一種光刻膠涂布軌跡的實施方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于半導體制造領域中光刻膠涂布的工藝過程領域，具體涉及一種光刻膠 涂布軌跡的實施方法。
【背景技術】
[0002] 對于半導體制造領域中光刻膠涂布，常見的工藝方法有旋涂和超聲波噴涂。對于 旋涂工藝，如若光刻膠粘度較大、晶片尺寸較大，光刻膠就需要在晶片表面按一定規(guī)律分 布，之后再進行晶片的高速旋轉來使光刻膠攤開；對于超聲噴涂工藝，通過碰嘴與晶片的相 對運動來使霧化的光刻膠涂布在晶片表面。
[0003] 因此，如何制定噴嘴相對于晶片運動的軌跡方案就變得十分重要了，這直接關系 到晶片表面光刻膠的均勻性和工藝時間的長短，而這兩點是衡量相關工藝設備的重要指 標。本發(fā)明就是針對這一點出發(fā)的。

【發(fā)明內容】

[0004] 針對現(xiàn)有技術中存在的上述問題，本發(fā)明提供一種光刻膠涂布軌跡的實施方法。
[0005] 本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的所采用的技術方案是：一種光刻膠涂布軌跡的實施方法， 包括以下步驟：
[0006] 噴嘴/膠嘴從晶片邊緣沿直徑運動到晶圓中心，同時晶片沿一個方向勻速旋轉；
[0007] 噴嘴/膠嘴從晶片中心繼續(xù)沿所述直徑運動到晶圓邊緣，同時晶片反方向旋轉；
[0008] 所述噴嘴/膠嘴的直線運動和晶片的旋轉運動滿足軌跡方程如下：
[0009] 軌跡方程
【主權項】
1. 一種光刻膠涂布軌跡的實施方法，其特征在于，包括以下步驟： 噴嘴/膠嘴從晶片邊緣沿直徑運動到晶圓中心，同時晶片沿一個方向勻速旋轉； 噴嘴/膠嘴從晶片中心繼續(xù)沿所述直徑運動到晶圓邊緣，同時晶片反方向旋轉； 所述噴嘴/膠嘴的直線運動和晶片的旋轉運動滿足軌跡方程如下： 軌跡方程：
其中，R為噴嘴/膠嘴的直線運動距離，e為晶圓轉動角度，t為時間，入為常數(shù)；螺旋 線間距為
，函數(shù)f(t)滿足?
通過所述軌跡方程得到原點對稱等距螺旋線的一半，原點對稱后就得到了另一半的運 動軌跡，從而使晶片表面的光刻膠形成等距螺旋曲線。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種光刻膠涂布軌跡的實施方法，其特征在于，對于圓形噴 霧截面的光刻膠超聲波噴涂情況，軸對稱等距螺線的間距為圓形噴霧截面半徑的3°_ 5倍。
【專利摘要】本發(fā)明為一種光刻膠涂布軌跡的實施方法，應用于半導體制造領域中光刻膠涂布的工藝過程，適用于超聲波噴涂工藝和旋涂工藝中的光刻膠噴灑過程，解決了噴頭（或膠嘴）相對于晶片運動過程中的一類優(yōu)化問題，有助于提高膠膜的均勻性。該相對運動軌跡為原點對稱的等距螺線，本發(fā)明給出實現(xiàn)該運動軌跡的硬件條件和基于該硬件條件實現(xiàn)該運動軌跡所要遵循的數(shù)學描述。本發(fā)明可應用于發(fā)明所屬單位的噴膠設備、勻膠設備；也可以應用于切削加工領域，如平面銑削加工。
【IPC分類】G03F7-16
【公開號】CN104570609
【申請?zhí)枴緾N201310524314
【發(fā)明人】劉瑩
【申請人】沈陽芯源微電子設備有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月29日