液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別涉及反射型的彩色液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]已知有利用入射光被形成在液晶的背面?zhèn)鹊姆瓷淠し瓷涞姆瓷涔膺M(jìn)行圖像顯示的反射型液晶顯示裝置。作為反射型液晶顯示裝置，有使用高分子網(wǎng)絡(luò)型液晶(PNLC:Polymer Network Liquid Crystal)的液晶顯不裝置(PNLCD:Polymer Network LiquidCrystal Display)。PNIXD與使用通常的液晶的顯示器不同，不需要偏光板，所以能夠進(jìn)行明殼的反射顯不。
[0003]PNLC對在光聚合型的高分子前體(單體)中混合了液晶的溶液照射紫外線，使單體聚合而成為聚合物，為液晶分散在該聚合物的網(wǎng)絡(luò)中的結(jié)構(gòu)。主動矩陣方式的彩色PNLCD例如為在具備濾色器的濾色器基板(CF基板)上形成反射膜并配置在顯示面背側(cè)、將具備TFT (Thin Film Transistor)的TFT基板配置在顯示面表側(cè)的結(jié)構(gòu)(專利文獻(xiàn)I及2)。
[0004]為了使單體聚合而對晶格照射紫外線，但如果在TFT基板側(cè)設(shè)置反射膜，則成為從CF基板側(cè)照射紫外線，在此情況下，通過濾色器發(fā)生紫外線的吸收，有單體不能聚合的問題。因此，在CF基板側(cè)形成反射膜，TFT基板成為透過規(guī)格，從TFT基板側(cè)照射紫外線而使單體聚合。
[0005]但是，通過處于TFT基板上的像素周邊的配線的影響，配線附近的單體的聚合變得不完全，有反射率(散射性)及可靠性下降的問題。此外，由于為將設(shè)有反射膜的CF基板配置在顯示面背側(cè)、將TFT基板配置在顯示面表側(cè)的結(jié)構(gòu)，所以有因TFT基板的背面的反射光的影響(閃耀)而辨識性變得非常差的問題。此外，由于不能將配置有配線及晶體管的區(qū)域用于顯示，所以有開口率下降的問題。
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特許第3736076號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 — 95407號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明概要
[0010]發(fā)明要解決的課題
[0011]本發(fā)明提供一種能夠?qū)⒁壕拥木酆衔锞鶆虻匦纬?、并且能夠使開口率提高的液晶顯示裝置。
[0012]解決課題的手段
[0013]有關(guān)本發(fā)明的一技術(shù)方案的液晶顯示裝置的特征在于，具備:第I及第2基板；液晶層，夾在上述第I及第2基板間，由高分子網(wǎng)絡(luò)型液晶(PNLC)構(gòu)成；共用電極，設(shè)在上述第I基板上；多個晶體管，在上述第2基板上按照多個像素設(shè)置；反射膜，設(shè)在上述多個晶體管上；濾色器，設(shè)在上述反射膜上；多個像素電極，設(shè)在上述濾色器上，分別電連接在上述多個晶體管的多個漏極電極上。
[0014]有關(guān)本發(fā)明的一技術(shù)方案的液晶顯示裝置的特征在于，具備:第I及第2基板；液晶層，夾在上述第I及第2基板間，由高分子分散型液晶(PDLC)構(gòu)成；共用電極，設(shè)在上述第I基板上；多個晶體管，在上述第2基板上按照多個像素設(shè)置；反射膜，設(shè)在上述多個晶體管上；濾色器，設(shè)在上述反射膜上；多個像素電極，設(shè)在上述濾色器上，分別電連接在上述多個晶體管的多個漏極電極上。
[0015]發(fā)明的效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠?qū)⒁壕拥木酆衔锞鶆虻匦纬伞⒉⑶夷軌蚴归_口率提尚的液晶顯不裝置。
【附圖說明】
[0017]圖1是有關(guān)第I實施方式的液晶顯示裝置的塊圖。
[0018]圖2是像素的電路圖。
[0019]圖3是有關(guān)第I實施方式的液晶顯示面板的剖視圖。
[0020]圖4A是說明液晶層的取向狀態(tài)的概略圖。
[0021]圖4B是說明液晶層的取向狀態(tài)的概略圖。
[0022]圖5是有關(guān)具體例的液晶顯不面板的布局圖。
[0023]圖6是沿著圖5的A — 線的液晶顯示面板的剖視圖。
[0024]圖7是沿著圖5的B — B'線的液晶顯示面板的剖視圖。
[0025]圖8是有關(guān)比較例的液晶顯示面板的剖視圖。
[0026]圖9A是說明有關(guān)比較例的液晶層的狀況的圖。
[0027]圖9B是說明有關(guān)比較例的液晶層的狀況的圖。
[0028]圖1OA是說明有關(guān)第I實施方式的液晶層的狀況的圖。
[0029]圖1OB是說明有關(guān)第I實施方式的液晶層的狀況的圖。
[0030]圖11是說明有關(guān)比較例的液晶顯示面板的反射光的狀況的圖。
[0031]圖12是說明有關(guān)第I實施方式的液晶顯示面板的反射光的狀況的圖。
[0032]圖13是有關(guān)第2實施方式的液晶顯示面板的布局圖。
[0033]圖14是沿著圖13的B — Br線的液晶顯示面板的剖視圖。
[0034]圖15是有關(guān)第3實施方式的液晶顯示面板的剖視圖。
[0035]圖16是有關(guān)第4實施方式的液晶顯示面板的剖視圖。
[0036]圖17是有關(guān)第5實施方式的液晶顯示面板的沿著X方向的剖視圖。
[0037]圖18是有關(guān)第5實施方式的液晶顯示面板的沿著Y方向的剖視圖。
[0038]圖19是有關(guān)第5實施方式的變形例的液晶顯示面板的沿著X方向的剖視圖。
【具體實施方式】
[0039]以下，參照附圖對實施方式進(jìn)行說明。但是，附圖是示意性或概念性的，應(yīng)留意各圖的尺寸及比率等并不一定與現(xiàn)實相同。此外，即使在附圖的相互間表示相同部分的情況下，也有相互的尺寸的關(guān)系或比率不同而表示的情況。特別是，以下所示的幾個實施方式是例示用來將本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的裝置及方法的，并不是通過構(gòu)成零件的形狀、構(gòu)造、配置等確定本發(fā)明的技術(shù)思想的。另外，在以下的說明中，對具有相同的功能及結(jié)構(gòu)的要素賦予相同的標(biāo)號，重復(fù)說明僅在需要的情況下進(jìn)行。
[0040][第I實施方式]
[0041]圖1是有關(guān)第I實施方式的液晶顯示裝置10的塊圖。液晶顯示裝置10具備液晶顯示面板11、掃描驅(qū)動器(掃描線驅(qū)動電路)12、信號驅(qū)動器(信號線驅(qū)動電路)13、共用電壓供給電路14及控制電路15。
[0042]在液晶顯示面板11上，配設(shè)有分別在行方向(X方向)上延伸的多個掃描線GL和分別在列方向(Y方向)上延伸的多個信號線SL。在多個掃描線GL和多個信號線SL的交叉區(qū)域的各自中配置有像素16。多個像素16被配置為矩陣狀。
[0043]圖2是I個像素16的電路圖。像素16具備薄膜晶體管(TFT:Thin FilmTransistor) 17、液晶電容CLC及積蓄電容CS。
[0044]TFT17的源極電連接在信號線SL上。TFT17的柵極電連接在掃描線GL上。TFT17的漏極電連接在像素電極上。像素電極和與其對置配置的共用電極、填充在像素電極及共用電極間的液晶一起，構(gòu)成液晶電容CLC。
[0045]積蓄電容CS并聯(lián)連接在液晶電容CLC上。積蓄電容CS抑制在像素電極中發(fā)生的電位變動，并將施加在像素電極上的像素電壓在下個像素電壓再次被施加之前的期間中保持。積蓄電容CS由與像素電極對置配置的積蓄電極和形成在像素電極及積蓄電極間的絕緣膜構(gòu)成。在共用電極及積蓄電極上，被共用電壓供給電路14施加共用電壓Vcom。
[0046]在這樣構(gòu)成的像素16中，如果連接在像素電極上的TFT17成為開啟狀態(tài)，則像素電壓經(jīng)由信號線SL被施加在像素電極上，根據(jù)像素電壓與共用電壓Vcom的電壓差，液晶的取向狀態(tài)變化。由此，液晶對于入射光及反射光的透過狀態(tài)變化，進(jìn)行圖像顯示。
[0047]掃描驅(qū)動器12連接在多個掃描線GL上，基于來自控制電路15的垂直控制信號將多個掃描線GL依次驅(qū)動。來自控制電路15的垂直控制信號被按照I幀期間施加。所謂“幀”，是對液晶顯示面板的全部像素供給顯示信號而顯示I