專利名稱：等離子體顯示器裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器裝置，涉及改善驅(qū)動(dòng)信號(hào)的構(gòu)成而適合于單掃描方式的等離子體顯示器裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。還有，本發(fā)明涉及預(yù)防誤放電和異常放電，提高暗室對(duì)比度，確保動(dòng)作余量的等離子體顯示器裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器裝置利用He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Ne等惰性混合氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線使熒光體激勵(lì)發(fā)光來顯示圖像。這樣的等離子體顯示器裝置不僅容易薄膜化和大型化，而且由于最近的技術(shù)開發(fā)，畫質(zhì)也提高了。
等離子體顯示器裝置為了實(shí)現(xiàn)圖像的灰度等級(jí)，把1幀分成發(fā)光次數(shù)不同的多個(gè)子場(chǎng)進(jìn)行分時(shí)驅(qū)動(dòng)。各子場(chǎng)分成用于使全畫面進(jìn)行初期化的復(fù)位期間；用于選擇掃描線，用被選擇了的掃描線來選擇放電單元的地址期間；以及通過放電次數(shù)來實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)的維持期間。例如，在打算以256灰度等級(jí)來顯示圖像的場(chǎng)合，如圖1所示，作為1/60秒的幀期間(16.67ms)要分成8個(gè)子場(chǎng)(SF1至SF8)。8個(gè)子場(chǎng)(SF1至SF8)各自如上所述，要分成初期化期間、地址期間和維持期間。各子場(chǎng)的初期化期間和地址期間對(duì)于各個(gè)子場(chǎng)都相同，而維持期間及其被分配的維持脈沖的數(shù)對(duì)于各子場(chǎng)則按2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比例增加。
圖2概略地表示現(xiàn)有3電極交流面放電型等離子體顯示器裝置(Plasma Display Panel以下稱為“PDP”)的電極配置。
參照?qǐng)D2，現(xiàn)有3電極交流面放電型PDP具有在上板上形成的掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)；以及與掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)正交地在下板上形成的地址電極(X1至Xm)。
用于表示紅色、綠色和藍(lán)色中的任意一種的放電單元1以矩陣方式配置在掃描電極(Y1至Yn)、維持電極(Z)和地址電極(X1至Xm)的交叉部。
在形成了掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)的上板上層積了未圖示的電介質(zhì)層和MgO保護(hù)層。
在形成了地址電極(X1至Xm)的下板上，在鄰接的放電單元1間形成了防止光學(xué)、電干擾的間壁。在下板和間壁的表面上形成了由紫外線激勵(lì)而放出可見光的熒光體。
在這樣的PDP的上板和下板之間的放電空間中注入了He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Ne等惰性混合氣體。
圖3表示提供給圖2所示的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。對(duì)圖3的驅(qū)動(dòng)波形，結(jié)合圖4a至圖4e的壁電荷的分布進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D3，各個(gè)子場(chǎng)(SFn-1，SFn)包含用于對(duì)全畫面的放電單元1進(jìn)行初期化的復(fù)位期間(RP)；用于選擇放電單元的地址期間(AP)；用于維持被選擇了的放電單元1的放電的維持期間(SP)；以及用于消去放電單元1內(nèi)的壁電荷的消去期間(EP)。
在第n-1個(gè)子場(chǎng)(SFn-1)的消去期間(EP)向維持電極(Z)施加消去斜(ランプ)波形(ERR)。在該消去期間(EP)向掃描電極(Y)和地址電極(X)施加0V。消去斜波形(ERR)是電壓從0V逐漸上升到正極性的維持電壓(Vs)的正斜波形。根據(jù)該消去斜波形(ERR)，在產(chǎn)生了維持放電的接通單元(On-cells)內(nèi)，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生消去放電。結(jié)果，各放電單元1就會(huì)在緊接消去期間(EP)之后具有圖4a所示的壁電荷分布。
在第n個(gè)子場(chǎng)(SFn)開始的復(fù)位期間(RP)的建立(セツトアツプ)期間(SU)，向所有掃描電極(Y)施加正斜波形(PR)，向維持電極(Z)和地址電極(X)施加0[V]。根據(jù)建立期間(UP)的正斜波形(PR)，掃描電極(Y)上的電壓從正極性的維持電壓(Vs)逐漸上升到比其高的復(fù)位電壓(Vr)。根據(jù)該正斜波形(PR)，在全畫面的放電單元內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間產(chǎn)生幾乎不產(chǎn)生光的暗放電(Dark discharge)，并且在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間也產(chǎn)生暗放電。由于這樣的暗放電的結(jié)果，緊接建立期間(SU)之后，如圖4b所示，在地址電極(X)和維持電極(Z)上就會(huì)殘留正極性的壁電荷，在掃描電極(Y)上就會(huì)殘留負(fù)極性的壁電荷。在建立期間(SU)，在暗放電產(chǎn)生的過程中，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓(Gap voltage，Vg)和在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓被初期化為與能引起放電的放電啟動(dòng)電壓(Firing Voltage，Vf)接近的電壓。
接著建立期間(SU)，在復(fù)位期間(RP)的撤除(セツトダウン)期間(SD)，向掃描電極(Y)施加負(fù)斜波形(NR)。與此同時(shí)，向維持電極(Z)施加正極性的維持電壓(Vs)，向地址電極(X)施加0[V]。根據(jù)負(fù)斜波形(NR)，掃描電極(Y)上的電壓從正極性的維持電壓(Vs)逐漸降低到負(fù)極性的消去電壓(Ve)。根據(jù)該負(fù)斜波形(NR)，在全畫面的放電單元內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間產(chǎn)生暗放電的話，幾乎同時(shí)，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間也會(huì)產(chǎn)生暗放電。由于該撤除期間(SD)的暗放電的結(jié)果，各放電單元1內(nèi)的壁電荷分布，如圖4c所示，就會(huì)成為可尋址的條件。這時(shí)，在各放電單元1內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)上消去對(duì)地址放電無用的過度壁電荷，會(huì)殘留一定量的壁電荷。并且，隨著維持電極(Z)上的壁電荷由從掃描電極(Y)移動(dòng)的負(fù)極性壁電荷積累起來，其極性就從正極性反轉(zhuǎn)到負(fù)極性。在復(fù)位期間(RP)的撤除期間(SD)，在暗放電產(chǎn)生的過程中，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓和在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓就會(huì)接近放電啟動(dòng)電壓(Vf)。
在地址期間(AP)，依次向掃描電極(Y)施加負(fù)極性的掃描脈沖(-SCNP)，并且與該掃描脈沖(-SCNP)同步而向地址電極(X)施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖(DP)。掃描脈沖(-SCNP)的電壓是0V或從與其接近的負(fù)極性掃描偏置基準(zhǔn)電壓(Vyb)降低到負(fù)極性的掃描電壓(-Vy)的掃描電壓(Vsc)。數(shù)據(jù)脈沖(DP)的電壓是正極性數(shù)據(jù)電壓(Va)。在該地址期間(AP)，向維持電極(Z)提供比正極性維持電壓(Vs)低的正極性Z偏置電壓(Vzb)。在緊接復(fù)位期間(RP)之后，在與放電啟動(dòng)電壓(Vf)接近的狀態(tài)下調(diào)整了間隙電壓的狀態(tài)下，在被施加掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)的接通單元(On-cells)內(nèi)，隨著掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓超過放電啟動(dòng)電壓(Vf)，在該電極(Y，X)間就會(huì)產(chǎn)生1次地址放電。此處，掃描電極(Y)和地址電極(X)的1次地址放電在離掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙遠(yuǎn)的邊緣附近產(chǎn)生。掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的1次地址放電使放電單元內(nèi)的啟動(dòng)荷電粒子產(chǎn)生，如圖4d所示，誘導(dǎo)掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的2次放電。產(chǎn)生了地址放電的接通單元內(nèi)的壁電荷分布如圖4e所示。
另一方面，不產(chǎn)生地址放電的關(guān)斷單元(Off-cells)內(nèi)的壁電荷分布實(shí)質(zhì)上維持圖4c的狀態(tài)。
在維持期間(SP)，向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交替施加正極性維持電壓(Vs)的維持脈沖(SUSP)。于是，通過地址放電而被選擇了的接通單元受到圖4e的壁電荷分布的幫助，按每個(gè)維持脈沖(SUSP)在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生維持放電。與此相反，關(guān)斷單元在維持期間不產(chǎn)生放電。這是因?yàn)椋P(guān)斷單元的壁電荷分布維持圖4c的狀態(tài)，因而在向掃描電極(Y)施加最初的正極性維持電壓(Vs)時(shí)，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓不會(huì)超過放電啟動(dòng)電壓(Vf)。
然而，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，為了減小等高噪聲(contournoise)等畫質(zhì)量降低的主要原因，對(duì)于使子場(chǎng)數(shù)增加了的PDP、伴隨線數(shù)的增加的高分辨率PDP或放電延遲大的高含量Xe PDP等，地址期間增加，作為顯示期間的維持期間變得相對(duì)不足，這是存在問題。為了減小地址期間，有人提出了不以依次對(duì)全線進(jìn)行掃描的單掃描方式來驅(qū)動(dòng)PDP，而是2分割驅(qū)動(dòng)地址電極(X)，用互相不同的地址驅(qū)動(dòng)集成電路來驅(qū)動(dòng)被分割了的地址電極(X)的雙掃描方式，不過，這樣的雙掃描方式由于驅(qū)動(dòng)集成電路的追加，電路費(fèi)用上升，在分割線上有噪音出現(xiàn)，這是存在問題。還有，有人提出了不分割地址電極，而是使掃描脈沖一部分重復(fù)，同時(shí)掃描多條線的雙重掃描方式，不過，該雙重掃描方式存在分辨率降低的問題。還有，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，如圖4d所示，地址放電包含在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的1次放電和利用了該1次放電的掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的2次放電，因而為此花費(fèi)的時(shí)間比較長(zhǎng)。因此，對(duì)于現(xiàn)有等離子體顯示器裝置，根據(jù)地址放電的放電機(jī)理，地址期間也會(huì)變長(zhǎng)。
還有，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，隨著經(jīng)過第n-1個(gè)子場(chǎng)(SFn-1)的消去期間(EP)和第n個(gè)子場(chǎng)(SFn)的復(fù)位期間(RP)，為了放電單元1的初期化和壁電荷控制而產(chǎn)生數(shù)次放電，因而暗室對(duì)比度值就會(huì)變低，因而，對(duì)比度比就會(huì)變低，這是存在的問題。下列表1整理好了在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中在現(xiàn)有子場(chǎng)(SFn-1)的消去期間(EP)和復(fù)位期間(RP)產(chǎn)生的放電的方式和次數(shù)。
表1 從表1可知，在第n-1個(gè)子場(chǎng)(SFn-1)到達(dá)了的接通單元中隨著經(jīng)過消去期間(EP)和復(fù)位期間(RP)，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的面放電產(chǎn)生3次，掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的相對(duì)放電產(chǎn)生2次。并且，在現(xiàn)有子場(chǎng)(SFn)消了的關(guān)斷單元中隨著經(jīng)過消去期間(EP)和復(fù)位期間(RP)，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的面放電產(chǎn)生2次，掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的相對(duì)放電產(chǎn)生2次。
這樣，在消去期間和復(fù)位期間產(chǎn)生數(shù)次的放電，在考慮到對(duì)比度的特性時(shí)，在可能的限度內(nèi)使在發(fā)光量必須被最小化的消去期間和復(fù)位期間的發(fā)光量增大，成為使暗室對(duì)比度值降低的原因。特別是，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的面放電與掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的相對(duì)放電相比，光的發(fā)光量多，因而與相對(duì)放電相比，會(huì)給暗室對(duì)比度帶來更大的不良影響。
還有，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，在第n-1個(gè)子場(chǎng)(SFn-1)的消去期間(EP)，壁電荷的消去不能很好地進(jìn)行，因此，在掃描電極(Y)上過剩積蓄了負(fù)極性壁電荷，所以在第n個(gè)子場(chǎng)(SFn)的建立期間(SU)不產(chǎn)生暗放電。這樣，如果在建立期間(SU)未正常地產(chǎn)生暗放電，放電單元就會(huì)異常地不進(jìn)行初期化。對(duì)于在建立期間(SU)的暗放電前在掃描電極(Y)上積累了過度的負(fù)極性壁電荷的放電單元，為了在建立期間(SU)間穩(wěn)定地產(chǎn)生放電，復(fù)位電壓(Vr)必須非常高。還有，如果在建立期間(SU)不產(chǎn)生暗放電，在緊接復(fù)位期間之后，放電單元內(nèi)的條件就不會(huì)成為地址最適合條件，因而就會(huì)產(chǎn)生異常放電、誤放電。再有，在緊接第n-1個(gè)子場(chǎng)(SFn-1)的消去期間(EP)之后在掃描電極(Y)上過剩積蓄了正極性壁電荷的場(chǎng)合，在第n個(gè)子場(chǎng)(SFn)的建立期間(SU)作為正斜(PR)的啟動(dòng)電壓的正極性維持電壓(Vs)被施加于掃描電極(Y)時(shí)，放電就會(huì)很強(qiáng)地產(chǎn)生，在全單元初期化就不會(huì)均勻。對(duì)這樣的問題，結(jié)合圖5詳細(xì)進(jìn)行說明。
圖5表示在建立期間(SU)，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的外部施加電壓(Vyz)和放電單元內(nèi)的間隙電壓(Vg)。此處，圖5中以實(shí)線表示的外部施加電壓(Vyz)是施加于各個(gè)掃描電極(Y)和維持電極(Z)的外部電壓，向維持電極(Z)施加0V，實(shí)際上與正斜波形(PR)的電壓相同。在圖5中，①、②、③的虛線是由放電單元內(nèi)的壁電荷對(duì)放電氣體形成的間隙電壓(Vg)。由于放電單元內(nèi)的壁電荷量隨現(xiàn)有子場(chǎng)是否引起了放電而變化，因而間隙電壓(Vg)如①、②、③的虛線所示而變化。掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的外部施加電壓(VyZ)和對(duì)放電單元內(nèi)的放電氣體形成了的間隙電壓(Vg)的關(guān)系如下列的算式1。
算式1Vyz＝Vg+Vw在圖5中，①的間隙電壓(Vg)是在放電單元內(nèi)壁電荷被充分消去，壁電荷充分小的情況，該間隙電壓(Vg)從與外部施加電壓(VyZ)成比例增加起，到達(dá)放電啟動(dòng)電壓(Vf)的話，就會(huì)產(chǎn)生暗放電。由于該暗放電，放電單元內(nèi)的間隙電壓就被初期化為與放電啟動(dòng)電壓(Vf)接近的電壓。
在圖5中，②的間隙電壓(Vg)是在第n-1個(gè)子場(chǎng)(SF)的消去期間(EP)產(chǎn)生強(qiáng)放電，放電單元內(nèi)的壁電荷分布使壁電荷的極性反轉(zhuǎn)了的情況。這時(shí)，在緊接消去期間(EP)之后在掃描電極(Y)上積累了的壁電荷的極性由于強(qiáng)放電而反轉(zhuǎn)為正極性。在圖5中，在②的場(chǎng)合，放電單元的均勻度低，或者由于溫度變化，消去斜波形(ERR)的傾斜度變動(dòng)而容易產(chǎn)生。在圖5中，在②的場(chǎng)合，初期間隙電壓(Vg)比較高，因而在建立期間(SU)的初期，正極性維持電壓(Vs)施加于掃描電極(Y)上的話，幾乎同時(shí)，間隙電壓(Vg)超過放電啟動(dòng)電壓(Vf)，產(chǎn)生強(qiáng)放電。由于這樣的強(qiáng)放電，在建立期間(SU)和撤除期間(SD)，放電單元不會(huì)初期化為地址最適合的條件的壁電荷分布，即圖4c的壁電荷分布，因而會(huì)在必須消失的關(guān)斷單元中產(chǎn)生地址放電。即，在復(fù)位期間之前的消去期間，在很強(qiáng)地產(chǎn)生消去放電的場(chǎng)合，會(huì)產(chǎn)生誤放電。
在圖5中，③的間隙電壓(Vg)是原樣維持了在第n-1個(gè)子場(chǎng)(SF)的消去期間(EP)，消去放電不產(chǎn)生，或者非常弱地產(chǎn)生，由在緊接消去放電之前產(chǎn)生了的維持放電的結(jié)果形成了的放電單元內(nèi)的壁電荷分布的情況。具體而言，如圖3所示，最后的維持放電在向掃描電極(Y)施加維持脈沖(SUSP)時(shí)產(chǎn)生。該最后的維持放電的結(jié)果，在掃描電極(Y)上就會(huì)殘留負(fù)極性壁電荷，在維持電極(Z)上就會(huì)殘留正極性壁電荷，不過，這樣的壁電荷，為了下一子場(chǎng)能正常進(jìn)行初期化，必須通過消去放電而消去。然而，如果在最后的維持放電以后不產(chǎn)生消去放電，或者非常弱地產(chǎn)生消去放電，其極性就維持原樣。這樣，消去放電不產(chǎn)生或者非常弱地產(chǎn)生的理由是，由于在PDP中放電單元的均勻度低或者溫度變化，消去斜波形(ERR)的傾斜度就會(huì)變動(dòng)而產(chǎn)生。在該場(chǎng)合，初期間隙電壓(Vg)如圖5的③所示，為負(fù)極性，非常低，因而在建立期間，即使正斜波形(PR)上升到復(fù)位電壓(Vr)，放電單元內(nèi)的間隙電壓(Vg)也達(dá)不到放電啟動(dòng)電壓(Vf)，因而在建立期間(SU)和撤除期間(SD)不產(chǎn)生暗放電。結(jié)果，在復(fù)位期間(RP)之前的消去期間不產(chǎn)生消去放電，或者非常弱地產(chǎn)生的場(chǎng)合，初期化不能正常進(jìn)行，因而誤放電和異常放電就會(huì)產(chǎn)生。
在圖5的②場(chǎng)合，間隙電壓(Vg)和放電啟動(dòng)電壓的關(guān)系如算式2所示，在圖5的③的場(chǎng)合，間隙電壓(Vg)和放電啟動(dòng)電壓的關(guān)系如算式3所示。
算式2Vgini+Vs＞Vf算式3Vgini+Vr＜Vf此處，從圖5可知，Vgini是緊接建立期間(SU)開始之前的初期間隙電壓。
考慮到上述問題，用于在消去期間(EP)和復(fù)位期間(RP)初期正常進(jìn)行的間隙電壓條件(或壁電壓條件)是共同滿足算式2和3的下列算式4。
算式4Vf-Vr＜Vgini＜Vf-Vs結(jié)果，如果在建立期間(SU)前，初期間隙電壓(Vgini)必須滿足算式4的條件的話，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，誤放電、錯(cuò)誤放電或異常放電就會(huì)產(chǎn)生，動(dòng)作余量變窄。換句話說，對(duì)于現(xiàn)有等離子體顯示器裝置，為了確保動(dòng)作可靠性和動(dòng)作余量，在消去期間(EP)的消去動(dòng)作必須正常進(jìn)行，但是如上所述，由于PDP的放電單元的均勻度、使用溫度，就會(huì)變得異常。
還有，現(xiàn)有等離子體顯示器裝置在復(fù)位期間的現(xiàn)有掃描電極(Y)和維持電極(Z)上積累的壁電荷不充分，因而建立放電就會(huì)在比維持電壓(Vs)高100V以上的復(fù)位電壓(Vr)附近產(chǎn)生。因此，現(xiàn)有等離子體顯示器裝置為了建立放電，從外部所施加的電壓就會(huì)提高，結(jié)果，在產(chǎn)生高電壓的電壓源和掃描驅(qū)動(dòng)電路中必須包含高壓元件，因而掃描驅(qū)動(dòng)電路的成本高，這是存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的，目的在于提供一種防止誤放電，使子場(chǎng)的長(zhǎng)度縮短，適合于單掃描方式的等離子體顯示器裝置。
本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第1特征在于，包含包含了第1電極和第2電極的電極對(duì)和與上述電極對(duì)交叉的第3電極、向上述各電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1電極驅(qū)動(dòng)部、第2電極驅(qū)動(dòng)部和第3電極驅(qū)動(dòng)部而構(gòu)成，上述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形。
此處，上述基底電壓是地電壓及以下的一定的電壓。
在上述復(fù)位期間所施加的斜上行波形是具有2段傾斜度而上升的波形。
在上述斜上行之后下降到基底電壓的波形在下降到維持電壓之后，以一定時(shí)間維持上述維持電壓后，下降到上述基底電壓。
還有，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第2特征在于，包含多個(gè)第1電極和向上述第1電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1電極驅(qū)動(dòng)部而構(gòu)成，上述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形，在地址期間施加掃描脈沖，但是從上述斜上行波形結(jié)束時(shí)點(diǎn)起，經(jīng)過3μs～10μs后，施加最初的掃描脈沖。
還有，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，是具有包含了第1電極和第2電極的面放電電極對(duì)、與上述電極對(duì)交叉的第3電極以及配置在上述電極的交叉部的多個(gè)放電單元的等離子體顯示器裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包含在預(yù)建期間向上述第1電極施加負(fù)極性電壓，向上述第2電極施加正極性電壓的第1步驟和在與上述預(yù)建期間相連的復(fù)位期間向上述第1電極施加從地電壓斜上行到復(fù)位電壓之后，不斜下行地立刻下降到基底電壓的波形，對(duì)放電單元進(jìn)行初期化的第2步驟而構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示器裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，提供一種使復(fù)位期間縮短，把相應(yīng)期間分配給地址期間，適合于單掃描驅(qū)動(dòng)方式的等離子體顯示器裝置，具有預(yù)防誤放電和異常放電，提高暗室對(duì)比度的效果。


圖1是表示一般的等離子體顯示器裝置中表現(xiàn)灰度等級(jí)的方法的圖。
圖2是表示一般的等離子體顯示器裝置的電極配置的圖。
圖3是表示一般的等離子體顯示器裝置的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
圖4a到4e是表示圖3的驅(qū)動(dòng)波形所造成的放電單元內(nèi)的壁電荷分布的圖。
圖5是表示現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中放電單元內(nèi)的間隙電壓的變化的圖。
圖6是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
圖7a到7c是表示本發(fā)明的在地址期間維持電極驅(qū)動(dòng)波形的圖。
圖8a到8d是表示圖6的驅(qū)動(dòng)波形所造成的放電單元內(nèi)的壁電荷分布的圖。
圖9是表示本發(fā)明的等離子體顯示器裝置中復(fù)位期間和地址期間之間的轉(zhuǎn)移期間的圖。
圖10是表示現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中復(fù)位期間和地址期間之間的轉(zhuǎn)移期間的圖。
圖11是表示根據(jù)圖6的驅(qū)動(dòng)波形在建立期間前形成了的放電單元內(nèi)的壁電荷分布和間隙電壓的圖。
圖12是表示本發(fā)明的等離子體顯示器裝置中放電單元內(nèi)的間隙電壓的變化的圖。
圖13是表示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)波形所造成的在消去期間和復(fù)位期間維持電極上的壁電荷極性變化的圖。
圖14是表示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)波形所造成的在復(fù)位期間維持電極上的壁電荷極性變化的圖。
圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體顯示器裝置的構(gòu)成的框圖。
圖16是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法的順序圖。
具體實(shí)方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的實(shí)施方式。
此處，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的實(shí)施方式有多種，因而不受本說明書記載的實(shí)施方式限定。
本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第1實(shí)施方式，包含包含了第1電極和第2電極的電極對(duì)和與上述電極對(duì)交叉的第3電極、向上述各電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)第1電極驅(qū)動(dòng)部、第2電極驅(qū)動(dòng)部和第3電極驅(qū)動(dòng)部而構(gòu)成，上述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形。
上述第1電極是掃描電極，第2電極是維持電極，第3電極是地址電極。
圖6表示在本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的等離子體顯示器裝置中，在1個(gè)子場(chǎng)期間，向各電極施加的驅(qū)動(dòng)波形。對(duì)圖6的驅(qū)動(dòng)波形，結(jié)合圖8a到圖8d的壁電荷分布進(jìn)行說明。
參照?qǐng)D6，在本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置中，1個(gè)子場(chǎng)包含用于在掃描電極(Y)上形成正極性壁電荷，在維持電極(Z)上形成負(fù)極性壁電荷的預(yù)建期間(PRERP)；利用由預(yù)建期間(PRERP)形成了的壁電荷分布，只產(chǎn)生寫入放電，對(duì)全畫面的放電單元進(jìn)行初期化的復(fù)位期間(RP)；選擇放電單元的地址期間(AP)；以及維持被選擇了的放電單元的放電的維持期間(SP)。
在上述預(yù)建期間(PRERP)，第2電極驅(qū)動(dòng)部向維持電極(Z)施加正極性維持電壓(Vs)，并且第1電極驅(qū)動(dòng)部向掃描電極(Y)施加從地電壓(GND)變低到負(fù)極性的V1電壓的負(fù)斜波形(NRY1)。
在上述預(yù)建期間(PRERP)間，第3電極驅(qū)動(dòng)部向地址電極(X)施加地電壓(0V)。向維持電極(Z)提供的維持電壓(Vs)和向掃描電極(Y)提供的負(fù)斜波形(NRY)在全放電單元在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間和維持電極(Z)和地址電極(X)之間引起暗放電。由于該放電的結(jié)果，緊接上述預(yù)建期間(PRERP)之后在全放電單元內(nèi)如圖8a所示，在掃描電極(Y)上就會(huì)積累正極性壁電荷，在維持電極(Z)上就會(huì)大量積累負(fù)極性壁電荷。并且，在地址電極(X)上就會(huì)積累正極性壁電荷。由于圖8a的壁電荷分布，在全放電單元的內(nèi)部放電氣體空間，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間就會(huì)形成充分大的正間隙電壓，各放電單元內(nèi)部從掃描電極(Y)向維持電極(Z)側(cè)形成電場(chǎng)。
在上述復(fù)位期間(RP)，向掃描電極(Y)連續(xù)施加第1正斜波形(PRY1)和第2正斜波形(PRY2)，向維持電極(Z)和地址電極(X)施加地電壓(0V)。第1正斜波形(PRY1)的電壓從0V上升到正極性維持電壓(Vs)，第2正斜波形(PRY2)的電壓從正極性維持電壓(Vs)上升到比其高的正極性復(fù)位電壓(Vry)。第2正斜波形(PRY2)的傾斜度比第1正斜波形(PRY1)緩慢。施加第1和第2正斜波形(PRY1，PRY2)的話，隨著圖8a的壁電荷分布增加，在全放電單元，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間和掃描電極(Y)和地址電極(X)之間，就會(huì)產(chǎn)生暗放電。由于該放電的結(jié)果，緊接建立期間(SU)之后在全放電單元內(nèi)，如圖8b所示，隨著在掃描電極(Y)上積累負(fù)極性壁電荷，其極性就從正極性反轉(zhuǎn)為負(fù)極性，在地址電極(X)上就會(huì)進(jìn)一步積累正極性壁電荷。并且，在維持電極(Z)上積累的壁電荷隨著在掃描電極(Y)側(cè)負(fù)極性壁電荷減小，其量降低一部分，不過，其極性維持為負(fù)極性。
本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，在復(fù)位期間(RP)沒有撤除期間，通過利用了正斜波形(PRY1，PRY2)的放電而形成了壁電荷之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓(Vyb)之后，立刻轉(zhuǎn)移到地址期間(RP)。
此處，上述基底電壓(Vyb)可以設(shè)定為地電壓或比地電壓低的一定電壓。
還有，上述基底電壓(Vyb)在地址期間(AP)成為掃描基準(zhǔn)電壓。
這時(shí)，在下降到上述基底電壓(Vyb)時(shí)，首先一次性地下降到維持電壓(Vs)之后，以一定的短時(shí)間維持上述維持電壓，使其下降到上述基底電壓。如上所述，使電壓不急劇減小，而是逐漸降低，防止無用的誤放電。
另一方面，由于緊接預(yù)建期間(PRERP)之后的壁電荷分布，在建立期間(SU)在暗放電產(chǎn)生之前在放電單元內(nèi)正間隙電壓充分大，因而向掃描電極(Y)施加的復(fù)位電壓(Vr)可以比圖3所示的現(xiàn)有復(fù)位電壓(Vr)低。在緊接建立放電之前，如圖8a所示，使放電單元的壁電荷分布進(jìn)行了初期化，實(shí)驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)，建立放電在放電單元中在維持電壓(Vs)以下的電壓，即在第1正斜波形(PRY1)區(qū)間以弱放電產(chǎn)生的事實(shí)。因此，在圖6的驅(qū)動(dòng)波形中不需要第2正斜波形(PRY2)，在建立期間(SU)向掃描電極(Y)施加的電壓，根據(jù)第1正斜波形(PRY1)，只上升到維持電壓(Vs)，也能穩(wěn)定地產(chǎn)生放電。
隨著經(jīng)過預(yù)建期間(PRERP)和建立期間(SU)，在地址電極(X)上就會(huì)充分積累正極性壁電荷，因而本發(fā)明能在地址放電時(shí)，降低必要的外部施加電壓，即數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓的絕對(duì)值。
在地址期間(AP)依次向掃描電極(Y)施加負(fù)極性的掃描脈沖(-SCNP)，并且與該掃描脈沖(-SCNP)同步而向地址電極(X)施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖(DP)。掃描脈沖(-SCNP)的電壓為0V或從與其接近的負(fù)極性掃描基準(zhǔn)電壓(Vyb)變低到負(fù)極性的掃描電壓(-Vy)的掃描電壓(Vsc)。數(shù)據(jù)脈沖(DP)的電壓是正極性數(shù)據(jù)電壓(Va)。
在上述地址期間(AP)，向維持電極(Z)提供如圖7a所示比正極性維持電壓(Vs)低的正極性Z偏壓電壓(VZb)。上述偏壓電壓可以具有如圖7b所示，從地電壓到上述偏壓電壓按2段分階段上升的波形，或如圖7c所示，斜上行到一定時(shí)點(diǎn)后，垂直上升到上述偏壓電壓的波形。由于具有上述波形，就能防止在偏壓電壓施加的初期產(chǎn)生的突然的電壓差所造成的無用的誤放電。
在掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)被施加的接通單元內(nèi)，隨著掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓超過放電啟動(dòng)電壓(Vf)，只在該電極(Y，X)間產(chǎn)生地址放電。換句話說，在地址放電時(shí)，在接通單元內(nèi)，如圖8c所示，只在掃描電極(Y)和地址電極(X)間產(chǎn)生放電。在緊接產(chǎn)生了地址放電之后，接通單元內(nèi)的壁電荷分布由于地址放電而在掃描電極(Y)上積累正極性壁電荷，在地址電極(X)上積累負(fù)極性壁電荷而變?yōu)槿鐖D8d所示的情況。
對(duì)于地址電極(X)上施加0V或基底電壓，或掃描電極(Y)上施加0V、掃描基準(zhǔn)電壓(Vyb)的關(guān)斷單元，間隙電壓小于放電啟動(dòng)電壓。因此，對(duì)于未產(chǎn)生地址放電的關(guān)斷單元，其壁電荷分布實(shí)質(zhì)上維持圖8b的狀態(tài)。
在地址放電時(shí)，如圖8c所示，只在掃描電極(Y)和地址電極(X)間產(chǎn)生放電，因而地址放電所必要的時(shí)間就會(huì)大幅度減小。還有，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置沒有在用于產(chǎn)生消去放電的撤除期間所施加的負(fù)斜波形，因而地址期間就會(huì)大幅度減小。以前，如圖10所示，從撤除期間的開始到緊接掃描脈沖施加之前花費(fèi)的時(shí)間為150μs～200μs的程度，而本發(fā)明如圖9所示，由于沒有撤除期間，復(fù)位期間(RP)縮短到3μs～10μs的程度。
例如，根據(jù)本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，如圖9所示，從第2正斜波形(PRY2)的結(jié)束時(shí)點(diǎn)到最初的掃描脈沖的開始點(diǎn)間的期間是大致3μs～10μs之間的期間，例如，只不過是大致5μs，而根據(jù)現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)方法，從正斜波形(PR)的結(jié)束時(shí)點(diǎn)到最初的掃描脈沖的開始點(diǎn)之間的期間如圖10所示，為150μs以上，非常長(zhǎng)。
以前，在單掃描驅(qū)動(dòng)方式的場(chǎng)合，面板的分辨率越高，地址期間越長(zhǎng)，地址期間長(zhǎng)的話，由于1個(gè)子場(chǎng)的長(zhǎng)度是固定的，因而必須相對(duì)地縮短維持期間。然而，如果維持期間縮短，用于表現(xiàn)一定的灰度等級(jí)的維持脈沖就不能充分施加，這是存在的問題。
而在本發(fā)明中，在單掃描驅(qū)動(dòng)方式的場(chǎng)合，地址期間的長(zhǎng)度比雙重掃描方式相對(duì)長(zhǎng)些，因而可以按在上述復(fù)位期間被縮短了的時(shí)間而在地址期間和維持期間進(jìn)行分配。
在維持期間(SP)向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交替施加正極性維持電壓(Vs)的維持脈沖(FIRSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)。在維持期間(SP)，向地址電極(X)提供0V或基底電壓。向各個(gè)掃描電極(Y)和維持電極(Z)最初施加的維持脈沖(FSTSUSP)為使維持放電啟動(dòng)成為穩(wěn)定的，其脈沖寬度比正常維持脈沖(SUSP)設(shè)定得寬。還有，最后的維持脈沖(LSTSUSP)施加于維持電極(Z)，不過，為了在建立期間(SU)的初期狀態(tài)下在維持電極(Z)上充分積累負(fù)極性壁電荷，其脈沖寬度比正常維持脈沖(SUSP)設(shè)定得寬。在該維持期間，通過地址放電而被選擇了的接通單元受到圖8d的壁電荷分布的幫助，按每個(gè)維持脈沖(SUSP)在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生維持放電。與此相反，關(guān)斷單元因?yàn)榫S持期間(SP)的初期壁電荷分布與圖8b相同，所以即使施加維持脈沖(FIRSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)，其間隙電壓也維持得很低，小于放電啟動(dòng)電壓(Vf)，不產(chǎn)生放電。
另一方面，圖6的驅(qū)動(dòng)波形不只限于最初的子場(chǎng)，而是可適用于包含了該最初的子場(chǎng)的多個(gè)初期子場(chǎng)，可適用于1幀期間所包含了的所有子場(chǎng)。
另一方面，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，在第n-1個(gè)子場(chǎng)的維持期間及其下面的第n個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位期間沒有用于消去壁電荷的消去期間，接著現(xiàn)有子場(chǎng)的最后的維持放電之后立刻轉(zhuǎn)移到下面的子場(chǎng)的建立期間。維持放電是強(qiáng)的輝光放電(Glow discharge)，因而在掃描電極(Y)和維持電極(Z)上會(huì)充分積累多的壁電荷，能穩(wěn)定維持掃描電極(Y)上的正極性壁電荷和維持電極(Z)上的負(fù)極性壁電荷各自的極性。
圖11是表示由于與第n-1個(gè)子場(chǎng)相連的最后的維持放電、預(yù)建期間(PRERP)的放電而形成的放電單元的間隙電壓狀態(tài)的圖。
參照?qǐng)D11，由于最后的維持脈沖(LSTSUSP)、預(yù)建期間(PRERP)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(NRY，Vs)，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間就會(huì)產(chǎn)生放電，在放電單元內(nèi)在緊接建立期間(SU)之前會(huì)形成從掃描電極(Y)到維持電極(Z)的電場(chǎng)所造成的Y-Z間初期問隙電壓(Vgini-yz)，并且會(huì)形成從掃描電極(Y)到地址電極(X)的Y-Z間初期間隙電壓(Vgini-yx)。
如圖11所示，放電單元因?yàn)樵诮⑵陂g(SU)前已經(jīng)形成了Y-Z間初期間隙電壓(Vgini-yz)，所以如果按放電啟動(dòng)電壓(Vf)和在Y-Z間初期間隙電壓(Vgini-yz)的差而從外部施加電壓的話，在建立期間(SU)，在放電單元內(nèi)就會(huì)產(chǎn)生暗放電。將其以算式表示為下列的算式5。
算式5Vyz≥Vf-(Vgini-yz)此處、′Vyz′是在建立期間(SU)施加于掃描電極(Y)和維持電極(Z)的外部電壓(以下稱為“Y-Z間外部電壓”)，即在圖6的實(shí)施方式中施加于掃描電極(Y)的正斜波形(PRY1，PRY2)的電壓和施加于維持電極(Z)的0V。
從算式5和圖12可知，如果在建立期間(SU)，Y-Z間外部電壓(Vyz)充分高，高于放電啟動(dòng)電壓(Vf)和Y-Z間初期間隙電壓(Vgini-yz)的差的話，就能以大的驅(qū)動(dòng)余量在面放電單元內(nèi)穩(wěn)定地產(chǎn)生暗放電。
在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體顯示器裝置中，按各子場(chǎng)，在復(fù)位期間產(chǎn)生的發(fā)光量與以前相比，變得非常小。這是因?yàn)樵诟髯訄?chǎng)的復(fù)位期間，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生的放電的次數(shù)比以前少，特別是面放電的次數(shù)少，沒有負(fù)斜波形所涉及的消去放電。
另一方面，在復(fù)位期間(RP)產(chǎn)生的放電的次數(shù)少是指在放電單元內(nèi)壁電荷的變動(dòng)、極性變化小。例如，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，如圖13所示，從緊接第n-1個(gè)子場(chǎng)的最后的維持放電之后到緊接第n個(gè)子場(chǎng)的撤除期間(SD)的暗放電之后，維持電極(Z)上的壁電荷的極性按正極性->消去(圖4a)->正極性(圖4b)->負(fù)極性(圖4c)而變。相比之下，在本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置中，如圖14所示，從第n-1個(gè)子場(chǎng)的緊接最后的維持放電之后到緊接第n個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位期間之后，維持電極(Z)上的壁電荷極性維持為負(fù)極性。即，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置在初期化過程中維持電極(X)上的壁電荷的極性如圖8a、圖8b和圖8c的所示，得以維持而轉(zhuǎn)移到地址期間(AP)。
圖15是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體顯示器裝置的框圖。
參照?qǐng)D15，本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體顯示裝置具有PDP140；用于向PDP140的地址電極(X1至Xm)提供數(shù)據(jù)的作為第3電極驅(qū)動(dòng)部的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部142；用于驅(qū)動(dòng)PDP140的掃描電極(Y1至Yn)的作為第1電極驅(qū)動(dòng)部的掃描驅(qū)動(dòng)部143；用于驅(qū)動(dòng)PDP140的維持電極(Z)的作為第2電極驅(qū)動(dòng)部的維持驅(qū)動(dòng)部144；用于控制上述各驅(qū)動(dòng)部142、143、144的定時(shí)控制器141；以及用于產(chǎn)生上述各驅(qū)動(dòng)部142、143、144所需要的驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生部145。
向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部142提供由未圖示的反伽馬校正電路、誤差擴(kuò)散電路等進(jìn)行反伽馬校正和誤差擴(kuò)散之后，由子場(chǎng)映射電路映射為預(yù)先設(shè)定的子場(chǎng)圖形的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部142，如圖6所示，在預(yù)建期間(PRERP)、復(fù)位期間(RP)和維持期間(SP)向地址電極(X1至Xm)施加0V或基底電壓。還有，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部142在定時(shí)控制器141的控制下對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣、鎖存后，在地址期間(AP)向地址電極(X1至Xm)提供該數(shù)據(jù)。
掃描驅(qū)動(dòng)部143在定時(shí)控制器141的控制下，如圖6所示，為了在預(yù)建期間(PRERP)和復(fù)位期間(RP)對(duì)全放電單元進(jìn)行初期化而向掃描電極(Y1至Yn)提供斜波形(NRY，PRY1，PRY2)之后，為了選擇在地址期間(AP)被提供數(shù)據(jù)的掃描線而依次向掃描電極(Y1至Yn)提供掃描脈沖(SCNP)。并且，掃描驅(qū)動(dòng)部143為了使得能在維持期間(SP)被選擇了的接通單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電而向掃描電極(Y1至Yn)提供維持脈沖(FSTSUSP，SUSP)。
維持驅(qū)動(dòng)部144在定時(shí)控制器141的控制下，如圖6所示，在預(yù)建期間(PRERP)，向維持電極(Z)提供維持電壓(Vs)之后，在地址期間(AP)向維持電極(Z)提供Z偏置電壓(Vzb)。并且，維持驅(qū)動(dòng)部144在維持期間(SP)與掃描驅(qū)動(dòng)部143交替動(dòng)作，向維持電極(Z)提供維持脈沖(FSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)。
定時(shí)控制器141輸入接受垂直/電平同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，產(chǎn)生各驅(qū)動(dòng)部142、143、144所需要的定時(shí)控制信號(hào)(CTRX，CTRY，CTRZ)，向該驅(qū)動(dòng)部142、143、144提供該定時(shí)控制信號(hào)(CTRX，CTRY，CTRZ)，從而控制各驅(qū)動(dòng)部142、143、144。提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部142的定時(shí)控制信號(hào)(CTRX)中包含用于對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行取樣的取樣時(shí)鐘、鎖存控制信號(hào)、用于控制能量回收電路和驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。施加于掃描驅(qū)動(dòng)部143的定時(shí)控制信號(hào)(CTRY)中包含用于控制掃描驅(qū)動(dòng)部143內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。并且，施加于維持驅(qū)動(dòng)部144的定時(shí)控制信號(hào)(CTRZ)中包含用于控制維持驅(qū)動(dòng)部144內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。
上述驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生部145產(chǎn)生向PDP140提供的驅(qū)動(dòng)電壓，即圖6所示的Vry、Vs、-V1、-Vy、Va、Vyb、Vzb等。另一方面，這樣的驅(qū)動(dòng)電壓可以根據(jù)隨PDP140的分辨率、模式等改變的放電特性、放電氣體組成而改變。
圖16是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法的順序圖。參照?qǐng)D16，對(duì)于本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，分成1個(gè)子場(chǎng)的預(yù)建期間、復(fù)位期間、地址期間、維持期間，按各期間進(jìn)行說明。
首先，在預(yù)建期間，向上述第1電極(掃描電極)施加負(fù)極性電壓，向上述第2電極(維持電極)施加正極性電壓(S151)。施加于上述第1電極的負(fù)極性電壓呈從地電壓到上述負(fù)極性電壓進(jìn)行斜下行的波形。如果上述電壓施加于第1電極和第2電極，就會(huì)產(chǎn)生暗放電。如果經(jīng)過上述過程，由于圖8a的壁電荷分布，在全放電單元的內(nèi)部放電氣體空間，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間就會(huì)形成充分大的正間隙電壓，各放電單元內(nèi)部從掃描電極(Y)到維持電極(Z)側(cè)形成電場(chǎng)。
其次，在復(fù)位期間，依次使電壓上升到復(fù)位電壓，施加于第1電極，不過，優(yōu)選的是，按2段傾斜度使之上升到上述復(fù)位電壓。
首先，如果復(fù)位期間開始，就從地電壓到維持電壓按第1傾斜度使電壓上升(S152)，從上述維持電壓到復(fù)位電壓按第2傾斜度使電壓上升(S153)。
上述第2傾斜度比上述第1傾斜度緩慢。即，復(fù)位區(qū)間的前半部?jī)A斜度急劇，后半部?jī)A斜度緩慢。使用在復(fù)位期間的后半部?jī)A斜度緩慢的波形，就能很細(xì)地調(diào)節(jié)壁電荷。
其次，實(shí)質(zhì)上不斜下行地從上述復(fù)位電壓到基底電壓來降低施加電壓(S154)。即，在復(fù)位期間去掉撤除期間，就能確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)的余量。然而，如果從上述復(fù)位電壓到基底電壓使電壓急劇地降低，在地址期間開始時(shí)，施加上述基底電壓的話，就會(huì)產(chǎn)生誤放電。
因此，為了更安全的驅(qū)動(dòng)，可以由上述復(fù)位電壓到上述維持電壓，實(shí)質(zhì)上不斜下行地使電壓下降(S154)，以一定的短時(shí)間維持后(S155)，從上述維持電壓到上述基底電壓，完全使電壓下降(S156)。
上述基底電壓是地電壓或比其低的電平的電壓，在地址期間會(huì)起到掃描基準(zhǔn)電壓的作用。
如上所述，不斜下行地，立刻向地址期間轉(zhuǎn)移。復(fù)位期間結(jié)束時(shí)的壁電荷分布如圖8b所示。
其次，在地址期間向多個(gè)掃描電極依次施加掃描脈沖。如上所述，不斜下行地，立刻使電壓下降到基底電壓，因而復(fù)位期間變短了，從而如圖9所示，縮短了施加最初的掃描脈沖的時(shí)點(diǎn)。
施加最初的掃描脈沖的時(shí)點(diǎn)是上述復(fù)位期間結(jié)束時(shí)，即斜上行波形結(jié)束之后，經(jīng)過大致3μs至10μs后(S157)。例如，施加大致5μs左右上述最初掃描脈沖，與現(xiàn)有至少經(jīng)過150μs后施加最初掃描脈沖的情況相比，可以把其余的145μs以上分配給地址期間。
如上所述，按縮短了的復(fù)位期間分配給地址期間，從而就能補(bǔ)充單掃描驅(qū)動(dòng)方式所必要的長(zhǎng)的地址期間。
與上述掃描脈沖同步，向作為第3電極的地址電極施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖(S158)。在多個(gè)放電單元中，在上述掃描脈沖和上述數(shù)據(jù)脈沖同時(shí)被施加了的單元中就會(huì)產(chǎn)生相對(duì)放電。在這樣的接通單元內(nèi)，掃描電極和地址電極之間的間隙電壓就會(huì)超過放電啟動(dòng)電壓，就會(huì)只在該電極間產(chǎn)生地址放電。
緊接上述地址放電之前的壁電荷分布如圖8c所示。在緊接產(chǎn)生了地址放電之后，如圖8d所示，接通單元內(nèi)的壁電荷分布就會(huì)由于地址放電而在掃描電極上積累正極性壁電荷，在地址電極上積累負(fù)極性壁電荷。
在關(guān)斷單元中，在該單元的掃描電壓和數(shù)據(jù)電壓中某1個(gè)為地電壓，因而掃描電極和地址電極之間的間隙電壓比放電啟動(dòng)電壓低，不產(chǎn)生放電，會(huì)實(shí)質(zhì)上維持圖8b的壁電荷分布。
其次，在維持期間向掃描電極和維持電極交替施加維持脈沖(S159)。最初施加于上述各電極的維持脈沖，其脈沖寬度比以后所施加的正常維持脈沖寬。這是為了使得最初的維持放電更穩(wěn)定且確實(shí)地產(chǎn)生。
還有，最后施加于維持電極的維持脈沖，為了在后來的下一子場(chǎng)的復(fù)位期間的初期狀態(tài)下在維持電極上充分積累負(fù)極性壁電荷，其脈沖寬度比正常維持脈沖設(shè)定得寬。
在該期間，上述接通單元受到圖8d的壁電荷分布的幫助，每當(dāng)施加維持脈沖時(shí)就會(huì)在掃描電極和維持電極之間產(chǎn)生維持放電，以表現(xiàn)與該維持脈沖數(shù)相應(yīng)的灰度等級(jí)。
與此相反，在關(guān)斷單元中，維持期間初期壁電荷的分布與圖8b相同，因而即使施加上述維持脈沖，其間隙電壓也會(huì)維持得小于放電啟動(dòng)電壓，不產(chǎn)生放電。
上述驅(qū)動(dòng)方法可以用于幀的最初的子場(chǎng)，不過，并不限于此，也可以適用于包含該最初的子場(chǎng)的多個(gè)初期子場(chǎng)，可以適用于1幀的所有子場(chǎng)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)以上說明了的內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)進(jìn)行變更，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于說明書的詳細(xì)說明中記載了的內(nèi)容，而是應(yīng)該根據(jù)權(quán)利要求來決定。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含以下部分而構(gòu)成包含了第1電極和第2電極的電極對(duì)和與所述電極對(duì)交叉的第3電極；以及向所述各電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1電極驅(qū)動(dòng)部、第2電極驅(qū)動(dòng)部和第3電極驅(qū)動(dòng)部，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述基底電壓是地電壓或地電壓以下的一定的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述斜上行波形到維持電壓為止具有第1傾斜度而斜上行，在所述維持電壓處，到所述復(fù)位電壓為止具有第2傾斜度而斜上行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第2傾斜度比所述第1傾斜度緩慢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，在所述斜上行之后按基底電壓下降的波形在下降到維持電壓之后，以一定時(shí)間維持所述維持電壓之后，下降到所述基底電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部在所述復(fù)位期間以前的預(yù)建期間，施加負(fù)極性的電壓，所述第2電極驅(qū)動(dòng)部在所述第1電極驅(qū)動(dòng)部施加負(fù)極性電壓的期間，施加正極性的電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部施加從所述基底電壓斜下行到所述負(fù)極性的電壓的波形，所述第2電極驅(qū)動(dòng)部施加以所述正極性的電壓為最高的電位的脈沖方式的波形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述正極性電壓與維持電壓大小相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第2電極驅(qū)動(dòng)部在所述地址期間施加基準(zhǔn)電壓，但是施加從地電壓到所述基準(zhǔn)電壓以2段而階段上升的波形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第2電極驅(qū)動(dòng)部在所述地址期間施加基準(zhǔn)電壓，但是施加按地電壓斜上行到一定時(shí)點(diǎn)后，垂直上升到所述基準(zhǔn)電壓的波形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部在最初的維持脈沖施加時(shí)，施加從所述基底電壓向地電壓階段上升后，上升到維持電壓的波形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述維持脈沖中，最初的維持脈沖的寬度比其余的維持脈沖的寬度寬。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第2電極驅(qū)動(dòng)部施加最后的維持脈沖的寬度比緊接之前所施加的維持脈沖的寬度寬的脈沖。
14.一種等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含多個(gè)第1電極和向所述第1電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1電極驅(qū)動(dòng)部而構(gòu)成，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形，在地址期間施加掃描脈沖，但是從所述斜上行波形結(jié)束時(shí)點(diǎn)起，經(jīng)過3μs～10μs后，施加最初的掃描脈沖。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部從所述斜上行波形結(jié)束時(shí)點(diǎn)起，經(jīng)過約5μs后，施加最初的掃描脈沖。
16.一種等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，是具有包含了第1電極和第2電極的面放電電極對(duì)、與所述電極對(duì)交叉的第3電極以及配置在所述電極的交叉部的多個(gè)放電單元的等離子體顯示器裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于包含以下步驟而構(gòu)成在預(yù)建期間向所述第1電極施加負(fù)極性電壓，向所述第2電極施加正極性電壓的第1步驟；以及在與所述預(yù)建期間相連的復(fù)位期間向所述第1電極施加從地電壓斜上行到復(fù)位電壓之后，不斜下行地立刻下降到起電電壓的波形的第2步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第2步驟包含到維持電壓為止，具有第1傾斜度而斜上行的第1上行過程；以及，從所述維持電壓到所述復(fù)位電壓，具有第2傾斜度而斜上行的第2上行過程。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第2步驟包含從所述復(fù)位電壓下降到所述維持電壓的1次下行過程；以及以一定時(shí)間在維持電壓維持后，下降到所述基底電壓的2次下行過程。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法還包含在所述第2步驟中，從所述斜上行波形結(jié)束時(shí)點(diǎn)起，經(jīng)過3μs～10μs后，施加最初的掃描脈沖的掃描脈沖施加過程。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述掃描脈沖施加過程是在所述第2步驟中，從所述斜上行波形結(jié)束時(shí)點(diǎn)起，經(jīng)過約5μs后，施加最初的掃描脈沖。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止誤放電，使子場(chǎng)的長(zhǎng)度縮短，適合于單掃描方式的等離子體顯示器裝置。本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，包含包含了第1電極和第2電極的電極對(duì)和與所述電極對(duì)交叉的第3電極、向所述各電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1電極驅(qū)動(dòng)部、第2電極驅(qū)動(dòng)部和第3電極驅(qū)動(dòng)部而構(gòu)成，所述第1電極驅(qū)動(dòng)部在復(fù)位期間施加斜上行到復(fù)位電壓之后，實(shí)質(zhì)上不斜下行地下降到基底電壓的波形，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法，包含在預(yù)建期間向所述第1電極施加負(fù)極性電壓，向所述第2電極施加正極性電壓的第1步驟和在與所述預(yù)建期間相連的復(fù)位期間向所述第1電極施加從地電壓斜上行到復(fù)位電壓之后，不斜下行地立刻下降到基底電壓的波形，對(duì)放電單元進(jìn)行初期化的第2步驟而構(gòu)成，提供一種使復(fù)位期間縮短，把相應(yīng)期間分配給地址期間，適合于單掃描驅(qū)動(dòng)方式的等離子體顯示器裝置，具有預(yù)防誤放電和異常放電，提高暗室對(duì)比度的效果。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1797516SQ200510048849
公開日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者韓正觀 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社