0 Omm
[0047] 散射狹縫：打開(kāi)
[0048] 接收狹縫：打開(kāi)
[0049] 平板單色儀：使用
[0050] 計(jì)數(shù)器：閃爍計(jì)數(shù)器
[0051] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體具有作為光電導(dǎo)體 的優(yōu)異功能，因此除了電子照相感光構(gòu)件以外，還可以應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、傳感器和開(kāi)關(guān)元 件等。
[0052] 下一步，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的具有特定的晶型的羥基鎵酞菁晶體用作 電子照相感光構(gòu)件的電荷產(chǎn)生材料的情況。感光層分類為：同時(shí)含有電荷