專(zhuān)利名稱(chēng)：非接觸ic卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與通過(guò)非接觸方式從外部供應(yīng)電源的非接觸IC卡，尤其是涉及抑制元件誤差和溫度變動(dòng)產(chǎn)生的通信質(zhì)量的劣化的技術(shù)。
圖9表示過(guò)去的非接觸IC卡的結(jié)構(gòu)。如圖9所示，非接觸IC卡中具有天線(xiàn)線(xiàn)圈L1和半導(dǎo)體集成電路2。半導(dǎo)體集成電路2包括調(diào)諧電容Ct、充電電容Ca、整流器3、分流調(diào)節(jié)器4、解調(diào)器6、數(shù)字信號(hào)處理部7、調(diào)制器8。調(diào)諧電容Ct與天線(xiàn)線(xiàn)圈L1并聯(lián)連接后，與整流器3的輸入端相連接。如

圖10所示，整流器3中使用了由二極管D1-D4組成的全波整流電路。天線(xiàn)線(xiàn)圈L1所接受到的信號(hào)經(jīng)過(guò)整流器3整流并對(duì)電容Ca進(jìn)行充電，生成數(shù)字信號(hào)處理部7的電源VDD。解調(diào)器6將疊加在電源VDD上的RX信號(hào)(接收信號(hào))抽出。RX信號(hào)在由CPU和存儲(chǔ)器等構(gòu)成的數(shù)字信號(hào)處理部7進(jìn)行信號(hào)處理。調(diào)制器8將隨著數(shù)字信號(hào)處理部7送來(lái)的TX信號(hào)(發(fā)送信號(hào))對(duì)天線(xiàn)線(xiàn)圈之間的阻抗進(jìn)行調(diào)制。分流調(diào)節(jié)器4是防止電源VDD超過(guò)半導(dǎo)體集成電路2的耐壓的電路。
這里，通信方式為ISO/IEC 14443 Type-B，通信頻率為13.56MHz，傳送速率為106kbps，從讀寫(xiě)器向非接觸IC卡傳送時(shí)的調(diào)制方式為10％ASK調(diào)制，從非接觸IC卡向讀寫(xiě)器傳送時(shí)的調(diào)制方式為BPSK。此時(shí)，解調(diào)器6可以察覺(jué)電源VDD的振幅變動(dòng)，從而將RX信號(hào)抽出。
供應(yīng)給非接觸IC卡1的電力取決于卡式線(xiàn)圈(天線(xiàn)線(xiàn)圈L1)接受的磁場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)線(xiàn)圈之間的距離小于讀寫(xiě)器的天線(xiàn)線(xiàn)圈的尺寸時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度基本一定，但當(dāng)線(xiàn)圈之間的距離大于讀寫(xiě)器的天線(xiàn)線(xiàn)圈的尺寸時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度則以與距離平方成反比的形式而衰減。通常非接觸IC卡與讀寫(xiě)器之間的距離的變化大于天線(xiàn)線(xiàn)圈的尺寸，所以供給IC卡的電力也有很大變動(dòng)。例如，假設(shè)接受電力為10mW時(shí)的半導(dǎo)體集成電路2的VDD電源為3V。如果非接觸IC卡接近讀寫(xiě)器，使得接收電力為90mW，電源VDD就會(huì)上升到9V。對(duì)于現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝所制造的晶體管來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極氧化膜厚為10nm時(shí)，其耐壓為5V左右。這種電源VDD的上升就會(huì)損壞晶體管。
為了控制這種電源VDD的電壓上升，采用了分流調(diào)節(jié)器4以消耗多余的電力。圖11為現(xiàn)有的分流調(diào)節(jié)器4的電路圖。通過(guò)電阻R1、R2對(duì)電源VDD進(jìn)行電阻分割，再與nMOS晶體管M1的柵極連接。晶體管M1的源極與接地電壓VSS連接，漏電極與電源VDD連接。此時(shí)，分流調(diào)節(jié)器4的動(dòng)作電壓Va取決于R1與R2的電阻比以及晶體管M1的閾值電壓Vt。例如，當(dāng)Vt＝0.7V、R1＝400kΩ、R2＝100kΩ時(shí)，Va＝(R1+R2)/R2×Vt＝3.5從而可以控制電源VDD的上升不超過(guò)3.5V。
圖12表示過(guò)去的分流調(diào)節(jié)器4相對(duì)于電源VDD的消耗電力的頻率特性。其特性在整個(gè)頻率范圍內(nèi)基本上是平坦分布。另外，圖13表示ASK調(diào)制信號(hào)經(jīng)整流器3整流后的電源VDD的頻率特性。它可以分為DC、從100kHz到數(shù)MHz的RX信號(hào)頻帶、大于10MHz的載波頻帶等3類(lèi)。現(xiàn)有的分流調(diào)節(jié)器所能衰減掉的不僅有DC、而且也包括RX信號(hào)。
本發(fā)明的目的在于解決上述問(wèn)題，提供能夠抑制通信質(zhì)量劣化的非接觸IC卡。
(解決方法)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)狀態(tài)，非接觸IC卡從外部以非接觸形式獲得電源，并具有分流調(diào)節(jié)器和解調(diào)電路。分流調(diào)節(jié)器從接受到的電源中衰減掉對(duì)于RX信號(hào)的解調(diào)所不需要的頻帶的信號(hào)成分。解調(diào)電路從利用調(diào)節(jié)器衰減掉了不需要的頻帶的電源中將對(duì)RX信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)狀態(tài)，非接觸IC卡具有天線(xiàn)線(xiàn)圈和半導(dǎo)體集成電路。天線(xiàn)線(xiàn)圈以非接觸方式從外部接收信號(hào)。半導(dǎo)體集成電路包括整流器、分流調(diào)節(jié)器、解調(diào)器和數(shù)字信號(hào)處理部。整流器將天線(xiàn)線(xiàn)圈所接受到的信號(hào)經(jīng)過(guò)整流生成電源。分流調(diào)節(jié)器消耗整流器所整流了的信號(hào)的低頻成分的電力。解調(diào)器從利用分流調(diào)節(jié)器消耗掉了低頻成分的電力的電源中抽出RX信號(hào)。數(shù)字信號(hào)處理部接收經(jīng)過(guò)整流器整流的電源，對(duì)經(jīng)過(guò)解調(diào)器抽出的RX信號(hào)進(jìn)行處理。
上述非接觸IC卡中由于設(shè)有消耗電源的低頻成分的電力的分流調(diào)節(jié)器，所以能夠抑制通信質(zhì)量的劣化。
根據(jù)本發(fā)明的又一狀態(tài)，非接觸IC卡具有天線(xiàn)線(xiàn)圈和半導(dǎo)體集成電路。天線(xiàn)線(xiàn)圈以非接觸方式從外部接收信號(hào)。半導(dǎo)體集成電路包括RX解調(diào)部和信號(hào)處理部。RX解調(diào)部包括第1整流器、分流調(diào)節(jié)器和解調(diào)器。第1整流器對(duì)天線(xiàn)線(xiàn)圈接收到的信號(hào)進(jìn)行整流，形成第1電源。分流調(diào)節(jié)器消耗第1電源的低頻成分的電力。解調(diào)器從利用分流調(diào)節(jié)器消耗掉了低頻成分電力的電源中抽出RX信號(hào)。信號(hào)處理部包括第2整流器和數(shù)字信號(hào)處理部。第2整流器對(duì)天線(xiàn)線(xiàn)圈接收到的信號(hào)進(jìn)行整流，形成第2電源。數(shù)字信號(hào)處理部接收第2電源，對(duì)經(jīng)過(guò)解調(diào)器抽出的RX信號(hào)進(jìn)行處理。
由于上述非接觸IC卡中將RX解調(diào)器和信號(hào)處理部分離開(kāi)來(lái)，所以能夠減輕數(shù)字信號(hào)處理部產(chǎn)生的噪聲對(duì)解調(diào)器的影響。
所希望的是，上述分流調(diào)節(jié)器再消耗掉電源或第1電源的高頻成分的電力。
利用上述非接觸IC卡可以除去載波成分的噪聲。
所希望的是，上述分流調(diào)節(jié)器包括低通濾波器和晶體管。低通濾波器可以使電源或第1電源的低頻的頻率成分通過(guò)。晶體管連接在接受電源或第1電源的電源節(jié)點(diǎn)和接收接地電壓的接地節(jié)點(diǎn)之間，低通濾波器的輸出與柵極連接。
所希望的是，上述分流調(diào)節(jié)器包括帶阻濾波器和晶體管。帶阻濾波器可以使電源或第1電源的低頻和高頻的頻率成分通過(guò)。晶體管連接在接受電源或第1電源的電源節(jié)點(diǎn)和接收接地電壓的接地節(jié)點(diǎn)之間，帶阻濾波器的輸出與柵極連接。
所希望的是，上述晶體管為MOS晶體管。
所希望的是，上述低頻的頻率為10kHz以下。
所希望的是，上述高頻的頻率為10MHz以上。
所希望的是，上述半導(dǎo)體集成電路還包括TX調(diào)制部。TX調(diào)制部將隨著數(shù)字信號(hào)處理部送來(lái)的TX信號(hào)對(duì)天線(xiàn)線(xiàn)圈之間的阻抗進(jìn)行調(diào)制。
所希望的是，上述整流器為全波整流電路。
所希望的是，上述解調(diào)器對(duì)ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。
圖2是圖1所示的分流調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖3為圖2所示的分流調(diào)節(jié)器的消耗電力的頻率特性。
圖4是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的非接觸IC卡的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖5是圖4所示的分流調(diào)節(jié)器的部分結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6為圖4所示的分流調(diào)節(jié)器的消耗電力的頻率特性。
圖7是采用帶阻濾波器(BRF)的分流調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖8是表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的非接觸IC卡的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖9是表示現(xiàn)有的非接觸IC卡的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖10是圖9所示的整流器的構(gòu)成電路圖。
圖11是圖9所示的分流調(diào)節(jié)器的構(gòu)成電路圖。
圖12為圖9所示的分流調(diào)節(jié)器的消耗電力的頻率特性。
圖13為整流后的電源的頻率特性。
(符號(hào)說(shuō)明)1—非接觸IC卡；2—半導(dǎo)體集成電路；3、30—整流器；10、40、70、81—分流調(diào)節(jié)器；6—解調(diào)器；7—數(shù)字信號(hào)處理部；8—調(diào)制器；80-RX解調(diào)器；90—信號(hào)處理部；L1—天線(xiàn)線(xiàn)圈；M1、M2-MOS晶體管；RX—接受信號(hào)(RX信號(hào))；TX—發(fā)送信號(hào)(TX信號(hào))；11、41—低通濾波器；71—帶阻濾波器。
(第1實(shí)施方式)首先，利用圖1說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的非接觸IC卡。
與現(xiàn)有例(圖9)不同的是設(shè)置了具有相對(duì)于電源VDD的頻率特性的分流調(diào)節(jié)器10。如圖2所示，分流調(diào)節(jié)器10包括低通濾波器(LPF)11和nMOS晶體管M1。LPF11只讓電源VDD的低頻成分通過(guò)。通過(guò)了LPF11的信號(hào)輸出到晶體管M1的柵極。晶體管M1的漏極和源極分別與電源VDD和接地VSS連接。如圖2所示，LPF11由電阻R1、R2和電容C1組成。例如，當(dāng)R1＝100kΩ、R2＝400kΩ、C1＝50pF時(shí)，LPF11的截止頻率為30kHz左右。此時(shí)，分流調(diào)節(jié)器10的消耗電力如圖3所示，在電源VDD的低頻頻率(30kHz以下)處較大，在包括RX信號(hào)的信號(hào)頻率區(qū)間(從100kHz到數(shù)MHz)的高頻頻率處較低。這意味著即使為了抑制電源VDD的上升而增加分流調(diào)節(jié)器10的電力消耗，也不會(huì)對(duì)RX信號(hào)產(chǎn)生影響。因此，可以抑制由于離散性和溫度變動(dòng)所引起的通信質(zhì)量的劣化，實(shí)現(xiàn)高性能的非接觸IC卡。
還有，這里所采用的調(diào)制電路8、整流器3、分流調(diào)節(jié)器10、RX信號(hào)頻率、傳送速率、通信頻率、調(diào)制方式只是一個(gè)具體的例子，本發(fā)明并不只限這個(gè)具體例。
例如，雖然整流器3采用了全波整流電路，但只要是交流信號(hào)的整流電路都可以。
另外，雖然調(diào)制器8連接在天線(xiàn)線(xiàn)圈之間，但也可以連接在電源VDD和VSS之間。只要是調(diào)制天線(xiàn)之間的阻抗的調(diào)制器都可以。還有，對(duì)于不需要進(jìn)行傳送的系統(tǒng)，也可以不要調(diào)制器8。
另外，分流調(diào)節(jié)器10中采用了MOS晶體管M1，也可以采用雙極晶體管。
另外，調(diào)試方式可以采用ASK調(diào)制方式，也可以FSK調(diào)制方式。
關(guān)鍵在于具有在電源VDD的低頻頻率的消耗電力大而在RX信號(hào)的信號(hào)頻率區(qū)間的消耗電力小的分流調(diào)節(jié)器的非接觸IC卡都包含在本發(fā)明之中。
(第2實(shí)施方式)接著，利用圖4說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的非接觸IC卡。
圖4所示的非接觸IC卡將圖1的分流調(diào)節(jié)器10改換成分流調(diào)節(jié)器40。其他結(jié)構(gòu)均與圖1所示的非接觸IC卡相同。與第1實(shí)施方式不同的是，分流調(diào)節(jié)器40還會(huì)消耗電源VDD的高頻頻率的電力。
分流調(diào)節(jié)器40除了圖1所示的分流調(diào)節(jié)器10的結(jié)構(gòu)(LPF11、nMOS晶體管M1)之外，還包括LPF41和pMOS晶體管M2。LPF41只讓電源VDD的低頻成分通過(guò)。通過(guò)了LPF41的信號(hào)輸出到晶體管M2的柵極。晶體管M2的源極和漏電極分別與電源VDD和接地VSS連接。如圖5所示，LPF41由電阻R3、R4和電容C2組成。例如，當(dāng)R3＝10kΩ、R4＝40kΩ、C2＝5pF時(shí)，LPF41的截止頻率為3MHz左右。此時(shí)，分流調(diào)節(jié)器40的消耗電力如圖6所示，在電源VDD的低頻頻率(30kHz以下)處和高頻(3MHz以上)處較大，在RX信號(hào)的信號(hào)頻率區(qū)間(從100kHz到3MHz)處較低。這樣能夠減輕電源VDD的上升以及載波信號(hào)或其他頻率所產(chǎn)生的噪聲。這里所指的其他頻率產(chǎn)生的噪聲是存儲(chǔ)器和CPU等數(shù)字信號(hào)處理部7所產(chǎn)生的噪聲。通過(guò)上述方法，可以抑制由于工藝的誤差和溫度變動(dòng)所引起的通信質(zhì)量的劣化，實(shí)現(xiàn)高性能的非接觸IC卡。
還有，這里所采用的分流調(diào)節(jié)器40只是一個(gè)具體的例子，本發(fā)明并不局限這一具體例。
例如，也可以采用如圖7所示的分流調(diào)節(jié)器70來(lái)代替分流調(diào)節(jié)器40。如圖7所示的分流調(diào)節(jié)器70采用了帶阻濾波器(BRF)來(lái)代替圖1和圖2所示的分流調(diào)節(jié)器10中的LPF11。此時(shí)的頻率特性如圖6所示，能夠除去載波頻帶的信號(hào)成分。
關(guān)鍵在于具有在電源VDD的低頻和高頻頻率的消耗電力大的分流調(diào)節(jié)器的非接觸IC卡都包含在本發(fā)明之中。
另外，RX信號(hào)頻帶與高頻頻帶的消耗電力也可以相同。這樣通過(guò)減輕高頻頻帶的消耗電力，可以減小RX信號(hào)頻帶的信號(hào)質(zhì)量。
如上所述，本發(fā)明對(duì)于實(shí)現(xiàn)高性能的非接觸IC卡非常有用。
(第3實(shí)施方式)接著，利用圖8說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的非接觸IC卡。
與第1和第2實(shí)施方式的不同之處在于，半導(dǎo)體集成電路2的內(nèi)部分別設(shè)有RX解調(diào)器80和信號(hào)處理部90。
RX解調(diào)器80包括整流器3、分流調(diào)節(jié)器81、充電電容Ca和解調(diào)器6。
信號(hào)處理部90包括整流器30、充電電容Cb、分流調(diào)節(jié)器91、數(shù)字信號(hào)處理部7。
整流器3和整流器30的輸入與天線(xiàn)線(xiàn)圈L1連接。整流器3所整流的信號(hào)與充電電容Ca和分流調(diào)節(jié)器81連接，生成電源VDD1。解調(diào)器6從電源VDD1中抽出RX信號(hào)。
整流器30所整流的信號(hào)與充電電容Cb和分流調(diào)節(jié)器91連接，生成數(shù)字信號(hào)處理部7的電源VDD2。數(shù)字信號(hào)處理部7對(duì)利用解調(diào)器6抽出的RX信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。
這里，分流調(diào)節(jié)器81采用與第1和第2實(shí)施方式相同的分流調(diào)節(jié)器。這樣，與第1和第2實(shí)施方式一樣，能夠?qū)崿F(xiàn)沒(méi)有通信質(zhì)量劣化的非接觸IC卡。
另外，由于將信號(hào)處理部90與RX解調(diào)器80分離開(kāi)來(lái)，可以更加減輕數(shù)字信號(hào)處理部7產(chǎn)生的數(shù)字噪聲對(duì)解調(diào)器6的影響。
如上所述，本發(fā)明對(duì)于實(shí)現(xiàn)高性能的非接觸IC卡非常有用。
(發(fā)明效果)本發(fā)明的非接觸IC卡由于設(shè)有在電源的低頻頻率消耗電力的分流調(diào)節(jié)器，所以能夠抑制通信質(zhì)量的劣化。
另外，由于分流調(diào)節(jié)器還在電源的高頻頻率消耗電力，所以能夠除去載波成分的噪聲。
另外，由于將信號(hào)處理部與RX解調(diào)器分離開(kāi)來(lái)，可以減輕數(shù)字信號(hào)處理部產(chǎn)生的數(shù)字噪聲對(duì)解調(diào)器的影響。
權(quán)利要求
1.一種非接觸IC卡，其特征在于從外部以非接觸形式獲得電源，并具有從接受到的電源中衰減掉對(duì)于RX信號(hào)的解調(diào)所不需的頻帶的信號(hào)成分的分流調(diào)節(jié)器、和利用所述分流調(diào)節(jié)器衰減掉了不需要的頻帶的信號(hào)成分的電源中對(duì)所述RX信號(hào)進(jìn)行解調(diào)的解調(diào)電路。
2.一種非接觸IC卡，其特征在于具有天線(xiàn)線(xiàn)圈和半導(dǎo)體集成電路，所述半導(dǎo)體集成電路包括將所述天線(xiàn)線(xiàn)圈所接受到的信號(hào)經(jīng)過(guò)整流生成電源的整流器、消耗所述電源的低頻成分的電力的分流調(diào)節(jié)器、將從利用所述分流調(diào)節(jié)器消耗掉了低頻成分的電力的電源中抽出RX信號(hào)的解調(diào)器、接收經(jīng)過(guò)所述整流器整流的電源并對(duì)經(jīng)過(guò)所述解調(diào)器抽出的RX信號(hào)進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào)處理部。
3.一種非接觸IC卡，其特征在于具有天線(xiàn)線(xiàn)圈和半導(dǎo)體集成電路，所述半導(dǎo)體集成電路包括RX解調(diào)部和信號(hào)處理部，所述RX解調(diào)器包括對(duì)所述天線(xiàn)線(xiàn)圈接收到的信號(hào)進(jìn)行整流形成第1電源的第1整流器，消耗所述第1電源的低頻成分的電力的分流調(diào)節(jié)器，從已經(jīng)利用所述分流調(diào)節(jié)器消耗掉了低頻成分電力的第1電源中抽出RX信號(hào)的解調(diào)器，所述信號(hào)處理部包括對(duì)所述天線(xiàn)線(xiàn)圈接收到的信號(hào)進(jìn)行整流形成第2電源的第2整流器和接受第2電源并對(duì)利用所述解調(diào)器抽出的RX信號(hào)進(jìn)行處理的數(shù)字信號(hào)處理部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述分流調(diào)節(jié)器還消耗所述電源或者所述第1電源的高頻成分的電力。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述分流調(diào)節(jié)器包括可以使所述電源或所述第1電源的低頻的頻率成分通過(guò)的低通濾波器和連接在接受所述電源或所述第1電源的電源節(jié)點(diǎn)和接受接地電壓的接地節(jié)點(diǎn)之間并將低通濾波器的輸出接受到柵極的晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸IC卡，其特征在于所述分流調(diào)節(jié)器包括可以使所述電源或所述第1電源的低頻和高頻的頻率成分通過(guò)的帶阻濾波器和連接在接受所述電源或所述第1電源的電源節(jié)點(diǎn)和接受接地電壓的接地節(jié)點(diǎn)之間并將所述帶阻濾波器的輸出接受到柵極的晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非接觸IC卡，其特征在于所述晶體管為MOS晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述低頻的頻率為10kHz以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸IC卡，其特征在于所述高頻的頻率為10MHz以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述半導(dǎo)體集成電路還包括TX調(diào)制部，所述TX調(diào)制部將隨著所述數(shù)字信號(hào)處理部送來(lái)的TX信號(hào)對(duì)所述天線(xiàn)線(xiàn)圈之間的阻抗進(jìn)行調(diào)制。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述整流器為全波整流電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的非接觸IC卡，其特征在于所述解調(diào)器對(duì)ASK調(diào)制信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是抑制工藝誤差和溫度變動(dòng)產(chǎn)生的通信質(zhì)量的劣化，提供高性能的非接觸IC卡。本發(fā)明的非接觸IC卡中具有天線(xiàn)線(xiàn)圈(L1)、調(diào)諧電容(Ct)、充電電容(Ca)、整流器(3)、分流調(diào)節(jié)器(4)、解調(diào)器(6)、數(shù)字信號(hào)處理部(7)、調(diào)制器(8)。分流調(diào)節(jié)器(4)包括只讓電源(VDD)的低頻成分通過(guò)的LPF和其柵極、漏極和源極分別與LPF的輸出，和電源VDD、及VSS連接的晶體管(M1)。分流調(diào)節(jié)器(4)消耗電源(VDD)的低頻成分的電力。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)抑制RX信號(hào)頻帶的信號(hào)質(zhì)量劣化的非接觸IC卡。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1448888SQ031092
公開(kāi)日2003年10月15日 申請(qǐng)日期2003年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月4日
發(fā)明者林錠二 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社