專利名稱：：曝光方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種曝光方法和曝光設(shè)備。具體而言，本發(fā)明涉及通過使用被空間光調(diào)制裝置調(diào)制的光照射光敏材料如光致抗蝕劑，將光敏材料以預(yù)定的圖案曝光的曝光方法和曝光設(shè)備。
背景技術(shù)：
：常規(guī)上，在用于LCD(液晶顯示器)的TFT傅膜晶體管)的制造中，廣泛采用光刻(以下稱作光刻)法。基本上，在用于制造TFT等的光刻法中，將薄的光致抗蝕劑涂層涂覆到其上形成金屬或半導(dǎo)體的涂層的玻璃基板上。使光致抗蝕劑暴露在透射穿過其中形成預(yù)定圖案的掩模的曝光光線中。然后，將光致抗蝕劑顯影以形成預(yù)定的抗蝕劑圖案。在如上所述的光刻法中，例如，必須減少步驟數(shù)量以削減LCD的生產(chǎn)成本。作為用于減少光刻法中的步驟數(shù)量的曝光方法，在日本未審查專利出版物2000-206571中公開的方法是熟知的。在日本未審查專利出版物2000-206571中公開的方法中，采用網(wǎng)點曝光。在這種曝光方法中，使用曝光掩模，所述曝光掩模可以將曝光光線的強度改變?yōu)槠毓庋谀５膮^(qū)域內(nèi)的多個強度水平。在這種方法中，可以通過進行單次曝光操作在光致抗蝕劑上以彼此不同的多種曝光量形成曝光區(qū)。因此，當(dāng)稍后進行顯影處理時，可以基于圖案留下厚度被控制在多個水平的抗蝕劑。此外，在日本未審査專利出版物2002-350897中，公開了通過利用光刻法在TFT面板上形成多個結(jié)構(gòu)構(gòu)件的方法。在這種方法中，以與在日本未審查專利出版物2000-206571中公開的方法類似的方式采用網(wǎng)點曝光以形成厚度彼此不同的多個結(jié)構(gòu)構(gòu)件。此夕卜，在"HighTransmissiveAdvancedTFT-LCDTechnology",KoichiFujimori等，SharpTechnicalReport,第85期，第34-37頁，2003年4月中公開的結(jié)構(gòu)中，在LCD-TFT面板上安置反射構(gòu)件，其作為基底材料。反射構(gòu)件的厚度大于在LCD-TFT面板上形成的透射區(qū)的厚度。此外，在反射構(gòu)件的表面上形成很精細(xì)的不勻圖案以提高反射構(gòu)件的表面的光散射作用。常規(guī)上，通過加工反射構(gòu)件的表面形成如上所述構(gòu)造的很精細(xì)的不勻圖案，所述反射構(gòu)件是通過進行光刻法形成的。此外，在日本未審查專利出版物2004-062157中，公開了在沒有使用光掩膜的情況下，在電路板上形成光配線電路的方法。在這種方法中，采用使用調(diào)制光束的蝕刻技術(shù)以在成層方向上形成處于不同厚度水平的多種光配線電路。在這種方法中，通過改變光束的曝光量形成處于不同厚度水平的多種光配線電路。在日本未審查專利出版物2000-206571中公開的曝光方法中，釆用網(wǎng)點曝光。因此，當(dāng)進行單次曝光操作時，可以實現(xiàn)與使用普通的掩模進行的多次曝光操作相應(yīng)的處理。因此，在這種方法中，可以減少光刻法中的步驟數(shù)量。然而，在這種方法中，需要具有間隔很窄的狹縫狀開口圖案的特殊掩模以實現(xiàn)網(wǎng)點曝光。必需的是這種掩模的精度至少是其中不進行網(wǎng)點曝光的普通掩模的精度的兩倍。普通掩模的圖案精度約為士0.5阿。然而，因為高精密的掩模是極其昂貴的，所以使用高精密的掩模進行曝光方法的成本不可避免變高。在日本未審查專利出版物2002-350897中公開的方法中，也確認(rèn)到如上所述的問題，在所述方法中，通過以與如上所述的方法類似的方法采用網(wǎng)點曝光形成厚度彼此不同的多種結(jié)構(gòu)構(gòu)件。同時，在"HighTransmissiveAdvancedTFT-LCDTechnology",KoichiFujimori等，SharpTechnicalReport,第85期，第34-37頁，2003年4月中公開的方法中，在通過實施光刻法在基底材料上形成某個構(gòu)件之后，在構(gòu)件的表面上形成很精細(xì)的均勻圖案。在這種方法中，因為結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，所以有生產(chǎn)成本變高的問題。此外，在日本未審査專利出版物2004-062157中公開的方法中，將光敏材料在單次副掃描操作(單次垂直掃描操作)中以多種曝光量曝光。在這種方法中，必須控制來自光源的輸出量，使得可以輸出用于將對象曝光的最大曝光功率以獲得多級曝光梯度。然而，在一些情況下，只是圖像的少部分即整個圖像的百分之幾需要最大輸出量。在這種情況下，在利用照明光的光學(xué)系統(tǒng)如DMD中可能浪費曝光功率。此外，必須在單次副掃描操作中將具有梯度的數(shù)據(jù)分配給每個曝光點以獲得多級曝光梯度。因此，數(shù)據(jù)處理量增加幾倍，并且有難以保持處理速度的問題。
發(fā)明內(nèi)容考慮到上述情形，本發(fā)明的一個目的是提供其中可以以低成本實現(xiàn)光敏材料如光致抗蝕劑的網(wǎng)點曝光(中間曝光(intermediateexposure))的曝光方法。本發(fā)明的又一個目的是提供其中實施曝光方法的曝光設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的曝光方法是通過使用由曝光頭發(fā)出的曝光光線照射光敏材料，將光敏材料以預(yù)定的圖案曝光的曝光方法，所述曝光頭發(fā)出通過空間光調(diào)制裝置調(diào)制的光，其中使用從曝光頭發(fā)出的曝光光線照射在光敏材料上以預(yù)定的方向延伸的區(qū)域，并且其中在照射該區(qū)域的同時，對于每一種光敏材料，使曝光頭和光敏材料在基本上垂直預(yù)定方向的方向上彼此相對移動至少兩次，并且其中在每一次相對移動中控制空間光調(diào)制裝置的操作以在光敏材料上能夠形成曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，優(yōu)選使用具有多個在二維上安置的像素的二維空間光調(diào)制裝置作為空間光調(diào)制裝置，并且使用來自在副掃描方向上連續(xù)對準(zhǔn)的多個像素的光照射光敏材料的一部分以將相同部分照射超過一次。此外，優(yōu)選使用DMD(數(shù)字微反射鏡裝置)作為空間光調(diào)制裝置。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，優(yōu)選作為曝光對象的光敏材料是在基底材料上或者在基底材料上形成的結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料上形成的光致抗蝕劑，以處理基底材料或結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。作為如上所述的光致抗蝕劑，可以優(yōu)選使用具有兩層結(jié)構(gòu)的光致抗蝕劑，所述兩層結(jié)構(gòu)包含在基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層；以及在較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。此外，當(dāng)使用如上所述光致抗蝕劑作為曝光對象時，可以通過從曝光量彼此不同的部分逐步除去光致抗蝕劑形成至少兩個結(jié)構(gòu)構(gòu)件。此外，如果基底材料是LCD-TFT(液晶顯示器-薄膜晶體管)面板時，結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料可以是用于形成TFT(薄膜晶體管)電路的材料。此外，如果基底材料是導(dǎo)電膜，則可以優(yōu)選使用具有兩層結(jié)構(gòu)的光敏材料，所述兩層結(jié)構(gòu)包含在基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層；以及在較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，作為曝光對象的光敏材料可以是一種在基底材料上保留的結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料，并且保留的材料可以包含其厚度至少處于兩種不同水平的部分。特別是，優(yōu)選基底材料是LCD-TFT面板，并且結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料是用于反射構(gòu)件的材料，所述反射構(gòu)件是在LCD-TFT面板上形成的，并且在其表面上具有不均勻的圖案。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，作為曝光對象的光敏材料可以是在基底材料上保留的至少兩種結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。優(yōu)選這種結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料具有至少兩層，其中兩層是在基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層，以及在較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。特別是，基底材料是例如LCD-CF(液晶顯示器-濾色器)面板。當(dāng)基底材料是LCD-CF時，結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料可以至少是用于肋構(gòu)件的材料和用于柱構(gòu)件的材料。此外，當(dāng)基底材料是LCD-CF(液晶顯示器-濾色器)面板時，結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料可以至少是用于透射用RGB(紅、綠和藍)構(gòu)件的材料和用于反射用RGB構(gòu)件的材料。同時，根據(jù)本發(fā)明的第一曝光設(shè)備是通過使用被空間光調(diào)制裝置調(diào)制的曝光光線照射光敏材料，將光敏材料以預(yù)定的圖案曝光的曝光設(shè)備，所述設(shè)備包含曝光頭，用于采用調(diào)制的曝光光線照射在光敏材料上以預(yù)定的方向延伸的區(qū)域；副掃描裝置，用于對每一種光敏材料，使曝光頭和光敏材料在基本上垂直預(yù)定方向的方向上彼此相對移動至少兩次；以及曝光量控制裝置，用于在每一次相對移動中控制空間光調(diào)制裝置的操作，其中可以在光敏材料上形成其曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。優(yōu)選空間光調(diào)制裝置是具有多個在二維上安置的像素的二維空間光調(diào)制裝置。特別是，可以優(yōu)選使用DMD作為空間光調(diào)制裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備是包含下列裝置的曝光設(shè)備數(shù)據(jù)劃分裝置，用于將在光敏材料上形成的圖像的原始數(shù)據(jù)分為低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)和高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)；曝光量操作裝置，用于基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將光敏材料上的第一光敏層曝光的曝光量，并且用于基于高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將光敏材料上的第二光敏層曝光的曝光量；和曝光控制裝置，用于分別在使曝光頭和光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過曝光量操作裝置獲得的操作結(jié)果控制第一光敏層的曝光和第二光敏層的曝光中的每一個，其中通過下列方式將光敏材料上的第一光敏層和第二光敏層曝光將來自多個線性安置的曝光頭的光束投射到光敏材料上，在光敏材料上形成圖像，并且在副掃描方向上彼此相對向前和向后移動多個曝光頭和光敏材料，所述副掃描方向基本上垂直多個曝光頭線性安置的方向；其中通過將具有較低靈敏度的第一光敏層和具有較高靈敏度的第二光敏層相互疊置在支承體表面上的導(dǎo)電膜上，形成光敏材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的第三曝光設(shè)備是包含下列裝置的曝光設(shè)備數(shù)據(jù)劃分裝置，用于將印刷電路圖數(shù)據(jù)，所述印刷電路圖數(shù)據(jù)是用于在光敏材料上形成印刷電路的圖像的原始數(shù)據(jù)，劃分為通孔部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與通孔的位置相關(guān)，所述通孔從光敏材料一側(cè)穿透光敏材料到其另一側(cè)；和電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與在光敏材料上形成的電路圖案相關(guān)；曝光量操作裝置，用于基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將光敏材料上的第一光敏層曝光的曝光量，并且用于基于電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將光敏材料上的第二光敏層曝光的曝光量；以及曝光控制裝置，用于分別在使曝光頭和光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過曝光量操作裝置獲得的操作結(jié)果控制第一光敏層的曝光和第二光敏層的曝光中的每一個，其中通過下列方式將光敏材料上的第一光敏層和第二光敏層曝光將來自多個線性安置的曝光頭的光束投射到光敏材料上，在光敏材料上形成圖像，并且在副掃描方向上彼此相對向前和向后移動多個曝光頭和光敏材料，所述副掃描方向基本上垂直多個曝光頭線性安置的方向；其中通過將具有較低靈敏度的第一光敏層和具有較高靈敏度的第二光敏層相互疊置在支承體表面上的導(dǎo)電膜上，形成光敏材料。在根據(jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備和第三曝光設(shè)備中，優(yōu)選從多個曝光頭發(fā)出的光束的光量是恒定的，并且曝光控制裝置改變多個曝光頭和光敏材料在副掃描方向上彼此相對移動的副掃描速度，使得在向前移動中的副掃描速度和在向后移動中的副掃描速度彼此不同。備選地，在根據(jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備和第三曝光設(shè)備中，優(yōu)選多個曝光頭和光敏材料在副掃描方向上彼此相對移動的副掃描速度在整個向前移動和向后移動中是恒定的，并且曝光控制裝置控制從多個曝光頭發(fā)出的光束的光量，使得該光量在第一光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬?，并且該光束的光量在第二光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬康?/n(n是正整數(shù))。此外，在根據(jù)本發(fā)明的第三曝光設(shè)備中，優(yōu)選曝光控制裝置在基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的曝光過程中，使曝光頭和光敏材料以更高的速度彼此相對移動，而不在除散布在光敏材料上的通孔部分外的區(qū)域中進行曝光。在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，曝光頭和光敏材料彼此相對移動，換句話說，對于每一種光敏材料，使用曝光光線進行至少兩次副掃描。因此，可以在光敏材料上形成曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。具體而言，例如，當(dāng)將副掃描進行兩次時，可以只在第一次副掃描操作中使用曝光光線照射光敏材料的區(qū)域A，并且可以在第一次副掃描操作和第二次副掃描操作中使用曝光光線照射光敏材料的區(qū)域B。如果將區(qū)域A和區(qū)域B以這種方式曝光，則可以以較小的曝光量將區(qū)域A曝光，并且以較大的曝光量將區(qū)域B曝光。如果如上所述進行操作，則無需使用如上所述的高精密掩模或者根本不使用任何曝光掩模。因此，可以以低成本在光敏材料上進行網(wǎng)點曝光。如果可以在如上所述的光敏材料上形成曝光量彼此不同的曝光區(qū)，則在稍后進行顯影處理時，可以基于圖案留下厚度被控制在多個水平的抗蝕劑或結(jié)構(gòu)構(gòu)件。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，通過將曝光進行多次實現(xiàn)在多種曝光量下的曝光。因此，可以降低光源功率并且將功率的消耗量保持在低水平。此外，即使曝光進行多次，也可以使用相同的數(shù)據(jù)量以相同的計算速度進行多次曝光。因此，可以設(shè)計可以獲得最佳圖像處理性能的曝光設(shè)備。此外，可以降低用于制造曝光設(shè)備的成本。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，可以使用具有多個在二維上安置的像素的二維空間光調(diào)制裝置作為空間光調(diào)制裝置。此外，可以使用來自在副掃描方向上連續(xù)對準(zhǔn)的多個像素的光照射光敏材料的一部分以將相同部分照射超過一次。如果以這種方式進行曝光，則可以在各個單次副掃描操作中以更高的曝光量照射光敏材料。例如，可以使用具有在副掃描方向上對準(zhǔn)的兩個像素的二維空間光調(diào)制裝置。如果使用這種二維空間光調(diào)制裝置，并且如果可以通過兩個像素的每一個以Ex的曝光量照射光敏材料，則可以在單次副掃描操作中以2Ex的曝光量照射光敏材料的相同部分。因此，可以在兩次副掃描操作中以4Ex的曝光量照射光敏材料的相同部分。如果使用如上所述的二維空間光調(diào)制裝置，并且如果在單次副掃描操作中基于曝光圖案控制兩個像素的驅(qū)動，則可以通過只進行單次副掃描操作形成處于不同厚度水平的曝光區(qū)。然而，在這種情況下，最大曝光量是2Ex。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法是更有利的，因為可以獲得更高的曝光量。此外，根據(jù)本發(fā)明的第一曝光設(shè)備包含曝光頭，用于采用調(diào)制的曝光光線照射在光敏材料上以預(yù)定的方向延伸的區(qū)域；副掃描裝置，用于通過使曝光頭和光敏材料彼此相對移動，使用曝光光線進行副掃描操作；以及曝光量控制裝置，用于在每次副掃描操作中控制空間光調(diào)制裝置的操作。因此，可以實現(xiàn)如上所述的低成本網(wǎng)點曝光方法。此外，在根據(jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備中，數(shù)據(jù)劃分裝置將要在光敏材料上形成的圖像的原始數(shù)據(jù)分為低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)和高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)。低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)是其中將第一光敏層曝光的區(qū)域的數(shù)據(jù)。此外，高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)是其中將第二光敏層曝光的區(qū)域的數(shù)據(jù)。此外，曝光量操作裝置基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作，以獲得用于將作為低靈敏度層的第一光敏層曝光的曝光量。曝光量操作裝置還基于高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作，以獲得用于將作為高靈敏度層的第二光敏層曝光的曝光量。曝光控制裝置分別在使曝光頭和光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過曝光量操作裝置獲得的必需曝光量控制曝光，使得將低靈敏度的第一光敏層以基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光，并且將高靈敏度的第二光敏層以基于高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光。具體而言，當(dāng)曝光頭相對于光敏材料向前和向后移動時，將光敏材料不但以基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光，而且以基于高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光。這里，當(dāng)將第一光敏層以基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光時，疊置在第一光敏層上的第二光敏層也被曝光。因為如上所述曝光控制裝置分別在向前移動和向后移動中控制曝光，所以可以調(diào)節(jié)用于將第一光敏層以基于低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光的曝光量，以及用于將第二光敏層以基于高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光的曝光量。此外，因為曝光控制裝置分別進行在向前移動中的曝光操作和向后移動中的曝光操作，所以兩次曝光操作是在不同時間進行的。因此，可以防止在兩次操作之間的干擾，從而在兩次操作的每一次中進行最佳的曝光處理。此外，在根據(jù)本發(fā)明的第三曝光設(shè)備中，數(shù)據(jù)劃分裝置將作為用于在光敏材料上形成印刷電路的圖像的原始數(shù)據(jù)的印刷電路圖的數(shù)據(jù)劃分為:通孔部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與通孔的位置相關(guān)；和電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與實際電路相關(guān)。此外，曝光量操作裝置基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將低靈敏度的第一光敏層曝光所必需的曝光量。曝光量操作裝置還基于電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將高靈敏度的第二光敏層曝光所必需的曝光量。然后，曝光控制裝置分別在使曝光頭和光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過曝光量操作裝置獲得的必需曝光量，控制第一光敏層的曝光和第二光敏層的曝光中的每一個。曝光控制裝置控制曝光，使得將低靈敏度的第一光敏層以基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光，并且將高靈敏度的第二光敏層以基于電路圖案的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光。具體而言，當(dāng)曝光頭相對于光敏材料向前和向后移動時，將光敏材料不但以基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光，而且以基于電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光。這里，當(dāng)將第一光敏層以基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光時，疊置在第一光敏層上的第二光敏層也被曝光。因為如上所述曝光控制裝置分別在向前移動和向后移動中控制曝光，所以可以調(diào)節(jié)曝光量，使得將第一光敏層曝光以形成通孔部分，并且將第二光敏層曝光以形成電路圖案。因此，無需增加或減少光源的數(shù)量以調(diào)節(jié)曝光量。此外，可以防止曝光設(shè)備的生產(chǎn)成本因光源數(shù)量的增加所導(dǎo)致的增加。這里，因為在電路圖案部分圖像區(qū)中需要高分辨率圖像，所以應(yīng)該在電路圖案部分圖像區(qū)中采用薄光敏層(第二光敏層)。此外，因為在通孔部分圖像區(qū)中需要所謂"帳篷"特性(涂層的保護性)，所以應(yīng)該在通孔部分圖像區(qū)中采用厚光敏層(第一光敏層)。如果在電路圖案部分圖像區(qū)和通孔部分圖像區(qū)的每一個中采用這種層，可以將每個圖像區(qū)適當(dāng)?shù)仄毓?。如上所述，在根?jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備和第三曝光設(shè)備中，分別在向前移動和向后移動中控制光敏材料的曝光。因此，可以在不改變光源數(shù)量的情況下，增加或降低用于將光敏材料表面曝光的曝光量，光敏材料是通過涂覆多層光敏層制備的。此外，還可以將光敏材料曝光以形成高靈敏度部分的圖像(例如，需要高分辨率的印刷圖案部分的圖像)和低靈敏度部分的圖像(例如，其中需要使用銅箔保護內(nèi)壁及其邊緣的通孔部分的圖像)。根據(jù)本發(fā)明的第二曝光設(shè)備和第三曝光設(shè)備可以達到這種優(yōu)異的有利效果。此外，在第二曝光設(shè)備或第三曝光設(shè)備中，從曝光頭發(fā)出的光束的光量可以是恒定的，并且曝光控制裝置可以控制曝光，使得在向前移動中的副掃描速度(曝光頭和光敏材料在副掃描方向上的相對移動的速度)和在向后移動中的副掃描速度彼此不同。特別是，如果如上所述構(gòu)造第二曝光設(shè)備或第三曝光設(shè)備，則即使從曝光頭發(fā)出的光束的光量是恒定的，也可以通過增加副掃描速度以降低曝光量，將第二光敏層以更低的曝光量曝光。此外，還可以通過降低副掃描速度以增加曝光量，將第一光敏層以更高的曝光量曝光。這里，當(dāng)將第一光敏層曝光時，疊置在第一光敏層上的第二光敏層也被曝光。因此，如果改變副掃描速度使得在曝光頭和光敏材料的相對移動中，在向前移動中的副掃描速度和在向后移動中的副掃描速度彼此不同，則可以在不增加或降低光源數(shù)量的情況下增加或降低對光敏材料的曝光量。此外，在第二曝光設(shè)備或第三曝光設(shè)備中，曝光頭和光敏材料在副掃描方向上彼此相對移動的副掃描速度在整個向前移動和向后移動中可以是恒定的。此外，曝光控制裝置可以控制第一光敏層和第二光敏層中的每一個的曝光，使得從曝光頭發(fā)出的光束的光量在第一光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬?，并且該光束的光量在第二光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬康?/n(n是正整數(shù))。特別是，如果如上所述構(gòu)造第二曝光設(shè)備或第三曝光設(shè)備，則即使副掃描速度在整個向前移動和向后移動中是恒定的，曝光控制裝置也可以使從曝光頭發(fā)出的光束的光量增加至最大值，以在將第一光敏層以基于圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光時增加曝光量。因此，可以將低靈敏度的第一光敏層更快速地曝光。同時，在將第二光敏層以基于圖像數(shù)據(jù)的圖案曝光時，例如，通過用安置在曝光頭中的濾光器等，可以將光束的光量降低至最大光量的1/n(n是正整數(shù))而降低曝光量。因此，只是將第二光敏層曝光。如果降低從曝光頭發(fā)出的光的光量，則可以在不減少光源數(shù)量的情況下降低曝光量。因此，即使在曝光頭和光敏材料的向前/向后移動中，副掃描速度在整個向前移動和向后移動中是恒定的，也可以增加或降低在光敏材料的曝光中的曝光量?？梢酝ㄟ^在不改變光源數(shù)量的情況下增加或降低光束的光量，增加或降低曝光量。此外，在第三曝光設(shè)備中，在基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的曝光過程中，曝光控制裝置可以在除散布在光敏材料上的通孔部分外的區(qū)域中不進行曝光的情況下，使曝光頭和光敏材料彼此相對以更高的速度移動。通孔部分散布在光敏材料的任意位置，并且在基于通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的曝光處理中只將散布的通孔部分的位置曝光。因此，無需將不同于通孔的區(qū)域曝光。因此，副掃描速度在不同于通孔的區(qū)域中增加。因為如上所述副掃描速度增加，所以可以降低用于基于通孔部分的全部圖像數(shù)據(jù)將光敏材料曝光的總處理時間。此外，可以提高生產(chǎn)率。接著，將描述在本發(fā)明中采用的光敏材料(多層光敏材料和印刷電路板(光敏材料》。[多層光敏材料(DFR(干膜抗蝕劑))]在本發(fā)明中采用的多層光敏材料(DFR)包含至少兩層光敏樹脂組合物，該光敏樹脂組合物基本上由粘合劑聚合物、具有烯屬不飽和鍵的單體和光聚合引發(fā)劑組成。在多層光敏材料中，將第一光敏層和第二光敏層相互疊置，并且以這種順序安置。第一光敏層是靈敏度較低的層，并且第二光敏層是靈敏度較高的層。以下，多層光敏材料被稱作干膜光致抗蝕劑(DFR)。下面將列出DFR的組成條件。(1)第一光敏層(低靈敏度層)的厚度小于或等于50pm。第二光敏層(高靈敏度層)的厚度在lpm至10(im的范圍內(nèi)(請參考將稍后描述的圖36)。第一光敏層比第二光敏層更厚。(2)用于將第二光敏層固化所必需的光量A和用于將第一光敏層固化所必需的光量B之間的比率A/B在0.01至0.5的范圍內(nèi)(請參考將稍后描述的圖36)。(3)用于將第二光敏層固化所必需的光量A和用于引發(fā)第一光敏層的固化所必需的光量C之差(C-A)小于用于將第二光敏層固化所必需的光量A的10倍。(4)用于將第二光敏層固化所必需的光量A和用于引發(fā)第一光敏層的固化所必需的光量C之差(C-A)小于或等于100mJ/cm2。(5)第一光敏層和第二光敏層的每一個基本上由相同的粘合劑聚合物、相同的具有烯屬不飽和鍵的單體和相同的光聚合引發(fā)劑組成。在第二光敏層中含有的光聚合引發(fā)劑的量大于在第一光敏層中含有的光聚合引發(fā)劑的量。(6)第二光敏層還包含敏化劑。如上所述，例如，可以通過下列方法制備DFR:形成第一光敏層和第二光敏層使得第二光敏層的光聚合引發(fā)劑含量高于第一光敏層的光聚合引發(fā)劑含量。備選地，可以通過將敏化劑加入第二光敏層中制備DFR。優(yōu)選用于DFR的粘合劑聚合物可溶解于堿性水溶液中。備選地，優(yōu)選粘合劑聚合物是通過與堿性水溶液接觸至少溶脹的共聚物。具有烯屬不飽和鍵的單體的一個優(yōu)選實例是具有至少兩個烯屬不飽和雙鍵的化合物(以下稱作多官能單體)。多官能單體的一個實例是在日本專利出版物36(1961)-5093、日本專利出版物35(1960)-14719、日本專利出版物44(1969)-28727等中公開的化合物。作為光聚合引發(fā)劑的實例，有在美國專利2,367,660中公開的芳族酮、鄰聚縮酮基(vicinalpolyketaldonyl)化合物、在美國專利2,448,828中公開的偶姻醚化合物、在美國專利2,722,512中公開的被(x-烴取代的芳族偶姻化合物、在美國專利3,046,127和美國專利2,951，758中公開的多核醌化合物、在美國專利3,549,367中公開的三芳基咪唑二聚物和對氨基酮的組合、在日本專利出版物51(1976)-48516中公開的苯并噻唑化合物和三鹵代甲基-均三嗪化合物、在美國專利4，239,850中公開的三鹵代甲基-均三嗪化合物、在美國專利4,212,976中公開的三鹵代甲基-噁二唑化合物等。在本發(fā)明中采用的DFR中，可以將敏化劑加入一個或多個光敏層中。通常，只將敏化劑加入第二光敏層中。DFR可以包含用于光敏層的無色染料或顏料?？梢栽贒FR中使用染料以將光敏層著色或者提高儲存穩(wěn)定性。此外，可以將所謂的緊密接觸促進劑用于一個或多個光敏層以提高DFR的第一光敏層和第二光敏層之間的緊密接觸程度。備選地，可以使用緊密接觸促進劑提高在DFR的第二光敏層和用于形成印刷電路板的底板(基板)之間的緊密接觸程度。可以使用熟知的緊密接觸促進劑。作為用于支承構(gòu)件的材料，可以使用各種塑料膜，如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、三乙酸纖維素、二乙酸纖維素、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、聚(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯乙烯、玻璃紙、聚偏二氯乙烯共聚物、聚酰胺、聚酰亞胺、氯乙烯、乙酸乙烯酯共聚物、聚四氟乙烯和聚三氟乙烯。此外，可以使用包含這些材料的至少兩種的復(fù)合材料。在DFR中，還可以將保護膜安置在第二光敏材料上。作為保護膜，可以使用用作支承構(gòu)件的塑料膜。備選地，可以使用紙、層壓有聚乙烯或聚丙烯的紙等作為保護膜。特別是，優(yōu)選保護膜是聚乙烯膜或聚丙烯膜。[用于制造包含DFR層的印刷電路板的方法的原理]將描述用于制造包含DFR層的印刷電路板的方法的原理。制備層壓體，其中將包銅層壓板、第二光敏層、第一光敏層和聚對苯二甲酸乙二醇酯膜以這種順序相互疊置。通過下列方法制備層壓體將從其上移除聚乙烯膜的DFR的第二光敏層疊置在包銅層壓板上，所述包銅層壓板具有直徑為3mm的通孔;并且通過用加熱輥層壓機將壓力施加到上面使得在其間不截留氣泡，使它們附著在一起。將銅板層安置在通孔的內(nèi)壁的表面上，并且使用表面接地的干銅層覆蓋包銅層壓板的表面。然后，通過具有藍色激光光源的曝光設(shè)備將包銅層壓板的電路圖案形成區(qū)域曝光，所述光源從層壓體的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上面的位置發(fā)出波長為405nm的光。使用4mJ/cm2的光以預(yù)定的圖案照射電路圖案形成區(qū)域。同時，使用40mJ/cm2的光照射包銅層壓板的通孔開口及其附近以將光敏層曝光。在進行曝光之后，將聚對苯二甲酸乙二醇酯膜從層壓體上剝離。然后，將濃度為1質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液噴淋到第二光敏層的表面上以將第一光敏層和第二光敏層的未固化層通過使它們?nèi)芙舛?。因此，獲得了由固化層形成的凸紋(rdief)。當(dāng)觀察在包銅層壓板中的固化層的圖案時，在電路圖案形成區(qū)域上的固化層和在通孔開口上的固化層中沒有發(fā)現(xiàn)缺陷，如剝落的部分或間隙。此外，測量固化層的厚度。在電路圖案形成區(qū)域上的固化層的厚度是5pm，并且在通孔開口上的固化層的厚度是30jim。接著，通過噴涂將氯化亞鐵蝕刻劑(含有氯化亞鐵的蝕刻溶液)涂覆到包銅層壓板的表面上。因此，通過使其溶解除去沒有被固化層覆蓋的曝光區(qū)中的銅層。然后，通過噴淋濃度為2質(zhì)量％的氫氧化鈉水溶液除去由固化層形成的凸紋。因此，獲得了印刷電路板，該印刷電路板具有通孔并且具有在其表面上的電路圖案中的銅層。當(dāng)目測獲得的印刷電路板的通孔時，確認(rèn)到?jīng)]有異常。附圖簡述圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的曝光設(shè)備的外透視圖；圖2是說明在圖1中說明的曝光設(shè)備中的掃描器的構(gòu)造的透視圖；圖3A是說明在光致抗蝕劑上形成的曝光區(qū)的俯視圖；圖3B是說明由各個曝光頭形成的曝光區(qū)的安置的圖；圖4是說明在圖1中說明的曝光設(shè)備中的曝光頭的構(gòu)造的示意性透視圖；圖5是曝光頭的截面圖;.圖6是說明數(shù)字微反射鏡裝置(DMD)的構(gòu)造的部分放大圖；圖7A是用于說明DMD的操作的圖；圖7B是用于說明DMD的操作的圖；圖8A是用于比較在DMD不傾斜時的曝光光束和掃描線的安置和在DMD傾斜時的安置的示意圖；圖8B是用于比較在DMD不傾斜時的曝光光束和掃描線的安置和在DMD傾斜時的安置的示意圖；圖8C是說明在曝光光束點之中的交疊的說明性圖-，圖9A是說明纖維陣列光源的構(gòu)造的透視圖；圖9B是說明在纖維陣列光源的激光發(fā)出部分中的光發(fā)出點的安置的正視圖；圖IO是說明多模光纖的結(jié)構(gòu)的圖；圖11是說明多路激光光源的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖12是說明激光模塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖13是說明在圖12中說明的激光模塊的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖14是說明在圖12中說明的激光模塊的結(jié)構(gòu)的部分正視圖；圖15是說明曝光設(shè)備的電構(gòu)造的方框圖；圖16A是說明DMD的使用面積的一個實例的圖；圖16B是說明DMD的使用面積的一個實例的圖；圖17是說明曝光設(shè)備的構(gòu)造的一個實例的方框圖，所述曝光設(shè)備用于在光敏材料的多個分開的區(qū)域上平行進行曝光處理；圖18是用如圖17中所述構(gòu)建的曝光設(shè)備進行的曝光處理的流程圖；圖19是說明其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的LCD-TFT面板的一個實例的截面?zhèn)纫晥D的示意圖；圖20A是用于比較根據(jù)本發(fā)明的曝光方法和常規(guī)的曝光方法的流程圖；圖20B是用于比較根據(jù)本發(fā)明的曝光方法和常規(guī)的曝光方法的流程圖；圖21是說明其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的LCD-CF面板的一部分的截面?zhèn)纫晥D的示意圖；圖22是說明其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的LCD-CF面板的另一部分的截面?zhèn)纫晥D的示意圖；圖23A是說明制造其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖23B是說明制造其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖23C是說明制造其中采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖24D是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖24E是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖24F是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖25G是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖25H是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖251是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖26J是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖26K是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖26L是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖27M是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖27N是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖270是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖28P是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖28Q是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖28R是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖29S是說明制造有源矩陣基板的步驟的示意圖；圖30是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案的圖像曝光設(shè)備的透視圖的示意圖；圖31說明在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備的側(cè)視圖的示意圖；圖32A是說明通過在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備的曝光頭單元曝光的區(qū)域的俯視圖；圖32B是說明頭組件的安置圖案的俯視圖；圖33是說明在單個頭組件中的點圖案的安置的俯視圖；圖34是說明被采用作為在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備中的光敏材料的印刷電路板的一部分的俯視圖；圖35A是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖。圖35B是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖。圖35C是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖；圖35D是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖；圖35E是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖；圖35F是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線IV-VI的部分的截面形狀的示意圖；圖35G是說明在通過曝光、顯影和蝕刻處理的每一個由原始基板制造印刷電路板中，沿著圖34中的線W-VI的部分的截面形狀的示意圖；圖36是說明曝光量和靈敏度之間的關(guān)系的特性圖；圖37是說明在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備中的控制操作的方框圖，所述控制操作用于改變曝光量以在曝光臺的向前/向后移動中的向前移動和向后移動之間以不同的曝光量進行曝光；圖38A是說明在向前移動和向后移動中進行曝光處理時，在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備中的曝光臺的移動的說明性圖；圖38B是說明在向前移動和向后移動中進行曝光處理時，在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備中的曝光臺的移動的說明性圖；圖39是說明通過這樣的裝置產(chǎn)生的信號的波形的圖，所述裝置用于檢測在圖30中所述的圖像曝光設(shè)備的曝光臺的移動；圖40是說明劃分圖像數(shù)據(jù)的過程、處理分開的數(shù)據(jù)的過程和控制向前移動和向后移動中的曝光的過程的流程圖；圖41A是說明在向前移動中的曝光處理和向后移動中的曝光處理之間改變曝光量時，曝光臺的移動和用于控制光量的處理的說明性圖；圖41B是說明在向前移動中的曝光處理和向后移動中的曝光處理之間改變曝光量時，曝光狀態(tài)的移動和用于控制光量的處理的說明性圖；圖42是說明DMD中的塊區(qū)的圖；圖43是說明用于DMD中的每個塊區(qū)的控制信號傳送單元的構(gòu)造的示意圖；圖44A是說明在DMD中的每個塊區(qū)中的控制信號的傳送和調(diào)制的時機的圖；圖44B是說明在圖44A中所述的時機下繪制(draw)圖像時的繪制點的圖；圖45是說明在DMD中的每個塊區(qū)中的控制信號的傳送和調(diào)制的時機的另一個實例的圖；圖46A是說明在DMD中的每個塊區(qū)中的每個被分開的區(qū)域中的控制信號的傳送和調(diào)制的時機的圖；圖46B是說明在圖46A中所述的時機下繪制圖像時的繪制點的一個實例的圖；圖47是說明在DMD中的每個塊區(qū)中的每個被分開的區(qū)域中的控制信號的傳送和調(diào)制的時機的圖；圖48A是說明在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的曝光設(shè)備中的控制信號的傳送和調(diào)制的時機的圖；圖48B是說明在圖48A中所述的時機下繪制圖像時的繪制點的一個實例的圖；以及圖49是說明在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中的各種處理所需的時間的一個實例的說明性圖。實施本發(fā)明的最佳方式以下，將參考附圖描述本發(fā)明的實施方案。[曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)]如圖1中說明，根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備包含通過抽吸將玻璃基板150固定在其表面上的平板狀移動臺152。已經(jīng)將光致抗蝕劑150a的薄涂層涂覆到玻璃板150的表面上。此外，將沿著臺152的移動方向延伸的兩根導(dǎo)軌158安置在底座156的上表面上。底座156具有厚平板的形狀，并且它被四條腿154a支承。將臺152以其縱向安置在臺152的移動方向上的方式放置，并且導(dǎo)軌158以允許臺152的向前和向后移動的方式支承臺152。此外，將稍后描述的臺驅(qū)動裝置304(請參考圖15)安置在曝光設(shè)備中以沿著導(dǎo)軌158驅(qū)動臺152，作為副掃描裝置。將橫跨臺152的移動通道的C形門160安置在底座156的中央。將C形門160的每一端固定到底座156的任一側(cè)上。將掃描器162安置在門160的一側(cè)，并且將多個傳感器164(例如，兩個傳感器)安置在門160的另一側(cè)。所述多個傳感器164檢測玻璃基板150的前緣和后緣以及基板上的圖案。使掃描器162和傳感器164的每一個附著到門160上。將掃描器162和傳感器164安置在臺152的移動通道上面的固定位置。將掃描器162和傳感器164連接到用于控制它們的一個或多個控制器(沒有說明)上。掃描器162包含多個曝光頭166(例如，14個曝光頭)，所述多個曝光頭166是基本上以如圖2和3B中所述的包含m行Xn列(例如，3行X5列)的矩陣形式安置的。在本實施例中，由于玻璃基板150的寬度，將四個曝光頭166安置在第三行上。在本說明書中，將安置在第m行、第n列的曝光頭由曝光頭166mn表示。通過曝光頭166曝光的每個區(qū)域168的形狀是具有置于副掃描方向上的較短邊的矩形。因此，當(dāng)臺152移動時，通過每個曝光頭166在玻璃基板150上的光致抗蝕劑150a上形成帶狀曝光區(qū)170。在本說明書中，通過安置在第m行、第n列的曝光頭166形成的曝光區(qū)由曝光區(qū)168m。表示。此外，如在圖3A和3B中所述，在每一行中線性安置的曝光頭從曝光頭的安置方向上的另一行上的曝光頭偏移預(yù)定的距離(通過將曝光區(qū)的較長邊乘以自然數(shù)獲得的數(shù)，并且在本實施例中，該距離是較長邊的兩倍)。移動曝光頭以在垂直副掃描方向的方向上，在其間沒有間隙的情況下形成帶狀曝光區(qū)170。因此，可以通過第二行的曝光區(qū)1682和第三行的曝光區(qū)16831將在第一行的曝光區(qū)168u和曝光區(qū)16812之間的未曝光區(qū)域曝光。曝光頭166u至166加的每一個包含由TexasInstrumentsIncorporated,U.S.生產(chǎn)的數(shù)字微反射鏡裝置(DMD)50作為空間光調(diào)制裝置。如圖4和5中所述，空間光調(diào)制裝置基于圖像數(shù)據(jù)調(diào)制對于每個像素入射其上的光束。DMD50連接到DMD驅(qū)動器428(將稍后描述)(請參考圖15)上。DMD驅(qū)動器428包含數(shù)據(jù)處理單元和反射鏡驅(qū)動控制單元。DMD驅(qū)動器428的數(shù)據(jù)處理單元基于輸入圖像數(shù)據(jù)產(chǎn)生控制信號，所述控制信號用于控制每個曝光頭166的DMD50中要被控制的區(qū)域中的每個微反射鏡的驅(qū)動。將稍后描述要被控制的區(qū)域。此外，反射鏡驅(qū)動控制單元基于由圖像數(shù)據(jù)處理單元產(chǎn)生的控制信號控制每個曝光頭166的DMD50中的每個微反射鏡反射平面的角度。將稍后描述反射平面的角度的控制。此外，將纖維陣列光源66、透鏡系統(tǒng)67和反射鏡69以這種順序安置在DMD50的光接受側(cè)。纖維陣列光源66包含激光發(fā)出部分，其中將光纖的光發(fā)出端(光發(fā)出點)安置在沿著與曝光區(qū)168的較長邊對應(yīng)的方向的線上。透鏡系統(tǒng)67校正從纖維陣列光源66發(fā)出的激光，并且將校正的激光會聚到DMD上。反射鏡69反射通過透鏡系統(tǒng)67傳送的激光，使得激光朝DMD50傳送。在圖4中，示意性地說明了透鏡系統(tǒng)67。如在圖5中詳細(xì)說明，透鏡系統(tǒng)67包含聚光透鏡71、棒狀光學(xué)積分器(以下稱作棒積分器)72和圖像形成透鏡74。聚光透鏡71會聚激光B作為從纖維陣列光源66發(fā)出的照明光。將棒積分器72插入到通過聚光透鏡71傳送的光的光路中。將圖像形成透鏡74安置在棒積分器72的前側(cè)，換句話說，在靠近反射鏡69的一側(cè)。棒積分器72使從纖維陣列光源66發(fā)出的激光以接近平行光并且其在光束的截面內(nèi)的強度均勻分布的光通量的形式進入DMD50。將稍后描述棒積分器72的形狀和作用。從透鏡系統(tǒng)67發(fā)出的激光B被反射鏡69反射。然后，被反射的光通過TIR(全內(nèi)反射)棱鏡70傳送，并且使用被反射的光照射DMD50。在圖4中，省略了TIR棱鏡70。此外，將圖像形成光學(xué)系統(tǒng)51安置在DMD50的光反射側(cè)。圖像形成光學(xué)系統(tǒng)51使用被DMD50反射的激光B在光致抗蝕劑150a上形成圖像。在圖4中示意性地說明了圖像形成光學(xué)系統(tǒng)51，并且將它在圖5中詳細(xì)說明。如圖4和5中說明，圖像形成光學(xué)系統(tǒng)51包含第一圖像形成光學(xué)系統(tǒng)、第二圖像形成光學(xué)系統(tǒng)、微透鏡陣列55和掩模板59。第一圖像形成光學(xué)系統(tǒng)包含透鏡系統(tǒng)52和54，并且第二圖像形成光學(xué)系統(tǒng)包含透鏡系統(tǒng)57和58。將微反射鏡透鏡陣列55和掩模板59插入兩個圖像形成光學(xué)系統(tǒng)之間。在微透鏡陣列55中，將與DMD50的各個像素對應(yīng)的多個微透鏡55a在二維上安置。在本實施例中，如稍后描述，在DMD50中的1024像素X768行的微反射鏡之中驅(qū)動只有1024像素X256行的微反射鏡。因此，安置與被驅(qū)動的微反射鏡的數(shù)量對應(yīng)的1024像素X256行的微透鏡55a。微透鏡55a的安置間距在垂直和水平方向上均為41pm。微透鏡55a是例如其焦距為0.19mm并且其NA(數(shù)值孔徑)為0.11的微透鏡。此外，微透鏡55a由例如光學(xué)玻璃BF7制成。將稍后描述微透鏡55a的形狀。此外，在每個微透鏡55a的位置的激光B的光束直徑為3.4pm。此外，在掩模板59中，在透明板狀構(gòu)件上形成對微透鏡陣列55的每個微透鏡55a具有開口的遮光掩模59a。將掩模板59放置在微透鏡55a的焦點位置附近。掩模板59可以截除來自DMD50的再進入光(reentrantoff-light)和在微反射鏡62之間的雜散光。第一圖像形成光學(xué)系統(tǒng)通過將由DMD50形成的圖像放大三倍在微透鏡陣列55上形成圖像。然后，第二圖像形成光學(xué)系統(tǒng)通過將通過微透鏡陣列55傳送的圖像放大1.6倍形成圖像并且將圖像投射在玻璃基板150上的光致抗蝕劑150a上。因此，由DMD50形成的圖像總共被放大4.8倍，并且將被放大的圖像投射到光致抗蝕劑150a上。在本實施例中，將一對棱鏡73安置在第二圖像形成光學(xué)系統(tǒng)和玻璃基板150之間。可以通過垂直移動圖5中的一對棱鏡73調(diào)節(jié)在玻璃板150上的光致抗蝕劑150a上形成的圖像的聚焦。在圖5中，如由箭頭F所示，在副掃描方向上移動玻璃基板150。DMD50是反射鏡裝置，其中將每一個形成像素的多個(例如，1024X768)微反射鏡62以柵格形狀安置在SRAM單元(存儲單元)60上。在每一個像素中，將被柱支承的矩形微反射鏡62安置在頂部。此外，將高反射性材料如鋁氣相沉積在微反射鏡62的表面上。微反射鏡62的反射率高于或等于卯％。安置間距不但在垂直方向上，而且在水平方向上都是例如，13.7pm。此外，將CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)單元60經(jīng)由包含鉸鏈和軛的支承柱安置在微反射鏡62下面，所述單元60是在普通半導(dǎo)體存儲器的生產(chǎn)線中生產(chǎn)的。整個DMD具有整體結(jié)構(gòu)。當(dāng)將數(shù)字信號寫入DMD50的SRAM單元60中時，被支承柱支承的微反射鏡62相對于其對角線傾斜。微反射鏡相對于其上放置DMD50的基板以士(x。(例如士12。)傾斜。圖7A說明了其中微反射鏡62以+a。傾斜的微反射鏡62的ON狀態(tài)。圖7B說明了其中微反射鏡62以-a。傾斜的微反射鏡62的OFF狀態(tài)。如圖6中說明，基于圖像信號控制在DMD50的每個像素的微反射鏡62的傾斜角度。因此，將入射到DMD50上的激光B反射到每個微反射鏡62的傾斜方向上。在圖6中，將DMD50的一部分放大。圖6說明了微反射鏡62的狀態(tài)的一個實例，所述微反射鏡62被控制成以+a?；?cc。傾斜。通過連接到DMD50上的控制器302控制每個微反射鏡62的ON/OFF。此外，將光吸收材料(沒有說明)放置在被處于OFF狀態(tài)的微反射鏡62反射的激光B的傳播方向上的位置。此外，優(yōu)選將DMD50略微傾斜，使得DMD50的較短邊相對于副掃描方向形成預(yù)定的角度e(例如，在1。至5。的范圍內(nèi)的角度)。在本實施方案中，DMD50是以預(yù)定角度傾斜的。圖8A說明了在DMD50不傾斜時被每個微反射鏡反射的光圖像(曝光光束點)53的掃描路徑。圖8B說明了在DMD50傾斜時被每個微反射鏡反射的曝光光束點53的掃描路徑。在DMD50中，將多個微反射鏡(例如，1024個微反射鏡)排列在縱向上以形成微反射鏡排，并且將多個微反射鏡排(例如，756個微反射鏡排)排列在較短邊方向上。如果DMD50如圖8B中說明地傾斜，則被微反射鏡反射的曝光光束點53的掃描路徑(掃描線)的間距P2比在DMD50不傾斜時的掃描路徑的間距P2更窄。因此，可以顯著提高分辨率。同時，因為DMD50的傾斜角很小，所以在DMD50傾斜時的掃描寬度W2以及在DMD50不傾斜時的掃描寬度W,基本上相同。此外，排列每個微反射鏡62使得在副掃描方向上相互調(diào)節(jié)的曝光光束點在主掃描方向(水平掃描方向)上彼此偏移很小的量(例如，在約0.1|im至0.5pm的范圍內(nèi)的距離)。因為曝光光束點的直徑在約5pm至20|im的范圍內(nèi)，即大于點的排列間距，所以將光致抗蝕劑150以其中由DMD50的至少兩個像素形成的曝光光束點相互交疊的狀態(tài)曝光(多次曝光)。因為如上所述進行多次曝光，所以可以控制曝光位置以調(diào)節(jié)甚至很小的量。因此，可以進行高精確的曝光。此外，因為控制曝光位置以調(diào)節(jié)甚至很小的量，所以可以均勻地連接由排列在主掃描方向上的多個曝光頭形成的曝光區(qū)。備選地，每個微反射鏡排可以在垂直副掃描方向的方向上相互以預(yù)定的間隔偏移，使得將微反射鏡排以Z字形圖案排列。當(dāng)將微反射鏡排以這種方式排列時，可以獲得與通過使用傾斜的DMD50獲得的效果類似的有益效果。如圖9A中說明，纖維陣列光源66包含多個(例如，14個)激光模塊64。將每個激光模塊64連接到多模光纖30的一端。將多模光纖30的另一端連接到光纖31上，所述光纖31的芯直徑與多模光纖30的芯直徑相同，并且其包層直徑小于的多模光纖30的包層直徑。如在圖9B中詳細(xì)說明，將與連接到多模光纖30上的端部相反的多模光纖31的7個端部沿著垂直副掃描方向的主掃描方向排列，并且排列所述7個端部的兩行以形成激光發(fā)出部分68。激光發(fā)出部分68由多模光纖31的端部形成，并且激光發(fā)出部分68通過被具有平坦表面的兩個支承板65夾在中間而固定。此外，優(yōu)選將透明保護板如玻璃安置在多模光纖31的光發(fā)出端的表面上以保護光發(fā)出端。因為在多模光纖31的光發(fā)出端的光強度高，所以灰塵顆?？赡苋菀赘街焦獍l(fā)出端上。然而，如果安置如上所述的保護板，則可以防止灰塵顆粒粘附到光發(fā)出端的表面上。因此，可以延遲光發(fā)出端的狀態(tài)的劣化。在本實施方案中，如圖10中說明，將光纖31同軸連接到具有大的包層直徑的多模光纖30的激光光發(fā)出側(cè)端上，所述光纖31具有小的包層直徑，其長度在約lcm至30cm的范圍內(nèi)。通過將光纖31的光進入端焊接到光纖30的光發(fā)出端上，將光纖30和31結(jié)合在一起。如上所述，光纖31的芯31a的直徑與多模光纖30的芯30a的直徑相同。作為多模光纖30和光纖30，可以使用階躍指數(shù)型(step-indextype)光纖、有格柵的指數(shù)型(grated-indextype)光纖和復(fù)型光纖中的任何一種。例如，可以使用由MitsubishiCableIndustries,Ltd.生產(chǎn)的階躍指數(shù)型光纖。在本實施例中，多模光纖30和光纖31是階躍指數(shù)型光纖。多模光纖30具有包層直徑425pm、芯直徑=50pm、NA=0.2以及在光進入端的表面上的涂層的透射率=99.5%或更大。光纖31具有包層直徑=60nm、芯直徑=50,和NA=0.2。然而，光纖的包層直徑為60^im不是必需的。用于常規(guī)纖維光源的大部分光纖的包層直徑是125^m。然而，因為焦深隨著包層直徑變小而增加，所以優(yōu)選多模光纖的包層直徑等于或小于80pm。特別是，優(yōu)選包層直徑等于或小于60pm。此外，更優(yōu)選包層直徑等于或小于4(^m。同時，因為芯直徑至少是3pm至4pm是必需的，所以優(yōu)選光纖31的包層直徑等于或大于10(im。激光模塊64由在圖11中說明的多路激光光源(纖維光源)形成。多路激光光源包含多個(例如，7個)芯片型橫向多?；騿文aN基半導(dǎo)體激光器LD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6和LD7，它們是在加熱塊10上的固定位置排列的。多路激光光源還包含與GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7對應(yīng)的準(zhǔn)直透鏡ll、12、13、14、15、16和17。多路激光光源還包含單個聚光透鏡20和單根多模光纖30。這里，半導(dǎo)體激光器的數(shù)量為7個不是必需的，并且半導(dǎo)體激光器的數(shù)量可以是不同的數(shù)量。此外，可以使用其中集成多個準(zhǔn)直透鏡的準(zhǔn)直透鏡陣列代替如上所述的7個準(zhǔn)直透鏡11到17。GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7中的每一個的振蕩波長相同(例如，405nm)。此外，來自GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7中的每一個的最大輸出相同(例如，多模激光器的最大輸出是約100mW，單模激光器的最大輸出是約50mW)。作為GaN基半導(dǎo)體激光器LDl到LD7，可以使用在350nm至450nm的波長范圍內(nèi)除405nm以外的波長振蕩的激光器。如圖12和13中說明，將多路激光光源容納于在其頂部具有開口的盒式組件40中。將多路激光光源與其它光學(xué)元件一起裝在組件40中。組件40具有用于封閉開口的組件蓋41。在進行脫氣處理之后，將密封氣體引入組件40中。然后，通過組件蓋41封閉組件40的開口。因此，將多路激光光源氣密式密封在由組件40和組件蓋41形成的封閉空間(密封空間)里。底板42被固定在組件40的底表面上。此外，使加熱塊IO、用于固定聚光透鏡20的聚光透鏡固定器45和用于固定多模光纖30的光進入端的纖維固定器46附著到底板42的上表面。將多模光纖30的光發(fā)出端經(jīng)由在組件40的壁上形成的開口從組件40的內(nèi)部引到組件的外部。此外，使準(zhǔn)直透鏡固定器44附著到加熱塊10的側(cè)壁上，并且通過準(zhǔn)直透鏡固定器44固定準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個。此外，在組件40的側(cè)壁上形成開口，并且將用于將電流供應(yīng)給GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7中的每一個的線47經(jīng)由開口從組件40的內(nèi)部引到組件40的外部。在圖13中，僅僅將參考標(biāo)記附于多個GaN基半導(dǎo)體激光器中的GaN基半導(dǎo)體激光器LD7以簡化圖。此外，僅僅將參考標(biāo)記附于多個準(zhǔn)直透鏡中的準(zhǔn)直透鏡17。圖14是說明在安裝準(zhǔn)直透鏡11至17處的部分的正視圖的圖。準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個具有通過用平行平面截除圓形透鏡的一部分形成的非球面的拉長形狀。圓形透鏡的該部分是包括圓形透鏡的光軸的部分。可以通過將例如樹脂或光學(xué)玻璃模塑形成拉長的準(zhǔn)直透鏡。將準(zhǔn)直透鏡11到17在發(fā)光點的排列方向上相互接觸排列，使得準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個的縱向垂直于GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7的發(fā)光點的排列方向(圖14中的水平方向)。同時，作為GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7，使用發(fā)出激光B1至B7的激光器，每個激光器都具有發(fā)光寬度為2pm的活性層。所述激光器發(fā)出例如，在平行活性層的方向上的發(fā)散角為10'并且在垂直活性層的方向上的發(fā)散角為30。的激光B1至B7。排列GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7使得發(fā)光點在平行活性層的方向上對準(zhǔn)。因此，從各個發(fā)光點發(fā)出的激光B1至B7入射到各個準(zhǔn)直透鏡11至17上，所述準(zhǔn)直透鏡11至17具有如上所述的伸長形狀。激光B1到B7進入每一個準(zhǔn)直透鏡中，使得發(fā)散角較大的方向與準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個的縱向?qū)?yīng)，而發(fā)散角較小的方向與準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個的寬度方向(垂直于縱向的方向)對應(yīng)。具體而言，準(zhǔn)直透鏡11至17中的每一個的寬度是l.lmm，并且準(zhǔn)直透鏡ll至17中的每一個的長度是4.6mm。入射到準(zhǔn)直透鏡上的激光Bl到B7的光束直徑在水平方向上為0.9mm并且在垂直方向上為2.6mm。此外，準(zhǔn)直透鏡ll至17中的每一個具有3mm的焦距f,和0.6的NA，以及1.25mm的透鏡排列間距。聚光透鏡20具有較長邊平行于準(zhǔn)直透鏡11至17的排列方向，換句話說，在水平方向上，并且較短邊在垂直長邊的方向上的形狀。聚光透鏡20是具有非球形表面的透鏡，所述透鏡是通過用平行平面截除圓形透鏡的一部分形成的。圓形透鏡的一部分是包含圓形透鏡的光軸的部分。聚光透鏡20具有23mm的焦距f2和0.2的NA。還通過模塑例如樹脂或光學(xué)玻璃形成聚光透鏡20。接著，將參考圖15描述根據(jù)本發(fā)明的實施方案的曝光裝置的電學(xué)構(gòu)造。如圖15所示，將用于驅(qū)動臺152的臺驅(qū)動裝置304和曝光控制單元422連接到整體操作控制單元300上。將點圖案數(shù)據(jù)生成單元418連接到曝光控制單元422上。此外，將圖案數(shù)據(jù)生成單元414連接到點圖案生成單元418上。圖案數(shù)據(jù)生成單元414通過數(shù)據(jù)輸入單元412接受印刷圖案數(shù)據(jù)。此外，將多個頭組件428A和多個光源單元430連接到曝光控制單元422上。每一個頭組件428A包含DMD50和用于驅(qū)動DMD50的DMD驅(qū)動器428。每一個光源單元430包含激光模塊64和用于驅(qū)動激光模塊64的光源驅(qū)動器424。[曝光設(shè)備的操作]接著，將描述曝光設(shè)備的操作。在掃描器162的每一個曝光頭166中，從GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7(請參考圖ll)發(fā)出處于發(fā)散光狀態(tài)的激光B1、B2、B3、B4、B5、B6禾口B7。GaN基半導(dǎo)體激光器LD1至LD7是形成纖維陣列光源66的多路激光光源的激光器。然后，通過各個準(zhǔn)直透鏡11至17使激光B1、B2、B3、B4、B5、B6和B7準(zhǔn)直。準(zhǔn)直的激光B1、B2、B3、B4、B5、B6和B7通過聚光透鏡20會聚并聚焦在多模光纖30的芯30a的光進入端的表面上。在本實施方案中，聚光光學(xué)系統(tǒng)由準(zhǔn)直透鏡11至17和聚光透鏡20形成。此外，多路光學(xué)系統(tǒng)由聚光光學(xué)系統(tǒng)和多模光纖30形成。具體而言，如上所述通過聚光透鏡20會聚的激光Bl至B7入射到多模光纖30的芯30a上，并通過光纖傳播。因此，激光B1至B7組合，并且從連接到多模光纖30的光發(fā)出端上的光纖31中發(fā)出。在每一個激光模塊中，如果激光B1至B7到多模光纖30的連接效率為0.9，并且來自每個GaN基半導(dǎo)體激光器LDl至LD7的輸出功率為50mW，則對于排列在陣列中的每根光纖31，可以獲得輸出為315mW(-50mWx0.9x7)的多路激光B。因此，通過所有14根多模光纖31，可以獲得輸出為4.4W(=0.315Wx14)的激光B。如圖15中說明，當(dāng)進行曝光時，通過數(shù)據(jù)輸入單元412將印刷圖案數(shù)據(jù)輸入到圖案數(shù)據(jù)生成單元414中。圖案數(shù)據(jù)生成單元414基于輸入的印刷圖案數(shù)據(jù)生成圖像數(shù)據(jù)，并且將生成的圖像數(shù)據(jù)傳送到點圖案數(shù)據(jù)生成單元418中。點圖案數(shù)據(jù)生成單元418將圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)辄c圖案數(shù)據(jù)，并且將點圖案數(shù)據(jù)傳送到曝光控制單元422作為曝光數(shù)據(jù)。曝光數(shù)據(jù)是例如使用三個值(高密度點記錄、低密度點記錄和無點記錄)表示形成圖案的各個像素的密度的數(shù)據(jù)。曝光數(shù)據(jù)被暫時儲存在曝光控制單元422的幀存儲器中。曝光控制單元422基于開始處理的時機(例如，在移動圖l中說明的臺152的時間，開始移動)將發(fā)光信號傳送到光源單元430的光源驅(qū)動器424中。然后，光源驅(qū)動器424基于發(fā)光信號開啟激光模塊64。同時，曝光控制單元422基于曝光數(shù)據(jù)控制在多個頭組件428A的每一個中的DMD驅(qū)動器428以使DMD驅(qū)動器428將ON/OFF信號傳送到DMD50中。基于ON/OFF信號驅(qū)動DMD50。通過抽吸使玻璃基板150附著到臺152的表面上。通過作為圖15中說明的副掃描裝置的臺驅(qū)動裝置304將臺152以恒定速度從上游側(cè)向下游側(cè)移動。通過整體操作控制單元300控制臺驅(qū)動裝置304的操作。當(dāng)臺152在門160下面通過時，如果通過附著到門160上的傳感器164檢測玻璃基板150的前緣，則依次讀取存儲在幀存儲器中的圖像數(shù)據(jù)。當(dāng)讀取圖像數(shù)據(jù)時，同時讀取用于多根線的數(shù)據(jù)。然后，基于讀取的圖像數(shù)據(jù)對每一個曝光頭166產(chǎn)生控制信號。然后，DMD驅(qū)動器428基于生成的控制信號控制每一個曝光頭166的DMD50中的每一個微反射鏡的ON/OFF。在本實施方案中，作為單個像素部分的微反射鏡的尺寸是14jLxmxl4jLim。當(dāng)使用從光纖陣列光源66發(fā)出的激光B照射DMD50時，使用處于ON狀態(tài)的微反射鏡反射的激光，通過透鏡系統(tǒng)54和58照射玻璃基板150上的光致抗蝕劑150a。因此，對每一個像素進行從纖維陣列光源66發(fā)出的激光的開關(guān)，并且將光致抗蝕劑150a曝光。此外，因為使玻璃基板150與臺152一起以恒定的速度移動，所以通過掃描器162在與臺的移動方向相反的方向上將光致抗蝕劑150a進行副掃描。因此，通過每一個曝光頭160形成帶狀曝光區(qū)170。在本實施方案中，如在圖16A和16B中說明，將1024個微反射鏡排列在主掃描方向上以形成每個微反射鏡排，并且將768個微反射鏡排排列在副掃描方向上以形成DMD50。然而，在本實施方案中，控制器302控制操作使得只驅(qū)動在DMD50中的微反射鏡的一部分(例如，1024個微反射鏡x256行)。如圖16A中說明，當(dāng)驅(qū)動微反射鏡的一部分時，可以使用排列在DMD50中間的微反射鏡排。備選地，如圖16B中說明，可以使用排列在DMD50的邊緣的微反射鏡排。此外，可以根據(jù)DMD50的條件等適當(dāng)?shù)剡x擇使用在DMD50中的其它微反射鏡排。例如，如果一部分微反射鏡具有缺陷，則可以使用沒有缺陷的微反射鏡排代替具有缺陷的微反射鏡排。DMD50的數(shù)據(jù)處理速度是有限的。此外，因為每根線的調(diào)制速度與所使用的像素的數(shù)量成正比，所以如果使用一部分微反射鏡，則每根線的調(diào)制速度變得更快。此外，當(dāng)通過相對于曝光表面恒定地移動曝光頭進行曝光時，不必使用在副掃描方向上的全部像素。因此，當(dāng)在副掃描方向上的分辨率應(yīng)該增加時或當(dāng)副掃描速度應(yīng)該增加時，基于所需的調(diào)制速度確定所用的像素的數(shù)量(微反射鏡的數(shù)量)。將在副掃描方向上的像素的數(shù)量設(shè)定為必需的數(shù)量。因此，曝光系統(tǒng)的性能是確定的。這里，將描述使用激光B作為照射光照射DMD50的照射光學(xué)系統(tǒng)。如在圖5中說明，照射光學(xué)系統(tǒng)包含纖維陣列光源66、聚光透鏡71、棒積分器72、圖像形成透鏡74、反射鏡69和TIR棱鏡70。棒積分器72是例如，四角柱形狀的透明棒。當(dāng)激光B經(jīng)由棒積分器72傳播，同時在其中被全反射時，激光B在光束的截面中的強度是均勻分布的。此外，將防反射涂層涂覆到棒積分器72的光接受表面和光發(fā)出表面上以提高棒積分器72的透射率。如果作為照射光的激光B的強度在光束的橫截面內(nèi)是均勻分布的，則可以消除照射光的強度的不均勻。因此，可以將光致抗蝕劑150a曝光以在其上形成高精確的圖像。當(dāng)掃描器162使用曝光光線完成在光致抗蝕劑150a上的副掃描并且傳感器164檢測玻璃基板150的后緣時，通過臺驅(qū)動裝置304使臺152沿著導(dǎo)軌158返回到起點。起點是在門160的上游側(cè)的最上游點。然后，使臺152再次以恒定速度沿著導(dǎo)軌158從門160的上游側(cè)向門160的下游側(cè)移動。如上所述，在本實施方案中，副掃描在相同的光致抗蝕劑150a上進行兩次。因此，可以進行網(wǎng)點曝光(中間曝光)。接著，將參考圖8A、8B和8C詳細(xì)描述網(wǎng)點曝光。如上所述，在本實施方案中，DMD50是傾斜的。因此，在副掃描方向上彼此相鄰的曝光光束點在主掃描方向上以很小的量(例如，以在約0.1)im至0.5iim的范圍內(nèi)的距離)彼此偏移。曝光光束點的直徑在約5pm至204m的范圍內(nèi)，即大于在點之間的間隔。因此，將光致抗蝕劑150a曝光(多次曝光)，同時與DMD50的至少兩個像素對應(yīng)的點部分相互交疊。具體而言，如在圖8B中以陰影表示，當(dāng)進行副掃描時，已經(jīng)暴露在單個曝光光束點53a下的光致抗蝕劑150a的一部分依次移動到可以暴露在其它曝光光束點53b、53c和53d下的位置。當(dāng)已經(jīng)暴露在曝光光束點53a下的部分依次移動到可以暴露在曝光光束點53b、53c和53d下的位置時，如果控制在DMD50中的每個微反射鏡的操作使得實際上用曝光光束點53b、53c或53d照射已經(jīng)暴露在曝光光束點53a下的部分，則可以進行多次曝光。在圖8C中，說明曝光光束點53的交疊狀態(tài)。如在圖8C中說明，多個曝光光束點53相互交疊，在主掃描方向上略微偏移。在本實施方案中，切換操作，例如，在其中通過將在副掃描方向上對準(zhǔn)的10個微反射鏡62設(shè)定至ON進行幾十(tenmultiple)次曝光的狀態(tài)和其中通過將所有10個微反射鏡62設(shè)定至OFF不進行曝光的狀態(tài)之間切換操作。如圖15中說明，通過曝光控制單元422在兩種狀態(tài)之間切換操作。在兩個副掃描操作的每一個中，曝光控制單元422基于由三個值表示的圖像數(shù)據(jù)在兩種狀態(tài)之間切換操作。具體而言，如果光致抗蝕劑150a的每個區(qū)域的由三個值表示的圖像數(shù)據(jù)表示高密度點記錄，則曝光控制單元422將操作設(shè)定至其中曝光在第一副掃描中和第二副掃描兩者中進行的狀態(tài)。如果圖像數(shù)據(jù)表示低密度點記錄，則曝光控制單元422將操作設(shè)定至其中曝光只在第一副掃描中進行的狀態(tài)。如果圖像數(shù)據(jù)表示無點記錄，則曝光控制單元422將操作設(shè)定至其中曝光既不在第一副掃描中進行，又不在第二副掃描中進行的狀態(tài)。因此，在本實施方案中，可以在光致抗蝕劑150a上形成其中曝光量處于兩種不同水平的曝光區(qū)。因此，當(dāng)稍后進行顯影處理時，可以基于曝光圖案留下將厚度控制在兩種不同水平的光致抗蝕劑150a。在根據(jù)本發(fā)明的方法中，如上所述，使用曝光光線在作為光敏材料的光致抗蝕劑150a上進行多次副掃描，并且在每一次副掃描操作中通過控制在光致抗蝕劑150a的每個區(qū)域上的曝光進行網(wǎng)點曝光。因此，不必使用如上所述在常規(guī)技術(shù)中使用的高精密的掩模。此外，不必使用任何類型的曝光掩模本身。因此，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，可以以低成本在光致抗蝕劑150a上進行網(wǎng)點曝光。在本實施方案中，將在光致抗蝕劑150a上的曝光的曝光量控制在兩種水平。然而，無需贅言，如果副掃描操作的次數(shù)為三次以上，則可以將曝光量控制在三種以上的不同水平。此外，在根據(jù)本發(fā)明的曝光設(shè)備中，可以通過在多個區(qū)域上平行進行曝光處理而以高速度進行曝光處理，所述多個區(qū)域是通過劃分光敏材料的整個區(qū)域形成的。圖17是說明其中可以進行如上所述的平行處理的曝光設(shè)備的構(gòu)造的一個實例的方框圖。接著，將描述在圖17中說明的曝光設(shè)備的構(gòu)造以及通過該曝光設(shè)備進行的曝光處理。在圖18中，說明曝光處理的流程。將參考圖18描述曝光設(shè)備和曝光處理的構(gòu)造。將用戶數(shù)據(jù)495，如如上所述的印刷圖案數(shù)據(jù)輸入RIP(光柵圖像處理器)490(在圖18中的步驟801)。用戶數(shù)據(jù)495包括第一曝光數(shù)據(jù)496和第二曝光數(shù)據(jù)497。第一曝光數(shù)據(jù)496是在第一副掃描操作中劑、水、胺催化劑和硅樹脂表面活性劑。在另外一個燒杯中，稱重甲苯二異氰酸酯(TDI)。將有機錫催化劑置于注射器中。第一個燒杯以2100轉(zhuǎn)/分鐘的速度攪拌10秒，并在繼續(xù)攪拌的同時將有機錫催化劑注入其中?？偣矓嚢杓s20秒后，將TDI加到混合物中。然后再繼續(xù)攪拌另外的約IO秒，將靜置后的流體混合物迅速放置到16英寸xl6英寸x5英寸的盒中，然后測量乳液(cream)和發(fā)泡(rise)時間。一旦泡沫停止升起，將泡沫塑料置于7(TC的烘箱中約20分鐘以固化。以下提供一種根據(jù)本發(fā)明特別優(yōu)選的軟質(zhì)聚氨酯泡沫塑料的配方典型的泡沫塑料配方(l.OPcf)(磅/立方英寸)組份份數(shù)聚醚多元醇100水5.6磷酸酯FR混合物418-20胺混合物0.25Niax⑧L6201.0辛酸錫0.55TDI80/2071.2TDI指數(shù)110*加入多元醇交聯(lián)劑的磷酸酯混合物可包括其他的添加劑，例如，舉例來說，著色劑、染料、填料、抗氧化劑和防靜電劑，所有這些都是本領(lǐng)域中通常使用的。測試方法進行以下的標(biāo)準(zhǔn)測試A.回彈性能測試(CT90)測試D測試方法概要此方法包括在特定的溫度和時間條件下使泡沫塑料樣品撓曲(deflect)，記錄對樣品厚度的影響。驟806)。圖像處理PC492基于對準(zhǔn)畸變數(shù)據(jù)進行圖像處理，使得曝光在光敏材料上的預(yù)定位置進行，而不受在副掃描裝置上的光敏材料的對準(zhǔn)狀態(tài)的影響(在圖18中的步驟808)。將如上所述進行了圖像處理的分開的圖像數(shù)據(jù)496A傳輸?shù)礁咚儆布?93中，并且在高速硬件493對傳輸?shù)姆珠_的圖像數(shù)據(jù)496A適當(dāng)?shù)剡M行圖像處理(在圖18中的步驟809)。高速硬件493將進行了圖像處理的分開的圖像數(shù)據(jù)496A傳輸?shù)紻MD驅(qū)動器428中(在圖18中的步驟810)。然后，DMD驅(qū)動器428基于分開的圖像數(shù)據(jù)496A驅(qū)動DMD，并且進行在第一副掃描操作中的曝光處理(在圖18中的步驟811)。盡管將所分開的圖像數(shù)據(jù)496A和497A存儲在HDD494中，但是在第-一曝光處理結(jié)束時，圖像處理PC492只設(shè)定在幀存儲器498中用于第二曝光處理的分開的圖像數(shù)據(jù)497A(在圖18中的步驟825)。之后，進行與在第一曝光處理中的步驟806和808至811中類似的步驟826和828至831，并且在第二副掃描中的曝光處理結(jié)束。因此，對單個光敏材料的曝光處理結(jié)束(在圖18中的步驟832)。必須在光敏材料的相同區(qū)域上進行用于基于分幵的圖像數(shù)據(jù)496A形成圖像的曝光和用于基于分開的圖像數(shù)據(jù)497A形成圖像的曝光。因此，在第一曝光處理和第二曝光處理中使用如上所述的相同對準(zhǔn)畸變數(shù)據(jù)。圖49說明了在如上所述的曝光處理中的主要處理所需的時間的一個實例。如在圖49中說明，通常進行包括預(yù)對準(zhǔn)測量處理的對準(zhǔn)測量處理需要35至55秒。因此，如果如上所述對準(zhǔn)測量只進行一次，則與在第一曝光處理和第二曝光處理兩者中以相同的方式精確地進行對準(zhǔn)測量(對準(zhǔn)測量進行兩次)時所需的時間相比，可以將用于曝光處理的總時間減少約35至55秒。接著，將參考圖19描述根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的另一個實施方案。在本實施方案中，進行曝光以在基板上留下其厚度處于兩種不同水平的一種結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。更具體而言，圖19說明了在下列文獻中公開的高透射性LCD-TFT面板"HighTransmissiveAdvancedTFT-LCDTechnology",KoichiFujimori等，SharpTechnicalReport,第85期，第34-37頁，2003年4月。在高透射性LCD-TFT面板中，在作為基板的兩個玻璃基板500和501之間形成絕緣膜502、形成透射部分的透明電極503、形成作為結(jié)構(gòu)構(gòu)件的反射部分的丙烯酸類樹脂層504、液晶層505、ITO(氧化錫銦)電極506和濾色器507。此外，在圖19中說明了源總線508和黑底509。此外，在形成反射部分的丙烯酸類樹脂層504的表面上形成起著反射膜的作用的鋁電極510，所述反射膜用于反射從圖19中的頂部入射其上的光。在圖19中說明的結(jié)構(gòu)中，被黑底509包圍的區(qū)域?qū)?yīng)單個像素，并且在該單個像素中存在透射部分和反射部分。此外，在其上形成鋁電極510的丙烯酸類樹脂層504的表面上形成精細(xì)的不均勻圖案。形成精細(xì)的不均勻圖案以提高表面的光散射作用。常規(guī)上，通過如圖20A中說明的步驟形成如上所述構(gòu)建的結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。具體而言，首先，涂覆形成丙烯酸類樹脂層504的光敏丙烯酸類樹脂。然后，進行曝光以形成透射部分和反射部分。例如，如果光敏丙烯酸類樹脂的類型是正型，則使用預(yù)定的光掩膜進行曝光使得將要成為透射部分的部分曝光，并且將要成為反射部分的部分不曝光。然后，進行顯影和漂洗處理。因此，光敏丙烯酸類樹脂的未曝光部分保留，并且光敏丙烯酸類樹脂的曝光部分溶解。然后，進行用于在保留的丙烯酸類樹脂層504的表面上形成不均勻的圖案的處理以在表面上形成精細(xì)的不均勻圖案。在形成精細(xì)的不均勻圖案之后，洗滌表面以形成將成為鋁電極510的鋁(A1)膜。此外，在鋁膜上進行PEP(光刻)處理以形成具有預(yù)定的形狀的電極。因此，形成如上所述的結(jié)構(gòu)。相反，如果使用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法，則可以通過在圖20B中說明的步驟形成如上所述的結(jié)構(gòu)。具體而言，在根據(jù)本發(fā)明的曝光方法中，當(dāng)進行曝光以形成透射部分和反射部分時，將光敏丙烯酸類樹脂曝光，使得在兩個副掃描操作中都用曝光光線照射將成為透射部分的部分以作增加曝光量。然而，只在一個副掃描操作中基于預(yù)定的圖案，使用曝光光線照射將成為反射部分的區(qū)域中的光敏丙烯酸類樹脂以降低曝光量。因此，當(dāng)在下一步驟中進行顯影和漂洗處理時，在以大的曝光量曝光的區(qū)域中的光敏丙烯酸類樹脂完全溶解并且形成透射部分。此外，在以小的曝光量曝光的區(qū)域中的光敏丙烯酸類樹脂也溶解，但是只是在一定深度內(nèi)的光敏丙烯酸類樹脂溶解。因此，形成在預(yù)定圖案中的凹陷。因此，在作為反射部分保留的丙烯酸類樹脂層50的表面上形成不均勻的圖案。具體而言，如果采用根據(jù)本發(fā)明的曝光方法，可以省去在圖20A中說明的常規(guī)方法中的形成不均勻圖案的步驟以及洗滌步驟。此外，在如上所述的實施方案中，在丙烯酸類樹脂層504上以兩種不同的曝光量進行曝光處理，使得其厚度處于兩種不同水平的丙烯酸類樹脂層504保留。然而，無需贅言，如果在丙烯酸類樹脂層504上以三種以上的不同曝光量進行曝光處理，則可以留下其厚度處于三種以上不同水平的丙烯酸類樹脂層504。此外，將描述根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的另一個實施方案。在根據(jù)本實施方案的方法中，在基板上形成至少兩種結(jié)構(gòu)構(gòu)件。更具體而言，在根據(jù)本實施方案的方法中，在作為基板的LCD-CF面板上形成肋構(gòu)件和柱構(gòu)件作為結(jié)構(gòu)構(gòu)件。首先，參考圖21，將描述隔體622，即在液晶層618中形成的柱構(gòu)件，以及用于控制液晶的取向的突部624，即在液晶層618中形成的肋構(gòu)件。通過將轉(zhuǎn)移片材粘附到濾色器膜614上的導(dǎo)電膜(沒有說明)上以層壓導(dǎo)電膜，形成用于控制液晶的取向的隔體622和突部624,所述濾色器膜614是在光透射基板610B上形成的。因此，從導(dǎo)電膜側(cè)依次形成其光敏度高的第一負(fù)型光敏透明樹脂層(第一透明層)以及其光敏度低的第二負(fù)型光敏透明樹脂層(第二透明層)。然后，從光透射基板610B側(cè)將要成為用于控制液晶的取向的突部部分的區(qū)域以低的能量曝光。此外，從光透射基板610B側(cè)將要成為隔體部分的區(qū)域以高的能量曝光。因此，當(dāng)稍后進行顯影處理時，同時形成用于控制液晶的取向的突部部分和隔體部分?？梢酝ㄟ^只在第一副掃描中進行激光曝光實現(xiàn)低能量曝光。此外，可以通過既在第一副掃描中，又在第二副掃描中進行激光曝光實現(xiàn)高能量曝光。因此，由其中只保留第一透明層的突部形成用于控制液晶的取向的突部624。此外，通過其中第一透明層和第二透明層都保留的柱部分形成隔體622。如圖21中說明，其中第一透明層和第二透明層都保留的隔體622比其中只有第一透明層保留的用于控制液晶的取向的突部624更厚，之差為第二透明層的厚度。在需要時，可以通過適當(dāng)?shù)剡x擇每一個負(fù)型光敏透明樹脂層的厚度，形成用于控制液晶的取向的突部624和隔體622使得它們具有適合的厚度，換句話說，適合的高度。接著，將描述實際過程。將具有下列配方Hl的涂布液涂覆到聚對苯二甲酸乙二醇酯臨時支承構(gòu)件(PET臨時支承構(gòu)件)的明膠層的表面上，所述PET臨時支承構(gòu)件具有75pm的厚度，并且被厚度為0.2pm的明膠層涂覆作為底涂層。然后，將涂布液干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為2(^m的熱塑性樹脂層。此外，將具有下列配方B1的涂布液涂覆到熱塑性樹脂層的表面上，并且干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為1.6^m的中間層。在配方中，術(shù)語"份"指質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸節(jié)酯/甲基丙烯酸的共聚物(共聚比率55/4.5/11.7/28.8，重均分子量90000)15份聚丙二醇二丙烯酸酯(平均分子量=822)6.5份四甘醇二甲基丙烯酸酯1.5份對甲苯磺酰胺0.5份二苯甲酮1.0份甲基乙基酮30份[用于中間層的配方B1]聚乙烯醇130份(PVA-205(皂化率=80%)，由KurarayCo,Ltd.生產(chǎn))聚乙烯基吡咯垸酮60份(K-90，由GAFcorporation生產(chǎn))氟化表面活性劑10份(SurflonS-131,由AsahiGlassCo.,Ltd.生產(chǎn))蒸餾水3550份如上所述，在臨時支承構(gòu)件上形成熱塑性樹脂層和中間層。此外，還39將用于透明層(A1層)的負(fù)型光敏透明樹脂溶液(具有下表1中所示的配方)涂覆到臨時支承構(gòu)件的中間層上，在所述臨時支承構(gòu)件中形成熱塑性樹脂層和中間層。然后，將負(fù)型光敏透明樹脂溶液干燥以得到厚度為1.2pm的負(fù)型光敏透明樹脂層A1。然后，通過壓力使由聚丙烯制成的覆蓋膜(其厚度為12拜)附著到負(fù)型光敏透明樹脂層Al上。因此，制造了光敏轉(zhuǎn)移片材SA1，其中將熱塑性樹脂層、中間層和負(fù)型光敏透明樹脂層Al相互疊置。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>此外，調(diào)節(jié)光敏轉(zhuǎn)移片材SAl的負(fù)型光敏透明樹脂層Al的感光度h1以及光敏轉(zhuǎn)移片材SP1的負(fù)型光敏透明樹脂層P1的靈敏度P使得感光度比率h'/h2為10。使用這些光敏轉(zhuǎn)移片材SAl和SP1，并且在濾色器上形成隔體和用于控制液晶的取向的突部，所述濾色器是預(yù)先在玻璃基板(厚度為0.7mm)上形成的。通過與如上所述的設(shè)備類似的曝光設(shè)備，使用下列方法形成隔體和用于控制液晶的取向的突部。首先，通過在濺射在預(yù)先形成的濾色器上形成ITO膜。形成ITO膜使得ITO膜的電阻為20Q/口。將光敏轉(zhuǎn)移SAl的覆蓋膜剝離，并且使用層壓機(VP-II,由TaiseiLaminatorCo,，Ltd.生產(chǎn))，通過加壓(0.8kg/cm2)并且通過加熱(13(TC)使負(fù)型光敏透明樹脂層Al的暴露表面和ITO膜相互附著。然后，將中間層和負(fù)型光敏透明樹脂層Al在其間的界面處相互剝離。因此，只是將負(fù)型光敏透明樹脂層Al轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。然后，剝離光敏轉(zhuǎn)移片材SP1的覆蓋膜。以與如上所述的方法類似的方式，將暴露的負(fù)型光敏透明樹脂層Pl附著到負(fù)型光敏透明樹脂層Al的表面上。然后，將臨時支承構(gòu)件和熱塑性樹脂層在其間的界面處相互剝離。因此，進行轉(zhuǎn)移以在玻璃基板上形成負(fù)型光敏透明樹脂層Al、負(fù)型光敏透明樹脂層P1、中間層和熱塑性樹脂層。接著，通過如上所述構(gòu)建的曝光設(shè)備進行曝光。使用其波長為405nm的激光，以4mJ/cn^的能量和40mJ/cn^的能量進行曝光。在這種情況下，對其中將只留下負(fù)型光敏透明樹脂層Al以形成用于控制取向的突部624的區(qū)域以4mJ/cr^的能量進行曝光，所述負(fù)型光敏透明樹脂層Al將形成如上所述的第一透明層。同時，對其中將留下負(fù)型光敏透明樹脂層Pl和負(fù)型光敏透明層Al以形成隔體622的區(qū)域以40mJ/cm2的能量進行曝光，所述負(fù)型光敏透明樹脂層將形成如上所述的第二透明層。然后，使用顯影劑PD2(由FujiPhotoFilmCo.,Ltd.生產(chǎn))將負(fù)型光敏透明樹脂層P1顯影。因此，除去熱塑性樹脂層和中間層。在這種情況下，負(fù)型光敏透明樹脂層Al基本上是不顯影的。然后，使用顯影劑CD1(由FujiPhotoFilmCo.，Ltd.生產(chǎn))將負(fù)型光敏透明樹脂層Al的多余部分顯影并除去。此外，使用SD1(由FujiPhotoFilmCo.，Ltd.生產(chǎn))進行精加工處理(刷洗(bmsh)處理)。因此，在玻璃基板上形成用于控制液晶的取向的突部部分和隔體部分。用于控制液晶的取向的突部部分是僅僅由負(fù)型光敏透明樹脂層Al制成的透明圖案所形成的部分。隔體部分是由相互疊置的負(fù)型光敏透明樹脂層Al和Pl制成的透明圖案所形成的部分。這里，形成負(fù)型光敏透明樹脂層Al使其對在330nm至390nm的范圍內(nèi)的波長充分靈敏。此外，形成負(fù)型光敏透明樹脂層Pl使其對在330nm至415nm的范圍內(nèi)的波長充分靈敏。接著，在24(TC的溫度下進行50分鐘烘焙。因此，在ITO膜上形成其高度為3.7pm的隔體62以及用于控制液晶的取向的突部624。突部624的高度為l.Opm。如上所述，在本實施方案中，可以容易地同時形成隔體622和用于控制液晶的取向的突部624兩者，它們是高精密的，并且其高度(厚度)彼此不同。接著，將描述用于形成隔體622和用于控制液晶的取向的突部624的另一方法。此外，在上述實施方案中，用其厚度為75pm并且沒有進行底涂的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件代替在[轉(zhuǎn)移片材的制造]部分中所述的方法中使用的PET臨時支承構(gòu)件。此外，既不將熱塑性樹脂層也不將中間層預(yù)先涂覆到聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件的表面上。而是將用于(A1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液(具有上表中1所示的配方)直接涂覆到臨時支承構(gòu)件的表面上并且干燥，得到其厚度為1.2pm的負(fù)型光敏透明樹脂層Al。以與上述實施方案類似的方式進行其它處理。當(dāng)以這種方式進行處理時，可以形成隔體622和用于控制液晶的取向的突部624。接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的另一個實施方案。在根據(jù)本實施方案的方法中，在基板上形成至少兩種類型結(jié)構(gòu)構(gòu)件。具體而言，在根據(jù)本實施方案的方法中，在作為基板的LCD-CF面板上將用于透射的RGB構(gòu)件和用于反射的RGB構(gòu)件形成為結(jié)構(gòu)構(gòu)件。首先，將參考圖22描述濾色器，所述濾色器包含用于透射的RGB構(gòu)件和用于透射的RGB構(gòu)件。通過將轉(zhuǎn)移片材粘附到光透射基板610A以層壓光透射基板610A制造濾色器。因此，在光透射基板610A上依次形成第一負(fù)型光敏著色樹脂層(第一著色層)和第二負(fù)型光敏著色樹脂層(第二著色層)。第一負(fù)型光敏著色樹脂層是感光度高的層，并且第二負(fù)型光敏著色樹脂層是感光度低的層。然后，從光透射基板610A的著色層側(cè)用激光以低能量曝光將形成反射型液晶顯示器部分的區(qū)域。此外，從光透射基板610A的著色層側(cè)用激光以高能量曝光將形成透射型液晶顯示部分的區(qū)域。在曝光之后，進行顯影以制造濾色器。具體而言，由其中只保留第一著色層的像素部分614B形成將成為反射型液晶顯示部分的區(qū)域。由其中保留第一著色層和第二著色層的像素部分614A形成將成為透射型液晶顯示部分的區(qū)域。由像素部分614A和將像素部分614A夾在中間的兩個像素部分614B形成著色像素(R、G或B)614。其中保留第一著色層和第二著色層的像素部分614的厚度比其中只保留第一著色層的像素部分614B的厚度更厚，之差為第二著色層的厚度。因此，形成像素部分614A使其具有作為透射型部分的適合厚度。形成像素部分614B使其具有作為反射型部分的適合厚度。當(dāng)如上所述構(gòu)建濾色器時，如在圖22中用箭頭a表示，從背光620發(fā)出的光通過透射型像素部分614A透射到觀察側(cè)。如在圖22中用箭頭b表示從觀察側(cè)進入的光被反射片(反射電極)612反射。然后，如在圖22中用箭頭c表示，反射的光通過反射型像素部分614B返回到觀察側(cè)。將描述實際過程。[轉(zhuǎn)移片材的制造]將具有上述配方Hl的涂布液涂覆到聚對苯二甲酸乙二醇酯臨時支承構(gòu)件(PET臨時支承構(gòu)件)的明膠層的表面上，所述PET臨時支承構(gòu)件具有75)im的厚度，并且被厚度為0.2pm的明膠層涂覆作為底涂層。然后，將涂布液干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為20pm的熱塑性樹脂層。然后，將具有配方B1的涂布液涂覆到通過涂布得到的熱塑性樹脂層的表面上，并且干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為1.6pm的中間層。如上所述，制造三個PET臨時支承構(gòu)件，其每一個中安置熱塑性樹脂層和中間層。然后，還將用于紅色層(R1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液、用于綠色層(G1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液或用于藍色層(B1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液涂覆到每一個PET臨時支承構(gòu)件的中間層上并且干燥，所述溶液的每一種具有表3中所示的配方。因此，通過涂布得到厚度為1.2pm的負(fù)型光敏樹脂層R1，B1或G1。此外，通過壓力使由聚丙烯制成的覆蓋膜(其厚度為12pm)附著到每種顏色(Rl，Bl或G1)的負(fù)型光敏透明樹脂層上。因此，制造了三種光敏轉(zhuǎn)移片材R1,B1和G1，其每一個中將熱塑性樹脂層、中間層和負(fù)型光敏透明樹脂層(R1,B1或G1)相互疊置。<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>7-[2-[4-(3-羥基甲基哌啶子基&丫卩6^(1^10))-6-二乙基氨基]三嗪基(triazyl)氨基]-3-苯基香豆靈1.491.260.252-三氯甲基-5-(對苯乙烯基苯乙烯基-l，3,4-噁二唑0.320.220.23吩噻嗪0.0120.0060.025C丄PR254分散液(RT-107,由FUJIFILMOLINCo.,Ltd.生產(chǎn))8.600C丄PG36分散液(GT-2,由FUJIFILMOUNCo.,Ltd.生產(chǎn))05.60C丄PY138分散液(YT-123,由FUJIFILMOLINCo"Ltd.生產(chǎn))03.90C丄PB15:6分散液(Mfflblue7075M,由MikuniColorLtd.生產(chǎn))0013.2丙二醇單甲醚乙酸酯272614甲基乙基酮353444接著，除上述聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件以外，還制備另一個厚度為75pm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件。然后，將如上所述具有配方H1的涂布液涂覆到PET的表面上，并且干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為20pm的熱塑性樹脂層。此外，將如上所述具有配方B1的涂布液涂覆到熱塑性樹脂層的表面上，并且干燥以得到干燥狀態(tài)厚度為1.6pm的中間層。因此，制造了三個臨時支承構(gòu)件，其每個中安置熱塑性樹脂層和中間層。此外，將用于紅色層(R2層)的負(fù)型光敏樹脂溶液、用于綠色層(G2層)的負(fù)型光敏樹脂溶液或用于藍色層(B2層)的負(fù)型光敏樹脂溶液涂覆到中間層上并且干燥，所述溶液的每一種具有下表4中所示的配方。因此，通過涂布得到厚度為1.2pm的負(fù)型光敏樹脂層。然后，通過壓力使由聚丙烯制成的覆蓋膜(其厚度為12pm)附著到每種顏色的負(fù)型光敏樹脂層上。因此，制造了三種光敏轉(zhuǎn)移片材R2,B2和G2，其每個中將熱塑性樹脂層、中間層和負(fù)型光敏樹脂層(R2,B2或G2)相互疊置。[表4]R2G2B2甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸的共聚物(摩爾比=73/27，分子量30000)7.810,29.8一縮二季戊四醇六丙烯酸酯5.24.66.1氟化表面活性劑(MegafacF176,由DainipponInk&Chemicals,Inc.生產(chǎn))0.060.140.127-[2-[4-(3-羥基甲基哌啶子基)-6-二乙基氨基]三嗪基氨基]-3-苯基香豆靈1.491.260.252-三氯甲基-5-(對苯乙烯基苯乙烯基-1,3，4-噁二唑0.320.220.23吩噻嗪0.0120.0060.025C丄PR254分散液(RT-107,由FUJIFILMOLINCo"Ltd.生產(chǎn))19.200C丄PG36分散液(GT-2，由FUJIFILMOLINCo.,Ltd.生產(chǎn))011.30C.I.PY138分散液(YT-123,由FUJIFILMOLINCo"Ltd.生產(chǎn))07.80C丄PB15:6分散液(MHIblue7075M,由MikuniColorLtd.生產(chǎn))0026.4丙二醇單甲醚乙酸酯272614甲基乙基酮353444在上述實施方案中，調(diào)節(jié)光敏轉(zhuǎn)移片材Rl,Bl和Gl每個的負(fù)型光敏透明樹脂層的感光度h1以及光敏轉(zhuǎn)移片材R2，B2和G2每個的負(fù)型光敏樹脂層的靈敏度h2，使得在每種顏色的負(fù)型光敏層之間的感光度比率hVh2為10。[濾色器的制造]將描述濾色器的制造。使用如上所述獲得的6種光敏轉(zhuǎn)移片材制造濾色器。首先，剝離光敏轉(zhuǎn)移Rl的覆蓋膜，并且使用層壓機(VP-II,由TaiseiLaminatorCo.,Ltd.生產(chǎn))，通過加壓(0.8kg/cm2)并且通過加熱(130。C)使負(fù)型光敏樹脂層Rl的暴露表面附著到透明玻璃基板(具有l(wèi).lmm的厚度)。然后，將中間層和負(fù)型光敏樹脂層Rl在其間的界面處相互剝離，并且只是將紅色負(fù)型光敏樹脂層Rl轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。然后，剝離光敏轉(zhuǎn)移片材R2的覆蓋膜。以與如上所述的方法類似的方式，將暴露的負(fù)型光敏樹脂層R2附著到負(fù)型光敏樹脂層R1的表面上。然后，將臨時支承構(gòu)件和熱塑性樹脂層在其間的界面處相互剝離。因此，進行轉(zhuǎn)移以在玻璃基板上形成負(fù)型光敏樹脂層R1、負(fù)型光敏樹脂層R2、中間層和熱塑性樹脂層。接著，通過如上所述構(gòu)建的曝光設(shè)備，使用其波長為405nm的激光進行曝光。曝光是以4mJ/cn^的能量和40mJ/cn^的能量進行的。在這種情況下，對其中將通過只留下負(fù)型光敏樹脂層R1形成反射型像素部分614B的區(qū)域以4mJ/cn^的能量進行曝光。同時，對其中將通過留下負(fù)型光敏樹脂層Rl和負(fù)型光敏樹脂層R2形成透射型像素部分614A的區(qū)域以40mJ/cr^的能量進行曝光。在這種情況下，可以通過只在第一副掃描中進行激光曝光實現(xiàn)低能量曝光。此外，可以通過同時在兩個副掃描中進行激光曝光實現(xiàn)高能量曝光。然后，使用顯影劑PD2(由FujiPhotoFilmCo.,Ltd.生產(chǎn))將負(fù)型光敏樹脂層R2顯影。此外，除去熱塑性樹脂層和中間層。在這種情況下，負(fù)型光敏樹脂層R1基本上是不顯影的。然后，使用顯影劑CD1(由FujiPhotoFilmCo.,Ltd.生產(chǎn))將負(fù)型光敏樹脂層Rl的多余部分顯影并除去。此外，使用SDl(由FujiPhotoFilmCo.,Ltd.生產(chǎn))進行精加工處理(刷洗處理)。因此，在玻璃基板610A上形成紅色圖案(反射顯示部分)和紅色圖案(透射顯示部分)。紅色圖案(反射顯示部分)是僅僅由負(fù)型光敏樹脂層Rl制成的圖案。紅色圖案(透射顯示部分)是由相互疊置的負(fù)型光敏樹脂層Rl和R2制成的圖案。然后，將光敏轉(zhuǎn)移片材Gl和G2依次附著到其上已形成紅色圖案的玻璃基板，并且以與上述類似的方式進行剝離、曝光和顯影。因此，形成只由負(fù)型光敏樹脂層Gl制成的綠色圖案(反射顯示部分)，以及由相互疊置的負(fù)型光敏樹脂層G1和G2制成的綠色圖案(透射顯示部分)。此外，使用光敏轉(zhuǎn)移片材B1和B2重復(fù)與上述操作類似的操作。因此，在其上已形成紅色圖案和綠色圖案的透明玻璃基板上形成只由負(fù)型光敏樹脂層Bl制成的藍色圖案(反射顯示部分)，以及由相互疊置的負(fù)型光敏樹脂層Bl和B2制成的藍色部分(透射顯示部分)。因此，制造既用于反射又用于透射的RGB濾色器。如上所述，可以容易地形成包含著色像素(R，G和B)的高分辨率濾色器。在其中在顯示圖像時形成像素的濾色器的每一個像素形成區(qū)域中，得到用于每一種顏色的反射顯示部分和透射顯示部分。反射顯示部分和透射顯示部分是其厚度彼此不同的部分。接著，將描述用于形成同時用于反射和透射的濾色器的另一種方法。在如上所述的實施方案中，用其厚度為75pm并且沒有進行底涂的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件代替在[轉(zhuǎn)移片材的制造]部分中所述的方法中使用的PET臨時支承構(gòu)件。此外，在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜臨時支承構(gòu)件的表面上既不通過涂布形成熱塑性樹脂層，也不通過涂布形成中間層。而是將用于紅色層(R1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液、用于綠色層(G1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液或用于藍色層(B1層)的負(fù)型光敏樹脂溶液(每一種均具有表3中所示的配方)直接涂覆到臨時支承構(gòu)件的表面上，并且干燥以得到其厚度為1.2pm的負(fù)型光敏樹脂層Rl、Bl或Gl。以與上述實施方案類似的方式進行其它處理以制造濾色器。通過使用這種方法，可以容易地制造由著色像素(R、G和B)形成的高分辨率濾色器。接著，將參考圖23A至29S描述根據(jù)本發(fā)明的曝光方法的另一個實施方案。在根據(jù)本實施方案的曝光方法中，在基板上形成由光致抗蝕劑制成的單個結(jié)構(gòu)構(gòu)件之后，逐步除去光致抗蝕劑。然后，通過使用單個結(jié)構(gòu)構(gòu)件進行用于形成另一個結(jié)構(gòu)構(gòu)件的處理。因此，可以在基板上形成兩個或更多個結(jié)構(gòu)構(gòu)件。這里，通過形成結(jié)構(gòu)構(gòu)件TFT電路。在圖23A至29S中，依次說明用于制造如上所述具有高的孔徑比的有源矩陣基板的加工。在每一個圖中，示意性說明橫截面結(jié)構(gòu)，其中安置柵極電極和源極電極的G-S相交部分、TFT裝置部分、像素部分和端子部分。圖23A說明了其中在玻璃基板701上形成柵極電極膜702的情形。柵極電極膜702是由鉻、鋁、鉭等制成的金屬膜，該金屬膜是通過使用濺射方法等形成的。圖23B說明了在將光致抗蝕劑均勻涂覆到柵極電極膜702上之后使用單個光掩膜形成抗蝕劑圖案703的情形。圖23C說明了其中通過使用抗蝕劑圖案703蝕刻在柵極電極膜702上進行圖案形成的情形。接著，如圖24D中說明，在餘去抗蝕劑圖案.703之后，將柵極絕緣膜704、第一半導(dǎo)體層705和第二半導(dǎo)體層706—個在另一個上面連續(xù)疊置。此外，通過使用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)法、濺射法等連續(xù)疊置源極-漏極電極膜707。柵極絕緣膜704由例如氮化硅(SiNx)膜形成。第一半導(dǎo)體層705由非晶硅(a-Si)膜形成。第二半導(dǎo)體層706由以高密度摻雜有n型雜質(zhì)的硅(11+-81)膜形成。源極-漏極電極膜707由金屬如鉻、鋁和鉭制成。接著，如圖24E中說明，將光致抗蝕劑涂覆到玻璃基板701的整個表面上。然后，通過改變用于每一個預(yù)定的區(qū)域的曝光量進行曝光。因此，通過進行抗蝕劑涂布、曝光和顯影的單次操作形成其厚度處于多種水平的抗蝕劑圖案708。這里，在像素部分和端子部分上沒有形成抗蝕劑圖案708。此外，將與TFT裝置部分的通道部分705a對應(yīng)的部分形成為薄部分708a，并且將另一區(qū)域形成為厚部分。具體而言，形成另一個區(qū)域使其具有大于或等于第一厚度，即預(yù)定的厚度的厚度。形成薄部分708a使其具有小于第一厚度的第二厚度。在這種情況下，通過只在第一副掃描中進行曝光或者通過在兩個副掃描都進行曝光，可以改變用于每一個預(yù)定區(qū)域的曝光接著，如圖24F中說明，通過蝕刻除去在不被抗蝕劑圖案708覆蓋的區(qū)域中的所有第一半導(dǎo)體層705、第二半導(dǎo)體層706和源極-漏極電極膜707。然后，如圖25G中說明，通過灰化(ashing)降低在圖24F中說明的情形中保留的整個抗蝕劑圖案708的厚度。因此，將源極-漏極電極膜707的表面在對應(yīng)薄部分708a的通道部分705a的位置暴露。圖25H說明了其中將源極-漏極電極分開并且通過使用保留的抗蝕劑圖案708進行通道蝕刻的情形。在通道部分705a中，調(diào)節(jié)第一半導(dǎo)體層705的厚度，并且除去第二半導(dǎo)體層706和源極-漏極電極膜707。圖251說明了其中除去抗蝕劑圖案708的情形。圖26J說明了其中在基板的整個表面上形成鈍化膜709的情形。鈍化膜709是由氮化硅(SiNx)等制成的保護膜。通過使用CVD法、濺射法等形成鈍化膜709。圖26K說明了其中形成作為電絕緣膜并且其表面是平坦的丙烯酸類-基樹脂膜710的情形。通過將電絕緣合成樹脂材料如丙烯酸類-基樹脂涂覆到鈍化膜709的表面上并且通過將電絕緣合成樹脂材料的表面平坦化，形成丙烯酸類-基樹脂膜710。此外，圖26L說明了其中形成光致抗蝕劑層712的情形。在將丙烯酸類-基樹脂膜710在80至100度的范圍內(nèi)的溫度下預(yù)烘焙之后，通過將氟基樹脂涂覆到預(yù)烘焙的丙烯酸類-基樹脂膜710上形成防水樹脂層711。此外，將光致抗蝕劑涂覆到防水樹脂層711上以形成光致抗蝕劑層712。此外，圖27M說明了其中進行圖案形成以在曝光和顯影的單次操作中形成處于多種厚度水平的圖案的情形。通過改變用于在光致抗蝕劑層712上的每一個預(yù)定的區(qū)域的曝光量以多種厚度水平形成圖案。使用作為第三光掩膜的狹縫掩模等調(diào)節(jié)曝光量。因為以這種方式進行曝光，所以將光致抗蝕劑層712曝光并且顯影使得在光致抗蝕劑層712的像素電極形成區(qū)域中的預(yù)定接觸孔區(qū)域712b不固化，凹陷712a，即除接觸孔區(qū)域712b以外像素電極形成區(qū)域部分固化，并且另一個區(qū)域固化。此外，圖27N說明了其中形成接觸孔710b，即連接丙烯酸類-基樹脂膜710的表面和漏極電極部分的通孔的情形。通過使用光致抗蝕劑層712的第一抗蝕劑圖案作為掩模在丙烯酸類-基樹脂膜710和鈍化膜709上進行蝕刻形成接觸孔710b。在這種情況下，在端子部分中除去鈍化膜709、柵極絕緣膜704等，并且形成接觸孔710c，即到柵極電極或源極電極(沒有說明)的通孔。因此，將柵極電極702和源極電極(沒有說明)暴露。在這種情況下，因為防水樹脂層711的厚度薄，所以通過類似浮脫(lift-off)的方法除去在接觸孔710b和710c中的防水樹脂層711。圖270說明了其中通過灰化在整體上降低光致抗蝕劑層712的厚度而形成第二抗蝕劑圖案的情形。此外，圖28P說明了其中在像素電極形成區(qū)域中的丙烯酸類-基樹脂膜710中形成與接觸孔相鄰的凹陷區(qū)域710a的情形。通過使用光致抗蝕劑層712的第二抗蝕劑圖案作為掩模在防水樹脂層711上進行蝕刻形成凹陷區(qū)域710a。圖28Q說明了其中除去在圖28P中說明的情形中保留的多余光致抗蝕劑層712的情形。圖28R說明了其中通過旋涂等涂覆涂布型透明導(dǎo)電材料形成涂布型透明導(dǎo)電膜713的情形。涂布型透明導(dǎo)電膜713覆蓋丙烯酸類-基樹脂710凹陷區(qū)域710a的表面以及接觸孔710b和710c的內(nèi)表面。防水樹脂層711通過其防水性能排斥涂布型透明導(dǎo)電材料。因此，在其中防水樹脂層711保留的區(qū)域中不形成涂布型透明導(dǎo)電膜713。然后，通過在20(TC至25(TC的范圍內(nèi)的溫度下烘焙，形成像素電極713a。這里，形成像素電極713a的涂布型透明導(dǎo)電膜713可以由氧化錫銦(ITO)等制成。因為像素電極是通過涂覆涂布型透明導(dǎo)電材料如ITO形成的，所以在本實施方案中，可以在不使用真空沉積法，如等離子體CVD法和濺射法的情況下形成像素電極。因此，可以降低生產(chǎn)成本。此外，圖29S說明了其中在形成像素電極713a之后通過灰化等除去剩余的防水樹脂層711的情形。因此，可以制造具有高孔徑比的有源矩陣基板714。接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案的曝光設(shè)備。圖30和31說明了根據(jù)本實施方案的平底型圖像曝光設(shè)備1010。在圖像曝光設(shè)備1010中，每一個元件容納于矩形框架1012中，所述矩形框架1012是通過在框架形狀中組合棒狀方形管形成的。此外，將面板(沒有說明)附著到框架1012上以將框架1012內(nèi)部與框架1012外部分開。框架1012包含高外殼部分1012A、從外殼部分1012A的一側(cè)突出的臺部分1012B。臺部分1012B的上表面低于外殼部分1012A。當(dāng)操作者站在臺部分1012B的前面時，臺部分1012B的上表面基本上位于操作者的腰部的高度。將用于打開/關(guān)閉的蓋1014安置在臺部分1012B的上表面。此外，將鉸鏈(沒有說明)連接到用于打開/關(guān)閉的蓋一側(cè)。將鉸鏈連接到用于打開/關(guān)閉的蓋1014的外殼部分1012A側(cè)。因此，可以通過相對于該側(cè)移動蓋1014打開和關(guān)閉用于打開/關(guān)閉的蓋1014。當(dāng)打開用于打開/關(guān)閉的蓋1014時，可以暴露臺部分1012B的上表面的曝光臺1016。曝光臺1016被沿著表面板1018的縱向排列的一對滑軌1020支承。曝光臺1016可以通過安置在曝光臺1016下面的線性電動機1026(請參考圖31)的驅(qū)動力在圖30的y方向上滑動。此外，將線性編碼器1027(沒有說明)安置在曝光臺1016下面，并且線性編碼器1027基于曝光臺1016的移動輸出脈沖信號。因此，可以基于脈沖信號檢測沿著滑軌1020的曝光臺1016的位置信息和副掃描速度。光敏材料1022位于曝光臺1016上。此外，曝光頭單元1028大致排列在表面板1018上的曝光臺1016的移動路徑(在圖30的y方向上)的中間。將曝光頭單元1028安裝成連接一對支承柱1030，所述一對支承柱1030的每一個在表面板1018的寬度方向上直立于表面板1018的任一側(cè)的邊緣的外側(cè)。具體而言，形成門使得曝光臺1016在曝光頭單元1028和表面板1018之間通過。在曝光頭1028中，沿著表面板1018的寬度方向排列多個頭組件1028A。可以通過使用多個光束(稍后將詳細(xì)描述)照射在曝光臺1016上的光敏材料1022，將光敏材料1022曝光。所述多個光束在預(yù)定的時機從頭組件1028A中發(fā)出，同時曝光臺1016向前和向后移動。如在圖32B中說明，將形成曝光頭單元1028的頭組件1028A基本上以m行xn列(例如，2行x5歹U)的矩陣形式排列。多個頭組件1028A在垂直曝光臺1016的移動方向的方向(以下稱作副掃描方向)上排列。在本實施方案中，基于光敏材料1022的寬度，將總共IO個頭組件1028A排列成兩行。這里，通過單個頭組件1028A曝光的曝光區(qū)1028B的形狀是具有與副掃描方向平行的較短邊的矩形。此外，曝光區(qū)1028A相對于副掃描方向傾斜成預(yù)定的傾斜角度。當(dāng)曝光臺1016移動時，通過每一個頭組件1082A在光敏材料1022上形成帶狀曝光區(qū)(請參考圖32A)。源單元1031安置在外殼部分1012A中。將光源單元1031排列在分開的位置使其不阻擋曝光臺1016在表面板1018上的移動。多個激光器(半導(dǎo)體激光器)容納于光源單元1031中，并且通過光纖(沒有說明)將從每一個激光器發(fā)出的光導(dǎo)向各個頭組件1028A。每一個頭組件1028A使用數(shù)字微反射鏡裝置(DMD)(沒有說明)控制通過光纖導(dǎo)向的入射光束。DMD是空間光調(diào)制裝置。DMD控制光束的每個點，并且將光敏材料1022以點圖案曝光。在本實施方案中，使用多個如上所述的點圖案表示單個像素的密度。如圖33中說明，帶狀曝光區(qū)1028B(單個頭組件1028A)由在二維上排列的20個點(例如，4x5)形成。此外，因為在二維上排列的點圖案相對于副掃描方向傾斜，排列在副掃描方向上的每個點在排列在垂直副掃描方向的方向上的點之間通過。因此，可以基本上使點之間的間距變窄，從而獲得高分辨率。這里，在臺部分1012B(請參考圖30)中，通過將光敏材料1022放置在曝光臺1016上，在曝光臺1016的向前移動和向后移動的每個中，在放置在曝光臺1016上的光敏材料1022上進行曝光處理。向前移動是其中曝光臺1016沿著在表面板1018上的滑軌1020移動到后側(cè)的移動。向后移動是其中曝光臺1016從表面板1018的后側(cè)邊緣返回到前側(cè)的移動。當(dāng)曝光臺1016向前和向后移動時，對光敏材料1022的曝光處理完成。此外，安置對準(zhǔn)單元1032作為用于獲得關(guān)于光敏材料1022的位置信息的單元。對準(zhǔn)單元1032排列在與曝光頭單元1028相鄰的位置。對準(zhǔn)單元1032排列在曝光頭單元1028的曝光臺1016—側(cè)。對準(zhǔn)單元1032將光發(fā)出到曝光臺1016上的光敏材料1022上，并且拍照所發(fā)出的光的反射光。因此，對準(zhǔn)單元1032檢測在光敏材料1022上的標(biāo)記。在曝光臺1016和光敏材料1022之間的相對位置關(guān)系由被操作者放置的光敏材料1022的位置決定。因此，存在相對位置關(guān)系與需要的條件略有偏移的可能性。如果基于拍照的標(biāo)記識別出光敏材料1022的位置的偏移，則在需要時，通過矯正曝光時機調(diào)節(jié)光敏材料1022和圖像的相對位置。曝光時機是通過曝光頭單元1028曝光的時機，所述曝光頭單元1028與曝光臺1016具有已知的相對關(guān)系。這里，在本實施方案中，光敏材料1022是印刷電路板1022P(請參考圖34)。圖像曝光設(shè)備1010具有通過將涂覆到印刷電路板1022P的表面上的光敏層曝光形成適合的印刷電路圖案的功能。在本實施方案中采用的印刷電路板1022P(完成狀態(tài))中，獲得用銅箔適當(dāng)形成的印刷電路圖案1100。此外，將其直徑約為3mm的通孔1102安置在印刷電路板1022P適合的位置。此外，在通孔1102的外圍和通孔1102的內(nèi)壁上形成銅箔1106(請參考圖35G)。例如，釆用通孔1102作為與電子部件在電學(xué)上或結(jié)構(gòu)上連接的位置，備選地，采用通孔1102作為用于在被安置在印刷電路板1022P的兩側(cè)的印刷電路圖案之間導(dǎo)電的部分。如圖35A中說明，印刷電路板1022P由原始基板1022A制造。在原始基板1022A中，將銅箔1106附著(通過氣相沉積)到支承構(gòu)件1107的表面(或在兩側(cè)的表面)。此外，將薄的第二光敏層1108和厚的第一光敏層1110以這種順序依次涂覆到銅箔1106的上表面。因為第二光敏層1108的靈敏度較高，所以第二光敏層1108在小曝光量的下固化。相反，因為第一光敏層1110的靈敏度低，所以第一光敏層1110只在大曝光量的下固化(請參考圖36)。在圖35A中，省去保護膜等。將原始基板1022A裝載到曝光臺1016上，并且使曝光臺1016在副掃描方向上向前和向后移動。當(dāng)移動曝光臺1016時，以在向前移動和向后移動之間不同的曝光量進行曝光。在向前移動中，將通孔部分區(qū)域，即低靈敏度區(qū)域曝光(請參考圖35B)以將第一光敏層1110曝光(請參考圖35C)。在向后移動中，將電路圖案區(qū)域，即高靈敏度區(qū)域曝光(請參考圖35D)以將第二光敏層1108曝光(將稍后描述曝光量控制)。因為在向前移動和向后移動之間改變曝光量，所以通過曝光固化的第一光敏層1110的區(qū)域與通過曝光固化的第二光敏層110的區(qū)域不同(請參考圖35E)。當(dāng)在其中已經(jīng)使光敏層(第一光敏層1110和第二光敏層1108)固化的情形下進行顯影處理(請參考圖35F)時，只有光敏材料的固化部分保留，而未固化部分被除去。此外，當(dāng)進行蝕刻處理時，銅箔1106的暴露部分和固化的光敏層(第一光敏層1110和第二光敏層1108)溶解。因此，可以制造在完成狀態(tài)下的印刷電路板1022P(請參考圖35G)。如上所述，在本實施方案中，當(dāng)曝光臺1016向前和向后移動時，分別在向前移動和向后移動中進行曝光處理，以在不同的曝光量下將兩種光敏層的每一個曝光。具體而言，在向前移動中，進行針對第一光敏層1110的曝光處理以保持通孔部分的帳篷特性(涂層的保護性)。在向后移動中，進行針對第二光敏層1108曝光處理的以獲得電路圖案的高分辨率。在本實施方案中，在不同的時間進行針對第一光敏層1110的曝光處理操作以及針對第二光敏層1108的曝光處理操作。因此，可以在其間沒有干擾的情況下對第一光敏層1110和第二光敏層1108的每一個進行最適宜的曝光處理。圖37是說明曝光中的控制操作的功能方框圖。在根據(jù)本實施方案的圖像曝光設(shè)備1010中，當(dāng)曝光臺1016向前和向后移動時，在向前移動和向后移動中進行曝光。安置CPU(中央處理單元)(在圖37中沒有說明)，并且CPU輸出用于啟動向前移動中的曝光處理的指令和用于啟動向后移動中的曝光處理的指令。將數(shù)據(jù)劃分單元1112連接到通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114和電路圖案數(shù)據(jù)存儲存儲器1116。當(dāng)將印刷電路圖數(shù)據(jù)(在本實施方案之前的電路設(shè)計過程中生成)輸入到數(shù)據(jù)劃分單元1112中，數(shù)據(jù)劃分單元1112基于印刷電路圖數(shù)據(jù)識別電路圖案部分和通孔部分。然后，數(shù)據(jù)劃分單元1112將印刷電路圖數(shù)據(jù)分為通孔部分圖像數(shù)據(jù)和電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)。通孔部分圖像數(shù)據(jù)是低靈敏度部分圖像數(shù)據(jù)，并且電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)是高靈敏度部分圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)劃分單元1112在通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114中存儲通孔部分圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)劃分單元1112在電路圖案部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲存儲器1116中存儲電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)。曝光量操作單元1118連接到通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114、電路圖案數(shù)據(jù)存儲存儲器1116、曝光時間操作單元1120和CPU(沒有說明)。當(dāng)曝光量操作單元1118接受來自CPU(沒有說明)的用于啟動向前移動中的曝光的指令時，曝光量操作單元1118從通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114讀取通孔部分圖像數(shù)據(jù)。然后，曝光量操作單元1118進行用于獲得必需曝光量(以下稱作通孔部分必需曝光量)的操作，以基于印刷電路板上每個曝光位置的通孔部分圖像數(shù)據(jù)以圖案形式將第一光敏層iiio曝光。當(dāng)曝光量操作單元1118接受來自CPU(沒有說明)的用于啟動向后移動中的曝光的指令時，曝光量操作單元1118從電路圖案數(shù)據(jù)存儲存儲器1116中讀取電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)，并且進行用于獲得必需曝光量(以下稱作電路圖案部分必需曝光量)的操作，以基于印刷電路板上每個曝光位置的電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)以圖案形式將第二光敏層1108曝光。將每個獲得的必需曝光量送到曝光時間操作單元1120中。將曝光時間操作單元1120連接到曝光量操作單元1118、移動控制單元1122和曝光控制單元1128上。曝光時間操作單元1120從曝光控制單元1128(將稍后描述)接受從光源單元1031輸出的光量數(shù)據(jù)。曝光時間操作單元1120還接受從曝光量操作單元1118輸出的每一個必需曝光量。然后，曝光時間操作單元1120進行操作，以基于光量數(shù)據(jù)獲得達到必需曝光量的曝光時間。具體而言，曝光時間操作單元1120進行操作，以獲得在向前移動中的曝光處理中達到通孔部分必需曝光量的曝光時間(以下稱作通孔部分曝光時間)。曝光時間操作單元1120進行操作，以獲得在向后移動中的曝光處理中達到電路圖案部分必需曝光量的曝光時間(以下稱作電路圖案部分曝光時間)。曝光時間操作單元1120將獲得的曝光時間送到移動控制單元1122中。移動控制單元1122連接到線性電動機1026、線性編碼器1027、曝光時間操作單元1120、觸發(fā)脈沖(trigger)存儲存儲器1124和曝光控制單元1128。移動控制單元112在向前移動中的曝光處理中從曝光時間操作單元1120接受通孔部分曝光時間。移動控制單元1122在向后移動中的曝光處理中從曝光時間操作單元1120接受電路圖案部分曝光時間。移動控制單元1122基于在向前移動和向后移動的每一個中的曝光時間控制線性電動機1026的移動，并且向前和向后移動曝光臺1016。當(dāng)移動控制單元1122進行如上所述的處理時，移動控制單元1122檢測來自線性編碼器1027的脈沖輸出以檢測關(guān)于曝光臺1016的位置信息和副掃描速度。通過曝光臺1016的移動產(chǎn)生脈沖。具體而言，通過計算來自在向前移動和向后移動的每個中的曝光處理的起始位置的脈沖數(shù)量，移動控制單元1122沿著滑軌1020檢測關(guān)于曝光臺1016的位置信息。然后，移動控制單元1122通過測量脈沖間隔(在脈沖的檢測之間的時間間隔)檢測副掃描速度。移動控制單元1122基于檢測的副掃描速度控制線性電動機1026的移動，使得以需要的速度進行副掃描。此外，移動控制單元1122將關(guān)于曝光臺1016的位置信息傳送到曝光控制單元1128中。此外，移動控制單元1122進行用于獲得脈沖數(shù)量的操作以達到用于開始對通孔部分曝光的位置。移動控制單元1122基于在向前移動中的曝光處理(通孔部分圖像數(shù)據(jù)的曝光處理)中的每個曝光位置的通孔部分曝光時間獲得脈沖數(shù)量。此外，移動控制單元1122存儲獲得的脈沖數(shù)量作為在觸發(fā)脈沖存儲存儲器1124中的曝光位置觸發(fā)脈沖。以這樣的方式進行處理，以通過增加與通孔部分不同的區(qū)域(在分散的通孔之間的區(qū)域)中的副掃描速度而降低處理總時間。增加與通孔部分不同的區(qū)域中的副掃描速度，因為進行在向前移動中的曝光處理以只將分散在印刷電路板上的通孔曝光。當(dāng)檢測到的通過曝光臺1016的移動產(chǎn)生的脈沖的數(shù)量達到曝光位置觸發(fā)脈沖的值時，移動控制單元1122控制副掃描速度并且進行通孔部分的曝光。當(dāng)通孔部分的曝光結(jié)束時，移動控制單元1122增加副掃描速將點圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元1126連接到通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114、電路圖案存儲存儲器1116、曝光控制單元1128和CPU(沒有說明)上。當(dāng)點圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元1126接受來自CPU(沒有說明)的用于啟動向前移動中的曝光的指令時，點圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元1126從通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114中讀取通孔部分圖像數(shù)據(jù)，并且將讀取的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為點圖案數(shù)據(jù)。此外，當(dāng)點圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元1126接受來自CPU(沒有說明)的用于啟動向后移動中的曝光的指令時，點圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元1126從電路圖案數(shù)據(jù)存儲存儲器1116中讀取電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)，并且將讀取的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為點圖案數(shù)據(jù)。所轉(zhuǎn)換的點圖案數(shù)據(jù)被傳送到曝光控制單元1128中。將曝光控制單元1128連接到曝光時間操作單元1120、移動控制單元1122、點圖案轉(zhuǎn)換單元1126、每一個頭組件1028A和每一個光源單元1031上。曝光控制單元1128從移動控制單元1122接受關(guān)于曝光臺1016位置信息。曝光控制單元1128從點圖案轉(zhuǎn)換單元1126接受每一組點圖案數(shù)據(jù)。曝光控制單元1128控制在多個頭組件1028A的每個中的DMD驅(qū)動器1130，以在曝光臺1016的移動的每一個位置控制DMD1132的ON/OFF。在向前移動中，曝光控制單元1128基于通過轉(zhuǎn)換通孔部分圖像數(shù)據(jù)獲得的點圖案數(shù)據(jù)控制DMD驅(qū)動器1130。在向后移動中，曝光控制單元1128基于通過轉(zhuǎn)換電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)獲得的點圖案數(shù)據(jù)控制DMD驅(qū)動器1130。此外，曝光控制單元1128將發(fā)光信號傳送到光源單元1031的光源驅(qū)動器1136以開啟LD(半導(dǎo)體激光器)1138。此外，曝光控制單元1128將在向前移動中的曝光和向后移動中的曝光的每一個中開啟的LD1138的光量以光量數(shù)據(jù)的形式傳送到曝光時間操作單元1120中。在本實施方案中，在向前移動和向后移動中都開啟所有LD1138。因此，在向前移動中的曝光中被傳送到曝光時間操作單元1120中的光量數(shù)據(jù)與在向后移動中的曝光中被傳送的光量數(shù)據(jù)相同。將描述本實施方案的作用。當(dāng)通過抽吸在其表面上附著光敏材料1022的曝光臺1016在曝光頭單元1028下面通過時，進行在光敏材料1022(請參考圖30)上的曝光處理。在向前移動中的曝光中，移動控制單元1122(請參考圖37)控制線性電動機1026，并且將曝光臺1016沿著滑軌1020在表面板1018上從臺部分1012B移動到外殼部分1012A的后側(cè)。當(dāng)曝光臺1016在對準(zhǔn)單元1032下面通過時，對準(zhǔn)單元1032(請參考圖31)檢測預(yù)先在光敏材料1022上提供的標(biāo)記(mark)。將該標(biāo)記與預(yù)先存儲的標(biāo)記比較。然后，基于在檢測的標(biāo)記和存儲的標(biāo)記之間的位置關(guān)系糾正通過曝光頭單元1028曝光的時機。在向前移動中的曝光處理和在向后移動中的曝光處理是基于糾正的曝光時機進行的。在曝光頭單元1028中，基于關(guān)于曝光臺1016的位置信息和由通孔部分圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的點圖案數(shù)據(jù)，在糾正的曝光時機，使用激光照射DMD。當(dāng)在DMD中的微反射鏡為ON時，通過光學(xué)系統(tǒng)將反射的激導(dǎo)向光敏材料1022。因此，在光敏材料1022上形成圖像(請參考圖35B)。如圖38A中說明，移動控制單元1122(請參考圖37)降低曝光臺1016的副掃描速度，以在通孔部分中使光敏材料1022上的第一光敏層1110固化。當(dāng)降低副掃描速度時，將第一光敏層110暴露在從曝光頭單元1028發(fā)出的激光下的曝光時間變得更長。因此，獲得使第一光敏層1110固化所必需的曝光量。此外，因為在除通孔部分外的區(qū)域中沒有進行曝光，所以移動控制單元1122增加在除通孔部分外的區(qū)域中的副掃描速度。具體而言，如圖39中說明，當(dāng)從線性編碼器1027輸出的所計算的脈沖數(shù)量達到在移動曝光臺1016時存儲在觸發(fā)脈沖存儲存儲器1124(請參考圖37)中的曝光位置觸發(fā)脈沖值(在圖39中的箭頭tl)時，曝光臺1016的副掃描速度降低以進行通孔部分(在圖39中的時期t2)的曝光。當(dāng)通孔部分的曝光結(jié)束時，副掃描速度增加。當(dāng)曝光臺1016(請參考圖30)到達向前移動的盡頭時，在向前移動中的曝光處理結(jié)束，并且在向后移動中的曝光處理開始。在向后移動中的曝光處理中，移動控制單元1122(請參考圖37)控制線性電動機1026，以將曝光臺1016(請參考圖31)從外殼部分1012A的后側(cè)向前側(cè)移動。在曝光頭單元1028中，以與向前移動中的曝光處理類似的方式，基于關(guān)于曝光臺1016的位置信息以及由電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的點圖案數(shù)據(jù)，使用激光照射DMD。因此，使用被DMD反射的激光在光敏材料1022上形成圖像(請參考圖35D)。如圖38B中說明的，移動控制單元1122增加曝光臺1016的副掃描速度以使第二光敏層1108固化。如果副掃描速度增加，則使用激光照射光敏材料的曝光時間變得更短。因此，可以獲得僅僅使第二光敏層1108固化的必需曝光量。在本實施方案中，如上所述，控制曝光臺1016的副掃描速度。因此，在向前移動中的曝光處理中，通過基于通孔部分圖像數(shù)據(jù)將第一光敏層1110曝光，可以保持通孔部分區(qū)域的帳篷特性(涂層的保護性)。此外，可以通過基于電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)將第二光敏層1108曝光，獲得電路圖案區(qū)域的高分辨率。將參考在圖40中說明的流程圖描述圖像數(shù)據(jù)劃分過程、劃分開的圖像數(shù)據(jù)處理過程、在向前移動中的曝光控制過程和向后移動中的曝光控制過程中的處理的流程。在步驟1200中，對是否已經(jīng)輸入印刷電路圖數(shù)據(jù)進行判斷。如果判斷為是，則處理轉(zhuǎn)到步驟1202。在步驟中1202，識別在輸入的印刷電路圖數(shù)據(jù)中的電路圖案和通孔部分。然后，將印刷電路圖數(shù)據(jù)分為通孔部分圖像數(shù)據(jù)和電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)，并且處理轉(zhuǎn)到步驟1204。在步驟1204中，將通孔部分圖像數(shù)據(jù)存儲在通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114(請參考圖37)中。將電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)存儲在電路圖案數(shù)據(jù)存儲存儲器1116中。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1206。在步驟中1206，在向前移動中的曝光處理開始，并且將曝光中的向前/向后處理標(biāo)記FG設(shè)定為0，表示向前移動。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1208。在步驟1208中，曝光量操作單元1118和點圖案轉(zhuǎn)換單元1126從通孔數(shù)據(jù)存儲存儲器1114讀取通孔部分圖像數(shù)據(jù)以進行向前移動中的曝光處理。此外，點圖案轉(zhuǎn)換單元1126將通孔部分圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為點圖案數(shù)據(jù)。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1210。在步驟1210中，進行操作以基于在向前移動中的曝光處理和在向后移動中的曝光處理的每一個中的每個圖像數(shù)據(jù)獲得將光敏層以圖案形式曝光所必需的曝光量。具體而言，在向前移動中的曝光處理(向前/向后處理標(biāo)記FG為O)中，進行操作以基于通孔部分圖像數(shù)據(jù)獲得將第一光敏層1110以圖案形式曝光所必需的曝光量。在向后移動中的曝光處理(向前/向后處理標(biāo)記FG為l)中，進行操作以基于電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)獲得將第二光敏層1108以圖案形式曝光所必需的曝光量。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1212。在步驟1212中，對每一個曝光位置進行用于獲得曝光時間的操作以達到在步驟1210中獲得的必需曝光量?；趶墓庠磫卧?031傳送的光量數(shù)據(jù)(從光源單元1031輸出的光量)獲得曝光時間。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1214。在向前移動中的曝光處理(向前/向后處理標(biāo)記FG為O)中，進行操作以獲得用于到達開始通孔部分的曝光的位置的脈沖數(shù)量。將獲得的脈沖數(shù)量作為曝光位置觸發(fā)脈沖存儲在觸發(fā)脈沖存儲存儲器1124中。在步驟1214中，基于由圖像數(shù)據(jù)(在向前移動中的通孔部分圖像數(shù)據(jù)和在向后移動中的電路圖案部分圖像數(shù)據(jù))轉(zhuǎn)換的點圖案數(shù)據(jù)以及通過操作獲得的曝光時間進行曝光處理。如在開始描述本實施方案的作用時所述，進行在向前移動中的曝光處理和向后移動中的曝光處理。在步驟1216中，基于向前/向后處理標(biāo)記FG對向后(l)處理是否結(jié)束60進行判斷。如果判斷為否，則不進行向后移動中的曝光處理。因此，處理轉(zhuǎn)到步驟1218。然后，將向前/向后處理標(biāo)記FG設(shè)定為表示向后移動的1，以開始向后移動中的曝光處理。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1220。相反，如果在步驟1216中判斷為是，向前移動中的曝光處理和向后移動中的曝光處理都己經(jīng)完成。因此，處理結(jié)束。在步驟1220中，曝光量操作單元1118和點圖案轉(zhuǎn)換單元1126讀取在向后移動中的曝光處理中的電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)。此外，點圖案轉(zhuǎn)換單元1126將讀取的電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為點圖案數(shù)據(jù)。然后，處理轉(zhuǎn)到步驟1210，進行向后移動中的曝光處理。如上所述，在本實施方案中，可以通過在不增加或降低光源數(shù)量的情況下控制曝光臺1016的副掃描速度，增加或降低在印刷電路板(光敏材料1022)的曝光量。此外，在向前移動中的曝光處理和向后移動中的曝光處理的每個中控制曝光臺1016的副掃描速度。因此，基于通孔部分圖像(低靈敏度部分圖像)數(shù)據(jù)將第一光敏層1110曝光。此外，基于電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)(高靈敏度部分圖像)數(shù)據(jù)將第二光敏層1108曝光。因此，可以提高通孔部分的帳篷特性(涂層的保護性)并且獲得電路圖案的高分辨率。此外，在本實施方案中，在曝光頭單元1028中使用頭組件1028A，并且由點圖案表示單個像素。然而，曝光頭單元1028可以是沒有點圖案并且以單個光量發(fā)光的曝光頭。此外，在本實施方案中，通過控制曝光臺1016的副掃描速度，調(diào)節(jié)在印刷電路板的曝光量。備選地，可以將副掃描速度保持恒定，并且可以通過將在每個頭組件1028A中二維排列的20個點的一部分(請參考圖33)切換為OFF狀態(tài)而控制光量?？梢栽谙蚯耙苿踊蛳蚝笠苿又械钠毓馓幚碇袑⑺?0個點的一部分切換為OFF狀態(tài)，從而調(diào)節(jié)到達印刷電路板的光的曝光量。在這種情況下，例如，在向前移動中的曝光處理中，通過將所有點圖案切換為ON狀態(tài)(最大光量)(請參考圖41A),可以基于通孔部分圖像數(shù)據(jù)將低靈敏度第一光敏層1110曝光。在向后移動中的曝光處理中，通過將點圖案的一部分(例如，在圖33中的陰影點圖案)切換為OFF狀態(tài)(光量為最大光量的1/n)(請參考圖41B)，可以基于電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)將高靈敏度第二光敏層1108曝光。備選地，可以將濾光器安置在曝光頭上以將向后移動中的曝光處理的光量降低至最大光量的l/n。然后，可以基于電路圖案部分圖像數(shù)據(jù)將第二光敏層1108曝光。接著，將描述曝光設(shè)備的一個實施方案，其中可以以低成本獲得光敏材料如光致抗蝕劑的網(wǎng)點曝光。在下列描述中，將只說明用于獲得低成本網(wǎng)點曝光的結(jié)構(gòu)。作為用于以至少兩種不同的曝光量在光敏材料上形成曝光區(qū)的結(jié)構(gòu)，可以適當(dāng)?shù)夭捎萌缟纤龅母鞣N結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備是如上參考圖18所述的平行處理設(shè)備的類型。根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)與在圖1中說明的曝光設(shè)備相同。如圖42中說明，將在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中采用的DMD50分成四個塊區(qū)A至D，每一個包含多個微反射鏡排。此外，將塊區(qū)A至D的控制信號轉(zhuǎn)移到平行的各個塊區(qū)中。微反射鏡排是排列在這樣的方向上的一排微反射鏡，所述方向相對于曝光光線的副掃描方向的角度大于由排列在另一個方向上的微反射鏡形成的角度，所述另一個方向垂直于在微反射鏡62(請參考圖6)中的所述微反射鏡排的方向。如圖43中說明，將如上所述的用于塊區(qū)A至D的四個控制信號傳輸單元960A至960D安置在每個曝光頭166(請參考圖2)中。安置四個控制信號傳輸單元960A至960D以將控制信號傳輸?shù)狡叫械腄MD50的塊區(qū)A至D中。在圖43中，省去傳輸信號傳輸單元960C。此外，在本實施方案中，將DMD分為四個塊區(qū)。然而，如果塊區(qū)的數(shù)量為2個以上，則可以將DMD分成許多塊區(qū)。如圖43中說明，控制信號傳輸單元960A至960D的每一個包含P數(shù)量的位移寄存器電路961、門鎖電路962和列驅(qū)動器電路963。將時鐘信號CK從控制器965輸入到P數(shù)量的位移寄存器電路961的每一個中，并且基于時鐘信號CK將單個控制信號同時寫入在P數(shù)量的位移寄存器電路961的每一個中。當(dāng)將N數(shù)量的控制信號寫入P數(shù)量的位移寄存器電路961的每一個中時，將一行NxP數(shù)量的控制信號傳輸?shù)介T鎖電路962中。然后，將傳輸?shù)介T鎖電路962中的控制信號行直接傳輸?shù)搅序?qū)動器電路963中。將控制信號行從列驅(qū)動器電路963輸出，并且以預(yù)定的行寫入SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)陣列956中。通過行解碼器964基于地址信號選擇其中寫入控制信號的預(yù)定行。在如上所述將控制信號閉鎖在門鎖電路962中并且寫入SRAM陣列956的預(yù)定行中的同時，將用于下一行的控制信號寫入位移寄存器電路961中。通過控制器965控制將控制信號寫入位移寄存器電路961、門鎖電路962、列驅(qū)動器電路963和SRAM陣列956的時機。然后，在如上所述將控制信號寫入SRAM陣列956中之后，電壓控制單元966基于寫入的控制信號將控制電壓施加到對微反射鏡62中的每一個安置的電極部分上。因此，使微反射鏡62中的每一個復(fù)位。這里，對塊區(qū)A至D中的每一個安置的電壓控制單元966可以輸出用于在塊區(qū)A至D的每一個中的三個分開的區(qū)域1至3的控制電壓。還通過每K個微反射鏡排分開塊區(qū)A至D中的每一個，形成三個分開的區(qū)域1至3。在本實施方案中，將塊區(qū)A至D中的每一個分成三個分開的區(qū)域。然而，如果分開的區(qū)域的數(shù)量為2個以上，則可以將塊區(qū)A至D中的每一個分為許多區(qū)域。此外，優(yōu)選在塊區(qū)A至D中的每一個中的分開的區(qū)域的數(shù)量N滿足下列方程N=Tsr/Ttr，其中Ttr:分開的區(qū)域的每一個的復(fù)位時間，并且Tsr:用于將控制信號傳輸?shù)椒珠_的區(qū)域的每一個的時間。此外，如圖43中說明，將整體操作控制單元300和數(shù)據(jù)控制單元968安置在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中。整體操作控制單元300控制整個曝光設(shè)備的操作。數(shù)據(jù)控制單元968將控制信號輸出到每個曝光頭166中的控制信號傳輸單元960A至960D中。如上所述，整體操作控制單元300控制用于將控制信號寫入DMD50的SRAM陣列956中的處理。整體操作控制單元300還控制微反射鏡62的驅(qū)動。此外，整體操作控制單元300控制移動臺152(請參考圖1)的臺驅(qū)動設(shè)備304的驅(qū)動。接著，將詳細(xì)描述根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備的作用。首先，預(yù)定的數(shù)據(jù)生成設(shè)備(沒有說明)生成與將通過曝光在光敏材料(例如，在圖1中說明的玻璃基板150上的光致抗蝕劑150a)上形成的圖像對應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)。將圖像數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)控制單元968中。然后，數(shù)據(jù)控制單元968基于圖像數(shù)據(jù)生成輸出到每一個曝光頭166中的控制信號。在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，傳輸用于DMD50的塊區(qū)A至D中的每一個的控制信號，使得控制在塊區(qū)A至D每一個中的微反射鏡62的驅(qū)動。因此，還生成用于塊區(qū)A至D的每一個的控制信號。如上所述，通過數(shù)據(jù)控制單元968生成用于每一個曝光頭166的控制信號，并且將臺驅(qū)動控制信號從整體操作控制單元300輸出到臺驅(qū)動設(shè)備304中。臺驅(qū)動設(shè)備304基于臺驅(qū)動控制信號沿著在臺移動方向上的導(dǎo)軌158以需要的速度移動臺152。當(dāng)臺152在門160下面通過時，如果連接門160到上的傳感器164檢測光致抗蝕劑150a的前緣，則數(shù)據(jù)控制單元968將控制信號輸出到每個曝光頭166中。然后，通過每一個曝光頭166的圖像繪制(drawing)開始。這里，將詳細(xì)描述在每一個曝光頭166中的DMD50的驅(qū)動的控制。首先，將如上所述生成的用于DMD50中的塊區(qū)A至D的控制信號從數(shù)據(jù)控制單元968傳輸?shù)礁鱾€控制信號傳輸單元960A至960D。當(dāng)傳輸控制信號時，一次傳輸一行控制信號。在圖44A中說明的時機傳輸用于塊區(qū)A至D中的每一個的控制信號。在圖44A中，字母"T"表示傳輸，并且字母"R"表示復(fù)位。具體而言，將控制信號在彼此偏移預(yù)定的時間的不同時機傳輸?shù)綁K區(qū)A至D中的每一個中。然后，如上所述，用于塊區(qū)A至D的控制信號傳輸單元960A至960D的每一個將如上所述傳輸?shù)目刂菩盘枌懭胗糜趬K區(qū)A至D的每一個的SRAM陣列966中。然后，如圖44A中說明，在用于塊區(qū)的控制信號的傳輸結(jié)束時，基于傳輸?shù)目刂菩盘柺箟K區(qū)中的微反射鏡62依次復(fù)位。圖44B說明了在光致抗蝕劑150a上繪制的點的一個實例。通過下列方式繪制點將控制信號在圖44A中說明的時機傳輸?shù)綁K區(qū)A至D中的每一個中，并且使在每個塊區(qū)A至D中的微反射鏡62復(fù)位。在圖44B中，白圓圈表示通過在塊區(qū)A中的微反射鏡62繪制的點。雙圓圈表示通過在塊區(qū)B中的微反射鏡繪制的點。黑圓圈表示通過在塊區(qū)C中的微反射鏡繪制的點。黑圓圈表示通過在塊區(qū)C中的微反射鏡繪制的點。有陰影的圓圈表示通過在塊區(qū)D中的微反射鏡繪制的點。此外，在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，如圖44B中說明，DMD50相對于掃描方向傾斜一定角度，使得在塊區(qū)A至D中的每一個中的微反射鏡62通過相同的副掃描線。如上所述，在塊區(qū)A至D中的每一個中的調(diào)制時機彼此偏移預(yù)定的時間。因此，例如，如圖44B中說明，可以將通過在塊區(qū)B中的微反射鏡62、在塊區(qū)C中的微反射鏡62以及在塊區(qū)D中的微反射鏡62繪制的點以相等的間隔排列在通過塊區(qū)A的微反射鏡62繪制的點之間。在相同的幀中不繪制在圖44B中的塊區(qū)A的調(diào)制時間過程中繪制的塊區(qū)B至D的點。在不同的幀中繪制塊區(qū)B至D中的每一個的點。這里，幀是在將用于依次傳輸塊區(qū)A至D的控制信號的處理以及用于依次使微反射鏡62復(fù)位的處理視為單個處理單元時的單個單元。此外，可以通過偏移塊區(qū)A至D中的每一個的調(diào)制時機，將塊區(qū)B、塊區(qū)C和塊區(qū)D的每一個的繪制點以相等的間隔排列在塊區(qū)A的點之間。備選地，如上所述，可以通過控制光致抗蝕劑150a的副掃描速度，排列繪制的點。具體而言，可以控制臺152的移動速度。在整體操作控制單元300中，預(yù)先設(shè)定與塊區(qū)A至D中的每一個的調(diào)制時機的偏移對應(yīng)的臺152的移動速度?？刂婆_驅(qū)動設(shè)備304使得臺152以預(yù)先設(shè)定的移動速度移動。此外，如上所述，在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，塊區(qū)A至D中的每一個的調(diào)制時機彼此偏移。然而，時機彼此偏移不是必需的。.如圖45中說明，可以將控制信號同時傳輸?shù)綁K區(qū)A至D中的每一個中。在圖45中，字母"T"表示傳輸，并且字母"R"表示復(fù)位。因此，如圖45中說明，可以使塊區(qū)A至D中的每一個中的微反射鏡同時復(fù)位。備選地，可以將臺152的移動速度預(yù)先設(shè)定為需要的速度，并且可以相對于所設(shè)定的移動速度控制或者設(shè)定塊區(qū)A至D中的每一個的調(diào)制時備選地，可以控制塊區(qū)A至D中的每一個的調(diào)制時機或臺152的移動速度使得塊區(qū)A至D中的每一個的繪制點相互交疊。在上述實施方案中，通過將控制信號傳輸?shù)礁鱾€塊區(qū)A至D中，依次使塊區(qū)A至D中的每一個的微反射鏡復(fù)位。圖48A和48B說明了一個比較例，其中在將控制信號傳輸?shù)剿袎K區(qū)A至D中之后使微反射鏡復(fù)位，代替依次使塊區(qū)A至D的每一個的微反射鏡復(fù)位。當(dāng)在如圖48A中說明將控制信號傳輸?shù)剿袎K區(qū)A至D中后使微反射鏡62復(fù)位時，如圖48B中說明，排列繪制點。在圖48B中，將通過在塊區(qū)B、塊區(qū)C和塊區(qū)D中的微反射鏡繪制的點隨機排列在通過在塊區(qū)A中的微反射鏡62繪制的點之間。以這種方式排列繪制的點，因為在塊區(qū)A至D中的每一個中繪制的時機不是由副掃描速度決定，而只由調(diào)制時間決定。在圖48A中，字母"T"表示傳輸，并且字母"R"表示復(fù)位。如上所述，在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，控制在每一個曝光頭166中的DMD50的驅(qū)動。因此，如上所述，在光致抗蝕劑150a上形成繪制的點。然后，光致抗蝕劑150a與臺152—起以恒定的速度移動，并且對于每一個曝光頭166，形成帶狀曝光區(qū)170(請參考圖3A)。當(dāng)如上所述使用曝光光線的在光致抗蝕劑150a上的第一副掃描結(jié)束并且傳感器164檢測光致抗蝕劑150a的后緣時，臺驅(qū)動裝置304使臺152沿著導(dǎo)軌158返回到在門160的最右上游側(cè)的初始處。然后，連續(xù)進行第二副掃描D如上面已經(jīng)描述，當(dāng)進行兩個副掃描操作時，在光致抗蝕劑150a上形成曝光量處于兩種不同水平的曝光區(qū)。在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，將DMD50相對于副掃描方向分為多個塊區(qū)，并且平行傳輸用于多個塊區(qū)的每一個的控制信號。因此，與常規(guī)方法相比，可以增加調(diào)制速度。在常規(guī)方法中，依次將圖像數(shù)據(jù)傳輸并且寫入SRAM中。當(dāng)傳輸并且寫入圖像數(shù)據(jù)時，與一排微反射鏡對應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)是一次傳輸并且寫入的。然后，在將用于所有微反射鏡排的圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)絊RAM陣列中之后，使DMD50復(fù)位。在本實施方案中，將DMD50分為例如4個塊區(qū)。因此，可以將調(diào)制速度增加四倍。接著，將描述根據(jù)另一個實施方案的曝光設(shè)備。在本實施方案中的曝光設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)與在上述實施方案中的曝光設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)基本上相同。在本實施方案中，用于控制在每一個曝光頭166中的DMD50的驅(qū)動的方法與上述實施方案不同。因此，將只描述用于控制在每一個曝光頭166中的DMD50的驅(qū)動的方法。首先，將用于DMD50的塊區(qū)A至D中的每一個的控制信號從數(shù)據(jù)控制單元968傳輸?shù)娇刂菩盘杺鬏攩卧?60A至960D的每一個中。當(dāng)傳輸控制信號時，一次傳輸用于一排微反射鏡的控制信號。如圖46A中說明，例如，在塊區(qū)A中，依次傳輸用于塊區(qū)A的分開的區(qū)域1至3中的每一個的控制信號。在圖46A中，字母"T"表示傳輸，并且字母"R"表示復(fù)位。當(dāng)用于在塊區(qū)A中的分開的區(qū)域1至3的每一個的傳輸結(jié)束時，依次使在各個分開的區(qū)域1至3中的微反射鏡62復(fù)位。在其它塊區(qū)B至D中，以與對塊區(qū)A進行的處理類似的方式，依次將控制信號傳輸?shù)椒珠_的區(qū)域1至3中的每一個。然后，當(dāng)用于分開的區(qū)域1至3的每一個的傳輸結(jié)束時，使在各個分開的區(qū)域1至3中的微反射鏡62復(fù)位。此外，如圖46A中說明，通過使傳輸時機偏移預(yù)先設(shè)定的預(yù)定時間，傳輸用于在塊區(qū)A至D中的每一個中的分開的區(qū)域1至3中的每一個的控制信號。在本實施方案中，將控制信號在如圖46A中說明的時機傳輸?shù)綁K區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3中的每一個中。然后，使在塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3的每個中的微反射鏡62在如圖46A中說明的時機復(fù)位，并且在光致抗蝕劑150a上繪制點。圖46B說明了繪制點的一個實例。在圖46B中，白圓圈表示通過在塊區(qū)A中的微反射鏡62繪制的點。雙圓圈表示通過在塊區(qū)B中的微反射鏡62繪制的點。黑圓圈表示通過在塊區(qū)C中的微反射鏡62繪制的點。有陰影的圓圈表示通過在塊區(qū)D中的微反射鏡62繪制的點。如上所述，在塊區(qū)A至D中的每一個中，將控制信號傳輸?shù)椒珠_的區(qū)域1至3中的每一個中，并且使分開的區(qū)域1至3中的每一個中的微反射鏡復(fù)位。用于塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3中的每一個的復(fù)位的時機可以彼此偏移預(yù)先設(shè)定的預(yù)定時間。因此，如圖46B中說明，可以將通過在塊區(qū)B、塊區(qū)C和塊區(qū)D的每個中的微反射鏡62形成的繪制點以相等間隔排列在通過在塊區(qū)A中的微反射鏡62形成的繪制點之間。此外，可以通過塊區(qū)A至D的微反射鏡62重復(fù)繪制點三次，同時光致抗蝕劑150a在圖46B中說明的調(diào)制時間內(nèi)移動。在這種情況下，可以直接控制或設(shè)定用于分開的區(qū)域1至3的每一個的復(fù)位的時機。備選地，可以通過控制塊區(qū)A至D的每一個的復(fù)位的時機，控制或設(shè)定用于塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域l至3中的每一個的復(fù)位的時機。此外，在相同的幀中不繪制在圖44B中說明的調(diào)制時間過程中在塊區(qū)A至D中繪制的點。在各個不同的幀中繪制塊區(qū)A至D中的每一個的點。此外，如上所述，以與第一實施方案中的方法類似的方式，可以將在塊區(qū)B、塊區(qū)C和塊區(qū)D的每一個中的繪制點以相等間隔排列在塊區(qū)A的繪制點之間。具體而言，可以基于塊區(qū)A至D的每一個的調(diào)制時機的偏移，控制光致抗蝕劑150a的副掃描速度，即臺152的移動速度。在本實施方案中，還將每一個塊區(qū)相對于副掃描方向分為多個分開的區(qū)域。此外，在每一個塊區(qū)中，依次將控制信號傳輸?shù)矫恳粋€分開的區(qū)域中。此外，當(dāng)傳輸結(jié)束時，依次進行調(diào)制。因此，在每一個塊區(qū)，可以在單個分開的區(qū)域的復(fù)位時間過程中進行圖像數(shù)據(jù)到另一個分開的區(qū)域的傳輸。因此，可以進一步增加每一個塊區(qū)的調(diào)制速度。具體而言，因為將四個塊區(qū)中的每一個分為三個分開的區(qū)域，所以調(diào)制速度可以比在常規(guī)技術(shù)(假定分辨率相同)中的調(diào)制速度增加12倍。此外，在根據(jù)本實施方案的曝光設(shè)備中，用于塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3中的每一個的調(diào)制時機彼此偏移。然而，調(diào)制時機彼此偏移不是必需的。如圖47中說明，可以將控制信號同時傳輸?shù)綁K區(qū)A至D中的相應(yīng)的分開的區(qū)域1至3中，以同時使在所有塊區(qū)A至D中的相應(yīng)的分開的區(qū)域1至3中的微反射鏡62復(fù)位。在圖47中，字母"T"表示傳輸，并且字母"R"表示復(fù)位。此外，可以控制塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3中的每一個的調(diào)制時機或臺152的移動速度，使得塊區(qū)A至D中的每一個的分開區(qū)域1至3中的每一個的繪制點相互交疊。此外，在上述實施方案中，將DMD50相對于掃描方向分為多個塊區(qū)A至D。然而，將DMD50相對于掃描方向分開不是必需的。備選地，可以將DMD50在例如垂直掃描方向的方向上分為多個塊區(qū)。然后，可以將控制信號傳輸?shù)狡叫械母鱾€塊區(qū)中。此外，可以將如上所述通過分開DMD50形成的塊區(qū)進一步分成分開的區(qū)域。可以通過將每一個塊區(qū)在掃描方向或垂直掃描方向的方向上分開而形成分開的區(qū)域。然后，對于每一個分開的區(qū)域，可以以與上述實施方案類似的方式傳輸控制信號并且可以進行調(diào)制。在上述實施方案中，描述了包含作為空間光調(diào)制裝置的DMD的曝光設(shè)備。然而，使用DMD，即反射型空間光調(diào)制裝置作為空間光調(diào)制裝置不是必需的。備選地，可以使用透射型空間光調(diào)制裝置作為空間光調(diào)制裝置。此外，在上述實施方案中，使用所謂平底型曝光設(shè)備作為一個實例。然而，曝光設(shè)備可以是其中將光敏材料巻繞在鼓筒上的所謂外鼓筒型曝光設(shè)備。此外，作為在上述實施方案中的曝光對象的光敏材料為光致抗蝕劑150a不是必需的。光敏材料可以是印刷基板或用于顯示器的濾光器。此外，光致抗蝕劑150a的形狀可以是片狀或長-長度類型(柔性基板等)。權(quán)利要求1.一種曝光方法，所述曝光方法用于通過使用由曝光頭發(fā)出的曝光光線照射光敏材料而將所述光敏材料以預(yù)定的圖案曝光，所述曝光頭發(fā)出通過空間光調(diào)制裝置調(diào)制的光，其中使用從所述曝光頭發(fā)出的曝光光線照射在所述光敏材料上以預(yù)定的方向延伸的區(qū)域，并且其中在照射所述區(qū)域的同時，對于每一種光敏材料，使所述曝光頭和所述光敏材料在基本上垂直所述的預(yù)定方向的方向上彼此相對移動至少兩次，并且其中在每一次相對移動中控制所述空間光調(diào)制裝置的操作以在所述光敏材料上能夠形成曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。2.如權(quán)利要求1所限定的曝光方法，其中使用具有多個在二維上安置的像素的二維空間光調(diào)制裝置作為所述空間光調(diào)制裝置，并且其中使用來自在副掃描方向上連續(xù)對準(zhǔn)的多個像素的光照射所述光敏材料的一部分以將相同部分照射超過一次。3.如權(quán)利要求1或2所限定的曝光方法，其中使用DMD(數(shù)字微反射鏡裝置)作為所述空間光調(diào)制裝置。4.如權(quán)利要求1至3中任一項所限定的曝光方法，其中所述光敏材料是在基底材料上或者在形成于所述基底材料上的結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料上形成的光致抗蝕劑，以處理所述基底材料或所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。5.如權(quán)利要求4所限定的曝光方法，其中所述光致抗蝕劑具有兩層結(jié)構(gòu)，所述兩層結(jié)構(gòu)包含在所述基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層；以及進一步在所述較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。6.如權(quán)利要求4或5所限定的曝光方法，其中通過從曝光量彼此不同的部分逐步除去所述光致抗蝕劑形成至少兩個結(jié)構(gòu)構(gòu)件。7.如權(quán)利要求4所限定的曝光方法，其中所述基底材料是LCD-TFT(液晶顯示器-薄膜晶體管)面板，并且所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料是用于形成TFT(薄膜晶體管)電路的材料。8.如權(quán)利要求1至3中任一項所限定的曝光方法，其中所述基底材料是導(dǎo)電膜，并且其中所述光敏材料具有兩層結(jié)構(gòu)，所述兩層結(jié)構(gòu)包含在所述基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層；以及進一步在所述較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。9.如權(quán)利要求1至3中任一項所限定的曝光方法，其中所述光敏材料是在所述基底材料上保留的一種結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料，并且所保留的材料包含其厚度至少處于兩種不同水平的部分。10.如權(quán)利要求9所限定的曝光方法，其中所述基底材料是LCD-TFT面板，并且其中所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料是用于反射構(gòu)件的材料，所述反射構(gòu)件是在所述LCD-TFT面板上形成的，并且在其表面上具有不均勻的圖案。11.如權(quán)利要求1至3中任一項所限定的曝光方法，其中所述光敏材料是在所述基底材料上保留的至少兩種結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料。12.如權(quán)利要求11所限定的曝光方法，其中所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料具有至少兩層，其中所述兩層是在所述基底材料上形成并且具有較高靈敏度的層，以及進一步在所述較高靈敏度層上形成并且具有較低靈敏度的層。13.如權(quán)利要求10至12中任一項所限定的曝光方法，其中所述基底材料是LCD-CF(液晶顯示器-濾色器)面板，并且其中所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料至少是用于肋構(gòu)件的材料和用于柱構(gòu)件的材料。14.如權(quán)利要求10至12中任一項所限定的曝光方法，其中所述基底材料是LCD-CF(液晶顯示器-濾色器)面板，并且其中所述結(jié)構(gòu)構(gòu)件材料至少是用于透射用RGB(紅、綠和藍)構(gòu)件的材料和用于反射用RGB構(gòu)件的材料。15.—種曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備用于通過使用被空間光調(diào)制裝置調(diào)制的光照射光敏材料而將所述光敏材料以預(yù)定的圖案曝光，所述設(shè)備包含:曝光頭，用于采用調(diào)制的曝光光線照射在所述光敏材料上以預(yù)定的方向延伸的區(qū)域；副掃描裝置，用于對每一種光敏材料，使所述曝光頭和所述光敏材料在基本上垂直預(yù)定方向的方向上彼此相對移動至少兩次；以及曝光量控制裝置，用于在每一次相對移動中控制所述空間光調(diào)制裝置的操作，其中可以在所述光敏材料上形成其曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。16.如權(quán)利要求15所限定的曝光設(shè)備，其中所述空間光調(diào)制裝置是具有多個在二維上安置的像素的二維空間光調(diào)制裝置。17.如權(quán)利要求15或16所限定的曝光設(shè)備，其中所述空間光調(diào)制裝置是DMD(數(shù)字微反射鏡裝置)。18.—種曝光設(shè)備，其包含數(shù)據(jù)劃分裝置，用于將在光敏材料上形成的圖像的原始數(shù)據(jù)劃分為低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)和高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)；曝光量操作裝置，用于基于所述低靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將所述光敏材料上的第一光敏層曝光的曝光量，并且用于基于所述高靈敏度部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將所述光敏材料上的第二光敏層曝光的曝光量；和曝光控制裝置，用于分別在使曝光頭和所述光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過所述曝光量操作裝置獲得的操作結(jié)果控制第一光敏層的曝光和第二光敏層的曝光中的每一個，其中通過下列方式將所述光敏材料上的第一光敏層和第二光敏層曝光將來自多個線性安置的曝光頭的光束投射到所述光敏材料上而在所述光敏材料上形成圖像，并且將所述多個曝光頭和所述光敏材料在副掃描方向上彼此相對向前和向后移動，所述副掃描方向基本上垂直所述多個曝光頭線性安置的方向；其中通過將具有較低靈敏度的第一光敏層和具有較高靈敏度的第二光敏層相互疊置在支承體表面上的導(dǎo)電膜上，形成所述光敏材料。19.一種曝光設(shè)備，其包含數(shù)據(jù)劃分裝置，用于將印刷電路圖的數(shù)據(jù)，其作為用于在光敏材料上形成印刷電路的圖像的原始數(shù)據(jù)，劃分為通孔部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與從所述光敏材料一側(cè)穿透所述光敏材料到其另一側(cè)的通孔的位置相關(guān)；和電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)與將要在所述光敏材料上形成的電路圖案相關(guān)；曝光量操作裝置，用于基于所述通孔部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將所述光敏材料上的第一光敏層曝光的曝光量，并且用于基于所述電路圖案部分的圖像數(shù)據(jù)進行操作以獲得用于將所述光敏材料上的第二光敏層曝光的曝光量；以及曝光控制裝置，用于分別在使曝光頭和所述光敏材料彼此相對移動時的向前移動和向后移動中，基于通過曝光量操作裝置獲得的操作結(jié)果控制第一光敏層的曝光和第二光敏層的曝光中的每一個，其中通過下列方式將所述光敏材料上的第一光敏層和第二光敏層曝光將來自多個線性安置的曝光頭的光束投射到所述光敏材料上而在所述光敏材料上形成圖像，并且將所述多個曝光頭和所述光敏材料在副掃描方向上彼此相對向前和向后移動，所述副掃描方向基本上垂直所述多個曝光頭線性安置的方向；其中通過將具有較低靈敏度的第一光敏層和具有較高靈敏度的第二光敏層相互疊置在支承體表面上的導(dǎo)電膜上，形成所述光敏材料。20.如權(quán)利要求18或19所限定的曝光設(shè)備，其中從所述多個曝光頭發(fā)出的光束的光量是恒定的，并且其中所述曝光控制裝置改變所述多個曝光頭和所述光敏材料在副掃描方向上彼此相對移動的副掃描速度，使得在向前移動中的副掃描速度和在向后移動中的副掃描速度彼此不同。21.如權(quán)利要求18或19所限定的曝光設(shè)備，其中所述多個曝光頭和所述光敏材料在副掃描方向上彼此相對向前和向后移動的副掃描速度在整個向前移動和向后移動中是恒定的，并且其中所述曝光控制裝置控制從所述多個曝光頭發(fā)出的光束的光量，使得所述光量在第一光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬?，并且所述光束的光量在第二光敏層的曝光過程中變?yōu)樽畲蠊饬康?/n(n是正整數(shù)》22.如權(quán)利要求19至21中任一項所限定的曝光設(shè)備，其中在基于所述通孔部分的圖像數(shù)據(jù)的曝光過程中，所述曝光控制裝置使所述曝光頭和所述光敏材料以更高的速度彼此相對移動，而不在除散布在所述光敏材料上的通孔部分外的區(qū)域中進行曝光。全文摘要通過使用由曝光頭(166)發(fā)出的曝光光線照射光敏材料，將涂覆有光致抗蝕劑(150a))的光敏材料(例如，玻璃基板(150)以預(yù)定的圖案曝光，所述曝光頭(166)發(fā)出通過空間光調(diào)制裝置調(diào)制的光。對于每一種光敏材料，所述曝光頭(166)和所述光敏材料在副掃描方向上移動至少兩次。在每一次副掃描移動中控制所述空間光調(diào)制裝置的操作以在所述光敏材料中形成其曝光量至少處于兩種不同水平的曝光區(qū)。文檔編號G03F7/20GK101218544SQ200680022818公開日2008年7月9日申請日期2006年6月22日優(yōu)先權(quán)日2005年6月24日發(fā)明者北川智也,尾崎多可雄申請人:富士膠片株式會社