本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶面板的尺寸越多越大，分辨率越做越高，每一行掃描線的開(kāi)啟時(shí)間會(huì)被進(jìn)一步壓縮。例如，fhd(fullhighdefinition，全高清)面板的像素為1920×1080)，在畫(huà)面刷新頻率為60hz的情況下，每一行掃描線的開(kāi)啟時(shí)間約為1/(60*1080)≈15.4ms；而uhd(ultrahighdefinition，超高清)面板的分辨率一般為3840×2160，在畫(huà)面刷新頻率為60hz的情況下，每一行掃描線的開(kāi)啟時(shí)間約為1/(60*2160)≈7.7ms。由于掃面線的開(kāi)啟時(shí)間由于分辨率提高而壓縮，從而可能會(huì)引發(fā)液晶面板充電不足情況的發(fā)生，從而使畫(huà)面顯示效果降低。現(xiàn)有技術(shù)中，通常的解決手段是增加掃描線和數(shù)據(jù)線的線寬或者增加掃描線和數(shù)據(jù)線的膜厚。但是增加掃描線和數(shù)據(jù)線的線寬會(huì)損失畫(huà)素的開(kāi)口率、降低液晶面板的穿透率；而增加掃描線和數(shù)據(jù)線的膜厚又會(huì)提高生產(chǎn)成本且對(duì)后段制程的良率造成一定影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法，能夠在不損失畫(huà)素的開(kāi)口率、保證液晶面板的穿透率及保證所述液晶面板良率的同時(shí)改善所述液晶面板的充電性能，使得在較短的掃描線開(kāi)啟時(shí)間內(nèi)保證液晶面板充電充足。

一種液晶顯示面板，其特征在于，包括陣列排布的多個(gè)第一薄膜晶體管及陣列排布的多個(gè)第二薄膜晶體管；每一所述第一薄膜晶體管對(duì)應(yīng)電連接有一像素電極，多個(gè)所述第二薄膜晶體管均位于多個(gè)所述第一薄膜晶體管形成的矩陣的奇數(shù)行上或者均位于所述矩陣的偶數(shù)行，且每個(gè)所述第二薄膜晶體管位于與其同一行的兩個(gè)相鄰的所述第一薄膜晶體管之間；第n行上的所述第二薄膜晶體管與第n+1行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極及第n+2行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極進(jìn)行電連接，當(dāng)采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)所述液晶顯示面板，開(kāi)啟第n行上的所述第二薄膜晶體管，使第n+1行的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與第n+2行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和，其中，n為大于零的自然數(shù)。

其中，所述液晶顯示面板還包括間隔且平行的多條數(shù)據(jù)線、間隔且平行的多條掃描線；所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線垂直且相互之間絕緣；所述第一薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極及像素電極，所述第二薄膜晶體管括柵極、源極及漏極；所述第一薄膜晶體管的漏極與一所述像素電極電連接，以實(shí)現(xiàn)所述薄膜晶體管與所述像素電極的電連接；多個(gè)第一薄膜晶體管陣列形成的矩陣中的第n行第m列的所述第一薄膜晶體管的柵極與第n條所述掃描線電連接，其漏極與第m條數(shù)據(jù)線電連接；第n行上的所述第二薄膜晶體管的柵極與第n條掃描線電連接，第n行上的所述第二薄膜晶體管的漏極/源極與第n+1行上的所述第一薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行電連接，且第n行上的所述第二薄膜晶體管的源極/漏極與第n+2行上的所述第一薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的像素電極進(jìn)行電連接，其中，n、m均為大于零的自然數(shù)其中，所述掃描線包括一條偽掃描線，所述偽掃描線位于第一條所述掃描線背離所述第二條掃描線的一側(cè)。

其中，所述偽掃描線與所述第一條掃描線及兩條所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有所述第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述偽掃描線電連接。

其中，所述液晶顯示面板還包括陣列排布的多個(gè)像素，所述像素與所述第一薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)并通過(guò)相應(yīng)的所述第一薄膜晶體管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，每個(gè)所述像素的電位極性與同其相鄰的所述像素的電位極性均相反。

其中，所述像素的電位極性包括正極性電位及與所述正極性電位電位極性相反的負(fù)極性電位，所述正極性電位包括最大電位值，所述負(fù)極性電位包括最小電位值，所述最大電位值與所述最小電位值中和得到共電極電位值。

其中，第m列的所述第二薄膜晶體管位于第m+1條數(shù)據(jù)線與第m條數(shù)據(jù)線之間。本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板驅(qū)動(dòng)方法，包括：

提供上述的液晶顯示面板；開(kāi)啟多個(gè)第一薄膜晶體管陣列形成的矩陣中的任一奇數(shù)行上的所述第二薄膜晶體管，使該行上的所述第二薄膜晶體管的所述源極及所述漏極導(dǎo)通，以使與該行相鄰的偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷與所述偶數(shù)行相鄰的另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷中和；

驅(qū)動(dòng)所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管，并向所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管中充入正極性電壓/負(fù)極性電壓；

驅(qū)動(dòng)所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管，并向所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管中充入負(fù)極性電壓/正極性電壓。

其中，所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電位與所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷中和后，所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷與所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷相同。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置，包括液晶顯示裝置本體及上述的液晶顯示面板，所述液晶顯示裝置本體與所述的液晶顯示面板電連接。

本發(fā)明提供的液晶顯示面板，通過(guò)在每一條奇數(shù)行的掃描線或者在每一條偶數(shù)行的掃描線上相鄰的兩個(gè)所述第一薄膜晶體管之間增加一所述第二薄膜晶體管，并將第n行的一個(gè)所述第二薄膜晶體管的源極與漏極分別電連接第n+1行及第n+2行的一個(gè)薄膜晶體管的像素電極電連接。在對(duì)與所述第二薄膜晶體管的源極與漏極電連接的所述薄膜晶體管的像素電極充電前，通過(guò)所述第二薄膜晶體管對(duì)所述第二薄膜晶體管的源極與漏極電連接的所述薄膜晶體管的像素電極進(jìn)行電中和，從而降低與所述第二薄膜晶體管的源極與漏極電連接的所述薄膜晶體管的像素電極與所述薄膜晶體管需要充入電位之間的電位差，從而降低與所述第二薄膜晶體管的源極與漏極電連接的所述薄膜晶體管的像素電極所需要充入的電壓，進(jìn)而在較短的時(shí)間內(nèi)完成液晶面板的充電，提高液晶面板的畫(huà)面品味及液晶面板可靠性。

附圖說(shuō)明

為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的所述液晶顯示面板的示意圖；

圖2是圖1所述的液晶顯示面板的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例的所述液晶顯示面板的示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的所述液晶顯示面板驅(qū)動(dòng)方式流程圖。

具體實(shí)施例

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。其中，附圖僅用于示例性說(shuō)明，表示的僅是示意圖，不能理解為對(duì)本專(zhuān)利的限制。

請(qǐng)一并參閱圖1及圖2，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板100。所述液晶顯示面板100包括陣列基板、彩膜基板及液晶層。所述陣列基板與所述彩膜基板相對(duì)且平行間隔設(shè)置，所述液晶層位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間。所述彩膜基板朝向所述液晶層的一面層疊有一公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)陣列排布的公共電極區(qū)域，且且多個(gè)所述公共電極區(qū)域彼此相連。所述陣列基板包括多條間隔且平行的數(shù)據(jù)線10、多條間隔且平行的掃描線20、多個(gè)陣列排布的第一薄膜晶體管30及多個(gè)陣列排布的第二薄膜晶體管40。所述掃描線10與所述數(shù)據(jù)線20垂直且相互之間絕緣。

所述數(shù)據(jù)線10與所述掃描線20位于不同的層，且所述數(shù)據(jù)線10與所述掃描線20之間通過(guò)絕緣層進(jìn)行絕緣。所述本發(fā)明實(shí)施例中，多條所述掃描線20水平設(shè)置并沿垂直方向間隔排列，多條所述數(shù)據(jù)線10垂直設(shè)置并沿水平方向間隔排列。

為了方便描述，對(duì)所述掃描線(gateline，gl)20進(jìn)行編號(hào)，其中，按照從上至下的順序分別將所述掃描線20命名為第一條掃描線gl(1)、第二條掃描線gl(2)，…，第n條掃描線gl(n)、第(n+1)條掃描線gl(n+1)，第(n+2)條掃描線gl(n+2)，…，第p條掃描線gl(p)，其中，n為正整數(shù)，p為正整數(shù)，且p大于n，其中，p為多條所述掃描線20的數(shù)目。同樣地，對(duì)所述數(shù)據(jù)線(dataline，dl)10進(jìn)行編號(hào)，其中，按照從左至右的順序分別將所述數(shù)據(jù)線10命名為第一條數(shù)據(jù)線dl(1)、第二條數(shù)據(jù)線dl(2)，…，第m條數(shù)據(jù)線dl(m)、第(m+1)條數(shù)據(jù)線dl(m+1)，…，第q條數(shù)據(jù)線dl(q)，其中，m為正整數(shù)，q為正整數(shù)，且q大于m，其中q為多條所述數(shù)據(jù)線10的數(shù)目。

兩條相鄰的所述掃描線20及兩條相鄰的所述數(shù)據(jù)線10定義一個(gè)像素區(qū)域11，進(jìn)而使得多條所述掃描線20及多條所述數(shù)據(jù)線10定義形成多個(gè)陣列排布的所述像素區(qū)域11，每個(gè)所述像素區(qū)域11與一個(gè)所述公共電極區(qū)域相對(duì)。每個(gè)所述像素區(qū)域11內(nèi)設(shè)有一所述第一薄膜晶體管30，設(shè)于所述像素區(qū)域11內(nèi)的所述第一薄膜晶體管30陣列排列形成矩陣。所述矩陣的偶數(shù)行上設(shè)有多個(gè)所述第二薄膜晶體管40，或者所述矩陣的奇數(shù)行上設(shè)有一所述第二薄膜晶體管40。即所述第二薄膜晶體管40均位于所述矩陣的偶數(shù)行上或者均位于所述矩陣的奇數(shù)行上，且每個(gè)所述第二薄膜晶體管40位于與其同一行的兩個(gè)相鄰的所述第一薄膜晶體管30之間。本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二薄膜晶體管40位于所述矩陣的奇數(shù)行上。

所述第一薄膜晶體管30包括源極、漏極及柵極，且每一個(gè)所述第一薄膜晶體管30通過(guò)所述源極均與一像素電極進(jìn)行電連接。所述柵極與一所述掃描線20電連接，所述漏極與一所述柵極線10進(jìn)行電連接。本發(fā)明中，第n行第m列的所述第一薄膜晶體管10，其柵極與第n條所述掃描線gl(n)進(jìn)行電連接，其漏極與第m條所述數(shù)據(jù)線dl(m)電連接。所述第一薄膜晶體管30可以為非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶薄膜晶體管、高溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中任一種。其中，n、m均為大于零的自然數(shù)。

所述第二薄膜晶體管40包括源極、漏極及柵極。所述柵極與一所述掃描線20電連接，所述源極及所述漏極分別與一所述所述第一薄膜晶體管30點(diǎn)連接誒的像素電極電連接。本發(fā)明中，所述第n行第m列的所述第二薄膜晶體管40，其柵極與第n條所述掃描線gl(n)進(jìn)行電連接，其漏極/源極與第n+1行第m列的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極進(jìn)行電連接，其源極/漏極與第n+2行第m列的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極進(jìn)行電連接。并且，第m列的所述第二薄膜晶體管40位于第m+1條數(shù)據(jù)線與第m條數(shù)據(jù)線之間，從而使得所述所述第二薄膜晶體管40的源極及漏極與其它所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極進(jìn)行電連接時(shí)，所述第二薄膜晶體管40的源極及漏極不需要跨過(guò)一條所述數(shù)據(jù)線10才能與其它所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極進(jìn)行電連接，從而減少跨線，保證所述液晶顯示面板100的品質(zhì)。本發(fā)明中，所述第二薄膜晶體管也為的非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶薄膜晶體管、高溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中任一種。并且，本實(shí)施例中，由于所述第二薄膜晶體管40位于所述矩陣的奇數(shù)行上，所述第二薄膜晶體管40的柵極均與奇數(shù)行的所述掃描線相連，如掃描線gl(1)、gl(3)等等。進(jìn)一步的，所述液晶顯示面板100包括陣列排布的多個(gè)陣列排布的像素50。每個(gè)所述像素50位于一個(gè)所述像素區(qū)域11內(nèi)。每個(gè)所述像素50包括一所述像素區(qū)域11內(nèi)設(shè)的所述第一薄膜晶體管30及與該像素區(qū)域11對(duì)應(yīng)的公共電極區(qū)域及位于所述第一薄膜晶體管30與所述公共電極區(qū)域之間的液晶區(qū)域。所述公共電極區(qū)域的電壓固定，通過(guò)向所述第一薄膜晶體管30內(nèi)充入正極性電壓或者負(fù)極性電壓，從而能夠驅(qū)動(dòng)所述像素呈現(xiàn)正極性電位或者與所述正極性電位電位極性相反的負(fù)極性電位。本實(shí)施例中，所述液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方式為點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式，即每個(gè)所述像素50的電位極性與任一同其相鄰的所述像素50的電位極性均相反。所述正極性電位包括最大電位值，所述負(fù)極性電位包括最小電位值，所述最大電位值與所述最小電位值中和得到共電極電位值，所述共電極電位值與所述公共電極區(qū)域的所述電位值相同。通常情況下，所述正極性電位的最大電位值為14v，所述負(fù)極性電位的最小電位值為0v，所述共電極電位值為7v。

驅(qū)動(dòng)所述液晶顯示面板100進(jìn)行畫(huà)面顯示時(shí)，向所述掃描線30輸入啟動(dòng)電壓，開(kāi)啟與所述掃描線20電連接的第一薄膜晶體管30及所述第二薄膜晶體管40，使得所述第一薄膜晶體管30的源極與漏極導(dǎo)通，所述第二薄膜晶體管40的源極與漏極也導(dǎo)通。通過(guò)所述數(shù)據(jù)線10向與所述數(shù)據(jù)線電連接的所述第一薄膜晶體管充入正極性電壓或者負(fù)極性電壓，即通過(guò)所述數(shù)據(jù)線10及導(dǎo)通的所述第一薄膜晶體管30的源極與漏極向所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極進(jìn)行充電至正極性最高電位值14v或所述像素電極向所述數(shù)據(jù)線10進(jìn)行放電至負(fù)極性最低電位值0v，從而使得所述第一薄膜晶體管30對(duì)應(yīng)的像素中液晶兩端產(chǎn)生正極性壓差或負(fù)極性壓差，即所述像素呈現(xiàn)正極性電位或者負(fù)極性電位。本發(fā)明中，由于所述第二薄膜晶體管40的源極與漏極分別與一所述第一薄膜晶體管30電連接，當(dāng)所述所述第二薄膜晶體管40的源極與漏極導(dǎo)通時(shí)，與所述第二薄膜晶體管40的源極與漏極分別電連接的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極中的電荷進(jìn)行中和。

例如，向第n行所述掃描線30輸入啟動(dòng)電壓，開(kāi)啟第n行的所述第一薄膜晶體管30及所述第二薄膜晶體管40。通過(guò)所述數(shù)據(jù)線20為第n行的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極充電或者第n行的所述第一薄膜晶體管30向所述數(shù)據(jù)線20進(jìn)行放電，所述第二薄膜晶體管40的源極或者漏極導(dǎo)通。本實(shí)施例中，由于所述液晶顯示面板10為驅(qū)動(dòng)方式為點(diǎn)反轉(zhuǎn)，即相鄰的兩個(gè)所述像素50上的電位極性相反。因此，當(dāng)?shù)趎行的所述第一薄膜晶體管30的源極及漏極導(dǎo)通后，與第n行的所述第一薄膜晶體管30電連接的第n+1行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極及第n+2行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極上的電荷中和。本實(shí)施例中，正極性電位的所述像素中的所述第一薄膜晶體管30電連接的所述像素電極為最高電位值14v，負(fù)極性電位的所述像素中的所述第一薄膜晶體管30電連接的所述像素電極為最低電位值0v。第n行的所述第一薄膜晶體管30電連接的第n+1行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極及第n+2行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極上的電荷中和后，第n+1行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極及第n+2行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極上的電位值為共電位值7v。

因此，當(dāng)通過(guò)所述掃描線30向所述第n+1行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極充電/放電及第n+2行上的所述像素電極進(jìn)行放電/充電的電量均只為7v，與現(xiàn)有技術(shù)中充電電量與放電電量14v相比，充放電電量減少了一半。從而能夠?qū)崿F(xiàn)在保持所述液晶顯示面板的所述掃描線20及數(shù)據(jù)線30的結(jié)構(gòu)下，實(shí)現(xiàn)對(duì)所述液晶顯示面板的快速充電，從而能夠在不損失畫(huà)素的開(kāi)口率、保證液晶面板的穿透率及保證所述液晶面板良率的同時(shí)改善所述液晶面板的充電性能，使得在較短的掃面線開(kāi)啟時(shí)間內(nèi)保證液晶面板充電充足。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種液晶顯示面板200，所述液晶顯示面板200與上述液晶顯示面板100的差別在于：本實(shí)施例中所述液晶顯示面板200的所述掃描線20還包括一條偽掃描線gl(0)，所述偽掃描線gl(0)位于第一條所述掃描線gl(1)背離所述第二條掃描線gl(2)的一側(cè)，所述第二薄膜晶體管40位于偶數(shù)行的每個(gè)所述像素區(qū)域11。并且，所述偽掃描線gl(0)與所述第一條掃描線gl(1)及兩條所述數(shù)據(jù)線之間也設(shè)有所述第二薄膜晶體管40，且不設(shè)所述第一薄膜晶體管30。所述第二薄膜晶體管的柵極與所述偽掃描線gl(0)電連接。并且，本實(shí)施例中，所述第二薄膜晶體管40位于矩陣的偶數(shù)行上，即所述第二薄膜晶體管40的柵極與偶數(shù)行的所述掃描線進(jìn)行連接，如掃描線gl(2)、gl(4)等等。所述偽掃描線gl(0)為dummy線，通過(guò)所述偽掃描線gl(0)用于驅(qū)動(dòng)與其連接的所述第二薄膜晶體管40，從而能夠使與該第二薄膜晶體管40連接的第一行的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極與第二行的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極的電荷進(jìn)行中和。從而避免所述第一行的薄膜晶體管電連接的像素電極不能夠與所述第二薄膜晶體管40進(jìn)行電連接的情況。從而保證所述液晶顯示面板100內(nèi)的所有所述第一薄膜晶體管30均能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電。

請(qǐng)參閱圖圖4，本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板驅(qū)動(dòng)方法。本實(shí)施例中，所述液晶顯示面板驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)所述液晶顯示面板100，包括：

步驟101、提供所述液晶顯示面板100。

步驟102、開(kāi)啟多個(gè)第一薄膜晶體管陣列形成的矩陣中的任一奇數(shù)行上的所述第二薄膜晶體管，使該行上的所述第二薄膜晶體管的所述源極及所述漏極導(dǎo)通，以使與該行相鄰的偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述偶數(shù)行相鄰的另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和。所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電位與所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和后，所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管的像素電極的電荷相同。

以所述第一行的所述第二薄膜晶體管40及與所述第二薄膜晶體管40相連的第二行及第三行的所述第一薄膜晶體管30為例進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)所述第一行的掃描線gl(1)對(duì)第一行的所述第二薄膜晶體管40進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。從而開(kāi)啟第一行的所述第二薄膜晶體管40，使第一行的所述第二薄膜晶體管40的所述源極及所述漏極導(dǎo)通，以使所述第二行上的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極的電荷與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極的電荷中和。所述第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電位與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和后，所述第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷相同。本實(shí)施例中，所述第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷均為7v。

可以理解的是，當(dāng)所述第二薄膜晶體管位于所述矩陣的偶數(shù)行時(shí)，開(kāi)啟所述矩陣中的任一偶數(shù)行上的所述第二薄膜晶體管，使該行上的所述第二薄膜晶體管的所述源極及所述漏極導(dǎo)通，以使與該行相鄰的奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述奇數(shù)行相鄰的另一偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和。所述奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電位與所述另一偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和后，所述奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述另一偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷相同。具體的，當(dāng)

步驟103、驅(qū)動(dòng)所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管，并向所述偶數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管中充入正極性電壓/負(fù)極性電壓。

舉例說(shuō)明，完成所述步驟102中所述第二行上的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極的電荷與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管30電連接的像素電極的電荷中和后，通過(guò)所述第二行的掃描線gl(2)對(duì)第二行所述第一薄膜晶體管30進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)，開(kāi)啟第二行的所述第一薄膜晶體管30，通過(guò)奇數(shù)列/偶數(shù)列的所述數(shù)據(jù)線向第二行的所述第一薄膜晶體管30中奇數(shù)列/偶數(shù)列的所述第一薄膜晶體管30充入正極性電壓，通過(guò)偶數(shù)列/奇數(shù)列的所述數(shù)據(jù)線向第二行的所述第一薄膜晶體管30中偶數(shù)列/奇數(shù)列的所述第一薄膜晶體管30充入負(fù)極性電壓。例如，當(dāng)向第二行第m列的所述第一薄膜晶體管30中充入正極性電壓；向第二行第m+1列的所述第一薄膜晶體管30中充入負(fù)極性電壓。其中，m為任意大于零的自然數(shù)。由于所述第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極與所述第三行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷均為7v，因此，不管對(duì)第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極充入負(fù)極性電壓至最低電位值(0v)或正極性電壓至最高電位值(14v)，充入第二行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電壓均只為7v，相比于現(xiàn)有技術(shù)中從最低電位值(0v)充至最高電位值(14v)或從最高電位值(14v)放電至最低電位值(0v)所需要充入14v的電壓來(lái)說(shuō)，大大降低了充放電量，從而大大的減少充電時(shí)間，保證進(jìn)而在較短的時(shí)間內(nèi)完成液晶面板的充電，提高液晶面板的畫(huà)面品味及液晶面板可靠性。

步驟104、驅(qū)動(dòng)所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管，并向所述另一奇數(shù)行上的所述第一薄膜晶體管中充入負(fù)極性電壓/正極性電壓。

舉例說(shuō)明，完成所述步驟102中對(duì)第二行的所述第一薄膜晶體管30的充電后，通過(guò)第三行的掃描線gl(3)對(duì)第三行所述第一薄膜晶體管進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)通過(guò)奇數(shù)列/偶數(shù)列的所述數(shù)據(jù)線向第三行的所述第一薄膜晶體管中奇數(shù)列/偶數(shù)列的所述第一薄膜晶體管充入負(fù)極性電壓，通過(guò)偶數(shù)列/奇數(shù)列的所述數(shù)據(jù)線向第三行的所述第一薄膜晶體管中偶數(shù)列/奇數(shù)列的所述第一薄膜晶體管充入正極性電壓。例如，當(dāng)向第二行第m列的所述第一薄膜晶體管30中充入正極性電壓，則向第三行第m列的所述第一薄膜晶體管30中充入負(fù)極性電壓，向第三行第m+1列的所述第一薄膜晶體管30中充入正極性電壓。

并且，所述第三行的掃描線gl(3)對(duì)第三行所述第二薄膜晶體管進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)，開(kāi)啟第三行的所述第二薄膜晶體管，使第三行的所述第二薄膜晶體管的所述源極及所述漏極導(dǎo)通，以使所述第四行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷與所述第五行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極的電荷中和，再對(duì)第四行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極及所述第五行上的所述第一薄膜晶體管電連接的像素電極進(jìn)行充電，并按照上述步驟依次完成其它各行的所述第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)及充放電，從而完成一幀畫(huà)面的顯示。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置200，所述液晶顯示裝置200包括液晶顯示裝置本體210及上述的液晶顯示面板100，所述液晶顯示裝置本體210與所述的液晶顯示面板100電連接。

以上所述為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。