像素電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種像素電路及顯示裝置。所述像素電路包括呈矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括子像素單元和發(fā)光元件，所述子像素單元包括與所述發(fā)光元件電連接的驅動晶體管，對應于每行像素單元，所述像素電路還包括行共用單元；所述行共用單元通過第一連接線與對應行的每個像素單元電連接；對應于每列像素單元，所述像素電路還包括列共用單元；所述列共用單元通過第二連接線與對應列的每個像素單元電連接；子像素單元、行共用單元、以及列共用單元組成具有對所述驅動晶體管進行閾值電壓補償功能的電路。其可以實現(xiàn)閾值電壓補償功能，有利于縮小AMOLED像素的尺寸，實現(xiàn)高PPI。
【專利說明】
像素電路及顯示裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及有機發(fā)光顯示【技術領域】，具體涉及一種像素電路及顯示裝置。

【背景技術】
[0002]有源矩陣有機發(fā)光二極管面板(ActiveMatrix/Organic Light Emitting D1de,AMOLED)是一種應用于電視和移動設備中的顯示技術，以其低功耗，低成本，大尺寸的特點在對功耗敏感的便攜式電子設備中有著廣闊的應用前景。其核心元件——有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de, 0LED)在驅動薄膜場效應晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)處于飽和狀態(tài)時產(chǎn)生的電流的驅動下,進行發(fā)光。但是，在輸入相同的灰階電壓時，驅動薄膜場效應晶體管不同的臨界電壓會產(chǎn)生不同的驅動電流，這將造成電流的不一致。而且，低溫多晶娃技術(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)制程上閾值電壓Vth的均一性非常差，同時還存在漂移。因此，如圖1所示的傳統(tǒng)2T1C(2個TFT和I個電容)電路的亮度均勻性很差。
[0003]針對這一問題，現(xiàn)有技術中常在基于LTPS的AMOLED的像素設計中增加驅動TFT閾值電壓補償功能的電路。具有閾值電壓補償?shù)腁MOLED像素電路的常見設計需要6T2C或者需要更多的元器件。TFT或者電容數(shù)量的增加，將占用較大的布局空間，不利于AMOLED像素尺寸的縮小，即限制了高PPI (Pixels Per Inch，每英寸所擁有的像素數(shù)目)的AMOLED發(fā)展。
[0004]如圖2所示的6T2C的AMOLED像素電路(圖中每一個6T2C Pixel代表一個像素單元)，該像素電路具有驅動管Tl閾值電壓補償功能，解決了 LTPS閾值電壓均一性差帶來的OLED發(fā)光不均勻的問題。但其構成的AMOLED像素電路中，像素的閾值電壓補償開關TFT、灰階電壓寫入開關TFT和驅動TFT等都設計在像素中，需要較多數(shù)量TFT，如圖3 (包括像素單元 6T2C Pixel、柵線 GATE_1、...、GATA_n_l、GATA_n、GATA_n+l 至 GATE_last 和數(shù)據(jù)線VDATA_1、.'VDATAjn-UVDATAjiuVDATAjn+l 至 VDATA_last)所示。從而其不利于像素尺寸的進一步縮小，限制了高PPI的AMOLED發(fā)展。
實用新型內(nèi)容
[0005](一 )解決的技術問題
[0006]針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提供一種像素電路及顯示裝置，可以實現(xiàn)閾值電壓補償功能，有利于縮小像素的尺寸，實現(xiàn)高PPI。
[0007]( 二 )技術方案
[0008]為實現(xiàn)以上目的，本實用新型通過以下技術方案予以實現(xiàn):
[0009]一種像素電路，包括呈矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括子像素單元和發(fā)光元件，所述子像素單元包括與所述發(fā)光元件電連接的驅動晶體管，其特征在于:
[0010]對應于每行像素單元，所述像素電路還包括行共用單元；所述行共用單元通過第一連接線與對應行的每個像素單元電連接；
[0011]對應于每列像素單元，所述像素電路還包括列共用單元；所述列共用單元通過第二連接線與對應列的每個像素單元電連接；
[0012]每個像素單元的子像素單元、與該像素單元對應的行共用單元、以及與該像素單元對應的列共用單元組成具有對該子像素單元中的所述驅動晶體管進行閾值電壓補償功能的電路。
[0013]優(yōu)選地，所述子像素單元包括驅動晶體管、第二開關元件、第三開關元件和第一電容，其中:所述驅動晶體管的柵極與所述第二開關元件的第二端、所述第一電容的第一端、以及所述第三開關元件的第二端電連接；所述驅動晶體管的源極與所述第一電容的第二端都與低電平電壓線電連接；所述驅動晶體管的漏極與所述第三開關元件的第一端電連接，并與所述發(fā)光元件的第二端電連接；所述第二開關元件的第一端與所述第二連接線電連接；所述第三開關元件的控制端與第一控制信號線電連接，所述第二開關元件的控制端與第二控制信號線電連接。
[0014]優(yōu)選地，所述行共用單元包括第四開關元件，其第二端通過所述第一連接線與對應行的每個像素單元中的所述發(fā)光元件的第一端電連接；所述第四開關元件的第一端與高電平電壓線電連接，所述第四開關元件的控制端與第三控制信號線電連接。
[0015]優(yōu)選地，所述列共用單元包括第二電容和第五開關元件，所述第二電容的第二端、所述第五開關元件的第二端都通過所述第二連接線與對應列每個像素單元的子像素單元中的所述第二開關元件的第一端電連接；所述第二電容的第一端與對應列的像素單元的灰階寫入電壓線電連接；所述第五開關元件的控制端與初始控制信號線電連接，所述第五開關元件的第一端與第一電壓信號線電連接。
[0016]優(yōu)選地，所述驅動晶體管和開關元件為場效應管，所述開關元件的第一端為場效應管的漏極，所述開關元件的第二端為場效應管的源極，所述開關元件的控制端為場效應管的柵極。
[0017]優(yōu)選地，所述場效應管為薄膜晶體管。
[0018]優(yōu)選地，所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。
[0019]優(yōu)選地，所述行共用單元和列共用單元位于所述像素電路的有效顯示區(qū)域外部。
[0020]一種顯示裝置，其特征在于，包括上述任意一種像素電路。
[0021](三)有益效果
[0022]本實用新型至少具有如下的有益效果:
[0023]本實用新型的關鍵在于，基于原有的按矩陣排列的像素單元，將實現(xiàn)閾值電壓補償功能的電路分成了三部分:行共用部分、列共用部分和像素自用部分。對應于每個發(fā)光元件而言，其所在行共用同一個行共用單元，所在列共用同一個列共用單元，自身自用一個子像素單元。在這樣的結構就使實現(xiàn)閾值電壓補償功能的電路得到了簡化，隨所用元器件的減少，節(jié)省了元件耗費和布局空間，不僅降低了成本，還有利于縮小AMOLED的像素尺寸，實現(xiàn)高PPI。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是傳統(tǒng)2T1C基本AMOLED像素單元示意圖；
[0026]圖2是6T2C帶閾值電壓補償?shù)腁MOLED像素單元示意圖；
[0027]圖3是由6T2C像素單元組成的AMOLED像素電路原理示意圖；
[0028]圖4是本實用新型一個實施例中像素電路的結構框圖；
[0029]圖5(a)是本實用新型一個實施例中像素電路中像素單元的電路結構圖；
[0030]圖5(b)是本實用新型一個實施例中像素電路中行共用單元的電路結構圖；
[0031]圖5(c)是本實用新型一個實施例中像素電路中列共用單元的電路結構圖；
[0032]圖6是本實用新型一個實施例中像素電路的電路圖；
[0033]圖7是本實用新型一個實施例中像素電路的工作時序圖；
[0034]圖8是本實用新型一個實施例中的驅動方法中的初始化階段的電路工作原理圖；
[0035]圖9是本實用新型一個實施例中的驅動方法中的閾值電壓讀取階段的電路工作原理圖；
[0036]圖10是本實用新型一個實施例中的驅動方法中的灰階寫入階段的電路工作原理圖；
[0037]圖11本實用新型一個實施例中的驅動方法中的OLED正常發(fā)光時的電路工作原理圖。

【具體實施方式】
[0038]為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0039]首先先對附圖中涉及的標記進行說明，其中，圖1至圖11中:
[0040]a—發(fā)光元件；b—子像素單元；c—行共用單元；d—列共用單元；T1—驅動晶體管(驅動TFT) ；T2—第二開關元件(開關TFT) ；T3——第三開關元件(初始化TFT) ；T4——第四開關元件(發(fā)光控制TFT) ；T5——第五開關元件(初始電壓輸入TFT)；Cl——第一電容(存儲電容)；C2——第二電容(輸入耦合電容)；
[0041]EM_1、…、EM_n、EM_last-第1、…、η行和最后一行第三控制信號線；
INITIAL——初始控制信號線；0LED——發(fā)光元件(有機發(fā)光二極管);
[0042]GATE_1、…、GATE_n_l、GATE_n、GATE_n+l、GATE_last-第 1、...、n_l、η、n+1
行和最后一行掃描信號線；
[0043]CN_1_1、…、CN_l_n、CN_l_n+l、CN_l_last-第 1、…、n、n+l 行和最后一行第一控制信號線；
[0044]CN_2_1、...、CN_2_n、CN_2_n+l、CN_2_last-第 1、…、η、n+1 行和最后一行第二控制信號線；
[0045]DATA_IN——灰階寫入電壓線；DATA——灰階寫入電壓信號(第二連接線)；
[0046]VDD——高電平電壓線；VSS——低電平電壓線；VINI——第一電壓信號；
Vdata_l/…/Vdata_m_l/Vdata_m/Vdata_m+1/Vdata_last-灰階寫入電壓(后為列號);VH——OLED陽極電壓(即第一連接線上的電壓);VP——Tl柵極電壓；GND——接地電壓。
[0047]另外，圖7中:
[0048]A—初始化階段；B—閾值電壓讀取階段；C—灰階寫入階段；D—OLED發(fā)光階段floating-浮接。
[0049]本實用新型實施例提出了一種像素電路，參見圖4，該電路包括一種像素電路，包括呈矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括子像素單元b和發(fā)光元件a，所述子像素單元b包括與所述發(fā)光元件a電連接的驅動晶體管，其特征在于:
[0050]對應于每行像素單元，所述像素電路還包括行共用單元c ;所述行共用單元c通過第一連接線與對應行的每個像素單元電連接；
[0051]對應于每列像素單元，所述像素電路還包括列共用單元d ;所述列共用單元d通過第二連接線與對應列的每個像素單元電連接；
[0052]每個像素單元的子像素單元b、與該像素單元對應的行共用單元C、以及與該像素單元對應的列共用單元d組成具有對該子像素單元b中的所述驅動晶體管進行閾值電壓補償功能的電路。
[0053]這樣，所有行共用單元c組成了行共用電路，所有列共用單元d組成了列共用電路，而發(fā)光元件a與子像素單元b組成了一個獨立的像素單元。從功能上來說，每一個子像素單元b可以獨立地完成對發(fā)光元件a的顯示驅動的功能；而與其對應的行共用單元C、列共用單元d，和子像素單元b共同實現(xiàn)了對該子像素單元b中的驅動晶體管的閾值電壓補償功能。采取這樣的結構，就使得實現(xiàn)閾值電壓補償功能的電路部分可以同行共用同一個行共用單元C，同列共用一個列共用單元山從而節(jié)省了節(jié)省了元件耗費和布局空間。
[0054]參見圖5(a)至圖5(c),下面具體描述該實施例的一種優(yōu)選具體電路示例:
[0055]所述子像素單元b包括驅動晶體管Tl、第二開關元件T2、第三開關元件T3和第一電容Cl，其中:
[0056]所述驅動晶體管Tl的柵極與所述第二開關元件T2的第二端、所述第一電容Cl的第一端、以及所述第三開關元件T3的第二端電連接；所述驅動晶體管Tl的源極與所述第一電容Cl的第二端都與低電平電壓線VSS電連接；所述驅動晶體管Tl的漏極與所述第三開關元件T3的第一端電連接，并與所述發(fā)光元件OLED的第二端電連接；
[0057]所述第二開關元件T2的第一端與所述第二連接線DATA電連接；所述第三開關元件T3的控制端與第一控制信號線CNl電連接，所述第二開關元件T2的控制端與第二控制信號線CN2電連接。
[0058]所述行共用單元c包括第四開關元件T4，其第二端通過所述第一連接線VH與對應行的每個像素單元中的所述發(fā)光元件a的第一端電連接；所述第四開關元件T4的第一端與高電平電壓線VDD電連接，所述第四開關元件T4的控制端與第三控制信號線EM電連接。
[0059]所述列共用單元d包括第二電容C2和第五開關元件T5，所述第二電容C2的第二端、所述第五開關元件T5的第二端都通過所述第二連接線DATA與對應列每個像素單元的子像素單元b中的所述第二開關元件T2的第一端電連接；所述第二電容C2的第一端與對應列的像素單元的灰階寫入電壓線DATA_IN電連接；所述第五開關元件T5的控制端與初始控制信號線INITIAL電連接，所述第五開關元件T5的第一端與第一電壓信號線VINI電連接。
[0060]優(yōu)選地，所述驅動晶體管Tl和開關元件為場效應管。所述開關元件的第一端為場效應管的漏極，所述開關元件的第二端為場效應管的源極，所述開關元件的控制端為場效應管的柵極。更優(yōu)選地，所述場效應管為薄膜晶體管。
[0061]優(yōu)選地，所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管0LED，當然其也可以是其他電流驅動發(fā)光的雙端發(fā)光兀件。
[0062]優(yōu)選地，所述行共用單元c和列共用單元d位于所述像素電路的有效顯示區(qū)域外部。相應的，由于像素單元位于有效顯示區(qū)域內(nèi)部，該設計可以減小有效顯示區(qū)域中的元件總數(shù)，有利于PPI的提聞。
[0063]另外，按功能劃分，所述第一電容為儲能電容，所述第二電容為耦合電容。需要說明的是，開關元件前所用的“第二”、“第三”等標識僅是對應于電路圖的元件符號起區(qū)別作用的，其本身不具有特定順序或其他含義。
[0064]下面展示結合以上所有優(yōu)選方案所組成的像素電路，如圖6所示(圖6是以圖5(a)所示的像素單元、圖5(b)所示的行共用單元和圖5(c)所示的列共用單元為基本單元所組成的電路，并與圖4所示的像素電路的結構框圖相對應)。該像素電路包括:至少一行一列的像素單元(3TIC Pixel)排成的像素陣列，每行一個的行共用單元c (組成行共用電路)，和每列一個的列共用單元d (組成列共用電路)；
[0065]所述像素單元包括驅動晶體管Tl (驅動TFT)、第二開關元件T2 (開關TFT)、第三開關元件T3 (初始化TFT)、第一電容Cl (存儲電容)和有機發(fā)光二極管0LED，所述驅動晶體管Tl的柵極與第二開關元件T2的源極、第三開關元件T3的源極相連，并經(jīng)過第一電容Cl與驅動晶體管Tl的源極相連；所述有機發(fā)光二極管OLED的陰極與驅動晶體管Tl的漏極、第三開關元件T3的漏極相連。
[0066]所述行共用單元c包括第四開關元件T4(發(fā)光控制TFT)，其源極與對應行每個像素單元中有機發(fā)光二極管OLED的陽極相連；
[0067]所述列共用單元d包括第二電容C2和第五開關元件T5，所述第二電容C2的第一端、第五開關元件的源極與對應列每個像素單元中第二開關元件T2的漏極相連。
[0068]包括像素單元(a+b)、行共用單元c與列共用單元d的電路結構圖參見圖6?？梢姡恳恍邢袼毓灿靡粋€行共用單元，包括共用同一個晶體管和共用同一條第一信號線(即與圖6中的有機發(fā)光二極管陽極相連的線)；每一列像素共用一個列共用單元，包括共用同一個晶體管和同一個電容，并共用灰階寫入電壓線(即與圖6的列共用單元中電容的下端相連的線)，從而分離出來的行共用TFT電路與列共用TFT電路可以集成在所述像素陣列的外部，使整體結構所用元件得到了很大程度的簡化，其所需空間也就更小，更利于縮小AMOLED的尺寸，實現(xiàn)聞PPI ο
[0069]當然，上述像素電路中所有開關元件作為數(shù)字電路中的開關實現(xiàn)其功能，其他類別的晶體管也可以具有對應功能，并不僅限于TFT—種類型的晶體管。另外，上述像素電路中所用電容Cl與C2分別為存儲電容與輸入耦合電容，其他類型的電容在適當?shù)氖褂铆h(huán)境和參數(shù)設定上都具有同樣功能，故并不僅限于這里提出的類型。所以使用其他類型、同樣功能的晶體管或電容的像素電路，只要其同樣以行共用單元C與列共用單元d實現(xiàn)整體電路設計，都包括在本實用新型權利要求的保護范圍內(nèi)。
[0070]該像素電路的具體工作方式如下:
[0071]第四開關元件T4的漏極和驅動晶體管Tl的源極間加以恒定的工作高低電平(Vdd為高電平電壓線、Vss為低電平電壓線)，在所有第五開關元件T5的漏極加以恒定的第一電壓信號Vini (通過第一電壓信號線VINI提供；
[0072]參見圖7，在驅動每行像素單元(如第η行)時，加載在對應的(第η行的)行共用單元c中的第四開關元件Τ4柵極上的第三控制信號ΕΜ_η由高電平轉為低電平，并依次經(jīng)過時間固定的初始化階段(A)、閾值電壓讀取階段(B)和灰階寫入階段(C)后轉回高電平；
[0073]加載在所有第五開關元件Τ5柵極的初始控制信號VINITIAl(圖7中的INITIAL，通過初始控制信號線INTIAL提供)僅在所述初始化階段內(nèi)為高電平；
[0074]加載在該行所有像素單元中第三開關元件T3柵極上的第一控制信號CN_l_n僅在所述初始化階段和閾值電壓讀取階段內(nèi)為高電平；
[0075]加載在該行所有像素單元中第二開關元件T2柵極上的第二控制信號CN_2_n在所述初始化階段、閾值電壓讀取階段，和灰階寫入階段的前半段內(nèi)為高電平；
[0076]對應于該行(η)對應列(如第m列)像素單元的灰階寫入電壓Vdatajn (圖7中的DATA)，僅在所述灰階寫入階段內(nèi)加載在對應(第m列的)列共用單元d中第二電容的第二端上，其它階段為GND。
[0077]從而對于每一行需要被驅動的像素單元，均按上述方法完成初始化-閾值電壓讀取-灰階寫入的過程完成驅動，然后在驅動電流的作用下對應的OLED就會發(fā)光。
[0078]在上述工作方式下，其閾值補償功能的實現(xiàn)原理如下:
[0079]參見圖7，所述驅動電路是按行驅動的，每行的驅動過程都分為四個階段:初始化階段A、閾值電壓讀取階段B、灰階寫入階段C，和OLED發(fā)光階段D。圖7為該像素電路的工作時序圖，其中已經(jīng)標明了每一階段中各個電壓的高低電平變化。未提及的Vdd與Vss —直向像素電路提供高電平電壓與低電平電壓。
[0080]初始化階段A中，EM_n為低電平，INITIAL、CN_l_n和CN_2_n為高電平，DATA_IN為GND0參見圖8，此時，T2、T3、T5導通，T4截止，OLED陽極電壓Vh為Floating(浮接、數(shù)值不定)。Tl的漏極與柵極相連接，從而其柵極電壓Vp就經(jīng)由T2、T3、T5連通，進而與Vm同電位，即Vp = Vin1O
[0081]閾值電壓讀取階段B中，EM_n仍為低電平，CN_l_n和CN_2_n仍為高電平，而INITIAL變?yōu)榈碗娖健⒁妶D9，此時，T4保持截止，T2、T3保持導通，Τ5由導通變?yōu)榻刂埂l的漏極與柵極保持連接，形成二極管連接結構，處于Cl與C2之間的Vp點將從第一電壓信號Vini放電至Tl的閾值電壓Vth，即Vp = Vtho而Cl的另一端為Vss，C2的另一端為GND (DATA)，從而Cl兩端電壓為Vth-Vss, Cl和C2為一整體的兩端電壓為O。經(jīng)過這一階段，Tl的閾值電壓Vth就被讀取了出來，進而就可以對其進行處理了。
[0082]灰階寫入階段C中，EM_n、INITIAL仍為低電平，CN_l_n轉為低電平，而CN_2_n開始為高電平，后轉為低電平，而DATA_IN由GND變?yōu)榛译A電壓Vdata (其值對應行η列m)。參見圖10，在C2的耦合影響下，CN_2_n的高電平階段中，Vp從Vth跳變?yōu)?br> C
[0083]VP-c+c.Vdata-Vss+Vth，
[0084]其中C1和C2為Cl和C2的電容值，由于Cl和C2 —端相連，C2另一端電壓變化，將影響Cl和C2相連端的電壓，根據(jù)電容耦合的公式，Cl和C2相連端的電壓變化為電壓Vdata乘以C2/(C1+C2)。然后CN_2_n轉為低電平，T2截止，Tl的柵極處也就是Vp所在點由存儲電容Cl保持為

C，
[0085]Vp - c +C.Vdata - Vss +Vth。
[0086]OLED發(fā)光階段D中，EM_n轉為高電平，CN_l_n和CN_2_n為低電平。參見圖11，此時T2和T3截止，T4導通，OLED陽極電壓Vh由Floating變?yōu)閂DD。Vp在存儲電容Cl的作用下保持為
[0087]Vp =。+2。.Vdata +Vth ,
[0088]即Tl以源漏電流
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[0089]1 2，
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[0090]驅動該0LED?？梢娮罱KOLED的驅動電流與Tl的閾值電壓Vth無關，也就是實現(xiàn)了傳統(tǒng)2T1C(圖1)像素單元所不具有的閾值電壓補償功能。
[0091]而且，所述驅動電路的每個像素單元只用了 3個晶體管和I個電容，相比較6T2C像素單元(圖2至圖3)大大減少了每個像素單元中的元件個數(shù)，且只是在有效顯示區(qū)域外部設置了一行列共用單元d和一列行共用單元C，節(jié)省了元件耗費和布局空間，不僅降低了成本，還有利于縮小AMOLED的像素尺寸，實現(xiàn)高PPI。
[0092]基于相同的實用新型構思，本實用新型實施例還提出了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任意一種像素電路，其通過上述任意一種驅動方法來進行顯示驅動。該顯示裝置可以為:電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于其與上述任意一種像素電路具有同樣的技術特征，因而解決同樣的技術問題，達到同樣的技術效果。
[0093]與上面像素電路的具體工作方式所述的內(nèi)容一致，這里提出一種驅動上述像素電路的方法，所述驅動方法包括:
[0094]初始化步驟:在初始化階段A，所述第一控制信號線、所述第二控制信號線和所述初始控制信號線上的信號同時有效，所述第二開關元件、所述第三開關元件和所述第五開關元件開啟，所述驅動晶體管的柵極處的電位被設置為第一電壓信號線上的電壓；
[0095]閾值電壓讀取步驟:在閾值電壓讀取階段B，所述第一控制信號線和所述第二控制信號線上的信號同時有效，所述第二開關元件和所述第三開關元件開啟，所述驅動晶體管的柵極處的電位通過所述第一電容放電，以補償驅動晶體管的閾值電壓；
[0096]灰階寫入步驟:在灰階寫入階段C，所述第二控制信號線上的信號先為有效后轉為無效，所述第二開關元件先開啟后關閉，所述灰階寫入電壓線上的電壓寫入所述驅動晶體管的柵極；
[0097]發(fā)光步驟:在發(fā)光階段，所述第三控制信號線上的信號有效，所述驅動晶體管的柵極電位在所述第一電容的作用下被保持，所述驅動晶體管開啟從而驅動所述發(fā)光元件發(fā)光。
[0098]綜上所述，本實用新型采用部分TFT共用方式以3T1C的像素電路實現(xiàn)了閾值電壓補償功能，有利于縮小AMOLED像素的尺寸，實現(xiàn)高PPI。
[0099]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。
[0100]以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和范圍。
【權利要求】
1.一種像素電路，包括呈矩陣排列的多個像素單元，每個像素單元包括子像素單元和發(fā)光元件，所述子像素單元包括與所述發(fā)光元件電連接的驅動晶體管，其特征在于: 對應于每行像素單元，所述像素電路還包括行共用單元；所述行共用單元通過第一連接線與對應行的每個像素單元電連接； 對應于每列像素單元，所述像素電路還包括列共用單元；所述列共用單元通過第二連接線與對應列的每個像素單元電連接； 每個像素單元的子像素單元、與該像素單元對應的行共用單元、以及與該像素單元對應的列共用單元組成具有對該子像素單元中的所述驅動晶體管進行閾值電壓補償功能的電路。
2.根據(jù)權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述子像素單元還包括第二開關元件、第三開關元件和第一電容，其中: 所述驅動晶體管的柵極與所述第二開關元件的第二端、所述第一電容的第一端、以及所述第三開關元件的第二端電連接； 所述驅動晶體管的源極與所述第一電容的第二端都與低電平電壓線電連接； 所述驅動晶體管的漏極與所述第三開關元件的第一端電連接，并與所述發(fā)光元件的第二端電連接； 所述第二開關元件的第一端與所述第二連接線電連接； 所述第三開關元件的控制端與第一控制信號線電連接，所述第二開關元件的控制端與第二控制信號線電連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述行共用單元包括第四開關元件，其第二端通過所述第一連接線與對應行的每個像素單元中的所述發(fā)光元件的第一端電連接； 所述第四開關元件的第一端與高電平電壓線電連接，所述第四開關元件的控制端與第三控制信號線電連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述列共用單元包括第二電容和第五開關元件，所述第二電容的第二端、所述第五開關元件的第二端都通過所述第二連接線與對應列每個像素單元的子像素單元中的所述第二開關元件的第一端電連接； 所述第二電容的第一端與對應列的像素單元的灰階寫入電壓線電連接； 所述第五開關元件的控制端與初始控制信號線電連接，所述第五開關元件的第一端與第一電壓信號線電連接。
5.根據(jù)權利要求2至4中任意一項所述的像素電路，其特征在于，所述驅動晶體管和開關元件為場效應管，所述開關元件的第一端為場效應管的漏極，所述開關元件的第二端為場效應管的源極，所述開關元件的控制端為場效應管的柵極。
6.根據(jù)權利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述場效應管為薄膜晶體管。
7.根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。
8.根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的像素電路，其特征在于，所述行共用單元和列共用單元位于所述像素電路的有效顯示區(qū)域外部。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至8中任意一項所述的像素電路。
【文檔編號】G09G3/32GK203950533SQ201420366941
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權日:2014年7月3日
【發(fā)明者】譚文, 祁小敬 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司