專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及驅(qū)動(dòng)pdp的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備，且更具體地，涉及一種有效驅(qū)動(dòng)等離 子體顯示面板(PDP)的方法以及采用該方法的等離子體顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是這樣的顯示設(shè)備其通過將預(yù)定電壓施 加到安裝于放電空間內(nèi)的多個(gè)電極以引起氣體放電，然后借助于由于氣體 放電而產(chǎn)生的等離子體而激發(fā)熒光體來顯示圖像。PDP易于制造成大尺寸 的薄平板顯示器。另外，與其他平板顯示器相比，PDP能夠提供高亮度和 高的光發(fā)射效率。
同時(shí)，通過利用用于對所有放電單元初始化的復(fù)位時(shí)段、用于選擇多 個(gè)放電單元的尋址時(shí)段以及用于使選擇的放電單元能夠引起維持放電的 維持時(shí)段，以時(shí)分方式來驅(qū)動(dòng)PDP。復(fù)位時(shí)段通常分為漸升時(shí)段(set-up period )、下降時(shí)段及漸降時(shí)段(set-down period ),在漸升時(shí)段期間， 發(fā)生從第一電壓到第二電壓的電壓漸增；在下降時(shí)段期間，發(fā)生從第二電 壓至第三電壓的電壓速降；而在漸降時(shí)段期間，發(fā)生從第三電壓至第四電 壓的電壓漸降。
傳統(tǒng)的PDP在復(fù)位時(shí)段期間有可能引起M電(如斑點(diǎn))，從而使圖 像顯示的質(zhì)量惡化
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示設(shè)備以及驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板 (PDP)的方法，其可通過減少誤放電(如斑點(diǎn))的發(fā)生概率來提高圖像
顯示質(zhì)量并減小功耗。 技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)方面，提供了 一種等離子體顯示設(shè)備，其是通過將
每幀劃分為多個(gè)子場而以時(shí)分方式來驅(qū)動(dòng)的，所述等離子體顯示i殳備包 括上J41,在該上M上形成多個(gè)第一電極和各自與所述多個(gè)第一電極 對應(yīng)的多個(gè)第二電極；以及下基fel,在該下M上形成多個(gè)第三電極，其 中所述第一電極各自距離所述第二電極100nm或更遠(yuǎn)，且在復(fù)位時(shí)段期 間，向所述第一電極施加逐漸增加的電壓，同時(shí)，向所述第三電壓施加正 的偏置電壓。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種通過將每幀劃分為多個(gè)子場而以 時(shí)分方式驅(qū)動(dòng)PDP的方法，所述PDP包括上基板，在該上J41上形成多 個(gè)第一電極和各自與所述多個(gè)第一電極對應(yīng)的多個(gè)第二電極；以及下基 板，在該下基板上形成多個(gè)第三電極，其中所述第一電極各自距離所述第 二電極100nm或更遠(yuǎn)，且該方法包括在復(fù)位時(shí)段期間，向所述第一電極 施加逐漸增加的電壓，同時(shí)，向所述第三電壓施加正的偏置電壓。
有益效果
對于包括彼此相距足夠遠(yuǎn)的掃描電極和尋址電極的PDP，通過以可在 復(fù)位時(shí)段期間向?qū)ぶ冯姌O施加正的偏置電壓的方式來驅(qū)動(dòng)該P(yáng)DP，可以減 少PDP的功耗。另外，通過防止誤放電(如斑點(diǎn))，可以提高PDP的亮度 和圖像顯示質(zhì)量。此外，通過在至少兩個(gè)不同時(shí)間將正的偏置電壓施加到 多個(gè)尋址電極從而可減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的噪聲，可防止面板驅(qū)動(dòng)電路故障， 并可提高面板驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。
圖1為等離子體顯示面板(PDP)的透視圖； 圖2至圖5為PDP的截面圖； 圖6示出PDP中電極的布置；
圖7為解釋驅(qū)動(dòng)PDP的時(shí)分方法的時(shí)序圖，其中將幀分為多個(gè)子場；
圖8為示出才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波 形的時(shí)序圖9為示出根據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波 形的時(shí)序圖；以及
圖IO和圖ll為解釋通過適當(dāng)?shù)匮舆t信號(hào)而在不同的時(shí)間向多個(gè)尋電極施加信號(hào)的方法的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例的附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì) 說明。
圖1為等離子體顯示面板(PDP)的透視圖。參照圖1，該P(yáng)DP包括 在上基板10上形成的維持電;W和在下基板20上形成的尋址電極22。 維持電極對包括掃描電極11和維持電極12。
掃描電極ll可以包括透明電極lla和匯流電極llb，而維持電極12 可以包括透明電極12a和匯流電極12b?？梢杂醚趸熷a(IT0)來形成 透明電極1 la和12a?？梢杂弥T如#( Ag )或者衞Cr )、鉻/銅/欲Cr/Cu/Cr ) 堆、或者鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr )堆等金屬來形成匯流電極lib和12b。匯 流電極lib和12b分別設(shè)置在透明電極lla和12a上，并且可以減少由具 有高電阻的透明電極lla和12a引起的電壓降。
掃描電極11和維持電極12之間的距離，特別是透明電極lla和12a 之間的距離，可以設(shè)置為IOO薩或者更大。通過這樣做，可增加PDP的 寬高比，增強(qiáng)PDP的亮度，減少PDP的功耗并且提高驅(qū)動(dòng)PDP的效率。由 于掃描電極11和維持電極12彼此相距足夠遠(yuǎn)，掃描電極11和維持電極 12可與水平障壁21b交迭。掃描電極11和維持電極12之間的最大距離 可以與水平障壁21b的寬度相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，維持電極對11和12可以由透明電極lla 和12a以及匯流電極lib和12b的堆疊結(jié)構(gòu)組成，或者由只有匯流電極 lib和12b而沒有透明電極lla和12a的堆疊結(jié)構(gòu)組成。因?yàn)楹笠环N結(jié)構(gòu) 不用透明電極lla和12a，因此降低制造面板的成本。除上述材料外，用 于該結(jié)構(gòu)的匯流電極llb和12b還可以由多種材料制成，如光敏材料等。
為了提高亮度并減少功耗，匯流電極lib和12b之間的距離可以為 lOOpm或更大。
黑矩陣BM 15通過吸收從上J4！ 10外產(chǎn)生的外部光來執(zhí)行減少反射 的遮光功能，并執(zhí)行提高上J4！ 10的純度和對比度的功能，黑矩陣15 布置在掃描電極11和維持電極12的透明電極lla和12a以及匯流電極 llb和12b之間。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，黑矩陣15形成在上基板10上，且包括在 與障壁21交迭的位置形成的第一黑矩陣15和在透明電極lla和12a以及 匯流電極llb和12b之間形成的第二黑矩陣llc和12c。此處，第一黑矩 陣15以及第二黑矩陣lie和12c也稱為黑層或者黑電極層，當(dāng)它們在形 成過程中同時(shí)形成時(shí)，可以彼此物理相連，或者當(dāng)它們不是同時(shí)形成時(shí)， 也可以彼此不物理相連。
此外，當(dāng)彼此物理相連時(shí)，第一黑矩陣15以及第二黑矩陣lie和12c 由相同材料制成，但是當(dāng)它們彼此物理分離時(shí)，它們可以由不同材料制成。
上電介質(zhì)層13和保護(hù)膜14堆疊在上基板10中，在上基板IO中，平 行地形成掃描電極11和維持電極12。通itit電產(chǎn)生的帶電粒子在上電介 質(zhì)層13中累積，并執(zhí)行保護(hù)維持電極對11和12的功能。保護(hù)膜14保護(hù) 上電介質(zhì)層13免受氣體放電時(shí)產(chǎn)生的帶電粒子的賊蝕，并增強(qiáng)二級(jí)電子 的發(fā)射效率。
掃描電極11和維持電極12可以形成在黑層上，而不是設(shè)置得與上基 板10直接接觸。換言之，黑層可以介于上基板10和掃描電極11之間以 及上基tl 10和維持電極12之間，從而防止上基板10由于與掃描電極11 和維持電極12直捲接觸而變色。
此外，在與掃描電極11與維持電極12交叉的方向上形成尋址電極 22。此外，在下J^20上形成下電介質(zhì)層24和障壁21，在下基敗20中 形成尋址電極22。
此外，在下電介質(zhì)層24和障壁21的表面上形成熒光體層23。在障 壁21中，以封閉的方式形成垂直障壁21a和水平障壁21b,且障壁21物 理地劃分放電單元，并防止通逸故電產(chǎn)生的紫外線和可見光漏泄至相鄰的 放電單元。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以采用不同于圖1中所示的障壁21結(jié) 構(gòu)的各種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如，可以采用垂直障壁21a和水平障壁21b 具有不同高度的差異障壁結(jié)構(gòu)；可以釆用通道型障壁結(jié)構(gòu)，其中可以用作 排放通路的通道形成于垂直障壁21a和水平障壁21b中的至少一個(gè)內(nèi)；可 以釆用空心型障壁結(jié)構(gòu)，其中在垂直障壁21a和7jc平障壁21b的至少一個(gè) 內(nèi)形成空心。
在差異型障壁結(jié)構(gòu)中，更為優(yōu)選的是水平障壁21b的高度高于垂直障 壁21a的高度，而在通道型障壁結(jié)構(gòu)或者空心型障壁結(jié)構(gòu)中，更為優(yōu)選的是通道或者空心形成于水平障壁21b中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，描述為R、 G和B放電單元中的每一個(gè)都 布置在同一條線上，但是它們也可以布置成其他形狀。例如，也可以采用 R、 G和B放電單元布置為三角形的A (delta)型布置。此外，放電單元 可以具有各種多邊形的形狀，如四邊形、五邊形和六邊形等。此外，熒光體層23通過氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線來發(fā)射光，并且產(chǎn) 生紅色光R、綠色光G或者藍(lán)色光B中的任何一種可見光。這里，將用于 進(jìn)行放電的諸如He+Xe、 Ne+Xe和He+Ne+Xe等惰性混合氣體注入上^g41 10和下J4！ 20以及障壁21之間設(shè)置的放電空間中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，R、 G和B放電單元可以具有相同的間距。 或者，為了協(xié)調(diào)R、 G和B放電單元的色溫，R、 G和B放電單元也可以具 有不同的間距。更具體地，R、 G和B放電單元可以在彼此之間具有不同 的間距，或者R、 G和B放電單元中僅一個(gè)可以具有與其他放電單元不同 的間距。例如，R放電單元的間距可能最小，而G和B放電單元的間距可 能比R放電單元的間距大。在下基板20上形成的尋址電極22可以具有均勻的寬度或者厚度?；?者，尋址電極22的一部分的寬度/厚度可以不同于另 一部分的寬度/厚度。 例如，在放電單元內(nèi)部的尋址電極22的寬度/厚度可以比放電單元外部的 尋址電極22的寬度/厚度大。圖2和圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP的截面圖。參照圖2 和圖3，黑矩陣llc設(shè)置在ITO透明電極lla和匯流電極llb之間，黑矩 陣12c設(shè)置在IT0透明電極12a和匯流電極12b之間。黑矩陣llc和匯流 電極lib可以形成為一體，且黑矩陣12c和匯流電極12b可以形成為一體。圖4和圖5為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的PDP的截面圖。參照圖4 和圖5，黑矩陣分為第一黑矩陣16a和第二黑矩陣16b，第一黑矩陣16a 介于ITO透明電極lla與匯流電極lib之間或者ITO透明電極12a與匯流 電極12b之間，第二黑矩陣16b置于障壁21上。隔離型黑矩陣(如圖3 中所示的那些)可通過增強(qiáng)放電產(chǎn)生的面板光的發(fā)射來提高PDP的亮度。參照圖5，匯流電極16b可以置于放電單元內(nèi)部，以便防止匯流電極 lib與障壁21交迭。這種類型的匯流結(jié)構(gòu)稱為內(nèi)匯流(in-bus)結(jié)構(gòu)。 該內(nèi)匯流結(jié)構(gòu)可減小放電初始電壓，并因此可減小驅(qū)動(dòng)PDP所需的功率 量。圖6示出了 PDP中的電極排列。參照圖6，可以將組成PDP的多個(gè)放 電單元排列成矩陣。放電單元分別設(shè)置在多個(gè)掃描電極線L到L和多個(gè) 尋址電極線l到Xn之間的交叉處，或者多個(gè)維持電極線^到Z^與尋址電 極線l到Xn之間的交叉處?？梢皂樞蚧蛘咄瑫r(shí)驅(qū)動(dòng)掃描電極線l到Y(jié)m。 可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)維持電極線^到Zra?？梢詫ぶ冯姌O線l到Xn分為兩組以組^單元或者順序地驅(qū)i尋址電極線Xi到Xn。 然而，圖6所示的電極布置是示范性的，而本發(fā)明并不局限于此。例 如，可以采用同時(shí)驅(qū)動(dòng)多個(gè)掃描線中的兩個(gè)的二重掃描方法(dual scan method)或者雙重掃描方法(double scan method)來驅(qū)動(dòng)掃描電極線 L到Y(jié)m。更為具體地，二重掃描方法的特點(diǎn)是，將PDP分為上區(qū)域和下區(qū)線。雙重掃描方法的特點(diǎn)是同時(shí)驅(qū)動(dòng)一對相鄰的掃描電極線。圖7為解釋驅(qū)動(dòng)PDP的時(shí)分方法的時(shí)序圖，其中， 一幀分為多個(gè)子場。 參照圖7，為了實(shí)現(xiàn)時(shí)分AJL顯示， 一個(gè)單元幀分為預(yù)定數(shù)量的子場，例 如從SFl到SF8八個(gè)子場。SFl到SF8中的每個(gè)子場分為復(fù)位時(shí)段(未示 出)、尋址時(shí)段(Al，…...A8 )和維持時(shí)段(Sl，……S8 )。并非SFl到SF8中的所有子場都有復(fù)位時(shí)段。例如，可以是只有第一 子場SFl具有復(fù)位時(shí)段，或者可以是只有第一子場和中間子場具有復(fù)位時(shí) 段。在Al到A8每個(gè)尋址時(shí)段期間，向?qū)ぶ冯姌OX施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，并 將掃描脈沖提供給掃描電極Y，以便在放電單元內(nèi)可產(chǎn)生壁電荷。在SI到S8每個(gè)維持時(shí)段期間，將維持脈沖交替地提供給掃描電極Y 和維持電極Z，以便放電單元可引起一定數(shù)量的維持放電。PDP的亮度與貫穿維持放電時(shí)段S1到S8所分配的維持放電脈沖的總 數(shù)成正比。假設(shè)一個(gè)圖像的一幀包括8個(gè)子場，并用256個(gè)灰度等M示， 可以將l、 2、 4、 8、 16、 32、 64和128個(gè)維持脈沖分別分配給維持時(shí)段 Sl、 S2、 S3、 S4、 S5、 S6、 S7和S8。為了獲得與133支變等^t應(yīng)的亮 度，可以在第1、第3和第8子場SF1、 SF3和SF8期間尋址多個(gè)放電單 元，以便它們能夠引起總共133次維持放電。分配給SFl到SF8每個(gè)子場的維持放電的數(shù)量可以通過自動(dòng)功率控制 UPC)才艮據(jù)分配給相應(yīng)子場的權(quán)重來確定。參照圖7， 一幀分為八個(gè)子場，但是本發(fā)明并不局限于此。換言之， 一幀中子場的數(shù)量是可以改變的。例如，可以通過#^幀分為多于8個(gè)子場(例如12個(gè)或者16個(gè)子場)來 驅(qū)動(dòng)PDP。根據(jù)PDP的伽馬(gamma )特性和其他特性，分配給SF1到SF8中每 個(gè)子場的維持放電的數(shù)量是可以改變的。例如，可以將t復(fù)等級(jí)6而不是 ^jl等級(jí)8分配給子場SF4，并且可以將灰度等級(jí)34而不是A;復(fù)等級(jí)32 分配給子場SF6。圖8為才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形的 時(shí)序圖。參照圖8，第一子場跟隨在預(yù)復(fù)位時(shí)^。在該預(yù)復(fù)位時(shí)段期間， 在掃描電極Y上產(chǎn)生正的壁電荷，并在維持電極Z上產(chǎn)生負(fù)的壁電荷。每 個(gè)子場包括復(fù)位時(shí)段，用于參考在預(yù)復(fù)位時(shí)段期間產(chǎn)生的壁電荷分布來 初始化前一幀的放電單元；尋址時(shí)段，用于選擇一定數(shù)量的放電單元；以 及維持時(shí)段，用于使選擇的放電單元能夠產(chǎn)生一定數(shù)量的維持放電。復(fù)位時(shí)段包括電壓逐漸增加的漸升時(shí)段、電壓快速降低的下降時(shí)段和 電壓逐漸降低的漸降時(shí)段。在漸升時(shí)段期間，電壓逐漸增加的漸升信號(hào)同 時(shí)施加到所有放電單元的掃描電極，以侵_每個(gè)放電單元都能夠產(chǎn)生弱的漸 升放電(set-up discharge),且在放電單元中產(chǎn)生壁電荷。參照圖8，電壓快速增加了 VI的信號(hào)可以施加到掃描電極Y,其中 VI可以與在尋址時(shí)段期間施加到掃描電極Y的掃描電壓Vsc相同。在漸降時(shí)段期間，電壓逐漸降低的漸降信號(hào)施加到掃描電極Y，從而 產(chǎn)生擦除放電。作為該擦除放電的結(jié)果，由漸升放電產(chǎn)生的壁電荷和不必 要的空間電荷被擦除。在漸升信號(hào)施加到掃描電極Y期間，尋址電極X與掃描電極Y之間可 能發(fā)生對向放電(opposing discharge)。由于對向放電，可能發(fā)生誤放 電(如斑點(diǎn))，因此圖4象顯示質(zhì)量可能惡化。由于一對相鄰IT0電極之間 的距離設(shè)置為IOO艸或者更大，因此，引起掃描電極Y與維持電極Z之間 的放電所需的放電初始電壓增加，且因此，掃描電極Y與尋址電極X之間 的對向放電比掃描電極Y與維持電極Z之間的表面放電更有可能發(fā)生。因此，在漸升信號(hào)施加到掃描電極Y的期間，可以將正的偏置電壓 440、 441和442施加到尋址電極X。當(dāng)向?qū)ぶ冯姌OX提供正電壓時(shí)，在施加了漸升信號(hào)的掃描電極與尋址 電極X之間產(chǎn)生斥力，從而減小了在掃描電極Y與尋址電極X之間發(fā)生向放電的概率。如上所述，當(dāng)掃描電極Y與維持電極Z之間的距離(特別是一對相鄰 IT0電極之間的距離)為IOO拜或者更大時(shí)，通過向?qū)ぶ冯姌OX施加正的 偏置電壓，可在掃描電極Y與維持電極Z之間穩(wěn)定地產(chǎn)生表面放電。偏置電壓440、 441和442可以與在尋址時(shí)段期間施加到尋址電極X、 的尋址電壓Va相同。參照圖8,可以在尋址時(shí)段之前將電壓逐漸降低的下降信號(hào)410施加 到掃描電極。在預(yù)復(fù)位時(shí)段期間施加到掃描電極Y的下降信號(hào)400的最低 電壓^ 1"可以低于下降信號(hào)41()的最低電壓-Vy。在下降信號(hào)410施加到掃描電極Y的期間，可以將正電壓V2施加到 維持電極Z。正電壓V2可以是在尋址時(shí)段期間施加到維持電極Z的電壓 Vsus的一半。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，面板驅(qū)動(dòng)設(shè)備可以包括源電容器Cs, 收集供給PDP的能量并存儲(chǔ)所收集的能量，以便將維持脈沖提供給PDP; 能量供給開關(guān)ER-up,該開關(guān)被接通時(shí)能夠?qū)⒋鎯?chǔ)在源電容器Cs中的能 量供給掃描電極Y;以及組成振蕩電路的電感器?？梢岳么鎯?chǔ)在源電容器Cs中的能量來產(chǎn)生在復(fù)位時(shí)段期間施加到 維持電極Z的正電壓V2。在尋址時(shí)段期間，將具有與掃描電壓Vsc相同的電壓的負(fù)的掃描信號(hào) 施加到掃描電極Y,并且將正的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址電極X。由于復(fù)位時(shí) 段期間產(chǎn)生的壁電荷以及負(fù)的掃描信號(hào)與正的數(shù)據(jù)信號(hào)之間的差，會(huì)發(fā)生 尋址放電，并選擇一個(gè)單元。在漸降時(shí)段和尋址時(shí)段期間，電壓與維持電 壓Vsus保持相同的信號(hào)被施加到維持電極Z。在維持時(shí)段期間，將具有與維持電壓Vsus相同的電壓的維持信號(hào)交 替施加到掃描電極Y和維持電極Z，以便在掃描電極Y和維持電極Z之間 可發(fā)生表面放電作為維持放電。圖8中所示的波形是示范性的，而本發(fā)明并不局限于此。例如，預(yù)復(fù) 位時(shí)段可以是可選的。另外，用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性和電壓并不 局限于圖8中所示的那些，而是可以以不同的形式來改變。可以在維持放 電后將用于擦除壁電荷的擦除信號(hào)施加到維持電極Z?？梢詫⒕S持信號(hào)僅 施加到掃描電極Y和維持電極Z中的一個(gè)，從而實(shí)現(xiàn)單個(gè)維持驅(qū)動(dòng)方法。圖9為才艮據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形的時(shí) 序圖。參照圖9，在第K子場(該子場為幀的多個(gè)子場之一)的復(fù)位時(shí)段掃描電極Y。在漸升時(shí)段期間，為了防止誤放電，可以將正的偏置電壓施 加到尋址電極X。在漸升時(shí)段期間，在所有的放電單元內(nèi)發(fā)生漸升放電，從而使壁電荷 可在放電單元內(nèi)累積。在漸降時(shí)段期間，施加電壓逐漸降低的漸降信號(hào)， 從而可發(fā)生弱的擦除放電。由于該擦除放電，足以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電的 壁電荷可均勻存留在放電單元內(nèi)。在幀的多個(gè)子場中的一個(gè)子場期間，為 了穩(wěn)定放電，也可以在施加掃描信號(hào)之前施加具有正電壓和/或負(fù)電壓的 穩(wěn)定性信號(hào)。該穩(wěn)定性信號(hào)可通過建立足夠的壁電荷態(tài)來保證穩(wěn)定的尋址 放電，從而在放電單元中產(chǎn)生尋址放電。在第K子場的尋址時(shí)段期間，將掃描信號(hào)施加到掃描電極Y,并且將 與該掃描信號(hào)同步的正的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址電極X。由于掃描信號(hào)和正 的數(shù)據(jù)信號(hào)之間的差以及第K子場的復(fù)位時(shí)段期間產(chǎn)生的壁電壓，在放電 單元內(nèi)發(fā)生尋址放電，從而可在放電單元內(nèi)產(chǎn)生用于引起維持放電所必需 的壁電荷。在第K子場的維持時(shí)段期間，維持信號(hào)交替施加到掃描電極Y和維持 電極Z。然后，每當(dāng)維持信號(hào)被施加到放電單元時(shí)，在通過尋址放電而選 擇的放電單元內(nèi)發(fā)生維持放電，即顯示放電。與第K子場相同，第L子場也包括復(fù)位時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段。 在第L子場的復(fù)位時(shí)段、尋址時(shí)段以及維持時(shí)段期間施加與在笫K子場的 復(fù)位時(shí)段、尋址時(shí)段以及維持時(shí)段期間施加的驅(qū)動(dòng)信號(hào)幾乎相同的驅(qū)動(dòng)信 號(hào)。與第K子場的復(fù)位時(shí)段不同，在第L子場的復(fù)位時(shí)段期間，為了保證 足夠的定時(shí)裕度以驅(qū)動(dòng)PDP，可以在漸升時(shí)段后不施加正電壓，也可以在 漸降時(shí)段后不施加負(fù)電壓。簡而言之，可以不必在幀的每個(gè)子場中都施加 正電壓和負(fù)電壓，但是可以在幀的多個(gè)子場的某些子場中有選擇地施加正 電壓和負(fù)電壓。與第K子場的復(fù)位時(shí)段不同，在第L子場的復(fù)位時(shí)段期間，可以不施 加電壓逐漸增加的漸升信號(hào)。在這種情況下，在第L子場的復(fù)位時(shí)段期間， 可以不向?qū)ぶ冯姌OX施加正的偏置電壓。就子場的復(fù)位時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段中的至少一個(gè)的長度而言， 多個(gè)掃描電極中的至少兩個(gè)可以彼此不同。如果將子場的復(fù)位時(shí)段分為漸 升時(shí)段和漸降時(shí)段，就漸升時(shí)段和漸降時(shí)段的至少一個(gè)的長度而言，多個(gè) 掃描電極的至少兩個(gè)可以彼此不同。圖IO和圖ll為解釋通過適當(dāng)?shù)匮舆t信號(hào)在不同的時(shí)間向多個(gè)尋址電極施加信號(hào)的方法的時(shí)序圖。根據(jù)圖8和圖9的實(shí)施例，在復(fù)位時(shí)段期間，向多個(gè)掃描電極施加電 壓逐漸增加的漸升信號(hào)，同時(shí)，向多個(gè)尋址電極施加正的偏置電壓。如果 同時(shí)向?qū)ぶ冯姌O施加正的偏置電壓，則可能在施加到掃描電極和多個(gè)維持 電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形中產(chǎn)生噪聲。這種噪聲是由于PDP的電容所引起的耦合而產(chǎn)生的。當(dāng)施加到尋址電 極的正的偏置電壓快速增加時(shí)，在施加到掃描電極Y和維持電極的驅(qū)動(dòng)信 號(hào)中可能產(chǎn)生增長的噪聲。另一方面，當(dāng)正的偏置電壓快速降低時(shí)，在施 加到掃描電極Y和維持電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)中可能產(chǎn)生下降的噪聲。參照圖10，為了減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的噪聲，可以在不同時(shí)間向多個(gè)尋 址電極l到l施加正的偏置電壓。例如，可以在時(shí)間tO向第一尋址電極 X!施加正的偏置電壓，在時(shí)間tO+At向第二尋址電極X2施加正的偏置電 壓，而在時(shí)間tO+(n-l) At向第n個(gè)尋址電極Xn施加正的偏置電壓。假設(shè)在時(shí)間tm (l^m^n-1)向第m個(gè)尋址電機(jī)拖加正的偏置電壓，并 且在時(shí)間t(m+l)向第m+l個(gè)尋址電fefe加正的偏置電壓，時(shí)間tm與時(shí)間 t (m+l)之間的間隔可以是均勻的或者可變的。更為具體地，間隔At可以有兩個(gè)或者更多的值。例如，可以在10ns 向第一尋址電極X!施加正的偏置電壓，在20ns向第二尋址電極X2施加正 的偏置電壓，而在40ns向第三尋址電極X3施加正的偏置電壓。間隔At可以在10ns到1000ns的范圍內(nèi)。間隔At可以為驅(qū)動(dòng)PDP 的整個(gè)掃描時(shí)段的1/10-1/100。簡而言之，通過在復(fù)位時(shí)段期間在不同 時(shí)間向?qū)ぶ冯姌O施加偏置電壓，從而可減小由于PDP的電容發(fā)生耦合的概 率，可以減小施加到掃描電極和維持電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的噪聲。參照圖10，在不同時(shí)間向?qū)ぶ冯姌OXi到Xn施加正的偏置電壓。然而， 可以同時(shí)向預(yù)定數(shù)量的尋址電極提供正的偏置電壓，其中該預(yù)定數(shù)量在2 到(n-l)的范圍內(nèi)。參照圖11,多個(gè)尋址電極劃分為多個(gè)電極組Xa、 Xb、 X。和X"然后，向?qū)ぶ冯姌O施加正的偏置電壓，使得在向電極組Xa、 Xb、 X。和Xd提供正的 偏置電壓的時(shí)間方面它們可以彼此不同。例如，可以在時(shí)間t0向電極組Xa施加偏置電壓，在時(shí)間tO+At向電極組Xb施加偏置電壓，在時(shí)間tO+2At向電極組X。施加偏置電壓，而 在時(shí)間tO+3At向電極組Xd施加偏置電壓。向第m個(gè)電極組(1^n-l)施加偏置電壓的時(shí)間和向第(m+l)個(gè)電 極組施加偏置電壓的時(shí)間之間的間隔△t可以是均勻的或者可變的。工業(yè)應(yīng)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過以可在復(fù)位時(shí)段期間向?qū)ぶ冯姌O施加正 的偏置電壓這樣的方式驅(qū)動(dòng)包括彼此相距足夠遠(yuǎn)的掃描電極和尋址電極 的PDP，可以減小PDP的功耗。另外，通過防止^t電(如斑點(diǎn))，可以 提高PDP的亮度和圖像顯示質(zhì)量。此外，通過在至少兩個(gè)不同時(shí)間將正的 偏置電壓施加到多個(gè)尋址電極從而減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的噪聲，可以防止面板 驅(qū)動(dòng)電路故障，并提高面板驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。盡管已具體示出和描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員可以理解，可在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的的精神和范圍內(nèi)，在 形式和細(xì)節(jié)上對本發(fā)明進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，該等離子體顯示設(shè)備是通過將每幀劃分為多個(gè)子場而以時(shí)分方式來驅(qū)動(dòng)的，該等離子體顯示設(shè)備包括上基板，在該上基板上形成多個(gè)第一電極和各自對應(yīng)于所述第一電極的多個(gè)第二電極；以及下基板，在該下基板上形成多個(gè)第三電極，其中所述第一電極各自距離所述第二電極100μm或者更遠(yuǎn)，并且在復(fù)位時(shí)段期間，向所述第一電極施加逐漸增加的電壓，同時(shí)向所述第三電極施加正的偏置電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一電極和第 二電極中的每個(gè)包括氧化銦錫(IT0)電極和匯流電極，且所述第一電極 的IT0電極各自距離所述第二電極的IT0電極100nm或者更遠(yuǎn)。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第三電極中的 至少兩個(gè)在它們#皮4€供正的偏置電壓的時(shí)間方面彼此不同。
4. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第三電極劃分 為 一個(gè)或者多個(gè)電極組，且所述電極組在它們被提供偏置電壓的時(shí)間方面 彼此不同。
5. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其中所述電極組包括第 一電極組和第二電極組，且向所述第 一 電極組提供偏置電壓的時(shí)間與向所 述第二電極組提供偏置電壓的時(shí)間之間的間隔為10ns-1000ns。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在所述多個(gè)子場的 一部分期間，向所述第一電極施加逐漸增加的預(yù)定電壓，且向所述第三電 極施加與所述預(yù)定電壓具有相同極性的偏置電壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在施加偏置電壓的 時(shí)間與施加掃描信號(hào)的時(shí)間之間的時(shí)段期間，向所述第 一 電極施加具有正 電壓和/或負(fù)電壓的穩(wěn)定性信號(hào)。
8. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第一子場跟隨在所 述第一電極和第二電極中產(chǎn)生具有相反極性的壁電荷的預(yù)復(fù)位時(shí)段后，在 所述預(yù)復(fù)位時(shí)段期間向所述第一電極施加的最低電壓低于在所述復(fù)位時(shí) 段期間向所述第 一 電機(jī)拖加的最4氐電壓。
9. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在復(fù)位時(shí)段期間， 向所述第一電極拖加逐漸降低的負(fù)電壓，同時(shí)向所述第二電極施加第一正 偏置電壓，且在尋址時(shí)段期間，向所述第二電極施加第二正偏置電壓，所 述第一正偏置電壓為所述第二正偏置電壓的一半。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電容器，該 電容器在維持時(shí)段期間從等離子體顯示面板(PDP)收集能量并存儲(chǔ)所收集的能量，其中向所述第二電極施加的第一正偏置電壓是利用存儲(chǔ)在所述 電容器中的能量產(chǎn)生的。
11. 一種通過將每幀劃分為多個(gè)子場而以時(shí)分方式驅(qū)動(dòng)PDP的方法， 該P(yáng)DP包括上基板，在該上基板上形成多個(gè)第一電極和各自對應(yīng)于所述 第一電極的多個(gè)第二電極；以及下J4良，在該下J41上形成多個(gè)第三電極， 所述第一電極各自距離所述第二電極100nm或者更遠(yuǎn)，且該方法包括在復(fù)位時(shí)段期間，向所述第一電極施加逐漸增加的電壓，同時(shí)向所述 第三電機(jī)拖加正的偏置電壓。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一電極和第二電極中的 每個(gè)包括氧化銦錫(IT0)電極和匯流電極，且所述第一電極的IT0電極 各自距離所述第二電極的IT0電極100iom或者更遠(yuǎn)。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第三電極中的至少兩個(gè)在 它們被提供偏置電壓的時(shí)間方面彼此不同。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第三電極劃分為一個(gè)或者 多個(gè)電極組，且所述電極組在它們被提供偏置電壓的時(shí)間方面彼此不同。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電極組包括第一電極組和 第二電極組，且向所述第 一電極組提供偏置電壓的時(shí)間與向所述第二電極 組提供偏置電壓的時(shí)間之間的間隔為10ns-1000ns。
16. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述多個(gè)子場的一部分期間， 向所述第一電極施加逐漸增加的預(yù)定電壓，且向所述第三電極施加與所述 預(yù)定電壓具有相同極性的偏置電壓。
17. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在施加偏置電壓的時(shí)間與施加 掃描信號(hào)的時(shí)間之間的時(shí)段期間，向所述笫 一電極施加具有正電壓和/或 負(fù)電壓的穩(wěn)定性信號(hào)。
18. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中第一子場跟隨在所述第一電極和第二電極中產(chǎn)生具有相反極性的壁電荷的預(yù)復(fù)位時(shí)段后，在所述預(yù)復(fù)位 時(shí)段期間向所述第 一 電極施加的最低電壓低于在所述復(fù)位時(shí)段期間向所 述第一電極施加的最低電壓。
19. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在復(fù)位時(shí)段期間，向所述第 一電極施加逐漸降低的負(fù)電壓，同時(shí)向所述第二電極施加第一正偏置電 壓，且在尋址時(shí)段期間，向所述第二電極施加第二正偏置電壓，所述第一 正偏置電壓為所述第二正偏置電壓的一半。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中向所述第二電極施加的第一正 偏置電壓是利用在維持時(shí)段期間從PDP收集的然后存儲(chǔ)在電容器中的能 量來產(chǎn)生的。
全文摘要
提供了一種等離子體顯示設(shè)備以及驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板(PDP)的方法。該等離子體顯示設(shè)備包括上基板，在上基板上形成多個(gè)第一電極和各自對應(yīng)于第一電極的多個(gè)第二電極；以及下基板，在下基板上形成多個(gè)第三電極，其中第一電極各自距離第二電極100μm或者更遠(yuǎn)，并且在復(fù)位時(shí)段期間，向第一電極施加逐漸增加的電壓，同時(shí)向第三電極施加正的偏置電壓。因此，通過以可在復(fù)位時(shí)段期間向?qū)ぶ冯姌O施加正的偏置電壓這樣的方式來驅(qū)動(dòng)包括相距足夠遠(yuǎn)的掃描電極和尋址電極的PDP，可減小PDP的功耗。另外，通過防止誤放電(如斑點(diǎn))，可提高PDP的亮度和圖像顯示質(zhì)量。此外，通過在至少兩個(gè)不同時(shí)間將正的偏置電壓施加到多個(gè)尋址電極從而可減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的噪聲，可防止面板驅(qū)動(dòng)電路故障，并提高面板驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。
文檔編號(hào)G09G3/288GK101331577SQ200780000759
公開日2008年12月24日 申請日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月8日
發(fā)明者李宣鴻, 金度潤 申請人:Lg電子株式會(huì)社