專利名稱：基板對位標記及其制作方法、基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對位技術領域，特別是涉及一種基板對位標記及其制作方法、基板。
背景技術：
液晶顯示技術發(fā)展至今已經相當成熟，各個面板公司的主要競爭越來越趨向于良率的提升和成本的下降。光刻是薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,簡稱為“TFT-1XD”)生產中的必須環(huán)節(jié)，曝光機進行曝光時為了實現(xiàn)各層之間圖形的重合度符合要求，通常在基板的周邊上制作對位標記，來保證對位精確。現(xiàn)有技術中的對位標記一般與薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱為“TFT”)的柵電極或源漏電極同層制作，在生產過程中涂覆、沉積或濺射等工藝形成柵電極金屬層薄膜或源漏電極金屬層薄膜時，可能會出現(xiàn)金屬鍍膜不平的現(xiàn)象，導致進行對位時顯微鏡下的對位標記顯示為小黑點，無法有效識別并實現(xiàn)對位，從而增加了次品率。

發(fā)明內容
(一)要解決的技術問題本發(fā)明提供一種基板對位標記及其制作方法，用以解決對位標記形成過程中由于鍍膜不平，導致對位時無法識別對位標記的問題；本發(fā)明還提供一種基板，其上具有如上所述的基板對位標記，降低基板制作工藝中由于無法識別對位標記導致的次品率。(二)技術方案為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種基板對位標記，其包括位于基板不同層結構上的第一對位標記圖案和第二對位標記圖案；其中，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案的中心重合，且不存在交疊部分。如上所述的基板對位標記，優(yōu)選的是，所述第二對位標記圖案位于所述第一對位標記圖案所在的區(qū)域內；所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案均為空心結構，或所述第一對位標記圖案為空心結構，所述第二對位標記圖案為實心結構。如上所述的基板對位標記，優(yōu)選的是，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案具有相似結構。如上所述的基板對位標記，優(yōu)選的是，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案均為空心的十字結構，或所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為實心的十字結構。如上所述的基板對位標記，優(yōu)選的是，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案為不相似結構。如上所述的基板對位標記，優(yōu)選的是，所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為圓環(huán)結構，或所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為實心圓結構。同時，本發(fā)明還提供一種基板，其上具有對位標記，所述對位標記采用如上所述的基板對位標記。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述基板上形成有薄膜晶體管；所述第一對位標記圖案由與薄膜晶體管的柵電極相同的金屬層制成；所述第二對位標記圖案由與薄膜晶體管的源漏電極相同的金屬層制成。相應地，本發(fā)明提供還一種基板對位標記的制作方法，包括形成第一對位標記圖案的步驟和形成第二對位標記圖案的步驟；其中，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案位于基板的不同層結構上，且中心重合，不存在交疊部分。如上所述的基板對位標記的制作方法，優(yōu)選的是，還包括形成薄膜晶體管的步驟；形成第一對位標記圖案的步驟具體為:與薄膜晶體管的柵電極同層形成所述第一對位標記圖案；形成第二對位標記圖案的步驟具體為:與薄膜晶體管源漏電極同層形成所述第二對位標記圖案。(三)有益效果本發(fā)明所提供的基板對位標記及其制作方法，通過在基板的不同層結構上制作兩個對位標記圖案，當其中一個對位標記形成過程中由于鍍膜不平，導致對位時無法識別該對位標記時，還可以通過識別另一個對位標記進行對位，提升了對位標記的識別成功率，從而大大降低了基板制作工藝中由于無法識別對位標記導致的次品率。


圖1為本發(fā)明實施例中基板對位標記的結構圖一；圖2為圖1沿A-A方向的剖視圖；圖3為本發(fā)明實施例中基板對位標記的結構圖二 ；圖4為本發(fā)明實施例中基板對位標記的結構圖三；圖5為本發(fā)明實施例中基板對位標記的結構圖四。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，以下內容中的術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。實施例一為提升基板制作工藝中對位標記的識別成功率，本實施例中提供一種基板對位標記的制作方法，其包括形成第一對位標記圖案的步驟和形成第二對位標記圖案的步驟。其中，第一對位標記圖案和第二對位標記圖案位于基板的不同層結構上(這里的不同層結構是指基板上由不同層薄膜形成的圖案，相應地，同層結構是指基板上由同一層薄膜形成的圖案)，且中心重合，即第一對位標記圖案和第二對位標記圖案的中心上下對應，位于一條直線上，使得分別通過兩個對位標記進行對位時，能夠保持對位的一致性。且第一對位標記圖案和第二對位標記圖案不存在交疊部分，保證其中一個對位標記無法識別時，不會影響通過識別另一個對位標記進行對位的過程。通過在基板的不同層薄膜上制作兩個對位標記圖案，當其中一個對位標記形成過程中由于鍍膜不平，導致對位時無法識別該對位標記時，由于兩個形成對位標記圖案的層同時發(fā)生鍍膜不同的概率非常低，因此還可以通過識別另一個對位標記進行對位，從而提升了對位標記的識別成功率。根據(jù)上述實施例，本領域所屬技術人員很容易推出，還可以制作更多對位標記圖案，使它們的中心均重合，且任意兩個對位標記圖案均位于基板的不同層結構上，具體工作原理與兩個對位標記圖案的情況一樣，使得對位標記的識別成功率更高，但由于成功率提高有限，且會增加制作成本，所以一般只需制作兩個對位標記圖案即可滿足需求。下面將以具有底柵結構TFT的陣列基板的制作過程為例來具體說明本實施例中基板對位標記的制作過程:首先，與薄膜晶體管的柵電極同層形成第一對位標記圖案。具體的，在通過涂覆、沉積或濺射等工藝在襯底基板(如:玻璃基板、石英基板或透明樹脂基板，且如圖2中的附圖標記3所示)上形成柵電極金屬層薄膜后，可以采用普通掩膜版通過一次構圖工藝同時形成包括TFT柵電極和第一對位標記的圖案(如圖2中的附圖標記I所示)。通常，第一對位標記位于襯底基板的周邊。然后，與薄膜晶體管的源漏電極同層形成第二對位標記圖案。具體的，通過涂覆、沉積或濺射等工藝在襯底基板上依次形成柵極絕緣層、有源層(這兩個層如圖2中的附圖標記4所示意)以及源漏金屬層薄膜，并在源漏金屬層薄膜上方涂覆光刻膠；之后，例如，采用半色調或灰階掩膜版進行曝光、顯影處理，使得光刻膠形成光刻膠半保留區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。其中，光刻膠半保留區(qū)域對應于TFT的溝道區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域對應于TFT源漏電極和第二對位標記所在的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域對應于其他圖案所在的區(qū)域；然后通過灰化工藝去除TFT溝道上方的光刻膠，并對TFT源漏電極和第二對位標記上方的光刻膠起到一個減薄的作用；之后刻蝕掉TFT溝道區(qū)域上方的源漏金屬層薄膜和部分有源層(具體為，采用干刻法刻蝕掉TFT溝道區(qū)域上方的源漏金屬層薄膜，并采用濕刻法刻蝕掉TFT溝道區(qū)域上方的部分有源層)，形成TFT溝道；最后剝離剩余的光刻膠，形成TFT源漏電極和第二對位標記(如圖2中的附圖標記2所示)的圖案。相應地，第二對位標記也位于基板的周邊，且第二對位標記與第一對位標記的中心位于一條直線上,并不存在交疊部分。需要說明的是，在此只是舉例說明，本發(fā)明所提供的基板對位標記的制作方法適應于所有需要制作對位標記的基板，并不局限于具有底柵結構TFT的陣列基板。而且，盡管上面描述了以半色調或灰階掩膜版進行曝光、顯影處理而形成第二標記圖案的技術方案，然而，作為替代，也完全可以采用普通的全色調掩膜版進行曝光、顯影處理而形成第二標記圖案。實施例二
相應地,本實施例中還提供一種基板對位標記,結合圖1-圖5所示,該基板對位標記包括位于基板不同層結構(這里的不同層結構是指基板上由不同層薄膜形成的圖案，相應地，同層結構是指基板上由同一層薄膜形成的圖案)上的第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2，其中，第一對位標記圖案I的中心ο和第二對位標記圖案2的中心O’重合，即第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2的中心ο和o’上下對應,位于一條直線上，使得分別通過兩個對位標記進行對位時，能夠保持對位的一致性。且第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2不存在交疊部分，保證其中一個對位標記無法識別時，不會影響通過識別另一個對位標記進行對位的過程。為了實現(xiàn)第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2不存在交疊部分，本實施例中可以設計第二對位標記圖案2位于第一對位標記圖案I所在的區(qū)域內，且第一對位標記圖案I為空心結構，而第二對位標記圖案2可以為空心結構，也可以為實心結構。進一步地，第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2可以具有相似結構，即第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2的結構相同,僅大小不同,例如:第一對位標記圖案I為空心十字結構，而第二對位標記圖案2可以為空心十字結構，如圖1所示，也可以為實心十字結構，如圖4所示。當然，第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2也可以為不相似結構，即第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2不僅大小不同，結構也不同，例如:第一對位標記圖案I為空心十字結構，而第二對位標記圖案2為圓環(huán)結構，如圖3所示，也可以為實心圓結構，如圖5所示。需要說明的是，在此只是以十字結構、圓環(huán)結構和實心圓結構舉例說明，并不是對第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2結構的一種限定，第一對位標記圖案I和第二對位標記圖案2的結構組合還有很多種。實施例三本實施例中提供一種基板，其上具有對位標記，并且該對位標記采用實施例二中的基板對位標記，由于提升了對位標記識別的成功率，從而大大降低了基板制作工藝中由于無法識別對位標記導致的次品率。對于TFT-1XD的陣列基板，其上形成有薄膜晶體管，在實際應用過程中，結合圖1所示，可以設計第一對位標記圖案I由與薄膜晶體管的柵電極相同的金屬層制成，而第二對位標記圖案2則由與薄膜晶體管的源漏電極相同的金屬層制成。由以上實施例可以看出，本發(fā)明所提供的基板對位標記及其制作方法，通過在基板的不同層結構上制作兩個對位標記圖案，當其中一個對位標記形成過程中由于鍍膜不平，導致對位時無法識別該對位標記時，還可以通過識別另一個對位標記進行對位，提升了對位標記的識別成功率，從而大大降低了基板制作工藝中由于無法識別對位標記導致的次品率。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種基板對位標記，其特征在于，其包括位于基板不同層結構上的第一對位標記圖案和第二對位標記圖案；其中，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案的中心重合，且不存在交疊部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板對位標記，其特征在于，所述第二對位標記圖案位于所述第一對位標記圖案所在的區(qū)域內； 所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案均為空心結構，或 所述第一對位標記圖案為空心結構，所述第二對位標記圖案為實心結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的基板對位標記，其特征在于，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案具有相似結構。
4.根據(jù)權利要求3所述的基板對位標記，其特征在于，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案均為空心的十字結構，或 所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為實心的十字結構。
5.根據(jù)權利要求2所述的基板對位標記，其特征在于，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案為不相似結構。
6.根據(jù)權利要求5所述的基板對位標記，其特征在于，所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為圓環(huán)結構，或 所述第一對位標記圖案為空心的十字結構，所述第二對位標記圖案為實心圓結構。
7.一種基板，其上具有對位標記，其特征在于，所述對位標記采用權利要求1-6任一項所述的基板對位標記。
8.根據(jù)權利要求7所述的基板，其特征在于，所述基板上形成有薄膜晶體管； 所述第一對位標記圖案由與薄膜晶體管的柵電極相同的金屬層制成；所述第二對位標記圖案由與薄膜晶體管的源漏電極相同的金屬層制成。
9.一種基板對位標記的制作方法，其特征在于，包括形成第一對位標記圖案的步驟和形成第二對位標記圖案的步驟；其中，所述第一對位標記圖案和第二對位標記圖案位于基板的不同層結構上，且中心重合，不存在交疊部分。
10.根據(jù)權利要求9所述的基板對位標記的制作方法，其特征在于，還包括形成薄膜晶體管的步驟； 形成第一對位標記圖案的步驟具體為: 與薄膜晶體管的柵電極同層形成所述第一對位標記圖案； 形成第二對位標記圖案的步驟具體為: 與薄膜晶體管源漏電極同層形成所述第二對位標記圖案。
全文摘要
本發(fā)明屬于對位技術領域，公開了一種基板對位標記及其制作方法、基板，通過在基板的不同層結構上制作兩個對位標記圖案，當其中一個對位標記形成過程中由于鍍膜不平，導致對位時無法識別該對位標記時，還可以通過識別另一個對位標記進行對位，提升了對位標記的識別成功率，從而大大降低了基板制作工藝中由于無法識別對位標記導致的次品率。
文檔編號G03F9/00GK103199084SQ20131007517
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月8日 優(yōu)先權日2013年3月8日
發(fā)明者田川, 郝昭慧 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司