專利名稱：閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光譜技術領域，具體涉及一種閃耀凹面全息光柵的分區(qū)反應離子束刻蝕方法。
背景技術：
凹面光柵具有色散功能的同時，由于其凹面面形又具備聚焦功能，所以其應用于光譜分析儀器領域相比于平面光柵，能夠省略聚焦鏡，減小光機結構，利于儀器的小型化。凹面光柵的衍射效率作為重要的技術指標直接影響光譜分析儀器的分辨率及信噪比，因此閃耀凹面全息光柵這種能夠實現(xiàn)高衍射效率的凹面光柵是光譜分析儀器行業(yè)追求的目標。目前凹面光柵使用平行離子束刻蝕設備刻蝕凹面光柵時，由于凹面基底存在曲率半徑R，平行的離子束流對于基底上不同位置的入射角不同，致使在凹面基底上各處獲得的
閃耀角不同，兩端閃耀角差值為
權利要求
1.閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法，其特征是，該方法由以下步驟實現(xiàn):步驟一、對凹面光柵掩?；?3)分區(qū)，沿所述凹面光柵掩模基片(3)過頂點并垂直于光柵刻線(2)方向的平面與凹面光柵掩?；?3)表面的交線分N個區(qū)域，每個區(qū)域對應的圓心角(8)為
2.根據(jù)權利要求1所述的閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法，其特征在于，在步驟一之前，還包括對凹面光柵掩模基片(3)放置的步驟，所述凹面光柵掩?；?3)放置在回轉工作臺上，所述回轉工作臺的回轉中心為O，凹面光柵掩?；?3)繞回轉軸Y軸回轉，回轉中心O在回轉軸Y上，凹面光柵掩?；?3 )的頂點(A )處的光柵刻線(2 )所在平面經過回轉軸Y。
3.根據(jù)權利要求1所述的閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法，其特征在于，所述反應離子束的方向與凹面光柵掩?；?3)頂點(A)處的光柵刻線(2)所在平面成90° -Θ角，反應離子束的入射角(7)為Θ?？涛g凹面光柵的閃耀角Θ的范圍為:.W
4.根據(jù)權利要求1所述的閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法，其特征在于，所述狹縫(4)的頂點(B)到凹面光柵掩?；?3)的頂點A的距離(5)小于等于3mm，大于
全文摘要
閃耀凹面全息光柵分區(qū)反應離子束的刻蝕方法，涉及光譜技術領域解決采用現(xiàn)有方法刻蝕凹面光柵獲得的閃耀角不同，同時由于閃耀角差異影響閃耀凹面光柵的衍射效率的問題，本發(fā)明的刻蝕步驟為凹面光柵掩?；姆胖?；選取離子束入射角；凹面光柵基底分區(qū)；制作刻蝕狹縫；狹縫的放置；刻蝕凹面光柵。本發(fā)明對槽形為正弦型或類矩形的凹面光柵掩模基片進行分區(qū)反應離子束刻蝕，使得刻蝕后的閃耀凹面全息光柵的閃耀角一致性高，對制作出高衍射效率的閃耀凹面全息光柵有直接的重要意義。
文檔編號G02B5/18GK103105638SQ20131001177
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權日2013年1月11日
發(fā)明者譚鑫, 吳娜, 巴音賀希格, 齊向東, 李文昊, 孔鵬 申請人:中國科學院長春光學精密機械與物理研究所