專利名稱：引線結(jié)構(gòu)以及具有此引線結(jié)構(gòu)的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種引線結(jié)構(gòu)以及具有此引線結(jié)構(gòu)的顯示面板。
背景技術(shù)：
一般來說，液晶顯示器中的液晶顯示面板是由像素陣列基板、彩色濾光陣列基板和夾于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。在像素陣列基板中，還會在非顯示區(qū)設(shè)置引線，以使像素陣列與驅(qū)動芯片之間電性連接。為了搭配驅(qū)動芯片的接點，設(shè)置在像素陣列與驅(qū)動芯片之間的引線會排列成扇形形式(fan-out)的引線結(jié)構(gòu)。隨著窄邊框(slim border)顯示面板的發(fā)展，已經(jīng)有越來越多的研究是著重于降低上述扇形引線結(jié)構(gòu)的尺寸。基于工藝極限以及避免相鄰兩條引線產(chǎn)生短路的考慮等等因素，已經(jīng)有人提出將扇形引線結(jié)構(gòu)中的相鄰的引線分別制作在兩層的金屬層中。然而，此種扇形引線結(jié)構(gòu)的缺點是，在顯示面板的制造過程的中位于上層金屬層的引線相較于位于下層金屬層的引線較容易遭到外力損害。如此一來，將影響顯示面板的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種引線結(jié)構(gòu)以及具有此引線結(jié)構(gòu)的顯示面板，其可避免傳統(tǒng)扇形引線結(jié)構(gòu)所存在的缺點，即位于上層金屬層的引線相較于位于下層金屬層的引線較容易遭到損害。本發(fā)明提出一種顯示面板，此顯示面板具有顯示區(qū)以及非顯示區(qū)，且顯示面板包括像素陣列、至少一驅(qū)動元件、多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線以及第二絕緣層。 像素陣列位于顯示區(qū)中，且驅(qū)動元件位于非顯示區(qū)中。第一引線位于非顯示區(qū)中且電性連接像素陣列與驅(qū)動元件。第一絕緣層覆蓋第一引線，且第一絕緣層中具有多個溝槽。第二引線位該顯示區(qū)中且電性連接像素陣列與驅(qū)動元件，其中第二引線與第一引線交替設(shè)置， 且第二引線位于第一絕緣層的溝槽內(nèi)。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及第二引線，其中第二引線上方的第二絕緣層的高度小于第一引線上方的第二絕緣層的高度。其中，更包括一覆蓋層，位于該些第二引線上方的該第二絕緣層上。其中，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線與鄰近的第一引線之間。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。其中，每一條第一引線包括一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起；每一條第二引線包括一第二直線部；以及一第二斜線部，其與該第二直線部直接連接在一起，其中每一第一引線的該第一直線部與鄰近的第二引線的該第二直線部之間的一第一間距大于每一第一引線的該第一斜線部與鄰近的第二引線的該第二斜線部之間的一
第二間距。
其中，該些第二引線的該些第二直線部設(shè)置于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)，且該些第二引線的該些第二斜線部設(shè)置于該第一絕緣層上。其中，該第一間距介于10 20微米，且該第二間距介于1. 5 6微米。其中，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線的該第二直線部與鄰近的第一引線的該第一直線部之間。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線的該些第二直線部的高度。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。本發(fā)明提出一種引線結(jié)構(gòu)，其包括多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線以及第二絕緣層。第一絕緣層覆蓋第一引線，且第一絕緣層中具有多個溝槽。第二引線與第一引線交替設(shè)置，且第二引線位于第一絕緣層的溝槽內(nèi)。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及第二引線，其中第二引線上方的第二絕緣層的高度小于第一引線上方的第二絕緣層的高度。其中，更包括一覆蓋層，位于該些第二引線上方的該第二絕緣層上。其中，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線與鄰近的第一引線之間。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。其中，每一條第一引線包括一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起；每一條第二引線包括一第二直線部；以及一第二斜線部，其與該第二直線部直接連接在一起，其中每一第一引線的該第一直線部與鄰近的第二引線的該第二直線部之間的一第一間距大于每一第一引線的該第一斜線部與鄰近的第二引線的該第二斜線部之間的一
第二間距。其中，該些第二引線的該些第二直線部設(shè)置于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)，且該些第二引線的該些第二斜線部設(shè)置于該第一絕緣層上。其中，該第一間距介于10 20微米，且該第二間距介于1. 5 6微米。其中，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線的該第二直線部與鄰近的第一引線的該第一直線部之間。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線的該些第二直線部的高度。其中，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料?；谏鲜?，本發(fā)明的第二引線是位于第一絕緣層的溝槽內(nèi)，因而可使得二引線上方的第二絕緣層的高度小于第一引線上方的第二絕緣層的高度。換言之，雖然第二引線無法如同第一引線一樣被第一絕緣層以及第二絕緣層兩膜層所覆蓋，但因為二引線上方的第二絕緣層的高度小于第一引線上方的第二絕緣層的高度，因此可使得第二引線較不容易被損傷。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2是圖1的引線結(jié)構(gòu)的局部上視示意圖。圖3A是沿著圖2的剖面線1-1’的剖面示意圖。圖;3B是沿著圖2的剖面線11-11’的剖面示意圖。圖4是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的局部上視示意圖。圖6是沿著圖5的剖面線III-III’的剖面示意圖。圖7是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖9是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的上視示意圖,其中，附圖標(biāo)記AR 像素陣列SLl SLn 掃描線DLl DLn 數(shù)據(jù)線P 像素結(jié)構(gòu)T 主動元件PE:像素電極DR、DR1、DR2 驅(qū)動裝置A 顯示區(qū)B:非顯示區(qū)Ll--1 --Ll--n第--引線
L2--1 --L2--ηA-Ap — 弟—二引線
Sl--1 --Sl--η第--直線部
S2--1 --S2--ηA-Ap — 弟—二直線部
01--1 --01--η第--斜線部
02--1 --02--ηA-Ap — : 一二斜線部D1、D2:間隙Hl H3:高度100 基板102:第一絕緣層104 溝槽106 第二絕緣層108 覆蓋層200 保護(hù)結(jié)構(gòu)M1、M2:導(dǎo)電層202:中間層204 覆蓋層
具體實施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的上視示意圖。圖2是圖1的引線結(jié)構(gòu)的局部上視示意圖。圖3A是沿著圖2的剖面線1-1’的剖面示意圖。圖:3B是沿著圖2的剖面線11-11’的剖面示意圖。請同時參照圖1、圖2、圖3A以及圖:3B，本實施例的顯示面板包括顯示區(qū)A以及于顯示區(qū)A的周圍非顯示區(qū)B。此顯示面板包括像素陣列AR、至少一驅(qū)動元件DR、多條第一引線Ll-I Ll-n、第一絕緣層102、多條第二引線L2-1 L2_n以及第二絕緣層106。像素陣列AR位于顯示區(qū)A中。據(jù)本實施例，上述像素陣列AR包括多條掃描線 SLl SLru多條數(shù)據(jù)線DLl DLn以及多個像素結(jié)構(gòu)P。掃描線SLl SLn與數(shù)據(jù)線DLl DLn交錯設(shè)置，且掃描線SLl SLn與數(shù)據(jù)線 DLl DLn之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SLl SLn的延伸方向與數(shù)據(jù)線DLl DLn 的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SLl SLn的延伸方向與數(shù)據(jù)線DLl DLn的延伸方向垂直?；趯?dǎo)電性的考慮，掃描線SLl SLn與數(shù)據(jù)線DLl DLn —般是使用金屬材料。 然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實施例，掃描線SLl SLn與數(shù)據(jù)線DLl DLn也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、 或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。另外，像素結(jié)構(gòu)P包括主動元件T以及像素電極PE。主動元件T可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括柵極、通道、源極以及漏極。主動元件T 與對應(yīng)的一條掃描線SLl SLn及對應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線DLl DLn電性連接。另外，主動元件T與像素電極PE電性連接。驅(qū)動裝置DR位于非顯示區(qū)B中。驅(qū)動裝置DR可以提供像素陣列AR特定的驅(qū)動訊號，以控制像素陣列AR顯示特定的影像。在本實施例中，驅(qū)動裝置DR是設(shè)置在顯示區(qū)A 的其中一側(cè)邊處，然，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實施例，驅(qū)動裝置亦可以設(shè)置在顯示區(qū)A 的其中二側(cè)邊處或是設(shè)置在顯示區(qū)A的四周等等。第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2_l L2_n是位于非顯示區(qū)B中，且第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n電性連接像素陣列AR與驅(qū)動裝置DR。在此，第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n分別與對應(yīng)的掃描線SLl SLn以及數(shù)據(jù)線DLl DLn電性連接。換言之，透過第一引線Ll-I Ll_n以及第二引線L2-1 L2_n的設(shè)置，便能使驅(qū)動裝置DR的驅(qū)動訊號傳遞到像素陣列AR中。此外，第一引線Ll-I Ll-n 以及第二引線L2-1 L2-n彼此交替，換言之，第一引線以及第二引線的排列方是由右往左依序是第一引線L1-1、第二引線L2-1、第一引線L1-2、第二引線L2-2、……、第一引線Ll_n、 第二引線L2-n。類似地，基于導(dǎo)電性的考慮，第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n — 般是使用金屬材料。然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實施例，第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2-n也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。 此外，第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n的線寬各自約為3 6微米。其中，第一引線Ll-I Ll-n的線寬依照設(shè)計的需求可選擇性地與第二引線L2-1 L2_n的線寬實質(zhì)上相同或不同。
根據(jù)本實施例，如圖2所示，第一引線Ll-I Ll-n包括第一直線部Sl-I Sl-n 以及與第一直線部Sl-I Sl-n連接的第一斜線部01-1 01-n。換言之，第一引線Ll-I 包含第一直線部Sl-I以及第一斜線部01-1，第一引線L1-2包含第一直線部S1-2以及第一斜線部01-2，且第一引線Ll-n包含第一直線部Sl-n以及第一斜線部01_n。而上述的第一直線部Sl-I Sl-n的延伸方向與第一斜線部01-1 01-n的延伸方向不平行。也就是， 第一直線部Sl-I Sl-n的延伸方向與第一斜線部01-1 01-n的延伸方向之間的夾角不等于0度或是180度。另外，第一直線部Sl-I Sl-n的線寬與第一斜線部01_1 01_n 的線寬大致相等，但本發(fā)明不限于此。類似地，第二引線L2-1 L2-n包括第二直線部S2-1 S2_n以及與該第二直線部 S2-1 S2-n連接的第二斜線部02-1 02_n。換言之，第二引線L2-1包含第二直線部S2-1 以及第二斜線部02-1，第二引線L2-2包含第二直線部S2-2以及第二斜線部02_2，且第二引線L2-n包含第二直線部S2-n以及第二斜線部02_n。而上述的第二直線部S2-1 S2_n 的延伸方向與第二斜線部02-1 02-n的延伸方向不平行。也就是，第二直線部S2-1 S2-n的延伸方向與第二斜線部02-1 02-n的延伸方向之間的夾角不等于0度或是180 度。另外，第二直線部S2-1 S2-n的線寬與第二斜線部02-1 02_n的線寬大致相等，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，上述的第一引線Ll-I Ll-n的第一直線部Sl-I Sl_n以及第二引線L2-1 L2-n的第二直線部S2-1 S2_n彼此平行設(shè)置，且第一引線L1-1 Ll_n 的第一直線部Sl-I Sl-n以及第二引線L2-1 L2_n的第二直線部S2-1 S2_n是往驅(qū)動元件DR延伸并與驅(qū)動元件DR電性連接。上述的第一引線Ll-I Ll-n的第一斜線部
01-1 01-n以及第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部02_1 02_n彼此平行設(shè)置，且第一引線Ll-I Ll-n的第一斜線部01-1 01_n以及第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部
02-1 02-n是往像素陣列AR延伸并與像素陣列AR電性連接。特別是，每一第一引線Ll-I Ll-n的第一直線部Sl-I Sl_n與鄰近的第二引線L2-1 L2-n的第二直線部S2-1 S2_n之間具有第一間距Dl。舉例來說，第一直線部 Sl-I與第二直線部S2-1之間的間距為D1。另外，每一第一引線Ll-I Ll_n的第一斜線部01-1 01-n與鄰近的第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部02_1 02_n之間具有第二間距D2。舉例來說，第一斜線部01-1與第二斜線部02-1之間的間距為D2。上述的第一間距Dl實質(zhì)上大于第二間距D2。舉例來說，第一間距Dl約為10 20微米，且第二間距D2 約為1.5 6微米。因此，第一引線Ll-I Ll-n的第一直線部Sl-I Sl_n與第二引線L2-1 L2_n 的第二直線部S2-1 S2-n之間的排列較為寬松，而第一引線Ll-I Ll_n的第一斜線部 01-1 01-n與第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部02_1 02_n之間的排列較為緊密。特別是，如圖3A所示，第一引線Ll-I Ll-n是位于基板100上，且第一絕緣層 102覆蓋第一引線Ll-I Ll-n。第一絕緣層102的材料可包含無機(jī)材料(例如氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料、或其它合適的材料、或上述的組合。另外，第一絕緣層102中具有多個溝槽104。根據(jù)本實施例，溝槽104的底部是暴露出基板100。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實施例，溝槽104也可以不貫穿第一絕緣層
8102。第二引線L2-1 L2-n則分別設(shè)置在第一絕緣層102的溝槽104內(nèi)。倘若溝槽 104的底部暴露出基板100，那么第二引線L2-1 L2-n是直接與基板100的表面接觸。倘若溝槽104并未貫穿第一絕緣層102，那么第二引線L2-1 L2-n是與溝槽104內(nèi)的第一絕緣層102接觸。再者，第二絕緣層106覆蓋第一絕緣層102以及第二引線L2-1 L2_n。類似地， 第二絕緣層106的材料可包含無機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料、或其它合適的材料、或上述的組合。承上所述，雖然第一引線Ll-I Ll-n是被第一絕緣層102以及第二絕緣層106 兩膜層所覆蓋而有兩層絕緣層的保護(hù)，而第二引線L2-1 L2-n僅被第二絕緣層106所覆蓋。但是，因第二引線L2-1 L2-n是設(shè)置在第一絕緣層102的溝槽104內(nèi)，因此第二引線 L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2實質(zhì)上小于第一引線Ll-I Ll_n上方的第二絕緣層106的高度HI。換言之，雖然第二引線L2-1 L2-n無法被兩層絕緣層覆蓋，但因為二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度實質(zhì)上小于第一引線Ll-I Ll_n 上方的第二絕緣層106的高度，因此當(dāng)有外力沖擊所述引線結(jié)構(gòu)時，第一引線Ll-I Ll-n 上方的第二絕緣層106將首先受到此外力的沖擊。如此一來，可使得第二引線L2-1 L2-n 較不容易直接受到損傷。值得一提的是，在本實施例中，由于第二間距D2設(shè)計得較小，為了避免第一引線 Ll-I Ll-n的第一斜線部01-1 01_n與鄰近的第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部 02-1 02-n產(chǎn)生短路，本實施例是將第二引線L2-1 L2_n的第二直線部S2-1 S2_n設(shè)置在溝槽104內(nèi)。換言之，第一絕緣層102的溝槽104是形成在對應(yīng)第二引線L2-1 L2_n 的第二直線部S2-1 S2-n所在的處，如圖3A所示。而第二引線L2-1 L2_n的第二斜線部02-1 02-n則是設(shè)置于第一絕緣層102的表面上，如圖所示。然而，根據(jù)其它實施例，倘若第一引線Ll-I Ll-n的第一斜線部01_1 01_n與鄰近的第二引線L2-1 L2-n的第二斜線部02_1 02_n之間的第二間距D2足夠大，以使第一斜線部01-1 Ol-η與鄰近的第二斜線部02-1 02_n之間不會產(chǎn)生短路，那么第二引線L2-1 L2-n的第二直線部S2-1 S2_n以及第二斜線部02_1 02_n也可都設(shè)置在溝槽104內(nèi)。換言之，第一絕緣層102的溝槽104是形成在對應(yīng)整個第二引線L2-1 L2_n 所在的處。圖4是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4的引線結(jié)構(gòu)與上述圖3A 相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。在圖4的實施例中，此引線結(jié)構(gòu)更包括覆蓋層108，其是設(shè)置于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106上。覆蓋層 108可為金屬材料、金屬氧化物材料、絕緣材料或是其它的合適的材料。在第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106上設(shè)置覆蓋層108可以進(jìn)一步保護(hù)第二引線L2-1 L2_n免于遭到外力的傷害。值得一提的是，在本實施例中，是以第二引線L2-1 L2-n的第二直線部S2-1 S2-n設(shè)置在溝槽104內(nèi)，且覆蓋層108是設(shè)置在第二引線L2-1 L2_n的第二直線部 S2-1 S2-n上方的第二絕緣層106上為例。但是，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實施例，若第二引線L2-1 L2-n的第二直線部S2-1 S2_n以及第二斜線部02_1 02_n都是設(shè)置在第一絕緣層102的溝槽104內(nèi)，那么覆蓋層108也可以對應(yīng)設(shè)置在第二引線L2-1 L2_n 的第二直線部S2-1 S2-n以及第二斜線部02-1 02_n上方的第二絕緣層106上。圖5是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的局部上視示意圖。圖6是沿著圖5的剖面線 III-Iir的剖面示意圖。請參照圖5及圖6，本實施例的引線結(jié)構(gòu)與上述圖2的引線結(jié)構(gòu)相似，第一引線Ll-I Ll-n包括第一直線部Sl-I Sl_n以及與第一直線部Sl-I Sl_n 連接的第一斜線部01-1 01-n，類似地，第二引線L2-1 L2_n包括第二直線部S2-1 S2-n以及與該第二直線部S2-1 S2-n連接的第二斜線部02_1 02_n，相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。在圖5及圖6的實施例中，此引線結(jié)構(gòu)更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)200，其位于每一條第二引線L2-1 L2-n與鄰近的第一引線Ll-I Ll_n之間。舉例來說，在第二引線L2-1與第一引線Ll-I之間設(shè)置有保護(hù)結(jié)構(gòu)200，且在第二引線L2-1與第一引線L1-2之間也設(shè)置有保護(hù)結(jié)構(gòu)200。特別是，保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3實質(zhì)上大于第二引線L2-1 L2_n上方的第二絕緣層106的高度H2。根據(jù)本實施例，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由多層膜層堆棧而成。所述多層膜層可為金屬材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬氧化物材料等等，其主要是根據(jù)顯示面板的像素陣列AR的工藝以及其所采用的材料有關(guān)。以圖6的實施例為例，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102以及第二絕緣層106堆棧而成。導(dǎo)電圖案Ml例如是金屬材料，其可為與第一引線Ll-I Ll-n相同的材料。承上所述，由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102以及第二絕緣層 106堆棧而成，而第二引線L2-1 L2-n上方僅覆蓋第二絕緣層106，因此保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3實質(zhì)上高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2。而由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3實質(zhì)上高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2，因此當(dāng)所述引線結(jié)構(gòu)遭到外力的沖擊時，保護(hù)結(jié)構(gòu)200將首先面臨所述外力的沖擊，因而可以保護(hù)第二引線L2-1 L2-n免于遭到傷害。值得一提的是，倘若保護(hù)結(jié)構(gòu)200的多層膜層的最上一層為絕緣材料，可避免保護(hù)結(jié)構(gòu)200造成兩側(cè)的引線產(chǎn)生短路。然，本發(fā)明不限于此，倘若保護(hù)結(jié)構(gòu)200與兩側(cè)的引線之間的距離足夠大，保護(hù)結(jié)構(gòu)200的最上一層也不一定要采用絕緣材料。此外，在本實施例中，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是設(shè)置在每一第二引線L2-1 L2_n的第二直線部S2-1 S2-n與鄰近的第一引線Ll-I Ll-η的第一直線部S1-1 Sl-η之間。舉例來說，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是設(shè)置在第二引線L2-1的第二直線部S2-1與第一引線Ll-I的第一直線部Sl-I之間，且保護(hù)結(jié)構(gòu)200也是設(shè)置在第二引線L2-1的第二直線部S2-1與第一引線 L1-2的第一直線部S1-2之間。而且，保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度大于第二引線L2-1 L2_n的第二直線部S2-1 S2-n的高度。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實施例，倘若第一引線Ll-I Ll-n的第一斜線部01_1 01_n與鄰近的第二引線L2-1 L2-n的第二斜線部02_1 02_n之間的第二間距D2足夠大，那么保護(hù)結(jié)構(gòu)200也可進(jìn)一步設(shè)置在第二引線L2-1 L2-n的第二斜線部02_1 02_n與鄰近的第一引線Ll-I Ll-n的第一斜線部01-1 Ol-η之間。圖7是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖7，本實施例的引線結(jié)構(gòu)與上述圖6的引線結(jié)構(gòu)相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。在圖 7的實施例中，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由第一絕緣層102、導(dǎo)電圖案M2以及第二絕緣層106堆棧而成。導(dǎo)電圖案M2例如是金屬材料，其可為與第二引線L2-1 L2-n相同的材料。由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由第一絕緣層102、導(dǎo)電圖案M2以及第二絕緣層106堆棧而成，而第二引線L2-1 L2-n上方僅覆蓋第二絕緣層106，因此保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2。而由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度 H3高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2，因此當(dāng)所述引線結(jié)構(gòu)遭到外力的沖擊時，保護(hù)結(jié)構(gòu)200將首先面臨所述外力的沖擊，因而可以保護(hù)第二引線L2-1 L2-n免于遭到傷害。圖8是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖8，本實施例的引線結(jié)構(gòu)與上述圖6的引線結(jié)構(gòu)相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。在圖8的實施例中，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102、中間層202、導(dǎo)電圖案M2 以及第二絕緣層106堆棧而成。上述的導(dǎo)電圖案Ml例如是金屬材料，其可為與第一引線 Ll-I Ll-n相同的材料。中間層202例如是半導(dǎo)體材料，其可為非晶硅、多晶硅、微晶硅、 經(jīng)過摻雜的硅材料。導(dǎo)電圖案M2例如是金屬材料，其可為與第二引線L2-1 L2-n相同的材料。由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102、中間層202、導(dǎo)電圖案M2以及第二絕緣層106堆棧而成，而第二引線L2-1 L2-n上方僅覆蓋第二絕緣層106，因此保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3明顯高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度H2。 而由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3高于第二引線L2-1 L2-n上方的第二絕緣層106的高度 H2，因此當(dāng)所述引線結(jié)構(gòu)遭到外力的沖擊時，保護(hù)結(jié)構(gòu)200將首先面臨所述外力的沖擊，因而可以保護(hù)第二引線L2-1 L2-n免于遭到傷害。圖9是根據(jù)另一實施例的引線結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖9，本實施例的引線結(jié)構(gòu)與上述圖6的引線結(jié)構(gòu)相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。在圖 9的實施例中，保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102、中間層202、導(dǎo)電圖案M2、第二絕緣層106以及覆蓋層204堆棧而成。上述的導(dǎo)電圖案Ml例如是金屬材料，其可為與第一引線Ll-I Ll-n相同的材料。中間層202例如是半導(dǎo)體材料，其可為非晶硅、多晶硅、 微晶硅、經(jīng)過摻雜的硅材料。導(dǎo)電圖案M2例如是金屬材料，其可為與第二引線L2-1 L2-n 相同的材料。覆蓋層204例如是金屬氧化物材料或是絕緣材料。由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200是由導(dǎo)電圖案Ml、第一絕緣層102、中間層202、導(dǎo)電圖案M2、第二絕緣層106以及覆蓋層204堆棧而成，而第二引線L2-1 L2_n上方僅覆蓋第二絕緣層 106，因此保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3明顯高于第二引線L2-1 L2_n上方的第二絕緣層106 的高度H2。而由于保護(hù)結(jié)構(gòu)200的高度H3高于第二引線L2-1 L2_n上方的第二絕緣層 106的高度H2，因此當(dāng)所述引線結(jié)構(gòu)遭到外力的沖擊時，保護(hù)結(jié)構(gòu)200將首先面臨所述外力的沖擊，因而可以保護(hù)第二引線L2-1 L2-n免于遭到傷害。在上述圖1的實施例中，驅(qū)動裝置DR是設(shè)置在顯示區(qū)A的其中一側(cè)邊處，且掃描線SLl SLn以及數(shù)據(jù)線DLl DLn都是電性連接至此驅(qū)動裝置DR。而以下的實施例的顯示面板中，驅(qū)動裝置是設(shè)置在顯示區(qū)A的其中二側(cè)邊處，且掃描線SLl SLn以及數(shù)據(jù)線 DLl DLn是各自電性連接至對應(yīng)的驅(qū)動裝置。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的上視示意圖。在此實施例中，與上述圖1的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。請參照圖10，在本實施例
11中，驅(qū)動裝置DR1、DR2位于顯示區(qū)A兩側(cè)邊的非顯示區(qū)B中，且驅(qū)動裝置DR1、DR2可以提供像素陣列AR特定的驅(qū)動訊號，以控制DR1、DR2顯示特定的影像。另外，第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n是位于非顯示區(qū)B中，且第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n電性連接像素陣列AR與驅(qū)動裝置DR1、 DR2。類似地，透過第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2_n的設(shè)置，便能使驅(qū)動裝置DR1、DR2的驅(qū)動訊號傳遞到像素陣列AR中。此外，第一引線Ll-I Ll_n以及第二引線L2-1 L2-n彼此交替，換言之，第一引線以及第二引線的排列方是由右往左依序是第一引線L1-1、第二引線L2-1、第一引線L1-2、第二引線L2-2……。特別是，在圖10的顯示面板中的引線結(jié)構(gòu)(包含第一引線Ll-I Ll-n以及第二引線L2-1 L2-n)可以采用上述圖2至圖9中的任一種實施例所述的引線結(jié)構(gòu)。綜合以上所述，本發(fā)明的第二引線是位于第一絕緣層的溝槽內(nèi)，因而可使得二引線上方的第二絕緣層的高度實質(zhì)上小于第一引線上方的第二絕緣層的高度。換言之，雖然第二引線無法如同第一引線一樣被第一絕緣層以及第二絕緣層兩膜層所覆蓋，但因為二引線上方的第二絕緣層的高度實質(zhì)上小于第一引線上方的第二絕緣層的高度，因此可使得第二引線較不容易被損傷。此外，若是在第二引線與鄰近的第一引線之間設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，此保護(hù)結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步保護(hù)第二引線免于遭到外力的傷害。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，具有一顯示區(qū)以及一非顯示區(qū)，其特征在于，該顯示面板包括 一像素陣列，位于該顯示區(qū)中；至少一驅(qū)動元件，位于該非顯示區(qū)中；多條第一引線，位于該非顯示區(qū)中且電性連接該像素陣列與該驅(qū)動元件， 一第一絕緣層，覆蓋該些第一引線，且該第一絕緣層中具有多個溝槽； 多條第二引線，位于該非顯示區(qū)中且電性連接該像素陣列與該驅(qū)動元件，其中該些第二引線與該些第一引線交替設(shè)置，且該些第二引線位于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該些第二引線，其中該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度小于該些第一引線上方的該第二絕緣層的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括一覆蓋層，位于該些第二引線上方的該第二絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線與鄰近的第一引線之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于， 每一條第一引線包括一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起； 每一條第二引線包括 一第二直線部；以及一第二斜線部，其與該第二直線部直接連接在一起，其中每一第一引線的該第一直線部與鄰近的第二引線的該第二直線部之間的一第一間距大于每一第一引線的該第一斜線部與鄰近的第二引線的該第二斜線部之間的一第二間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，該些第二引線的該些第二直線部設(shè)置于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)，且該些第二引線的該些第二斜線部設(shè)置于該第一絕緣層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，該第一間距介于10 20微米，且該第二間距介于1.5 6微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線的該第二直線部與鄰近的第一引線的該第一直線部之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線的該些第二直線部的高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。
12.—種引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括多條第一引線；一第一絕緣層，覆蓋該些第一引線，且該第一絕緣層中具有多個溝槽；多條第二引線，該些第二引線與該些第一引線交替設(shè)置，且該些第二引線位于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該些第二引線，其中該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度小于該些第一引線上方的該第二絕緣層的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一覆蓋層，位于該些第二引線上方的該第二絕緣層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線與鄰近的第一引線之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線上方的該第二絕緣層的高度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一條第一引線包括一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起；每一條第二引線包括一第二直線部；以及一第二斜線部，其與該第二直線部直接連接在一起，其中每一第一引線的該第一直線部與鄰近的第二引線的該第二直線部之間的一第一間距大于每一第一引線的該第一斜線部與鄰近的第二引線的該第二斜線部之間的一第二間距。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第二引線的該些第二直線部設(shè)置于該第一絕緣層的該些溝槽內(nèi)，且該些第二引線的該些第二斜線部設(shè)置于該第一絕緣層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一間距介于10 20微米，且該第二間距介于1.5 6微米。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括多個保護(hù)結(jié)構(gòu)，位于每一第二引線的該第二直線部與鄰近的第一引線的該第一直線部之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)的高度大于該些第二引線的該些第二直線部的高度。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些保護(hù)結(jié)構(gòu)是由多層膜層堆棧而成，且該些膜層的最上一層為一絕緣材料。
全文摘要
一種引線結(jié)構(gòu)以及具有此引線結(jié)構(gòu)的顯示面板，此顯示面板具有顯示區(qū)以及非顯示區(qū)，且顯示面板包括像素陣列、至少一驅(qū)動元件、多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線以及第二絕緣層。像素陣列位于顯示區(qū)中，且驅(qū)動元件位于非顯示區(qū)中。第一引線位于非顯示區(qū)中且電性連接像素陣列與驅(qū)動元件。第一絕緣層覆蓋第一引線，且第一絕緣層中具有多個溝槽。第二引線位該顯示區(qū)中且電性連接像素陣列與驅(qū)動元件，其中第二引線與第一引線交替設(shè)置，且第二引線位于第一絕緣層的溝槽內(nèi)。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及第二引線，其中第二引線上方的第二絕緣層的高度小于第一引線上方的第二絕緣層的高度。
文檔編號G02F1/1345GK102243403SQ201110184699
公開日2011年11月16日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月5日
發(fā)明者李維欣, 蔣珮泠, 陳建利 申請人:友達(dá)光電股份有限公司