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光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層材料的制作方法

文檔序號:2709679閱讀:237來源:國知局
光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層材料的制作方法
【專利摘要】描述了光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層。還批露了組合物和形成該組合物的方法,以及所得微電子結構。減反射組合物包括多官能度環(huán)氧化合物,其具有多個從其側接的環(huán)氧部分和一種或更多種連接到該多官能度環(huán)氧化合物的可交聯(lián)的發(fā)色團。所述化合物和乙烯基醚交聯(lián)劑一起分散或溶解于溶劑體系中,且可用來構建用于微電子制造的可交聯(lián)的和可去交聯(lián)的涂層。
【專利說明】光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層材料
[0001] 相關申請的交叉參考
[0002] 本申請要求于2012年4月23日提交的、題為"小分子、光敏性、可溶于顯影劑 的底部減反射涂層材料(SMALLMOLECULE,PHOTOSENSITIVE,DEVELOPER-SOLUBLEBOTTOM ANTI-REFLECTIVECOATINGMATERIAL)的美國臨時專利申請系列號61/636, 919的優(yōu)先權, 該文的全部內(nèi)容通過引用納入本文。
[0003] 背景 發(fā)明領域
[0004] 本發(fā)明涉及新的減反射涂層制劑,其使用方法和由其形成的微電子結構。
[0005] 相關技術的描述
[0006] 底部減反射涂層通常分為干蝕刻的或可溶于顯影劑的。干蝕刻的底部減反射涂層 是熟知的,且要么是應用于某些溶劑中且不溶于光刻膠溶劑的熱塑性材料,要么是交聯(lián)的 并因此變得不溶于光刻膠溶劑的熱固性材料??扇苡陲@影劑的底部減反射涂層分為非光敏 性(各向同性顯影)或光敏性的(各向異性顯影)。非光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射 涂層可為熱塑性材料,其可為應用于某些溶劑中且不溶于光刻膠溶劑的熱塑性材料,但具 有酸基團使得聚合物可溶于堿性顯影劑。非光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層還可 以是部分交聯(lián)的熱固性材料,其保留足夠的酸官能度且仍然可溶于堿性顯影劑。光敏性底 部減反射涂層具有酸不溫度的交聯(lián),其通過光致生酸劑活化。其它交聯(lián)的光敏性底部減反 射涂層是已知的,但交聯(lián)的性質(zhì)和顯影劑溶解度的來源不清楚。其它光敏性底部減反射涂 層的性能更像光刻膠,因為在堿中的溶解主要是通過在聚合物中產(chǎn)生酸單元的酸不穩(wěn)定基 團的解離來取得。
[0007] 之前的光敏性、可溶于顯影劑的底部減反射涂層包括丙烯酸酯三元共聚物,其包 括發(fā)色團、交聯(lián)單元和酸不穩(wěn)定基團。這些三元聚合物提供在更大的臨界尺寸(CD)上良好 的性能,但分辨率要求提高,且這種化學不能取得較小特征所必須的分辨率。三元聚合物的 分子量也變成了一個問題,因為它更難溶解,和隨后完全去除在堿性顯影劑中的大分子。
[0008] 因此,本領域仍需要改善的材料來制備底部減反射涂層。
[0009] 概述
[0010] 本發(fā)明總體涉及用于微電子制造的光敏性、可溶于顯影劑的減反射組合物。所述 組合物包括多官能度環(huán)氧化合物,該多官能度環(huán)氧化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物 上的一種或更多種可交聯(lián)的發(fā)色團。將該化合物與乙烯基醚交聯(lián)劑和任選的光致生酸劑分 散或溶解于溶劑體系中。
[0011] 本文還描述了形成微電子結構的方法。所述方法包括提供具有表面和在其上面形 成的任選的一種或更多種中間層的基片;在所述基片表面上形成所述光敏性、可溶于顯影 劑的減反射層,或者如果存在最上面的中間層時在該最外面的中間層上形成所述光敏性、 可溶于顯影劑的減反射層;和在所述減反射層上形成成像層。所述減反射層由減反射組合 物形成,該減反射組合物包括分散或溶解于溶劑體系中的多官能度環(huán)氧化合物和乙烯基醚 交聯(lián)劑,其中所述多官能度環(huán)氧化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物上的一種或更多種 可交聯(lián)的發(fā)色團。
[0012] 本發(fā)明還涉及微電子結構,該微電子結構包括具有表面和在其上面形成的任選的 一種或更多種中間層的基片;鄰近所述基片表面上的固化的光敏性、可溶于顯影劑的減反 射層,或者如果存在最上面的中間層時鄰近該最外面的中間層的固化的光敏性、可溶于顯 影劑的減反射層;和鄰近所述減反射層的成像層。所述減反射層由減反射組合物形成,該減 反射組合物包括分散或溶解于溶劑體系中的多官能度環(huán)氧化合物和乙烯基醚交聯(lián)劑,其中 所述多官能度環(huán)氧化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物上的一種或更多種可交聯(lián)的發(fā) 色團。
[0013] 附圖簡要說明
[0014] 圖1顯示了用于實施例2的照相平版印刷結果的掃描電子顯微鏡(SEM)橫截面圖 像,顯示了 150納米的特征;
[0015] 圖2是實施例4的照相平版印刷結果的SEM橫截面圖像,顯示了 130納米的特征;
[0016] 圖3是實施例6的照相平版印刷結果的SEM橫截面圖像,顯示了各種特征尺寸;
[0017] 圖4是實施例10的照相平版印刷結果的自上而下的SEM圖像,顯示了 130納米的 特征;和
[0018] 圖5是實施例12的照相平版印刷結果的SEM橫截面圖像,顯示了各種特征尺寸。
[0019] 優(yōu)選實施方式詳述
[0020] 本發(fā)明涉及用作減反射涂層的組合物,其使用方法和微電子結構。減反射涂層是 可靠的光敏性、可溶于顯影劑的材料,其可用于半導體工業(yè)中的許多新興技術。例如,減反 射涂層可用于KrF和ArF照相平版印刷,且還可結合進入注入層和成像層。它們特別可用 于注入應用,其中在減反射涂層下面的基片和光刻膠對干(等離子體)蝕刻比較敏感,因此 將使用濕(堿性顯影劑)蝕刻。這些材料還可用于需要使用可溶于顯影劑的涂層的任何區(qū) 域。
[0021] 當固化時,該組合物優(yōu)選地不溶于有機溶劑和光刻膠顯影劑,但當存在酸時可去 交聯(lián)并用水性堿性顯影劑去除。在一些方面中,當曝光(193-365納米)并隨后進行曝光后 烘烤時,可對固化的(即,交聯(lián)的)減反射涂層組合物進行去交聯(lián)。即,所述組合物是固有 的光敏性的,且可通過在至少2mJ/cm2的光下曝光來進行圖案化。在其它方面中,在曝光對 固化的組合物進行去交聯(lián)時,所述組合物依賴于來自另一層(例如光刻膠)的酸擴散。在 任一情況下,這使得減反射涂層的曝光部分和未曝光部分具有不同的溶解速率,允許曝光 的部分選擇性地除去,同時不會除去未被曝光的部分。因此,在兩個方面中,發(fā)明性底部減 反射涂層組合物都是可濕顯影的。在本文中,所用術語"可溶于顯影劑"或者"可濕顯影的" 含義相同,表示所述組合物在曝光之后能夠變得可溶于堿性顯影劑,因此可以如本文所述 基本上用常規(guī)的堿性顯影劑除去。
[0022] 所述組合物包括分散或溶解于溶劑體系的多官能度環(huán)氧化合物。術語"多官能度 環(huán)氧化合物"指包括從核單元側接的至少兩種環(huán)氧部分的化合物。如本文所使用,術語"環(huán) 氧部分"或"多種環(huán)氧部分"同時指封閉的環(huán)氧化物環(huán)和開環(huán)的(反應的)環(huán)氧基團,及其 衍生物,例如反應的或未反應的縮水甘油基、縮水甘油基醚等。所述化合物可以是具有從 中央核單元輻射的多個環(huán)氧部分的非聚合物化合物,或者它們可以是具有從聚合物核單元 (即,聚合物骨架)側接的多個環(huán)氧部分的聚合物化合物。使用術語"非聚合物"來指所述 化合物不具有含通常通過聚合形成的重復單元的聚合物(低聚物)骨架的化合物。本文中 所用術語"聚合物"和"低聚物"具有相同意義,并定義為指具有含單體重復單元的骨架的 化合物。無論如何,多官能度環(huán)氧化合物的重均分子量為至少約800道爾頓,優(yōu)選地約 800-約50, 000道爾頓,更優(yōu)選地約800道爾頓-約15, 000道爾頓。
[0023] 如上所述,多官能度環(huán)氧化合物包括核單元,其可為非聚合物化合物的中央核或 者聚合物化合物的骨架,且在任一情況下包括連接到該核單元的多個環(huán)氧部分。核單元可 包括(主要由下述組成或者由下述組成):單一的芳香族化合物、直鏈或支鏈分子,和/或 丙烯酸類、聚酯、環(huán)氧樹脂/甲酚酚醛清漆、聚醚、多糖、和/或聚酰亞胺/聚酰胺的單體重 復單元,且具有從其側接的環(huán)氧基團。在一種或更多種實施方式中,核單元包括約1-約 10, 000環(huán)氧部分,優(yōu)選地約2-約2, 000環(huán)氧部分,更優(yōu)選地約3-約2, 000環(huán)氧部分。還 可選定核單元使其在感興趣的波長(193nm-365nm)具有光吸收性質(zhì),從而進一步增強組合 物的減反射特征。
[0024] 合適的核單元前體包括含多官能度縮水甘油基的材料,例如三(2, 3-環(huán)氧丙基) 異氫脲酸酯,三(4-輕基苯基)甲燒三縮水甘油基醚,三輕甲基丙燒(trimethylopropane) 三縮水甘油基醚,聚(乙二醇)二縮水甘油基醚,二[4_ (縮水甘油基氧基)苯基]甲烷, 雙酚A二縮水甘油基醚,1,4- 丁二醇二縮水甘油基醚,間苯二酚二縮水甘油基醚,4-羥 基苯甲酸二縮水甘油基醚,甘油二縮水甘油基醚,4, 4'-亞甲基二(N,N-二縮水甘油基苯 胺),單烯丙基二縮水甘油基異氫脲酸酯,四(環(huán)氧乙烷(oxiranyl)甲基)苯_1,2, 4, 5-四 羧酸酯,二(2, 3-環(huán)氧丙基)對苯二甲酸酯,和三(環(huán)氧乙烷甲基)苯_1,2, 4-三羧酸酯。 其它合適的核單元前體包括1,3-二(2, 4-二(縮水甘油基氧基)苯基)金剛烷,1,3-二 (1-金剛烷基)-4, 6-二(縮水甘油基氧基)苯,1- (2',4' -二(縮水甘油基氧基)苯基) 金剛烷,和1,3-二(4'-縮水甘油基氧基苯基)金剛烷。聚合物核單元可包括聚[(苯基縮 水甘油基醚)_共聚-甲醛],聚[(鄰-甲苯基縮水甘油基醚)_共聚-甲醛],聚(甲基丙 烯酸縮水甘油基酯),聚(雙酚A-共聚-表氯醇)-縮水甘油基封端的,聚(苯乙烯-共 聚-甲基丙烯酸縮水甘油基酯),和聚(甲基丙烯酸叔丁基酯-共聚-甲基丙烯酸縮水甘 油基醋)。
[0025] 在一種或更多種實施方式中,多官能度環(huán)氧化合物還包括一種或更多種連接到該 多官能度環(huán)氧化合物的可交聯(lián)的發(fā)色團,更優(yōu)選地至少兩種連接到該多官能度環(huán)氧化合 物的可交聯(lián)的發(fā)色團,甚至更優(yōu)選地至少三種連接到該多官能度環(huán)氧化合物的可交聯(lián)的 發(fā)色團。合適的可交聯(lián)的發(fā)色團包括取代的或未取代的光衰減部分,例如芳香族、脂肪族、 含硫和/或含鹵素的化合物等。術語"可交聯(lián)的發(fā)色團"指光衰減部分,其包括在將發(fā)色團 連接到多官能度環(huán)氧化合物之后仍然是游離的(即,未反應的)可交聯(lián)的基團。因此,應理 解這種可交聯(lián)的基團不應與多官能度環(huán)氧化合物上的環(huán)氧部分反應,從而在所得化合物中 它們?nèi)匀皇怯坞x的。在一種或更多種實施方式中,可交聯(lián)的發(fā)色團包括約1-10可交聯(lián)的基 團,和優(yōu)選地約2-10可交聯(lián)的基團。在一種或更多種實施方式中,各官能度環(huán)氧化合物包 括至少三種連接到該多官能度環(huán)氧化合物的發(fā)色團,且各發(fā)色團包括至少一種可交聯(lián)的基 團。換句話說,在優(yōu)選地實施方式中,多官能度環(huán)氧化合物將包括至少3個可交聯(lián)的位點。 特別優(yōu)選地可交聯(lián)的基團包括反應性的且能用乙烯基醚交聯(lián)劑交聯(lián)的那些基團。示例性可 交聯(lián)的基團包括羥基(-0H),酚類(Ar-OH),和/或羧酸(-COOH)。
[0026] 在一種或更多種實施方式中,通過各環(huán)氧部分將可交聯(lián)的發(fā)色團連接到多官能度 環(huán)氧化合物。因此,除了可交聯(lián)的基團以外,還用至少一種環(huán)氧反應性位點來取代(在與多 官能度環(huán)氧化合物連接之前)這種發(fā)色團,例如羧酸、酚、醇、硫醇和/或胺部分。在一種或 更多種實施方式中,合適的發(fā)色團將具有不大于兩個環(huán)氧反應性位點。應理解,可作為開環(huán) 反應的一部分將發(fā)色團連接至環(huán)氧部分?;蛘撸珊罄m(xù)地通過開環(huán)部分(即開環(huán)之后)的 游離羥基,將發(fā)色團連接至環(huán)氧部分。因此,在一些實施方式中,可通過相同的環(huán)氧部分將 兩種發(fā)色團連接至多官能度環(huán)氧化合物。
[0027] 用于和多官能度環(huán)氧化合物連接的示例發(fā)色團前體包括1-羥基-2-萘甲 酸,2-羥基-1-萘甲酸,6-羥基-2-萘甲酸3-羥基-2-萘甲酸,1,4-二羥基-2-萘甲 酸,3, 5-二羥基-2-萘甲酸,3, 7-二羥基-2-萘甲酸,1,Γ-亞甲基-二(2-羥基-3-萘 甲酸),2, 3-二羥基苯甲酸,2, 4-二羥基苯甲酸,2, 6-二羥基苯甲酸,3, 4-二羥基苯甲 酸,3, 5-二羥基苯甲酸,3, 5-二羥基-4-甲基苯甲酸,3-羥基-2-蒽羧酸,1-羥基-2-蒽 羧酸,3-羥基-4-甲氧基扁桃酸,沒食子酸,和4-羥基苯甲酸。
[0028] 在催化劑存在下,發(fā)色團前體和選定的核單元前體反應,以形成多官能度環(huán)氧化 合物。合適的催化劑包括堿(有機/無機)、酸(有機/無機)、季銨鹽,和金屬催化劑,以 及相轉移劑例如銨鹽(例如,芐基三乙基氯化銨、芐基三甲基氯化銨)、鱗鹽(Phosphonium) 等。優(yōu)選地,在合適的溶劑中,當加熱到約100-約150°C(和優(yōu)選地約115-約125°C)的 溫度下時,使前體和催化劑反應約5-約30小時(和優(yōu)選地約15-約24小時)的時間段。 在一種或更多種實施方式中,然后,使反應混合物通過離子交換樹脂過濾,以除去任何殘留 的催化劑。優(yōu)選地,使反應混合物與離子交換樹脂混合約1-約10小時(和優(yōu)選地約2-約 6小時)的時間段。然后通過過濾,從反應混合物除去離子交換樹脂。如下文所更加詳細描 述,然后可沉淀和/或干燥所得多官能度環(huán)氧化合物,或者可直接使用母液來制備減反射 組合物。無論如何,當在微電子制造中使用減反射組合物時,從多官能度環(huán)氧化合物除去任 何殘留的催化劑優(yōu)選地減少最終設備中的缺陷。
[0029] 在一種或更多種實施方式中,多官能度環(huán)氧化合物包括具有下述通式的至少一種 權毎卻4V
【權利要求】
1. 一種用于微電子制造的光敏性、可溶于顯影劑的減反射組合物,所述組合物包括分 散或溶解于溶劑體系中的多官能度環(huán)氧化合物和己帰基離交聯(lián)劑,其中所述多官能度環(huán)氧 化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物上的一種或更多種可交聯(lián)的發(fā)色團。
2. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述可交聯(lián)的發(fā)色團選自下組;取代的或 未取代芳香族、脂肪族、含硫化合物和含團素化合物,包括約1-約10可交聯(lián)的基團。
3. 如權利要求2所述的組合物,其特征在于,所述可交聯(lián)的基團選自下組;-OH、Ar-OH 和-C00H。
4. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述可交聯(lián)的發(fā)色團通過各環(huán)氧部分連 接到多官能度環(huán)氧化合物。
5. 如權利要求4所述的組合物,其特征在于,所述多官能度環(huán)氧化合物包括具有下述 通式的至少一種環(huán)氧部分:
其中*是化合物的連接點,各y是0或1,各X是可交聯(lián)的發(fā)色團,各L獨立地是氨 基接頭、離接頭、硫接頭、硫離接頭、脫接頭、亞賴酸醋接頭、賴酸醋接頭、賴醜胺接頭、醋接 頭、碳酸醋接頭、氨基甲酸醋接頭、醜胺接頭、或尿素接頭,當存在時,各R獨立地是氧原子 或-邸2-,且各Ri獨立地是-H、焼基、賴酸醋基、醋基、碳酸醋基、氨基甲酸醋基或其功能化衍 生物。
6. 如權利要求5所述的組合物,其特征在于,L是醋接頭,且當存在時R是-0-。
7. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述多官能度環(huán)氧化合物選自下組:非聚 合物小分子、均聚物和不大于兩種不同共聚單體的共聚物。
8. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述多官能度環(huán)氧化合物是具有從中央 核單元福射的多個環(huán)氧部分的非聚合物化合物,或者是具有從聚合物核單元側接的多個環(huán) 氧部分的聚合物化合物。
9. 如權利要求8所述的組合物,其特征在于,所述核單元選自下組;單一的芳香族化合 物、直鏈或支鏈分子,和丙帰酸類、聚醋、環(huán)氧樹脂/甲酷酷酵清漆、聚離、多糖、聚醜亞胺和 聚醜胺的單體重復單元。
10. 如權利要求8所述的組合物,其特征在于,所述核單元包括下述重復單體:
其中各R2獨立地是未反應的環(huán)氧部分,或者是具有下述通式的開環(huán)的環(huán)氧部分:

其中*是化合物的連接點,各y是0或1,各X是可交聯(lián)的發(fā)色團,各L獨立地是氨 基接頭、離接頭、硫接頭、硫離接頭、脫接頭、亞賴酸醋接頭、賴酸醋接頭、賴醜胺接頭、醋接 頭、碳酸醋接頭、氨基甲酸醋接頭、醜胺接頭、或尿素接頭,當存在時,各R獨立地是氧原子 或-邸2-,且各Ri獨立地是-H、焼基、賴酸醋基、醋基、碳酸醋基、氨基甲酸醋基或其功能化衍 生物。
11. 如權利要求8所述的組合物,其特征在于,所述核單元包括下述重復單體:
其中y是0或1 ;各Ar是聚合的芳基;各R,獨立地是未反應的環(huán)氧部分,或者是具有 下述通式的開環(huán)的環(huán)氧部分:
其中*是化合物的連接點,各y是0或1,各X是可交聯(lián)的發(fā)色團,各L獨立地是氨 基接頭、離接頭、硫接頭、硫離接頭、脫接頭、亞賴酸醋接頭、賴酸醋接頭、賴醜胺接頭、醋接 頭、碳酸醋接頭、氨基甲酸醋接頭、醜胺接頭、或尿素接頭,當存在時,各R獨立地是氧原子 或-邸2-,且各Ri獨立地是-H、焼基、賴酸醋基、醋基、碳酸醋基、氨基甲酸醋基或其功能化衍 生物;且當存在時,各Rs是-邸2-。
12. 如權利要求8所述的組合物,其特征在于,所述核單元包括下述中央非聚合物核:
其中各n是1-10000,各R2獨立地是未反應的環(huán)氧部分,或者是具有下述通式的開環(huán)的 環(huán)氧部分:


其中*是化合物的連接點,各y是0或1,各X是可交聯(lián)的發(fā)色團,各L獨立地是氨 基接頭、離接頭、硫接頭、硫離接頭、脫接頭、亞賴酸醋接頭、賴酸醋接頭、賴醜胺接頭、醋接 頭、碳酸醋接頭、氨基甲酸醋接頭、醜胺接頭、或尿素接頭,當存在時,各R獨立地是氧原子 或-邸2-,且各Ri獨立地是-H、焼基、賴酸醋基、醋基、碳酸醋基、氨基甲酸醋基或其功能化衍 生物;且各
選自下組:環(huán)狀、非環(huán)狀、脂肪族和芳香族化合物,及其衍生物。
13. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述組合物主要由分散或溶解于溶劑體 系中的所述多官能度環(huán)氧化合物、所述己帰基離交聯(lián)劑和任選的光致生酸劑組成。
14. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述己帰基離交聯(lián)劑是下述通式的多官 能度己帰基離: R' -化-0 - CH =邸2)。, 其中R'選自芳基和焼基,各R4獨立地選自焼基,焼氧基,撰基,W及上述兩種或更 多種基團的組合,n至少是2。
15. 如權利要求1所述的組合物,其特征在于,所述多官能度環(huán)氧化合物通過在催化劑 存在下使發(fā)色團前體和核單元環(huán)氧前體反應形成反應混合物,并用離子交換樹脂過濾所述 反應混合物除去任何殘留的催化劑W得到所述多官能度環(huán)氧化合物來形成。
16. -種形成微電子結構的方法,所述方法包括: (a)提供具有表面的基片; 化)在所述表面上形成光敏性、可溶于顯影劑的減反射層,所述減反射層由減反射組合 物形成,該減反射組合物包括分散或溶解于溶劑體系中的多官能度環(huán)氧化合物和己帰基離 交聯(lián)劑,其中所述多官能度環(huán)氧化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物上的一種或更多種 可交聯(lián)的發(fā)色團;和 (C)在所述減反射層上形成成像層。
17. 如權利要求16所述的方法,其特征在于,所述方法還包括在形成步驟化)之后熱交 聯(lián)所述減反射層,其中所述交聯(lián)產(chǎn)生基本上不溶于光刻膠溶劑的減反射層。
18. 如權利要求17所述的方法,其特征在于,所述交聯(lián)通過所述可交聯(lián)的發(fā)色團上的 可交聯(lián)的基團來進行。
19. 如權利要求17所述的方法,其特征在于,所述方法還包括: (d) 將所述成像層和減反射涂層暴露于光W產(chǎn)生所述成像層和所述減反射涂層的曝光 部分;和 (e) 使所述成像層和減反射涂層和堿性顯影劑接觸,W從所述基片表面去除所述曝光

部分。
20. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,暴露步驟(d)導致將所述減反射層去交 聯(lián)。
21. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,所述減反射層在堿性顯影劑中具有初始 溶解度,其中在暴露步驟(d)之后,所述減反射層的所述曝光部分具有在堿性顯影劑中的 最終溶解度,所述最終溶解度大于所述初始溶解度。
22. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,在接觸步驟(e)之后,小于約5納米的減 反射涂層厚度仍然保留在所述曝光部分。
23. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,所述成像層和所述減反射涂層在接觸步 驟(e)之后分別具有在其中形成的開口,其中所述開口基本上對齊從而掲開所述基片表 面。
24. 如權利要求23所述的方法,所述方法還包括: 在所述結構導向離子從而使至少一些離子注入所述基片之內(nèi),從而在所述基片中形成 離子注入?yún)^(qū)域,其中所述離子注入?yún)^(qū)域在所述開口下方形成。
25. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,所述減反射組合物基本上不含生酸劑,且 其中在進行暴露步驟(d)之時所述成像層產(chǎn)生酸,該酸對所述減反射涂層的所述曝光部分 進行去交聯(lián)。
26. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,暴露步驟(d)導致在所述交聯(lián)劑和在所述 化合物上的所述可交聯(lián)的發(fā)色團之間形成的鍵斷開。
27. 如權利要求19所述的方法,其特征在于,暴露步驟(d)包括將所述成像層和所述減 反射暴露于波長約為193-365納米的光。
28. -種微電子結構,其包括: 具有表面的基片; 鄰近所述基片表面的固化的光敏性、可溶于顯影劑的減反射層,所述減反射層由減反 射組合物形成,該減反射組合物包括分散或溶解于溶劑體系中的多官能度環(huán)氧化合物和己 帰基離交聯(lián)劑,其中所述多官能度環(huán)氧化合物包括連接到多官能度環(huán)氧化合物上的一種或 更多種可交聯(lián)的發(fā)色團;和 鄰近所述減反射層的成像層。
29. 如權利要求28所述的微電子結構,其特征在于,所述減反射層的平均厚度約為 20-60納米。
30. 如權利要求28所述的微電子結構,其特征在于,所述減反射層基本上不溶于水性 溶劑和堿性顯影劑。
31. 如權利要求28所述的微電子結構,其特征在于,所述減反射層的n值為至少約1. 3 和k值為至少約0. 2。
32. 如權利要求28所述的微電子結構,其特征在于,所述基片是選自下組的微電子基 片;娃,SiGe, Si〇2, SigN*,鉛,鶴,娃化鶴,神化嫁,錯,粗,氮化粗,珊瑚,黑金剛石,慘 雜磯或測的玻璃,離子注入層,氮化鐵,氧化給,氧氮化娃W及上述材料的混合物。
【文檔編號】G02B1/111GK104428379SQ201380032928
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年4月22日 優(yōu)先權日:2012年4月23日
【發(fā)明者】J·洛斯, 戴金華, A·格雷羅 申請人:布魯爾科技公司
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