專利名稱：液晶盒減薄方法以及液晶盒減薄設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種液晶盒減薄方法以 及液晶盒減薄設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示器的廣泛應(yīng)用，人們對(duì)液晶顯示器的要求越來(lái)越高，除要 求高亮度、高對(duì)比度、高分辨率、高顏色飽和度以及快速的時(shí)間反應(yīng)外，液 晶顯示器所面臨的另 一課題就是薄型化，而液晶顯示器中的關(guān)鍵組件液晶盒 是液晶顯示器薄型化的 一 重要因素。液晶盒是由第 一基板和第二基板黏合在 一起組成的，并在其內(nèi)部設(shè)置有旋光物質(zhì)，如液晶等。由于第一基板和第二 基板所占的比重較大，又有確保機(jī)械強(qiáng)度的必要性，故第一基板和第二基板 必須有一定程度的厚度。但第一基板和第二基板的存在對(duì)于液晶顯示器的薄 型化會(huì)造成阻礙。因此，在確保第一基板和第二基板機(jī)械強(qiáng)度的前提下，如 何最大程度的將第 一基板和第二基板厚度降到最小成為第 一基板和第二基板 薄型化的關(guān)鍵所在。
圖l為現(xiàn)有的減薄工藝流程示意圖，包括
步驟ll,將組立后的液晶盒放置在操作平臺(tái)上，所述液晶盒包括第一基
板和第二基板；
步驟12,將液晶盒清潔干凈；
步驟13,用氫氟酸溶液刻蝕第一基板和第二基板；
步驟14,刻蝕后進(jìn)行漂洗；
步驟15，漂洗后再將液晶盒烘干；步驟16,對(duì)減薄后的厚度進(jìn)行檢測(cè)；
步驟17,將減薄后的液晶盒卸載并送到下一工序。
然而，上述第一基板和第二基板一般是向基板供應(yīng)商購(gòu)買，而基板供應(yīng) 商供應(yīng)的第 一基板和第二基板都會(huì)有各自限定的規(guī)格，并且供應(yīng)商的厚度參 數(shù)通常允許l0%的厚度誤差范圍。以購(gòu)買規(guī)格為0.7mm厚度的第二基板為例， 其厚度范圍在0.63mm至0.77mm之間的均視為0.7mm，即合格品，因此，不同 的第二基板間存在最大為0.14mm的厚度差。而現(xiàn)有技術(shù)在減薄時(shí)也均是按照 0.7mm的厚度設(shè)置統(tǒng)一的減薄參數(shù)進(jìn)行減薄，因此，無(wú)法消除不同的第二基板 間存在的厚度差；此外，對(duì)于0.63mm的第二基板來(lái)說(shuō)，減薄后其厚度最薄， 很容易發(fā)生破片，從而降低了產(chǎn)品的良率。同理，第一基板也是購(gòu)買自不同 的生產(chǎn)商，而不同生產(chǎn)商的生產(chǎn)工藝，厚度偏差等規(guī)J各都不相同。因此，不 同的第一基板間也存在一定的厚度差。因此，雖然組立后的不同的液晶盒的 盒間距即第 一基板和第二基板之間的距離是均勻的，但是液晶盒的整體厚度 差異卻很大，且現(xiàn)有減薄技術(shù)無(wú)法消除不同液晶盒間整體厚度存在的厚度差， 而不同的液晶盒整體厚度差對(duì)液晶顯示基板的光學(xué)特性會(huì)有不同的影響，并 且在后續(xù)切割及裂片工藝中，可能在液晶盒整體厚度差較大的第一基板或者 第二基板上出現(xiàn)切割不完全或裂片時(shí)在第一基板或者第二基板邊緣出現(xiàn)毛刺 等問(wèn)題；而在液晶盒整體厚度差較小的第一基板或者第二基板上發(fā)生破片的 問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種液晶盒減薄方法和設(shè)備，其能夠進(jìn)行不對(duì)稱 減薄，并且能夠可控的對(duì)液晶盒的第一基板和第二基^1分別進(jìn)行減薄。
為解決現(xiàn)有減薄技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了 一種液晶盒減薄方法，其包括提供液晶盒，所述液晶盒包括第一基板和第二基板；分別獲取第一 基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度；對(duì)液晶盒進(jìn)行減薄，其中根據(jù)第一 基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度分別控制第 一基板的減薄條件和第二 基板的減薄條件。
本發(fā)明還提供了一種液晶盒減薄設(shè)備，其包括減薄裝置，包括第一減 薄部和第二減薄部，所述第一減薄部和第二減薄部分別對(duì)應(yīng)液晶盒的第一基
板和第二基板；控制器，連接所述減薄裝置，適于分別控制所述的第一減薄 部和第二減薄部，對(duì)液晶盒的第一基板和第二基板進(jìn)行減薄。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)精確的控制第一基板和第二基 板的減薄厚度，達(dá)到精確減薄之目的。進(jìn)而，確保組立后的不同的液晶盒的 整體厚度達(dá)到目標(biāo)之厚度，以消除不同液晶盒間的整體厚度差異，從而保證 了液晶盒具有良好的光學(xué)特性，并且在后續(xù)切割及裂片工藝中，也不會(huì)出現(xiàn) 切割不完全或裂片時(shí)在基板邊緣出現(xiàn)毛刺等問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有的液晶盒減薄工藝流程示意圖； 圖2本發(fā)明一實(shí)施例的液晶盒減薄方法的工藝流程示意圖； 圖3是本發(fā)明不同濃度氫氟酸刻蝕劑刻蝕基板的刻蝕速度圖； 圖4是本發(fā)明刻蝕設(shè)備一實(shí)施例示意圖； 圖5是圖4中控制器的示意圖； 圖6是本發(fā)明刻蝕設(shè)備另一實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶盒減薄方法的工藝流程示意圖。
步驟201,將組立后的包括第 一基板和第二基板的液晶盒放置在操作平臺(tái)上。
其中，所述第一基板可以為彩色濾光片基板、所述第二基板可以為薄膜 晶體管基板，所述第 一基板和第二基板可以分別從不同供應(yīng)商處購(gòu)買得到， 并且可以是不同批次制造的產(chǎn)品。所述第 一基板和第二基板規(guī)格可以為基板
供應(yīng)商所能供應(yīng)的所有規(guī)格，具體可以例如為0.5mm、 0.6mm、 0.7mm、 0.8mm、 0.9mm。所述第一基板和第二基板在同一規(guī)格中，其厚度參數(shù)可以是10%的厚 度誤差范圍。以規(guī)格為0.6mm厚度的基板為例，其基板厚度范圍可以為 0.54mm至0.66mm。
在將第一基板和第二基板組立之前，可以測(cè)量第一基板和第二基板厚度 并輸入計(jì)算機(jī)集成制造(Computer Integrated Manufacturing,即CIM)系統(tǒng)， 具體可以為采用厚度測(cè)量?jī)x器測(cè)量并建立基板厚度數(shù)據(jù)庫(kù)，為每片基板提供 序號(hào)，所述序號(hào)與基板的生產(chǎn)廠家、生產(chǎn)批號(hào)、厚度對(duì)應(yīng)，并記錄在CIM系 統(tǒng)里。后續(xù)步驟可以通過(guò)設(shè)置在生產(chǎn)線上的掃描器讀取基板的序號(hào)，即可以 從CIM系統(tǒng)中得知第一基板和第二基板的所有信息，包括其生產(chǎn)廠家、生產(chǎn) 批號(hào)、厚度等信息。
步驟202,將液晶盒表面清潔干凈。
將液晶盒表面清潔干凈目的為去除基板上的微塵、油污等雜質(zhì)，降低液 晶盒組立的廢品率。將液晶盒表面清潔干凈具體工藝可以為用丙酮、超聲波、 酒精、去離子水等溶液清洗第一基板和第二基板。
步驟203,讀取第一基板和第二基板的序號(hào)，以獲得相應(yīng)于該基板的厚度 信息。
通過(guò)^L置在生產(chǎn)線上的掃描器讀取基板的序號(hào)，相應(yīng)的在CIM系統(tǒng)中獲 得第一基板和第二基板的所有信息，包括其生產(chǎn)廠家、生產(chǎn)批號(hào)、厚度等信 息。
步驟204,獲得第一基板和第二基板的目標(biāo)厚度值。所述第一基板和第二基板的目標(biāo)厚度值可以為根據(jù)所述液晶盒目標(biāo)厚度 值獲取得到，具體地所述液晶盒的目標(biāo)厚度可以由液晶盒生產(chǎn)的規(guī)格厚度得 到，然后根據(jù)液晶盒生產(chǎn)的規(guī)格厚度以及工藝要求分別計(jì)算得到第一基板和 第二基板目標(biāo)厚度。
步驟205,計(jì)算出讀取的第一基板和第二基板的厚度值與減薄后的目標(biāo)厚
度值的差值，并根據(jù)不同的差值分別調(diào)整兩側(cè)氫氟酸溶液的刻蝕時(shí)間。
具體以0.7mm規(guī)格的基板，實(shí)際生產(chǎn)中所需的基板厚度0.6mm為例做示 范性說(shuō)明，所述0.7mm規(guī)格的基板厚度范圍為0.63mm至0.77mm，對(duì)于該規(guī) 格中最小范圍的0.63mm，減薄厚度為0.03mm，對(duì)于該規(guī)格中最大范圍的 0.77mm,減薄厚度為0.17mm。
根據(jù)不同的差值分別調(diào)整兩側(cè)氫氟酸溶液的刻蝕時(shí)間，所述含氫氟酸的 刻蝕液刻蝕原理為氫氟酸與基板中的Si02反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)式為 Si02+4HF—SiF4+2H20。
改變刻蝕液中氫氟酸的濃度和刻蝕時(shí)間可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基板厚度刻蝕的影 響。參考圖3，刻蝕液A、刻蝕液B、刻蝕液C是三種不同濃度的氫氟酸刻蝕 液，其中刻蝕液A的氫氟酸濃度>刻蝕液B的氫氟酸濃度>刻蝕液C的氫氟酸 濃度；將相同的基板分別放入刻蝕液A、刻蝕液B、刻蝕液C中進(jìn)行刻蝕， 在相同的刻蝕時(shí)間內(nèi)，刻蝕液A刻蝕后的基板厚度<刻蝕液B刻蝕后的基板 厚度<刻蝕液C刻蝕后的基板厚度。在實(shí)際刻蝕基板工藝中，可以根據(jù)實(shí)際刻 蝕基板的需要，選取刻蝕時(shí)間，來(lái)制定減薄工藝。
步驟206，刻蝕后進(jìn)行漂洗。
目的為去除刻蝕過(guò)程產(chǎn)生的微塵，油污等雜質(zhì)以及殘留在液晶盒上的刻 蝕液，具體工藝可以為用丙酮、超聲波、酒精、去離子水等溶液清洗液晶盒。 步驟207,漂洗后再將液晶盒烘干。
所述烘干工藝目的為去除清洗步驟中殘留的溶液，具體可以在烘干室烘干或者風(fēng)淋室風(fēng)干。
步驟208，對(duì)減薄后的總厚度進(jìn)行檢測(cè)。
目的是檢驗(yàn)刻蝕工藝減薄后的液晶盒是否滿足后續(xù)工藝需要。具體可以為采用厚度測(cè)量?jī)x器對(duì)所述減薄后的液晶盒厚度進(jìn)行測(cè)量，包括把液晶盒從減薄設(shè)備上卸載下來(lái)用厚度測(cè)量?jī)x器檢測(cè)或者采用減薄設(shè)備自帶的厚度測(cè)量?jī)x器檢測(cè)。
步驟209，將減薄后的液晶盒卸載并送到下一工序。
根據(jù)步驟208的檢測(cè)結(jié)果，如果減薄后的液晶盒的總厚度符合液晶盒減薄的目標(biāo)厚度，將所述液晶盒送至合格液晶盒序列并送到后續(xù)工序，如果減薄后的液晶盒的總厚度不符合液晶盒減薄的目標(biāo)厚度，將所述液晶盒送至不合格液晶盒序列，并進(jìn)行后續(xù)減薄工藝或者報(bào)廢。
在上述的實(shí)施例中，所述基板的原始厚度為通過(guò)CIM系統(tǒng)讀取得到，在本發(fā)明的另 一實(shí)施例中，所述基板的原始厚度也可以通過(guò)厚度測(cè)量?jī)x器直接測(cè)量得到。
在上述實(shí)施例中，計(jì)算出讀取的第一基板和第二基板的厚度值與減薄后的目標(biāo)厚度值的差值，并根據(jù)不同的差值分別調(diào)整兩側(cè)氫氟酸溶液的刻蝕時(shí)間，也可以為根據(jù)不同的差值分別調(diào)整兩側(cè)氫氟酸溶液的刻蝕濃度；或者根據(jù)不同的差值對(duì)第 一基板和第二基板選取不同的刻蝕液。
在本發(fā)明其他實(shí)施例中，所述對(duì)液晶盒進(jìn)行減薄還可以為研磨的方式減薄，具體可以參考?xì)浞崛芤簻p薄實(shí)施例，選取不同的研磨時(shí)間或者選取不同的研磨粉或者選取不同的研磨速度來(lái)分別控制第 一基板和第二基板的減薄。
圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶盒減薄設(shè)備的示意圖，包括，減薄裝置，包括第一減薄部a50和第二減薄部a60,所述第一減薄部a50和第二減薄部a60對(duì)應(yīng)液晶盒的第一基4反alO和第二基^反a20;控制器a40,連"^妄所述減薄裝置，適于分別控制所述的第一減薄部a50和第二減薄部a60，對(duì)液晶盒的第一基板a10和第二基板a20進(jìn)行減薄。
繼續(xù)參考圖4，所述第一減薄部a50包括第一刻蝕液存儲(chǔ)器a51,閥門a52，與液晶盒第一基板al0對(duì)應(yīng)的噴嘴a53。所述第一刻蝕液存儲(chǔ)器a51可以為存儲(chǔ)容器，包括儲(chǔ)液罐、儲(chǔ)液^f瓦等設(shè)備，用于存儲(chǔ)刻蝕液；所述閥門a52可以為可控閥門，用于聯(lián)通第一刻蝕液存儲(chǔ)器a51和噴嘴a53，并可以控制噴嘴a53的開(kāi)關(guān)和噴嘴a53噴灑刻蝕劑的流量。所述噴嘴a53可以為花灑類、尖嘴類噴嘴，用于均勻地噴灑刻蝕劑在對(duì)應(yīng)的基^Ji，利用刻蝕劑與對(duì)應(yīng)的基^反反應(yīng)，使得基板減薄。
所述第二減薄部a60包括第一刻蝕液存儲(chǔ)器a61,閥門a62,與液晶盒第一基板al 0對(duì)應(yīng)的噴嘴a63 。所述第二減薄部a60的工作機(jī)制可以參考第 一減薄部a50。
第 一刻蝕液存儲(chǔ)器a51和第二刻蝕液存儲(chǔ)器a61中存儲(chǔ)的刻蝕劑種類可以相同也可以不同，存儲(chǔ)刻蝕劑的濃度可以相同也可以不同。具體可以根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)定。
輸入器a30用于讀取基板序號(hào)，并將基板序號(hào)輸入給控制器a40?？刂破鱝40可以為電子計(jì)算機(jī)或者服務(wù)器等，用于存儲(chǔ)或者接收基板原始厚度數(shù)據(jù)、基板目標(biāo)厚度數(shù)據(jù)，運(yùn)算得到第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度，以及根據(jù)第一減薄厚度和第二減薄厚度分別控制第一減薄部a50和第二減薄部a60對(duì)對(duì)應(yīng)的第一基板a10和第二基板a20進(jìn)行減薄。
所述原始厚度為CIM系統(tǒng)提供得到。CIM系統(tǒng)為每片基板提供序號(hào)，所述序號(hào)與基板的生產(chǎn)廠家、生產(chǎn)批號(hào)、厚度對(duì)應(yīng)。
所述基板目標(biāo)厚度可以由工作人員手動(dòng)輸入控制器a40,也可以由控制器a40從CIM系統(tǒng)中讀取。
其中，對(duì)第一減薄部a50和第二減薄部a60的分別控制，可以釆用以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
工作時(shí)，所述控制器a40接收輸入器a30傳輸?shù)幕逍蛱?hào)，根據(jù)所述基板序號(hào)從CIM系統(tǒng)讀取與所述基板序號(hào)對(duì)應(yīng)的基板原始厚度，并與事先存儲(chǔ)的目標(biāo)厚度值比較，得到第一基板的減薄厚度和第二基板減薄厚度；根據(jù)第一基板的減薄厚度和第二基板減薄厚度、以及第一減薄部a50和第二減薄部a60提供的第一刻蝕劑和第二刻蝕劑，根據(jù)如圖3所示的關(guān)系曲線，生成相應(yīng)的針對(duì)第一減薄部和第二減薄部的刻蝕時(shí)間，分別控制第一減薄器a50的閥門a52和第二減薄器a60的閥門a62，驅(qū)動(dòng)與液晶盒第 一基一反al0對(duì)應(yīng)的噴嘴a53和與液晶盒第二基板a20對(duì)應(yīng)的噴嘴a63去減薄液晶盒的第 一基板a10和第二基板a20。
參考圖5所述控制器a40可以包括厚度接收裝置b20、減薄工藝信息接收裝置b30、存儲(chǔ)裝置b40、處理裝置MO,輸出裝置b50。所述厚度接收裝置b20用于接收輸入器傳輸?shù)幕逍蛱?hào)，根據(jù)所述基板序號(hào)從計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng)讀取原始厚度數(shù)據(jù)，并將原始厚度數(shù)據(jù)傳輸給處理裝置blO;所述減薄工藝信息接收裝置b30用于接收刻蝕參數(shù)等數(shù)據(jù)，并將刻蝕參數(shù)等數(shù)據(jù)傳輸給處理裝置blO;所述存儲(chǔ)裝置b40用于存儲(chǔ)第一和第二基板目標(biāo)厚度、基板減薄厚度與減薄條件的關(guān)系；處理裝置bl0用于接收厚度接收裝置b20、減薄工藝信息接收裝置b30傳輸?shù)臄?shù)據(jù)并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，得到第一減薄厚度和第二減薄厚度，并根據(jù)減薄厚度和減薄條件的關(guān)系分別生成控制第一減薄部a50和第二減薄部a60的信號(hào)。所述輸出裝置b50用于輸出所述信號(hào)。
在上述的減薄設(shè)備實(shí)施例中，所述減薄部包括一個(gè)刻蝕液存儲(chǔ)器和與刻蝕液存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的闊門，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，參考圖6，所述第一減薄部c50可以包括不限于一個(gè)的刻蝕液存儲(chǔ)器和與刻蝕液存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的閥門，例如三個(gè)刻蝕液存儲(chǔ)器第一刻蝕液存儲(chǔ)器c51,第二刻蝕液存儲(chǔ)器c52，第三刻蝕液存儲(chǔ)器c53，第一閥門a54,第二閥門a55，第三閥門a56,并且第一刻蝕液存儲(chǔ)器c51,第二刻蝕液存儲(chǔ)器c52,第三刻蝕液存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的刻蝕液種類可以相同也可以不同，刻蝕液的濃度可以相同也可以不同；所述第一閥門a54,第二閥門a55,第三閥門a56可以為可控閥門，用于耳關(guān)通第一刻蝕液存儲(chǔ)器a51和噴嘴a53,并分別受控制器c40控制來(lái)控制噴嘴c57的開(kāi)關(guān)和噴嘴c57噴灑刻蝕劑的流量。所述噴嘴c57可以為花灑類、尖嘴類的噴嘴，用于均勻地噴灑刻蝕劑在對(duì)應(yīng)的基板上，利用刻蝕劑與對(duì)應(yīng)的基板反應(yīng)，使得基板減薄。
所述第二減薄部c60包括第四刻蝕液存儲(chǔ)器c61,第五刻蝕液存儲(chǔ)器c62,第六刻蝕液存儲(chǔ)器c63，第四閥門a64,第五閥門a65，第六閥門a66,與液晶盒第一基板a10對(duì)應(yīng)的噴嘴c67，所述第二減薄部c60的工作機(jī)制可以參考第一減薄部c50。
以上描述了采用刻蝕方式的減薄設(shè)備的實(shí)施例。在其他的實(shí)施例中，還可以采用研磨方式的減薄設(shè)備，控制器通過(guò)對(duì)研磨工藝的條件進(jìn)行控制以達(dá)到分別控制第一減薄部和第二減薄部的工作過(guò)程的目的，所述研磨工藝可以是研磨時(shí)間、研磨速度或者是研磨粉的種類。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種液晶盒減薄方法，其特征在于，包括，提供液晶盒，所述液晶盒包括第一基板和第二基板；分別獲取第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度；對(duì)液晶盒進(jìn)行減薄，其中根據(jù)第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度分別控制第一基板的減薄條件和第二基板的減薄條件。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述分別獲取第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度的步驟包括分別獲取第 一基板和第二基板的原始厚度；分別獲取第一基板和第二基板的目標(biāo)厚度；將第一基板的原始厚度與目標(biāo)厚度比較，得到第一基板的減薄厚度，將第二基板的原始厚度與目標(biāo)厚度比較，得到第二基板的減薄厚度。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述獲取第一基板和第二基板的原始厚度包括從預(yù)先建立的基板厚度數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取第 一基板和第二基板的原始厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述獲取第一基板和第二基板的原始厚度包括分別讀取第 一基板和第二tt的序號(hào)；根據(jù)第一基板和第二基板的序號(hào)從計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng)預(yù)先建立的基板厚度數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取第 一基板和第二基板的原始厚度。
5. 如權(quán)利要求2所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述第一基板和第二基板的目標(biāo)厚度根據(jù)所述液晶盒目標(biāo)厚度確定。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述減薄工藝為研磨減薄或者為濕刻蝕減薄。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述濕刻蝕減薄為含氫氟酸的刻蝕劑刻蝕基板減薄。
8. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，所述分別控制第一基板和第二基板的減薄條件為先減薄第一基板，然后再減薄第二基板；或者第 一基板與第二基板同時(shí)減薄；或者為第 一基板和第二基板的減薄時(shí)間不同；或者為第一基板和第二基板的減薄速度不同；或者為第一基板和第二基板的減薄劑不同。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒減薄方法，其特征在于，該方法還包括對(duì)減薄后的液晶盒進(jìn)行厚度檢測(cè)。
10. —種液晶盒減薄設(shè)備，其特征在于，包括，減薄裝置，包括第一減薄部和第二減薄部，所述第一減薄部和第二減薄部分別對(duì)應(yīng)液晶盒的第 一基板和第二基板；控制器，連接所述減薄裝置，用于分別控制所述的第一減薄部和第二減薄部，對(duì)液晶盒的第一基板和第二基板進(jìn)行減薄。
11. 如權(quán)利要求IO所述的液晶盒減薄設(shè)備，其特征在于，所述的液晶減薄設(shè)備還包括輸入器，所述輸入器用于讀取第一基板和第二基板的序號(hào)，并將第一基板和第二基板的序號(hào)輸入給控制器。
12. 如權(quán)利要求11所述的液晶盒減薄設(shè)備，其特征在于，所述控制器包括厚度接收裝置、減薄工藝信息接收裝置、存儲(chǔ)裝置、處理設(shè)備，輸出設(shè)備；所述厚度接收裝置用于接收輸入器傳輸?shù)牡谝换搴偷诙宓男蛱?hào)，根據(jù)所述第 一基板和第二基板的序號(hào)從計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng)中的基板厚度數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取第一基板和第二基板的原始厚度，并將其傳輸給處理設(shè)備；所述減薄工藝信息接受裝置用于接收減薄工藝參數(shù)數(shù)據(jù)，并將其傳輸給處理設(shè)備；所述存儲(chǔ)裝置用于存儲(chǔ)第一基板和第二基板的目標(biāo)厚度、基板減薄厚度與減薄條件的關(guān)系，并將其傳輸給處理設(shè)備；處理設(shè)備用于接收厚度接收裝置、減薄工藝信息接收裝置、存儲(chǔ)裝置傳輸?shù)臄?shù)據(jù)并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，運(yùn)算得到第一減薄厚度和第二減薄厚度，并根據(jù)第一減薄厚度和第二減薄厚度分別控制第一減薄部和第二減薄部去減薄第一基板和第二基板。
全文摘要
一種液晶盒減薄方法及液晶盒減薄設(shè)備。所述液晶盒減薄方法包括提供包括第一基板和第二基板的液晶盒；分別獲取第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度；對(duì)液晶盒進(jìn)行減薄，其中根據(jù)第一基板的減薄厚度和第二基板的減薄厚度分別控制第一基板的減薄條件和第二基板的減薄條件。所述液晶盒減薄方法精確的控制第一基板和第二基板的減薄厚度，達(dá)到精確減薄之目的。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101520567SQ20091012957
公開(kāi)日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者向賢明, 張少楠, 毛聯(lián)波, 簡(jiǎn)廷憲, 邱郁雯, 鐘德鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:昆山龍騰光電有限公司