用于形成黑矩陣的后烘裝置和后烘方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于形成黑矩陣的后烘裝置和后烘方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，顯不面板的基板上的黑矩陣(black matrix, BM)在完成顯影后需放入靜止的后烘裝置中進(jìn)行后烘固化，此時(shí)在重力的作用下，基板上的黑矩陣會(huì)在邊緣位置處發(fā)生形狀變化，因此而影響基板上的黑矩陣的成型精度。
[0003]例如，對(duì)于彩膜基板上的黑矩陣，黑矩陣以及紅、綠和藍(lán)濾色器需要涂布在玻璃基底上，且經(jīng)過曝光和顯影而成型，繼而送入后烘裝置中烘干固化(簡(jiǎn)稱為后烘)。在基板的后烘過程中，由于形成黑矩陣的材料在重力的作用下，黑矩陣會(huì)出現(xiàn)邊緣上的形狀坍塌現(xiàn)象。黑矩陣形狀上的坍塌導(dǎo)致基板的質(zhì)量受到負(fù)面影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于形成黑矩陣的后烘裝置和后烘方法，在后烘期間，形成有黑矩陣的基板和加熱元件之間相對(duì)旋轉(zhuǎn)；進(jìn)一步地，還可以通過監(jiān)測(cè)黑矩陣的變形程度改變形成有黑矩陣的基板的旋轉(zhuǎn)速度，從而獲得外形良好的黑矩陣。
[0005]一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于形成黑矩陣的后烘裝置，包括:殼體，限定內(nèi)部容置空間；多個(gè)加熱元件，設(shè)置在所述殼體內(nèi)部；至少一個(gè)托架，設(shè)置在所述內(nèi)部容置空間中，且構(gòu)造為承托形成有所述黑矩陣的基板，其中所述托架與所述多個(gè)加熱元件是可相對(duì)旋轉(zhuǎn)的。
[0006]另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種后烘方法，包括:提供一個(gè)殼體，所述殼體限定內(nèi)部容置空間，多個(gè)加熱元件設(shè)置在所述殼體內(nèi)部；將包括待后烘的所述黑矩陣的基板放置在至少一個(gè)托架上，且設(shè)置在所述內(nèi)部容置空間中，對(duì)所述黑矩陣進(jìn)行后烘，在后烘期間，利用所述加熱元件進(jìn)行加熱，同時(shí)使得所述至少一個(gè)托架與所述加熱元件相對(duì)旋轉(zhuǎn)。
【附圖說明】
[0007]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0008]圖1示出了基板上黑矩陣顯影后的截面圖。
[0009]圖2示出了基板上黑矩陣在靜止后烘后的截面圖。
[0010]圖3示出了基板上黑矩陣后烘后理想截面形狀的截面圖。
[0011]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成黑矩陣的后烘裝置的結(jié)構(gòu)示意圖之一。
[0012]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成黑矩陣的后烘裝置的另一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖6示出了基板顯影后、后烘前的透光率的示意圖。
[0014]圖7示出了基板后烘過程中透光率變化的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0016]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。
[0017]圖1是示出基板上黑矩陣顯影后形狀的示意圖。
[0018]如圖1所示，待加工的基板包括基底1，例如玻璃基底1，和設(shè)置在基底1的一個(gè)表面(圖1中的上表面)上的黑矩陣2。黑矩陣2首先涂布在玻璃基底1上，經(jīng)過曝光和顯影后形成如圖1所示的底切形狀。
[0019]圖2是示出基板上黑矩陣靜止后烘后形狀的示意圖，也就是，在后烘期間，形成有黑矩陣的基板相對(duì)于熱源是靜止的。
[0020]如圖2所示，在基板水平放置在后烘裝置中進(jìn)行靜止烘干的過程中，黑矩陣2在重力的作用下以及因受熱等其它因素會(huì)變形。與圖1所示的后烘之前的黑矩陣2相比，如圖2所示的后烘后的黑矩陣2的形狀變?yōu)樯闲　⑾麓蟮拇笾绿菪涡螤?。顯然，這將加大黑矩陣2對(duì)玻璃基底1的覆蓋面積，對(duì)基板的透光率造成不利影響。
[0021]為了描述上的方便起見，在下文，將黑矩陣2在后烘過程中在重力作用下以及因受熱等其它因素而發(fā)生變形的現(xiàn)象稱為“坍塌現(xiàn)象”。
[0022]圖3是示出理想化的基板上黑矩陣后烘后形狀的截面圖。
[0023]如圖3所示，理想化的基板上黑矩陣后烘后的形狀是基本上保持如圖1所示的曝光、顯影后的倒梯形形狀，或者如圖3所示的更加接近于矩形形狀。
[0024]為了實(shí)現(xiàn)上述理想化基板上黑矩陣的成型，下面詳細(xì)介紹根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成基板上黑矩陣的后烘裝置。
[0025]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成基板上黑矩陣的后烘裝置的結(jié)構(gòu)示意圖之一。
[0026]如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于形成基板上黑矩陣的后烘裝置，包括:殼體10，限定內(nèi)部容置空間；多個(gè)加熱元件20，設(shè)置在所述殼體內(nèi)部；至少一個(gè)托架40，設(shè)置在所述內(nèi)部容置空間中，且構(gòu)造為承托形成有所述黑矩陣的基板41，其中至少一個(gè)托架40與多個(gè)加熱元件20是可相對(duì)旋轉(zhuǎn)的。
[0027]基板41例如為彩膜基板或陣列基板等，其上待形成黑矩陣。
[0028]盡管圖4中示出了殼體10為圓柱體，然而殼體10可包括橫截面為多邊形、正多邊形的柱體等而不脫離本發(fā)明的范圍。另外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，在后烘裝置運(yùn)行期間，其內(nèi)部的溫度較高，為了減少熱量損耗，殼體10的外面可包括保溫層或涂有保溫材料。殼體10可包括諸如不銹鋼的金屬材料。雖然附圖中沒有具體示出，但是如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，殼體10兩個(gè)端面的中心位置可以設(shè)有支座以在其中支撐托架40。
[0029]多個(gè)加熱元件20可以設(shè)置在殼體10的內(nèi)壁上，例如均勻或不均勻地在殼體10的內(nèi)壁上。加熱元件20例如可包括電阻加熱器、紅外線加熱器、介質(zhì)加熱器中的任何一種或其多種的組合，加熱元件20的形式可以是加熱絲、加熱棒或加熱片的任何一個(gè)或其多個(gè)的組合，對(duì)應(yīng)地，加熱元件20的形狀可以是面狀、條狀、棒狀中的任意一種或多種的組合，但是本發(fā)明不限于此，而是可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何類型的加熱元件。例如，如果加熱元件是長(zhǎng)度與殼體的高度相同的棒形，則其可以與殼體的中心軸平行地設(shè)置在殼體的內(nèi)壁上。
[0030]示例性地，加熱元件20也可以設(shè)置在殼體的端面處，殼體的中心等，本發(fā)明的實(shí)施例并不對(duì)此進(jìn)行限定，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際需要而進(jìn)行選擇。
[0031]示例性地，本發(fā)明的實(shí)施例中，可以是殼體10進(jìn)行旋轉(zhuǎn)也可以是托架進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，或者二者都可以進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
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