專利名稱：形成圖形的方法和在其中使用的處理劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用化學放大光致抗蝕劑形成具有良好形狀抗蝕圖形的方法，特別涉及通過減少工藝環(huán)境影響(特別是漂浮的堿性物質(zhì))，形成具有良好形狀的抗蝕圖形的方法，本發(fā)明還涉及該方法中使用的處理劑。
背景技術(shù)：
在制造半導體元件的過程中已經(jīng)使用了石版印刷技術(shù)，其中光致抗蝕涂層是在例如硅片的底物上形成，然后經(jīng)光化射線選擇性照射，接著進行顯影，從而在底物上形成了抗蝕圖形。
最近，為了在LSI中獲得較高集成度，通過石版印刷工藝使用精細線寬形成圖形的技術(shù)得到了迅速發(fā)展。為了使用精細線寬形成圖形，關(guān)于石版印刷技術(shù)工藝和其中使用的各種材料，人們已經(jīng)提出了許多的建議，包括光致抗蝕劑、防反射涂層、曝光方法、曝光設(shè)備、顯影試劑、顯影工藝和顯影設(shè)備。例如日本專利第2,643,056號和日本未審專利公開(JP-A)H7-181685公開了在抗蝕層上形成表面抗反射涂層，該涂層含有低反射率含氟化合物，因此可以防止從形成抗蝕圖形的抗蝕表面反射的光的不利影響。在抗蝕層形成防反射涂層具有以下優(yōu)點，由于抗蝕層厚度相對靈敏度曲線的振幅度變小，即使當抗蝕層厚度變動時，抗蝕層的靈敏度波動較小，它使得形成的抗蝕圖形的大小波動變小。另外，防反射涂層表面用來減少由入射光和反射光中間或一個反射光和另一個反射光之間的干擾引起的駐波。最近，也發(fā)展了不需要防反射涂層表面也可以形成理想線寬的抗蝕圖形的技術(shù)。例如將底層的底物制造得平坦，來抑制如上所述由于抗蝕層厚度變動引起的抗蝕圖形大小的波動，或根據(jù)抗蝕圖形波動大小，預(yù)先細致地調(diào)整掩模圖形。
關(guān)于曝光設(shè)備，有人提出，使用發(fā)出短波射線的光源，它的優(yōu)點是形成精細的圖形，例如使用Krf準分子激光器(248nm)或Arf準分子激光器(193nm)的遠紫外光，或X射線或電子束，其中一些已經(jīng)應(yīng)用于實踐。
另一方面，人們特別關(guān)注制造半導體集成電路的產(chǎn)量。許多因素影響了半導體集成電路的產(chǎn)量。一個因素為抗蝕劑不能形成圖形，因為例如在抗蝕劑中或表面有灰塵，由于干凈的房間中漂浮的堿性物質(zhì)破壞了抗蝕劑，抗蝕劑涂布失敗，顯影失敗或其他。例如由于化學物質(zhì)漂浮在干凈的房間里，抗蝕劑受到破壞，在使用化學放大光致抗蝕劑的過程中，會發(fā)現(xiàn)抗蝕劑受到了破壞。在這個過程中，化學放大光致抗蝕劑對空氣中的堿性物質(zhì)和水分特別敏感，從而導致圖形尺寸的變化，例如當使用正型光致抗蝕劑時形成了頂端T形的抗蝕圖形，或當沿圖形(patternwise)曝光和PEB(曝光后烘焙)之間的時間延長或由于混和了抗蝕劑，使用負型光致抗蝕劑時形成了頂端圓形的抗蝕圖形。
為了解決上述的問題，人們已經(jīng)試驗了感光樹脂組合物，發(fā)現(xiàn)它們對環(huán)境的抵抗力得到了提高。從感光樹脂組合物構(gòu)成的角度來看，人們建議引入堿性锍鹽或堿性銨鹽化合物(JP-AH6-242605和JP-A H6-242606)來提高組合物對環(huán)境的抵抗力，或通過降低樹脂的玻璃化點，來減少樹脂的自由體積，這樣減少了被感光樹脂組合物吸收的堿性物質(zhì)的量(J.Photopoly.Sci.Tech.vol.6，No.4，547-562頁，1993)。另外進一步通過特定樹脂來改進組合物抗環(huán)境性(JP-A H9-80753)，另外有人提出了使用例如用聚乙烯和酸性聚合物(JP-A H7-295228)的有機物或石蠟薄膜(JP-A H11-95442)在感光樹脂組合物上作為保護膜。然而，在現(xiàn)有條件下，就化學放大光致抗蝕劑方面，例如它對具有193nm曝光波長的ArF激光光源敏感，即使用這些技術(shù)也不能完全解決上述的問題。
在這種情況下，本發(fā)明的目的就是提供一種方法，通過減少漂浮的堿性物質(zhì)對化學放大光致抗蝕劑的影響，和在該方法中使用一種處理劑，能夠形成良好形狀的抗蝕圖形。
發(fā)明的公開經(jīng)過專心研究，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在通過曝光和顯影在底物上形成化學放大光致抗蝕膜，形成抗蝕圖形的方法中，當酸性處理劑涂覆于化學放大光致抗蝕膜，曝光、烘焙、用水洗滌去除處理劑并在顯影前旋轉(zhuǎn)干燥后，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角明顯低于不涂覆處理劑的情況，而且在光致抗蝕劑膜上的顯影溶液的濕潤性也得到了提高，因為在處理劑中含有酸性成份，漂浮的堿性物質(zhì)的影響也減少了，這樣達到了上述的目的，從而完成了發(fā)明。
也就是說，本發(fā)明涉及形成抗蝕圖形的方法，包括以下步驟(a)涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜，(b)在化學放大光致抗蝕劑膜上涂覆pH值為1.3到4.5的處理劑，(c)在涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜和涂覆所述的處理劑這兩步的至少一步之后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，(d)選擇性地，將所述的化學放大光致抗蝕劑膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，和(f)將所述的化學放大光致抗蝕劑膜顯影，其中在用水去除光致抗蝕劑上的處理劑和在顯影前旋轉(zhuǎn)干燥后，比不涂覆處理劑的情況，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角降低了10°到110°。
本發(fā)明的詳細描述下面詳細地描述本發(fā)明。
在本發(fā)明的形成抗蝕圖形的方法中，處理劑和工藝條件的選擇要使得，比不使用處理溶劑的情況，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角降低10°到110°。其中化學放大光致抗蝕劑薄膜由以下步驟得到，將化學放大光致抗蝕劑涂覆到底物上，形成化學放大光致抗蝕劑膜，將pH值為1.3到4.5的酸性處理劑涂覆到這個光致抗蝕劑膜，在涂覆酸性處理劑之前或之后烘焙，曝光，曝光后烘焙，用水去除光致抗蝕劑膜上的處理劑并旋轉(zhuǎn)干燥。
關(guān)于本發(fā)明應(yīng)用的化學放大光致抗蝕劑，優(yōu)選正型化學放大光致抗蝕劑。有許多已知的正型化學放大光致抗蝕劑，包括，用叔丁氧基羰基保護的聚羥基苯乙烯聚合物和光致酸生成劑(參見H.Ito和C.G.WillsonPolym.Eng.Sci.，23，1012(1983))?？刮g膜的厚度要滿足，在蝕刻步驟中，顯影后獲得的抗蝕圖形可以適當?shù)匕l(fā)揮其功能，并且其厚度一般約為0.2到1.0μm。
在本發(fā)明的形成圖形的方法中使用的酸性處理劑的pH值為1.3到4.5，優(yōu)選1.7到3.5。另外，處理劑中的酸性組份優(yōu)選有機酸，關(guān)于處理劑pH值和用水洗滌和旋轉(zhuǎn)干燥后化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角之間的關(guān)系，隨著處理劑pH值變小，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分的接觸角變低。也就是說化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影溶液的接觸角降低的幅度變大。當接觸角減少的角度少于10°時，處理劑沒有起到作用，圖形輪廓不好，當接觸角減少的角度大于110°時，由于顯影期間抗蝕膜厚度縮小太多而破壞了圖形的輪廓。
本發(fā)明的處理劑中使用的有機酸，優(yōu)選使用帶有酸基團的氟代烴化合物，這些有機酸可以是例如銨鹽或有機胺鹽的形式。在帶有酸基團的氟代烴化合物及其鹽中，優(yōu)選C4到C15全氟代烷基羧酸及其銨鹽，四甲基銨鹽或C1到C4烷基醇胺鹽；C4到C10全氟代烷基磺酸及其銨鹽，四甲基銨鹽或C1到C4烷基醇胺鹽；氟化烷基碘季銨鹽；和全氟代己二酸及其季銨鹽是優(yōu)選的，更優(yōu)選C7到C10全氟代烷基羧酸、C4到C8全氟代烷基磺酸及其C1到C4烷基醇胺鹽。可以在使用前制備有機酸的胺鹽或銨鹽，或向被處理的溶液中加入有機酸和例如有機胺或氨的堿或它們的溶液，或?qū)⑦@些溶液混合形成處理劑的堿性溶液，在制造處理劑時形成這些鹽。
這些有機酸及其鹽具有表面活性，一般以重量濃度為0.1到25％，優(yōu)選2到4％的水溶液作為處理劑。在制備處理劑的過程中，優(yōu)選適當調(diào)節(jié)有機酸和例如有機胺或氨的堿的比例，調(diào)節(jié)處理劑的堿度要考慮化學放大光致抗蝕劑和工藝條件，優(yōu)化化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角的減少量，在顯影時膜厚度的減少也就被優(yōu)化了。
也就是說，例如當使用正型光致抗蝕劑作為化學放大光致抗蝕劑時，使用有機酸和有機胺或銨的鹽來調(diào)整有機酸和有機胺或銨鹽的比例，使得處理劑的pH值在上述的最佳pH范圍內(nèi)。在混合時，與全部由有機酸或有機酸和胺或銨的鹽組成的處理劑相比，當有機酸的量多于堿的當量時，獲得的結(jié)果會更好。在對正型化學放大光致抗蝕劑涂覆的處理劑中，有機酸和堿(例如有機胺)的摩爾比一般約為7∶0到7∶6，優(yōu)選約7∶4到7∶6，更優(yōu)選約7∶5。有機酸和鹽的摩爾比一般約為7∶0到1∶6，優(yōu)選約3∶4到1∶6，更優(yōu)選約2∶5。
如有必要，在不影響處理劑功能的情況下，在本發(fā)明的處理劑中，可加入水溶性聚合物、全氟代烷基磺酰胺和各種添加劑。
下面說明在本發(fā)明的處理劑中使用的水溶性聚合物，例如，聚乙烯醇、聚丙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚α-三氟甲基丙烯酸、聚(乙烯基甲基醚共馬來酸酐)、聚(乙二醇共丙二醇)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共乙酸乙烯酯)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共乙烯醇)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共丙烯酸)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共丙烯酸甲酯)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共甲基丙烯酸)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共甲基丙烯酸甲酯)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共馬來酸)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共馬來酸二甲酯)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共馬來酸酐)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共衣康酸)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共衣康酸甲酯)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮共衣康酸酐)和氟化聚醚，其中特別優(yōu)選聚丙烯酸、聚乙烯基吡咯烷酮和氟化聚醚。
加入水溶性聚合物后，可以形成處理劑的均勻涂膜，可溶于水的聚合物膜作為物理阻隔層，防止與空氣中的堿性漂浮物接觸，從而獲得更好的效果。
關(guān)于全氟代烷基磺酰胺，優(yōu)選的化合物通式如下CnF2n+1SO2NH2(II)其中n為1到8，更優(yōu)選為4到8。通過加入全氟代磺酰胺后，處理劑的抗蝕膜的濕潤性得到了提高。
進一步說明在本發(fā)明的處理劑中使用的添加劑，例如，為提高涂層的性質(zhì)而加入的表面活性劑，例如非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、和兩性表面活性劑。
非離子表面活性劑例如聚氧乙烯烷基醚，如聚氧乙烯十二碳烷基醚、聚氧乙烯油醚、聚氧乙烯十六碳烷基醚，聚氧乙烯脂肪酸二酯，聚氧乙烯脂肪酸單酯，聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物和乙炔二醇衍生物。陰離子表面活性劑例如烷基二苯基醚二磺酸和它們的銨鹽或有機胺鹽，烷基二苯基醚磺酸和它們的銨鹽或有機胺鹽，烷基苯磺酸和它們的銨鹽或有機胺鹽，聚氧乙烯烷基醚硫酸和它們的銨鹽或有機胺鹽，烷基硫酸和它們的銨鹽或有機胺鹽。兩性表面活性劑例如2-烷基-N-羧甲基-N-羥乙基咪唑甜菜堿和十二烷基酰氨基丙基羥基砜甜菜堿。
在本發(fā)明的處理劑中使用的水，優(yōu)選使用通過蒸餾、離子交換處理、過濾處理或各種吸附處理去除了有機雜質(zhì)、金屬離子等的水。
另外，為了提高處理劑的涂布性，可以和水共同使用水溶性有機溶劑，只要它能以0.1wt％以上的濃度溶于水，對水溶性有機溶劑沒有特殊限制。有機溶劑的例子包括，例如甲醇、乙醇、和異丙醇的醇類，例如丙酮、甲基乙基酮的酮類，例如乙酸甲酯、和乙酸乙酯的酯類，和例如二甲基甲酰胺、二甲亞砜、甲基溶纖劑、溶纖劑、丁基溶纖劑、溶纖劑乙酸酯、丁基卡必醇和卡必醇乙酸酯的極性溶劑。這些特定的例子只是為了說明有機溶劑，本發(fā)明使用的有機溶劑不限定在這些溶劑中。
關(guān)于在本發(fā)明形成抗蝕圖形方法中使用的優(yōu)選處理劑，至少包括如下的(A)、(B)、(C)、(D)和(E)，并且pH值為1.3到4.5；(A)下述通式代表的全氟代烷基磺酸CmF2m+1SO3H(I)其中m為4到10的整數(shù)，(B)有機胺，(C)水溶性聚合物，(D)下述通式代表的全氟代烷基磺酰胺CnF2n+1SO2NH2(II)其中n為1到8的整數(shù)，和(E)水。
假定水溶性聚合物(C)的量為1，這些組份組配的比例為全氟代烷基磺酸(A)/有機胺(B)/全氟代烷基磺酰胺(D)為(2.0到7.0)/(0.1到1.0)/(0.01到2.0)。
如前所述，組份(A)和(B)可以提前混合形成鹽，也就是說，上述情況包括組份(A)和(B)提前混合的情況。
在本發(fā)明中，通過使用酸性處理劑涂布達到接觸角的最優(yōu)化，但是必要時，通過調(diào)整烘焙溫度或調(diào)整曝光后烘焙后去除處理劑的時間，進一步優(yōu)化。
在本發(fā)明中，處理劑的涂布膜厚優(yōu)選為80到10000，較優(yōu)選330到990?？梢允褂美缧康娜魏我阎坎挤椒▉硗扛蔡幚韯?br> 本發(fā)明的形成圖形的方法，優(yōu)選在例如直徑為8英寸的硅片底物上形成圖形。關(guān)于底物，一般使用硅底物，但是也可以在硅片上有金屬層或氧化物或氮化物層，例如在其上形成硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。底物的材料不限定在硅，也可以使用任何制造例如LSI的IC所用的底物材料。另外本發(fā)明形成圖形的方法，也可以用于具有聚硅氮烷、二氧化硅、聚酰亞胺等層間絕緣性質(zhì)的底物的處理。
化學放大光致抗蝕劑的涂覆方法、化學放大光致抗蝕劑膜和用于降低光致抗蝕劑膜接觸角的組合物膜烘焙方法、曝光方法、顯影劑和化學放大光致抗蝕劑膜的顯影方法都是使用化學放大光致抗蝕劑形成抗蝕圖形的傳統(tǒng)的方法。在曝光步驟中使用的曝光光源為，可以發(fā)出紫外線、遠紫外線、X射線、電子束等的任意光源。
實施例用實施例來具體描述本發(fā)明，但并不是為了限定本發(fā)明，另外，在下面的實施例中，如果沒有另外指出，“份”為“重量份”。
處理劑1的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.4份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.6份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑1，這個處理劑的pH值約為2.5。
處理劑2的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.3份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.7份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑2，這個處理劑的pH值約為2.3。
處理劑3的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.2份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.8份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑3，這個處理劑的pH值約為2.1。
處理劑4的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.18份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.82份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑4，這個處理劑的pH值約為1.9。
處理劑5的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.1份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.9份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑5，這個處理劑的pH值約為1.7。
處理劑6的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于95份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑6，這個處理劑的pH值約為1.5。
處理劑7的制備在室溫下，將3.5份全氟代辛烷磺酸、0.5份氨基乙醇、0.5份全氟代烷基磺酰胺和1份聚乙烯基吡咯烷酮均一地溶解于94.5份純水中，并通過0.1μm的過濾器過濾，得到處理劑7，這個處理劑的pH值約為6.2。
實施例1將適合于193nm(ArF)激光光源的包括丙烯酸樹脂的化學放大光致抗蝕劑涂布到硅片上，并在110℃熱處理(預(yù)烘焙)90分鐘，并調(diào)整膜厚度為390，然后將處理劑1涂布到光致抗蝕劑上，之后在90℃下熱處理(軟烘焙)60秒，并將膜厚度調(diào)整到330。然后用水濕潤，并去除處理劑，將2.38％TMAH(氫氧化四甲胺)顯影液滴于光致抗蝕劑上，通過Kyowa Kaimen Kagaku Co.，Ltd.制造的CA-D型接觸角計來測量接觸角。結(jié)果列于表1。
另外以上述同樣的方式將處理劑1涂布于光致抗蝕劑上，使用Ultratech Co.，Ltd.制造的ArF步進器(stepper)193L，通過線寬和空間寬比例為1∶1、1∶3和1∶5的各種線寬的試驗方案，將膜曝光。然后在130℃下曝光后烘焙(PEB)90秒，并用2.38％TMAH顯影液顯影60秒。將得到的圖形，通過掃描電子顯微鏡檢測，看到0.15μm線寬的圖形，并以下述的標準評估。結(jié)果列于表1。
◎非常好的圖形形狀○好的圖形形狀△雖然圖形頂端有些圓，但仍然是好的圖形形狀，并不影響接下來的蝕刻步驟。
▲雖然圖形頂端有些T型，但仍然是好的圖形形狀，并不影響接下來的蝕刻步驟。
×不好的圖形形狀。
實施例2-6和比較實施例1除了分別使用處理劑2-7外，以實施例1的相同方法操作，結(jié)果列于表1。
比較實施例2除了不使用處理劑外，以實施例1的相同方法操作，結(jié)果列于表1。
表1

從表1可以看出，將本發(fā)明的處理劑涂布到化學放大光致抗蝕劑上，并在曝光后去除處理劑后，會得到不受環(huán)境影響的具有良好形狀的抗蝕圖形。
本發(fā)明的優(yōu)點正如上述詳細描述的，在本發(fā)明中通過降低了工藝環(huán)境對化學放大抗蝕劑的影響，可以總是形成具有良好形狀的抗蝕圖形。
權(quán)利要求
1.形成抗蝕圖形的方法，包括以下步驟(a)涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜，(b)在化學放大光致抗蝕劑膜上涂覆pH值為1.3到4.5的處理劑，(c)在涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜和涂覆所述的處理劑這兩步的至少一步之后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，(d)選擇性地，將所述的化學放大光致抗蝕劑膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，和(f)將所述的化學放大光致抗蝕劑膜顯影，其中在用水去除光致抗蝕劑上的處理劑和在顯影前旋轉(zhuǎn)干燥后，比不涂覆處理劑的情況，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角降低了10°到110°。
2.如權(quán)利要求1所述的形成抗蝕圖形的方法，其中化學放大光致抗蝕劑是適合于在ArF激光光源下曝光的抗蝕劑。
3.如權(quán)利要求1所述的形成抗蝕圖形的方法，其中所述的處理劑含有一種有機酸。
4.一種處理劑，用于如權(quán)利要求1至3中任一項所述的形成抗蝕圖形的方法，所述處理劑包括至少下述的(A)、(B)、(C)、(D)和(E)組份，(A)下述通式代表的全氟代烷基磺酸CmF2m+1SO3H(I)其中m為4到10的整數(shù)，(B)有機胺，(C)水溶性聚合物，(D)下述通式代表的全氟代烷基磺酰胺CnF2n+1SO2NH2(II)其中n為1到8的整數(shù)，和(E)水。
全文摘要
形成抗蝕圖形的方法，包括以下步驟(a)涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜，(b)在化學放大光致抗蝕劑膜上涂覆pH值為1.3到4.5的處理劑，(c)在涂覆和形成化學放大光致抗蝕劑膜和涂覆所述的處理劑這兩步的至少一步之后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，(d)選擇性地，將所述的化學放大光致抗蝕劑膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化學放大光致抗蝕劑膜，和(f)將所述的化學放大光致抗蝕劑膜顯影，其中在用水去除光致抗蝕劑上的處理劑和在顯影前旋轉(zhuǎn)干燥后，比不涂覆處理劑的情況，化學放大光致抗蝕劑薄膜未曝光部分和顯影液的接觸角降低了10°到110°。使用此方法，在光致抗蝕劑膜上的顯影溶液的濕潤性得到了提高，因為在處理劑中含有例如有機酸的酸性成份，所以減小了漂浮的堿性物質(zhì)的影響，從而形成了具有良好形狀的圖形。
文檔編號G03F7/26GK1474962SQ01818879
公開日2004年2月11日 申請日期2001年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月15日
發(fā)明者居島一葉, 高野祐輔, 田中初幸, 船戶覺, 幸, 輔 申請人:克拉瑞特國際有限公司