一種光罩的檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種光罩的檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的制備趨于微型化，目前已經(jīng)發(fā)展到納 米級別，同時常規(guī)器件的制備工藝逐漸成熟。在半導(dǎo)體器件的制備過程中，首先通過微影成 像得到設(shè)計電路，然后通過制程將所述設(shè)計圖案精確的定義在光罩上，并利用蝕刻程序?qū)?光罩上的圖案轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體基底上從而制得所需要線路結(jié)構(gòu)。
[0003] 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，相位移光罩（Phase Shift Mask，PSM)得到廣泛的應(yīng) 用，PSM采用雙曝光（Double-exposure),并且選用0和180的相位，通過在有圖形的區(qū)域加 入材料，與無圖形的區(qū)域形成180的相位差。
[0004] 在半導(dǎo)體量產(chǎn)制程中所使用的相位移光罩的制備方法通常包括在平整光潔的玻 璃(或石英）基版上通過直流磁控濺射沉積感光材料氮化鉻-氮氧化鉻從而形成鉻膜基版； 然后在該鉻膜基版上均勻涂敷一層光致抗蝕劑或電子束抗蝕劑制成勻膠鉻版，該勻膠鉻版 即為光掩膜基板，其是制作微縮幾何圖形的理想感光性空白板。所述PSM其轉(zhuǎn)移圖案的最 終結(jié)構(gòu)除了透光基材的部分外，大都具有光遮蔽作用的膜層，如通常使用的具有完全光遮 蔽作用的鉻金屬（Cr)層及具有相位移作用的相位移材料層。其中所述PSM中的鉻金屬（Cr) 位于鉻晶環(huán)上，例如正八邊形的晶環(huán)。
[0005] 在完成所述PSM的制備后需要對所述PSM進(jìn)行缺陷的檢測，以排除所述PSM中存 在的缺陷，在缺陷的檢查中不需要對所述鉻晶環(huán)進(jìn)行檢測，因此將所述鉻晶環(huán)設(shè)置為不檢 查區(qū)域（do not inspection region, DNIR)，將其他區(qū)域設(shè)置為檢查區(qū)域，對所述PSM進(jìn)行 檢測，目前將所述鉻晶環(huán)設(shè)置為DNIR的方法有3種，分別如圖Ia-Ic所示，如圖Ia所示，在 所述鉻晶環(huán)10中設(shè)置檢查區(qū)域11，所述檢查區(qū)域的面積小于所述鉻晶環(huán)10的面積，以將所 述鉻晶環(huán)排除在所述檢測區(qū)域以外，但是所述方法存在的問題是所述鉻晶環(huán)10和所述檢 查區(qū)域之間還有很大一部分沒有被檢測到，如圖Ia中左上角填充的區(qū)域12所示，給檢測結(jié) 果帶來很大風(fēng)險；第二種方法如圖Ib所示，首先將所述檢查區(qū)域11設(shè)置在所述鉻晶環(huán)10 陣列的內(nèi)側(cè)，以將所述鉻晶環(huán)10最外側(cè)的邊框設(shè)置為DNIR，然后在所述鉻晶環(huán)陣列中設(shè)置 切割道陣列，所述切割道陣列為多個水平或者堅直設(shè)置的條狀結(jié)構(gòu)，以將所述鉻晶環(huán)陣列 內(nèi)部的水平和堅直的邊框覆蓋，形成DNIR區(qū)域，但是所述方法的缺點(diǎn)是無法將所述鉻晶環(huán) 陣列內(nèi)部的斜邊框設(shè)置為DNIR區(qū)域；第三種方法如附圖Ic所示，其中所述方法是對第二種 方法的進(jìn)一步改進(jìn)，具體地為將所述堅直方向設(shè)置的切割道的寬度加大，以便覆蓋住所述 鉻晶環(huán)的斜邊，形成DNIR區(qū)域，但是所述方法的缺點(diǎn)是，所述切割道覆蓋區(qū)域過大，導(dǎo)致如 圖Ic中左上角填充的區(qū)域12無法檢測到，在每個鉻晶環(huán)中均有類似的區(qū)域，給檢測結(jié)果帶 來很大風(fēng)險。
[0006] 因此，現(xiàn)有技術(shù)中如何提高對所述PSM的檢測的準(zhǔn)確度成為需要解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn) 一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008] 本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種光罩的檢測方法，包括：
[0009] 步驟（a)提供光罩，所述光罩中具有相互隔離的鉻晶環(huán)組成的鉻晶環(huán)陣列；
[0010] 步驟（b)在所述光罩中確定檢查區(qū)域的范圍，以將所述鉻晶環(huán)陣列中最外側(cè)的水 平邊框和堅直邊框設(shè)置在所述檢查區(qū)域以外，設(shè)定為非檢查區(qū)域；
[0011] 步驟（C)在所述光罩中設(shè)置第一非檢查區(qū)域陣列，覆蓋所述鉻晶環(huán)陣列內(nèi)部所述 鉻晶環(huán)的水平邊框和堅直邊框，以形成非檢查區(qū)域；
[0012] 步驟（d)在所述光罩中設(shè)置第二非檢查區(qū)域陣列，覆蓋所述鉻晶環(huán)陣列內(nèi)部所述 鉻晶環(huán)的斜邊邊框，以形成非檢查區(qū)域。
[0013] 作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括步驟（e)，在所述光罩中設(shè)置第三非檢查區(qū)域陣 列，覆蓋所述鉻晶環(huán)陣列最外側(cè)的斜邊邊框，以形成非檢查區(qū)域。
[0014] 作為優(yōu)選，所述第三非檢查區(qū)域陣列包括相互隔離設(shè)置的多個方形圖案。
[0015] 作為優(yōu)選，所述第三非檢查區(qū)域陣列設(shè)置于所述第二非檢查區(qū)域陣列的外側(cè)，以 包圍所述第二非檢查區(qū)域陣列。
[0016] 作為優(yōu)選，所述第三非檢查區(qū)域陣列以所述第二非檢查區(qū)域陣列為參照，通過手 動的方法插入。
[0017] 作為優(yōu)選，所述鉻晶環(huán)為正八邊形，所述正八邊形的邊框上具有金屬鉻，所述正八 邊形的邊框需要設(shè)定為非檢查區(qū)域。
[0018] 作為優(yōu)選，所述檢查區(qū)域的邊框和所述鉻晶環(huán)陣列中最外側(cè)的水平邊框和堅直邊 框重合，或者所述檢查區(qū)域的邊框設(shè)置在所述鉻晶環(huán)陣列中最外側(cè)的水平邊框和堅直邊框 的內(nèi)側(cè)，以將所述鉻晶環(huán)陣列中最外側(cè)的水平邊框和堅直邊框設(shè)定為非檢查區(qū)域。
[0019] 作為優(yōu)選，所述第一非檢查區(qū)域陣列為水平設(shè)置和堅直設(shè)置的條形切割道。
[0020] 作為優(yōu)選，每個水平設(shè)置的所述條形切割道的邊框與相鄰兩個所述鉻晶環(huán)的水平 邊框重合設(shè)置；或設(shè)置于所述鉻晶環(huán)的水平邊框的內(nèi)部；
[0021] 每個堅直設(shè)置的所述條形切割道的邊框與相鄰兩個所述鉻晶環(huán)的堅直邊框重合 設(shè)置；或設(shè)置于所述鉻晶環(huán)的堅直邊框的內(nèi)部。
[0022] 作為優(yōu)選，所述第一非檢查區(qū)域陣列通過運(yùn)行腳本自動生成。
[0023] 作為優(yōu)選，所述第二非檢查區(qū)域陣列包括相互隔離設(shè)置的多個方形圖案。
[0024] 作為優(yōu)選，所述第二非檢查區(qū)域陣列設(shè)置于所述檢查區(qū)域的內(nèi)部，通過運(yùn)行腳本 自動生成。
[0025] 作為優(yōu)選，所述光罩為相位移光罩。
[0026] 作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括在確定檢查區(qū)域和非檢查區(qū)域之后對所述光罩 中存在的缺陷進(jìn)行檢查的步驟。
[0027] 本發(fā)明還提供了一種光罩的檢測結(jié)構(gòu)，包括：
[0028] 鉻晶環(huán)陣列，位于所述光罩中，包括相互隔離的鉻晶環(huán)；
[0029] 檢查區(qū)域，位于所述光罩中，以將所述鉻晶環(huán)陣列中最外側(cè)的水平邊框和堅直邊 框設(shè)置在所述檢查區(qū)域以外，設(shè)定為非檢查區(qū)域；
[0030] 第一非檢查區(qū)域陣列，位于所述光罩中覆蓋所述鉻晶環(huán)陣列內(nèi)部鉻晶環(huán)的水平邊 框和堅直邊框，以形成非檢查區(qū)域；
[0031] 第二非檢查區(qū)域陣列，位于所述檢查區(qū)域中，覆蓋所述鉻晶環(huán)陣列內(nèi)部的斜邊邊 框，以形成非檢查區(qū)域。
[0032] 作為優(yōu)選，所述檢測結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括第三非檢查區(qū)域陣列，位于所述光罩中覆 蓋所述鉻晶環(huán)陣列最外側(cè)的斜邊邊框，以形成非檢查區(qū)域。
[0033] 作為優(yōu)選，所述第三非檢查區(qū)域陣列包括相互隔離設(shè)置的多個方形圖案。
[0034] 作為優(yōu)選，所述第三非檢查區(qū)域陣列設(shè)置于所述第二非檢查區(qū)域陣列的外側(cè)，以 包圍所述第二非檢查區(qū)域陣列。
[0035] 作為優(yōu)選，所述鉻晶環(huán)為正八邊形，所述正八邊形的邊框上具有金屬鉻。
[0036] 作為優(yōu)選，所述第一非檢查區(qū)域陣列為水平設(shè)置和堅直設(shè)置的條形的切割道。
[0037] 作為優(yōu)選，所述第二非檢查區(qū)域陣列包括相互隔離設(shè)置的多個方形圖案。
[0038] 所述方法能夠保證獲得最大的檢測區(qū)域，以及最小的非檢測區(qū)域，可以降低缺陷 存在的風(fēng)險，獲得更加準(zhǔn)確的檢測結(jié)果；所述方法不會檢測鉻晶環(huán)區(qū)域的缺陷，所述方法可 應(yīng)用于光罩中將所述鉻晶環(huán)圖案設(shè)定為非檢測區(qū)域的一類光罩的檢測，并不局限于相位移 光罩一種。
【附圖說明】
[0039] 本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0040] 圖Ia-Ic為現(xiàn)有技術(shù)中相位移光罩的檢測結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖2a_2d為本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中相位移光罩的檢測結(jié)構(gòu)示意圖；其中圖 2a_2c分別為第一非檢查區(qū)域陣列、第二非檢查區(qū)域陣列和第三非檢查區(qū)域陣列的結(jié)構(gòu)示 意圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中相位移光罩的檢測方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043] 在下文的描述中，