專利名稱：光刻系統(tǒng)、熱消散方法和框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于將圖像或圖案投射到諸如晶片之類的靶 上的光刻系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這樣的系統(tǒng)通常是已知的，例如，以掩模繪圖機(jī)(mask writer) 的形式或如WO 2004038509中的光刻應(yīng)用的形式。在由后 一種系 統(tǒng)代表的例子中，使待圖案化的靶經(jīng)受光子和諸如離子和電子之類 的帶電粒子的入射。由于這樣的粒子或光子的能量負(fù)載，以及析出 (抽出)或發(fā)射它們的固有方式，靶至少被局部地加熱。根據(jù)作為 本發(fā)明的部分所提出的 一個(gè)觀點(diǎn)，當(dāng)靶在它的加工過程的影響下所 發(fā)生的膨脹超過一預(yù)定值時(shí)，這樣的加熱就會(huì)變得有問題。 一般說 來，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)對(duì)于不斷持續(xù)的、當(dāng)代趨向高通量(高吞吐量)的發(fā) 展，加熱會(huì)產(chǎn)生問題。
正如本發(fā)明的一般思想所認(rèn)為的，熱的產(chǎn)生以及其從待處理的 靶的去除在所有種類的光刻中都會(huì)存在問題。例如，這可能是由于 節(jié)點(diǎn)大小的不斷減小和/或更緊的覆蓋物(鍍層)配方，并且在時(shí)下 出現(xiàn)的真空型光刻中也會(huì)存在問題。
因此，隨著當(dāng)代對(duì)精確性和小型化需求的發(fā)展，所有類型的光 刻都涉及熱感應(yīng)的問題，例如基于掩模的光刻，諸如傳統(tǒng)光刻，或 基于掩模的電子束光刻(例如外科小手術(shù)刀)。這樣的熱感應(yīng)會(huì)導(dǎo)
5致靶溫度的不穩(wěn)定，事實(shí)上是靶(例如晶片)膨脹的不穩(wěn)定。在這 點(diǎn)上，可以說不論以何種方式將圖案轉(zhuǎn)移到靶上，精確性(尤其是 與晶片中的覆蓋層有關(guān)的方面)對(duì)于圖案的清晰度來說變得越來越 重要。在控制圖案形成的精確性中的 一個(gè)重要問題是控制靶在曝光 過程中的溫度穩(wěn)定性。因此，實(shí)現(xiàn)一種從一個(gè)正被加工的晶片的快 速、足夠的熱消散方式，是傳統(tǒng)的或其他基于掩模的光刻和無掩模 光刻的重要方面。
在目前的光刻方法中發(fā)現(xiàn)了促使光刻領(lǐng)域去尋找與在處理過 程中從晶片除去熱的解決方法有關(guān)的另一種情況，即，隨著對(duì)技術(shù) 規(guī)范要求的增加，目前的在氣氛中加工靶將轉(zhuǎn)變?yōu)樵谡婵罩屑庸に?br> 們，例如在靶的EUV加工中所期望的。這樣的轉(zhuǎn)變暗示了不再采 用已知的傳熱方法，而是需要新的傳熱方法。
一般而言可以認(rèn)為，隨著熱引發(fā)到 一 個(gè)晶片或者耙類的物件 上，靶會(huì)膨脹，這會(huì)導(dǎo)致例如在該靶上的芯片(小片)的實(shí)際位置 和尺寸與期望位置以及尺寸之間的差異，這會(huì)導(dǎo)致靶上暴露(啄光) 圖案的誤差。
然而，人們注意到，除了吞吐量(通過量)之外，關(guān)鍵尺寸通 過其與散粒噪聲(shotnoise)的關(guān)系也影響著靶的溫度穩(wěn)定性所 需的關(guān)鍵尺寸越小，劑量(dose)就越大。
圖案的精確定位(例如在規(guī)定的范圍內(nèi))對(duì)于給定的各個(gè)階段 來說是非常重要的，在各階段中可能通過不同類型的光刻裝置對(duì)耙 進(jìn)行正常地處理。在這方面， 一種主要的解決方案是從晶片除去熱， 從而限制膨脹，至少是控制定位誤差的大小。然而，去除熱的已知 4故法看起來還不足以除去現(xiàn)在和未來的直寫式和其他光刻系統(tǒng)(其 在例如無掩模電子束光刻中可能是每個(gè)芯片或者每個(gè)狹縫有十萬
6數(shù)量級(jí)的帶電粒子束)中產(chǎn)生的熱。如果不準(zhǔn)備折衷系統(tǒng)的吞吐量， 這種除熱是特別不夠的。
盡管申請(qǐng)人已經(jīng)評(píng)價(jià)了除熱的各種方式，與除熱相關(guān)的主要問 題似乎既在于熱被接收的量(能力)也在于其被傳走的速度，即， 傳向一個(gè)位于晶片背部的吸熱金屬塊。在本技術(shù)領(lǐng)域中，后一種現(xiàn) 象大多數(shù)被稱為熱擴(kuò)散率，因此在許多情況下都可以觀察到其不 足。在這些被評(píng)價(jià)的案例中，經(jīng)常地，不是在吸熱體的定尺寸存在 問題的同時(shí)，吸熱能力(吸熱量)收到影響，就是熱的傳遞太慢，
以至于在把上的熱量保持在難以*接受的高度。對(duì)于熱;陂吸收的量 (能力)，可以說，銅之類的金屬，盡管其表現(xiàn)出了優(yōu)異的散熱率， 但其不能適合于用來吸收在靶上引發(fā)的熱所需要的既定量。被還有 其他的除熱的例子(例如利用冷卻水)看起來對(duì)于許多現(xiàn)有和將來 類型的光刻系統(tǒng)來說也是不適合的。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提 供一種從晶片傳熱并吸熱的緊湊裝置，即，可在真空中進(jìn)行操作， 優(yōu)選在室溫下進(jìn)行4喿作。
現(xiàn)有技術(shù)中已知的解決方案包括通過軟件控制待投射圖案的 方式來預(yù)期熱膨脹，例如US2002/0147507所提供的。后一篇文獻(xiàn) 教導(dǎo)了利用一種適合的卡爾曼濾波器來控制電子束的方位，并從而 控制晶片加熱，有可能地以一種實(shí)時(shí)過程控制的方式實(shí)現(xiàn)。然而， 這種技術(shù)沒有解決現(xiàn)代光刻系統(tǒng)所需的溫度穩(wěn)定性和除熱的基本 問題。
美國專利公開第2005/0186517號(hào)教導(dǎo)，在一個(gè)緩解晶片夾盤膨 脹的初始應(yīng)力之后，針對(duì)晶片膨脹造成相反的應(yīng)力，，從而可以在 晶片和晶片夾盤之間發(fā)生不希望的滑動(dòng)之前使晶片允許的熱量加倍。在PCT/US01/26772中，披露了 一種有利地用于傳遞由耙上的 帶電粒子束引發(fā)的熱的晶片夾。在這種已知的裝置中，晶片被夾持 在一個(gè)支持結(jié)構(gòu)上，這是通過對(duì)位于晶片和支持結(jié)構(gòu)之間的夾持元 件施加"一次或多次"相變而實(shí)現(xiàn)的，該相變"在整個(gè)工藝過程中有助 于多種操作"并且"確保晶片可以容易地加載于該結(jié)構(gòu)上或從該結(jié)構(gòu) 上釋方文"。該夾持元件是以液態(tài)或氣態(tài)的形式施加，并且通過該支 持結(jié)構(gòu)的有效冷卻而轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，從而實(shí)現(xiàn)將晶片牢固地夾持在所 述結(jié)構(gòu)上。因此，可以i人為這樣的夾持方式基本上是被粘附在晶片 上。這種已知裝置據(jù)稱"在需要晶片冷卻的工藝中尤其有用"。尤其 是"由于在元件與晶片之間的大接觸面積，以及夾持元件的高導(dǎo)熱 性，該夾持裝置提供了在真空中高效的冷卻"。然而，這篇背景文 獻(xiàn)并沒有提到相對(duì)高的熱感應(yīng)(這在每小時(shí)具有4艮高吞吐量的晶片 的現(xiàn)代裝置中是可能發(fā)生的)的冷卻方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種如前文所述的傳熱問題的解決方案，即，在 有限的空間內(nèi)，較高量和較快速地傳熱，而不會(huì)使得要在直寫式光 刻機(jī)該階段中冷卻的靶的裝載和定位過程過分地復(fù)雜化。
在這個(gè)方面，本發(fā)明的特征在于，將由圖像或圖案的投射而累 積在該乾上的能量從所述革巴上除去，以致因該把的局部或整體加熱 而發(fā)生的膨脹^^皮限制在一個(gè)相應(yīng)的預(yù)定值，其中這種熱移除是利用 與所述耙熱接觸的 一種吸熱材料的相變來實(shí)現(xiàn)的。
因此，本發(fā)明i人為，相變本身可以凈皮有效用于從光刻革巴中吸熱。 在相變過程中，在或大或小的程度上，物質(zhì)在相變中的溫度至少保 持基本上不變，即，比不斷施加熱量給該物質(zhì)的該相變之外的環(huán)境， 其(溫度)變化相對(duì)小得多。出人意料的是，出于除熱的目的，通 過利用這種現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)了一種非常簡單和成熟冷卻光刻靶的方式。然而，作為本發(fā)明的一個(gè)基本方面，我們發(fā)現(xiàn)，提供優(yōu)異的吸 熱能力而在這樣的相變過程中溫度不會(huì)過度升高的材料具有非常 有限的散熱性，尤其是在一個(gè)已經(jīng)同時(shí)經(jīng)歷過相變的層中，其結(jié)果 是該材料體的整體散熱性由所述第一轉(zhuǎn)變層(相變的層)來決定。 因此，在本發(fā)明的另一方面，將這種具有優(yōu)異的吸熱能力的材料與 具有相對(duì)優(yōu)異的傳熱系數(shù)的其他材料結(jié)合使用。
在本發(fā)明的后一方面的第一實(shí)施方式中，該;故結(jié)合的材并+ (其 他材料)是在溶液中與該第一材料混合，最優(yōu)選在一種乳狀液中。 在另 一種目前優(yōu)選的實(shí)施方式中，該被結(jié)合的材料是一種蜂窩狀結(jié) 構(gòu)，優(yōu)選將該吸熱材料完全封閉。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，將兩種 實(shí)施方式組合。這樣的傳熱材料可以例如是金屬，例如在溶液的情 況下是以金屬顆粒的形式存在。
才艮據(jù)本發(fā)明的另 一方面，所述相變應(yīng)優(yōu)選在相當(dāng)于按本發(fā)明改 進(jìn)的光刻機(jī)的操作溫度的溫度下發(fā)生，從而增強(qiáng)了與機(jī)器的整體操 作有關(guān)的處理和功能方面。在一種更加特別是實(shí)施方式中，這樣的 相變?cè)诖蠹s為室溫的溫度下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明，為了滿足上述所有 的要求，目前^f吏用十六烷作為吸熱材^"。
在采用十六烷或任何其他液態(tài)吸熱材料的情況下，由于采用了 所述相變，僅需要非常有限量的材料來吸收由大多數(shù)類型的光刻機(jī) 感應(yīng)的熱。因此，原則上可以僅將該材料粘附在例如晶片的背面， 在此處粘附非常薄的 一層就可以滿足吸熱的需要而不會(huì)^f吏溫度過 于升高。
乍看之下出人意料地選擇諸如十六烷之類的材料的原因一由
于最終的導(dǎo)熱率差(十六烷為0.144 W/m.K而硅為140W/m.K)— 事實(shí)上在前面已經(jīng)解釋過。本發(fā)明教導(dǎo)，如果將諸如十六烷之類的 較差的傳熱材料用在大致相變條件下，并將它們與 一個(gè)由很好的導(dǎo)熱材料形成的表面增大結(jié)構(gòu)結(jié)合使用，則它們可以有利地被用做吸 熱材料。
沖艮據(jù)本發(fā)明的又一方面，該吸熱材料在光刻才幾中^皮結(jié)合在一種 多孔結(jié)構(gòu)中，其典型地由前文中提到的導(dǎo)熱材料組成。在這種情況 下，使得該結(jié)構(gòu)與靶(例如一個(gè)晶片)熱接觸。然而，本發(fā)明原則 上還涉及背面為多孔的(例如借助多個(gè)孔洞)靶(例如晶片)，該 多孔結(jié)構(gòu)例如是通過利用蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。以這樣的方式使得接觸 表面顯著增加而不需中間的傳導(dǎo)材料。


通過本發(fā)明的無掩才莫光刻系統(tǒng)的以下實(shí)施方式的實(shí)施例，將進(jìn)
一步詳細(xì)描述本發(fā)明，其中
圖1示意性示出了一個(gè)光刻耙，給出了晶片的俯視圖，以及其 上由于感應(yīng)生熱的效果；
圖2A和2B表示出有利地用于本發(fā)明的一種材料的相變的溫 度特性；
圖3表示出適用于從光刻靶有利地去除熱的光刻系統(tǒng)的相關(guān)部 分的第一實(shí)施方式。
圖4類似于圖3，示意性示出了本發(fā)明的第二實(shí)施方式，其中， 在這種情況下，與乾接觸的一個(gè)框架結(jié)構(gòu)中包括液態(tài)吸熱材料。
圖5圖示出了圖4的結(jié)構(gòu)的俯—見圖，并帶有一個(gè)示出了內(nèi)部格 才冊(cè)結(jié)構(gòu)的局部方文大圖。
圖6是示意性示出一個(gè)晶片，由根據(jù)本發(fā)明所采用的夾具支持；圖7示意性示出了圖4和圖5示出的原理的測試結(jié)果；
在這些圖示中，相應(yīng)的結(jié)構(gòu)特征(即，至少在功能上相對(duì)應(yīng)) 用相同的編號(hào)表示。
^體實(shí)施方式
圖l示出了一個(gè)靶，此處是晶片l的形式，其按照路徑4相對(duì) 于例如一個(gè)光刻裝置的帶電粒子射束柱或其他類型的用于光刻的 射束源移動(dòng)，這里路徑4是表示透鏡組或狹縫2的中部，穿過晶片 的幾個(gè)區(qū)域6。
由于由所述帶電粒子束的入射所^ 1發(fā)至晶片的熱的原因，晶片 會(huì)發(fā)生膨脹。這種膨脹導(dǎo)致在小片(芯片)的預(yù)期位置和尺寸6與 小片的實(shí)際位置和尺寸7之間的差異。這種差異會(huì)導(dǎo)致晶片上暴露 圖案的過大誤差。
現(xiàn)在，根據(jù)本發(fā)明，通過利用在一種材料(本文也稱相變材料) 中的相變而從所述晶片除去熱，其中，該材料與所述靶l(wèi)熱接觸， 例如，如圖4的4壬一實(shí)施方式所示出的。
圖2示出了這^"的相變的原理，在圖2A中是通過吸熱裝置乂人 固態(tài)Sol到液態(tài)Liq的轉(zhuǎn)變，而在圖2B中是通過從液態(tài)Liq到氣態(tài) Gas的轉(zhuǎn)變。在這兩幅圖中，吸熱裝置的溫度T是針對(duì)由沖擊的帶 電粒子束引發(fā)的熱量H (焦耳)給出的(以開爾文溫度表示)?？?以看到，在從固相向液相，或從液相向氣相的轉(zhuǎn)變過程中，溫度T 原則上不隨熱量H的增加而升高，而在實(shí)踐中僅以相當(dāng)?shù)偷谋嚷孰S 熱量H的增加而升高。才艮據(jù)本發(fā)明，上述效果在實(shí)際中可以有利地用來將熱乂人輩巴轉(zhuǎn)移 并積聚至吸熱裝置。在靶與吸熱體(吸熱物，吸熱劑)之間期望有 優(yōu)異的傳熱系數(shù)。作為對(duì)上述的完善，采用了一種材料，其優(yōu)先既 具有較大的傳熱系數(shù)，又具有接近該乾在所述光刻裝置中的環(huán)境溫 度的相變溫度。最優(yōu)選地，該相變溫度接近室溫。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于吸熱體的其他要求是無毒性并能夠經(jīng)受在里
面操作它的真空、以及CMOS可兼容性。
在上述方面中，發(fā)現(xiàn)沒有很多種材料提供本申請(qǐng)期望的全部特 征的結(jié)合(如果有的話)。因此，作為吸熱體使用的一種良好和優(yōu) 選的材料，本發(fā)明提出一種包含具有相對(duì)高的傳熱系數(shù)的顆粒(例 如金屬或硅)的乳狀液。這樣的材料通過粘附力相對(duì)容易地粘附于 輩巴的底側(cè)，并JU又需要有限量的空間。在這方面， 一個(gè)幾孩t米的層 就足夠了。優(yōu)選的乳液材料是十六烷。然而，也可以采用甘油 (C3H803;也稱為丙三醇，而不經(jīng)常被稱為丙烷-l，2,3-三醇、1，2，3-丙三醇、1,2,3-三羥基丙》克、以及少用的英文名稱glyceritol、 glycyl alcohol、 citifluorAF2;grocolene)，尤其是以下文所列舉的去于閉形式 4吏用。本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，隨著相變的發(fā)生，該吸熱材料的熱傳遞能力減 少到一最小值。這意味著僅僅可以使用很薄層的相變或者吸熱材 料。為了克服這個(gè)問題，仍使用同樣的熱吸收材料，但將其與表面 增加措施結(jié)合起來使用。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，其展示用直接簡單的 方式將發(fā)明的原理應(yīng)用于實(shí)踐。在附圖中，標(biāo)號(hào)l是晶片形式的靶 的橫截面，而標(biāo)號(hào)IO代表滿足本發(fā)明所限定的要求的乳狀液。
圖4示出了另一種實(shí)施方式，示出了用于所述靶并且在其多孔 中載帶吸熱體的多孔載體。這樣，吸熱體與靶之間就借助所述中間 載體產(chǎn)生了大的接觸面積。
12一旦從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，乳狀液的傳熱系數(shù)被強(qiáng)烈地降低，根
據(jù)這一思想，優(yōu)選使用多孔型的栽體，例如圖4中所示的。利用多 孔載體(其既可以是靶本身，也可以是如圖4中所示的單獨(dú)的框架)， 熱繞過(by-pass)在吸熱體上部區(qū)域中流體化的吸熱體(吸熱劑)， 從而保證在任何情況下在相變過程中的增大的熱傳遞。事實(shí)上可以 i兌相對(duì)于該p及熱體的流體4匕部分，該栽體具有提高的導(dǎo)熱性。由于 具有適宜的導(dǎo)熱材料(例如金屬或硅，即晶片材料)，實(shí)際上很容 易實(shí)現(xiàn)整個(gè)框架的均勻加熱，從而保證吸熱材料在高度地?cái)U(kuò)大的表 面積充分4妄觸。方: L或孔可以通過獨(dú)刻形成，并且在本例中其尺寸 為50x50 pm或更小，壁厚度為5pm或更小。
圖5提供了如圖4所示的可能的十六烷框架的截面圖。左側(cè)的 圖示部分是例如類似晶片結(jié)構(gòu)的全景圖，而右側(cè)的圖示部分示出了 一個(gè)可以適用于在一個(gè)晶片中的一個(gè)芯片(小片)大小的部分。在 該實(shí)例中，在一個(gè)26x33 mm的芯片中，方孑L的凄t目可以是(26x33 mm)/(50+5^im) A2=283,640個(gè)。框架的目的是增加PCM的可用面積。 才艮據(jù)牛頓的傳導(dǎo)定律，Q = ( kxA/l)xdT，在距離l上傳輸給定量的 熱量Q所需的溫度差dT隨表面積A的增加而下降。通過在晶片12 的底部蝕刻深度為h的孑L 12A,對(duì)于該示出的幾何結(jié)構(gòu)，每個(gè)面積 WxW中的可使用表面增加至hx4xW。對(duì)于優(yōu)選的框架也可以采用 相應(yīng)的計(jì)算，其中該框架具有在橫截面上呈現(xiàn)至少主要是矩形的 孔。這可以用以下形狀的這種側(cè)面(邊)來體現(xiàn)在寬度上明顯小 于形成所述矩形結(jié)構(gòu)的壁的寬度，優(yōu)選具有在5至15范圍內(nèi)的比 率，優(yōu)選約為10，這樣(形成)例如尺寸為50x5-微米的孔或開口， 這些實(shí)例并不限制借助較長延伸的開口來增加表面積的思想。由此 增大了可能的向該結(jié)構(gòu)填充吸熱裝置的程度，該程度優(yōu)選設(shè)定到一 個(gè)在60%至90%表面積范圍內(nèi)的值，例如75%。圖6提供了如本發(fā)明的實(shí)例中所采用的一個(gè)晶片和晶片夾盤 (卡盤)的示意性圖示。為了降低晶片上背部顆粒污染的影響，將 晶片置于凸起13上。通過采用凸起13,在晶片1和凸起13之間存 在顆粒的機(jī)會(huì)被最小化。為了使由于晶片不平而導(dǎo)致的聚焦誤差最 小化，將晶片1吸附在一個(gè)非常平坦的由所述凸起形成的臺(tái)面上。 在這方面，采用靜電夾14，有利地滿足某一級(jí)別的真空條件。然而， 原則上也可以使用其他已知的或新型的夾子，以下是其中的一個(gè)例 子。為施加吸力的典型的值約為0.1巴或更低，這取決于吸力的施 加方式。晶片與夾子之間的材料的介電特性決定了晶片與夾子之間 可達(dá)到的吸附力。可允許的最大夾持電壓受到擊穿電壓 (breakthrough voltage)的P艮制，并取決于材泮+和制造方法。當(dāng)然 也可以采用其他夾持方式，而不會(huì)減小本發(fā)明的作用。采用本發(fā)明 提出的夾持方式，為了進(jìn)一步的優(yōu)化，可以在凸起層和靶之間設(shè)置 流體，然而，由于期望的提高導(dǎo)熱性的功能，該流體與吸熱材料非 常不同。在這方面，非常不希望對(duì)于這種材料發(fā)生相變。
i人識(shí)到在目前的實(shí)踐中，熱不能在x方向和y方向上遠(yuǎn)3巨離傳 導(dǎo)，以致凸起的數(shù)目與目前通常做法相比顯著增加。這些凸起優(yōu)選 -故制成明顯小于常*見的靜電夾凸起(electrostatic clamping burls )。 而且，凸起的總面積;故制成明顯大于常規(guī)的面積(即，僅具有夾持 的功能)，或至少比沒有這種增加的導(dǎo)熱功能的要大。在這方面， 革巴與凸起之間的總^接觸面積在總革巴面積的1%至5%的范圍內(nèi)，優(yōu)選 1%左右。后者以及凸起的數(shù)目的增加意味著顆粒被捕獲在凸起與晶 片之間的風(fēng)險(xiǎn)增加(盡管可以接受)，使晶片的平坦發(fā)生變形。
圖7圖示出了圖4和圖5所闡明的原則的一種可能的實(shí)施方式， 其中，熱傳導(dǎo)框架是由具有一個(gè)上側(cè)面15的晶片構(gòu)成的，晶片上 側(cè)面15被蝕刻，使得產(chǎn)生凸起15B，通常為高度約為1微米的凸 起。晶片的相對(duì)側(cè)面15A被蝕刻，使得產(chǎn)生多個(gè)孔，用于裝吸熱材料。圖7中表示的底層16代表一個(gè)框架封閉層，其粘附至第一層 底部，并且在此處具體化為一個(gè)第二晶片。這樣，該吸熱材料就被 從真空(在本實(shí)施例中，其很經(jīng)常在真空中工作)中屏蔽。圖7中 表示的存在于框架上的頂層17是一個(gè)導(dǎo)熱性的電絕緣層。這樣的 層被施加在包括表面的表面凸起上(例如，通過濺射)。在該實(shí)例 中，使用X微米的氮化鋁(A1N)材料，而根據(jù)本發(fā)明也可以使用 例如氧化4皮(BeO )。這樣，圖7示出了將圖4所示的原理付諸實(shí)踐 的相對(duì)有利的方式。封閉盤16起到將相變材料保持在蝕刻框架中 的作用，從而防止在真空環(huán)境中的放氣，給該結(jié)構(gòu)提供強(qiáng)度，并起 一個(gè)平坦的參考面的作用。
除了前文所描述的原理和所有有關(guān)細(xì)節(jié)之外，本發(fā)明涉及如所
才妾和毫無疑義地確定的細(xì)節(jié)。在所附?jīng)_又利要求中，出于幫助閱讀4又 利要求的原因，所包括的對(duì)應(yīng)于附圖中結(jié)構(gòu)的任何標(biāo)號(hào)僅表示前述 術(shù)語的示例性含義，而不是狹義地限定前述術(shù)語的內(nèi)涵，因此，它 們被置于括號(hào)中。
權(quán)利要求
1.一種用于將圖像或圖案投射到諸如晶片之類的靶上的光刻系統(tǒng)，其中，因圖像或圖案的投射而累積在靶上的能量被從所述靶上移除，以致由所述靶的局部和/或整體加熱引起的膨脹被限制在相應(yīng)的預(yù)定值，并且其中這樣的熱移除是通過利用在一種與所述靶熱接觸的吸熱材料中的相變來實(shí)現(xiàn)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材料是與具有相對(duì)較 高傳熱系數(shù)的其他材料結(jié)合使用。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材料被混合在一種乳 狀液中，該乳狀液含有一種具有4交高傳熱系數(shù)的材^"。
4. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述乳狀液包括硅和 金屬顆粒中的至少一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材料粘附于所述靶的 底面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述相變材料的接觸面充 分大于所述耙的待加工的表面。
7. 才艮據(jù)沖又利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材料借助于一個(gè)表面 增大的物體進(jìn)行所述熱接觸。
8. 才艮據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述物體是內(nèi)部多孔 的物體。
9. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述物體是被封閉的。
10. 4艮據(jù)沖又利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材料是十六烷和甘油中的一種。
11. 沖艮據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述材并十在相應(yīng)于所述光 刻系統(tǒng)的操作溫度的溫度下發(fā)生相變。
12. 才艮據(jù)前一項(xiàng)4又利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述才喿作溫度為室溫。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述物體具有用于支持所 述待加工的輩巴的多個(gè)凸起。
14. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述凸起與所述物體 的至少部分是一體的。
15. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，為了加工將要支持在 所述凸起上的耙，在所述凸起之間設(shè)置有一種相保持的流體或 糊狀物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，采用大量的凸起支持所述 靶。
17. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述凸起被設(shè)置成毛 發(fā)狀元件。
18. 根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述元件是柔性的。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中，所述元件具有可消耗或 可消失特性。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述元件是有彈性的。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，從俯視圖上看，由凸起 構(gòu)成的表面積的百分比在至少約1%至至少約5%的范圍，優(yōu) 選至少約1%。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，導(dǎo)熱材料被施加作為產(chǎn)生 靜電夾持力的手段，尤其是以用于支持所述靶的凸起的形式。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，借助一個(gè)靜電夾將 待加工的耙吸附至一個(gè)吸熱材料載體，其中所述靜電夾包括在 與所述物體相結(jié)合的帶有凸起的面相反的框架面上。
24. 晶片材料的框架，包括兩個(gè)彼此連接的晶片樣元件，其中的至 少 一個(gè)i殳有包含吸熱材料的多個(gè)孔，另 一個(gè)元件封閉這些孔。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的框架，具有如前述任一項(xiàng)系統(tǒng)權(quán)利要 求所限定的特4i。
26. 根據(jù)前述任一項(xiàng)框架權(quán)利要求所述的框架，其中，所述框架的 上面，即帶有凸起的面設(shè)有導(dǎo)熱的電絕緣層，尤其是例如X 孩吏米的氮4匕鋁和氧4匕4皮。
27. 用于穩(wěn)定一個(gè)光刻系統(tǒng)中的靶溫度的方法，通過利用在與所述 革巴熱*接觸的另一材并+中的相變，乂人所述革巴中移除熱。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于將圖像或圖案投射到諸如晶片之類的靶上的光刻系統(tǒng)。將由圖像或圖案的投射而積聚在該靶上的能量從所述靶上除去，以致因局部或整體加熱導(dǎo)致的膨脹被限制于相應(yīng)的預(yù)定值，并且其中這樣的熱移出是利用了在與所述靶熱接觸的熱吸收材料中的相變而實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步地，可以將該材料與具有優(yōu)異傳熱系數(shù)的其他材料結(jié)合應(yīng)用，并可以混合在含有一種具有優(yōu)異傳熱系數(shù)的材料的乳狀液中。例如，可將所述材料粘附于該靶的底面，并且也可以包括在一個(gè)框架中。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101495922SQ200780028526
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月28日
發(fā)明者彼得·克勒伊特, 米歇爾·彼得·丹斯貝格, 馬爾科·揚(yáng)-哈科·威蘭 申請(qǐng)人:邁普爾平版印刷Ip有限公司