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多電子源的特性調(diào)整方法及特性調(diào)整裝置的制作方法

文檔序號:2575062閱讀:225來源:國知局
專利名稱:多電子源的特性調(diào)整方法及特性調(diào)整裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有多個表面?zhèn)鲗?dǎo)型發(fā)射元件的多電子源的特性調(diào)整方法及特性調(diào)整裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)在,作為電子發(fā)射元件已知有熱陰極元件和冷陰極元件兩種。其中,冷陰極電子源已知有,例如,有場致發(fā)射型元件(以下記為FE)、金屬/絕緣層/金屬型元件(以下記為MIME)、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件(以下記為SCE)等。
本發(fā)明的申請人,如日本專利特開平0-342636號公報所公開的,對多個SCE進(jìn)行單純矩陣布線的多電子源,以及應(yīng)用此多電子源的圖像顯示裝置進(jìn)行了研究。
構(gòu)成多電子源的SCE,由于工序上的變動,各個元件的電子發(fā)射特性會產(chǎn)生多多少少的偏差,在用其制作顯示裝置的場合,存在其特性的偏差表現(xiàn)為亮度偏差的問題。與此相對,利用SCE的電子發(fā)射特性的記憶性使特性一致的發(fā)明已經(jīng)由本申請人在特開平10-228867號公報中公開。
發(fā)明概述本發(fā)明,利用上述已有的技術(shù)(特開平10-228867號公報)的SCE的電子發(fā)射特性的記憶性,使多電子源的特性均一化,這一點是共通的,但其改進(jìn)之處是使其適于電子源顯示屏的批量化工程。
在現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)成中,在將電子源制造工藝特性均一化引入加工工序的場合,在每個電子發(fā)射元件的特性調(diào)整的調(diào)整時間上容易產(chǎn)生偏差,其結(jié)果是每個電子源顯示屏的特性調(diào)整的調(diào)整時間及調(diào)整后的電子發(fā)射特性可能發(fā)生偏差。
本發(fā)明是一種即使是構(gòu)成多電子源的SCE的電子發(fā)射特性的記憶性,對每個電子發(fā)射元件各不相同或者在多個電子源顯示屏之間變化,也可提供一種可以在大致相同的加工時間中制造具有大致相同的電子發(fā)射特性的電子源顯示屏的制造工藝。
就是說,本發(fā)明的目的是提供一種以簡易的工序使多電子源的電子發(fā)射特性及調(diào)整時間基本相同的電子源的特性調(diào)整方法及特性調(diào)整裝置。
在本發(fā)明中,在特性調(diào)整前,在對全部元件的初始電子發(fā)射電流進(jìn)行測定并設(shè)定特性調(diào)整目標(biāo)值的同時,利用一部分元件對多個特性移動電壓值每一個計測發(fā)射電流變化特性,根據(jù)計測的特性的平均值生成特性調(diào)整表。之后,對各元件每一個,參照特性調(diào)整表相對作為初始電子發(fā)射電流和特性調(diào)整目標(biāo)值之差的特性移動量決定用于特性移動的電壓的波高值、脈沖幅度及脈沖數(shù),并驅(qū)動特性移動。此外,監(jiān)測特性移動驅(qū)動時的電子發(fā)射特性的變化,根據(jù)需要,對特性移動條件,即上述特性移動電壓的波高值、脈沖幅度及脈沖數(shù)進(jìn)行再設(shè)定。
附圖簡述

圖1A、1B為示出本發(fā)明的一實施例的SCE的特性調(diào)整信號的一例的示圖。
圖2為示出移動電壓施加時間和特性移動量的關(guān)系曲線圖。
圖3A、3B為說明相對SCE的驅(qū)動電壓的發(fā)射電流的特性的差異的示圖。
圖4為將本發(fā)明的一實施例的特性調(diào)整用波形信號施加于多電子源的裝置的概略構(gòu)成圖。
圖5為利用圖4的裝置對電子源的各SCE進(jìn)行特性調(diào)整的流程圖。
圖6為接著圖5的流程圖的特性調(diào)整的流程圖。
圖7為說明在數(shù)種驅(qū)動電壓每一種連續(xù)施加于元件時的電子發(fā)射電流的變化量的特性曲線圖。
圖8為示出相對在圖4的裝置中為了特性調(diào)整施加的離散特性移動電壓值的各個SCE的電子發(fā)射電流范圍的示圖。
圖9為示出在判定在圖4的裝置中即使在SCE上施加最初決定的數(shù)目的脈沖也達(dá)不到調(diào)整目標(biāo)值的場合施加的特性調(diào)整信號的一例的示圖。
圖10為示出在判定在圖4的裝置中如果在SCE上施加最初決定的數(shù)目的脈沖會超過調(diào)整目標(biāo)值的場合施加的特性調(diào)整信號的一例的示圖。
圖11為接著圖6的流程圖的特性調(diào)整的流程圖。
發(fā)明的
具體實施例方式
(實施例)下面根據(jù)實施例對本發(fā)明予以說明。
本申請人發(fā)現(xiàn),為了改善SCE的特性,在制造工序中,在通常的驅(qū)動之前,通過進(jìn)行在特開2000-310973、特開2000-243256號公報公開的預(yù)備驅(qū)動,可降低亮度的經(jīng)時變化。本實施例,將預(yù)備驅(qū)動和電子源的特性調(diào)整一體化。
所謂預(yù)備驅(qū)動,就是對實施了穩(wěn)定化工序的SCE,在以Vpre電壓驅(qū)動規(guī)定期間之后,測定以Vpre電壓驅(qū)動時元件的電子發(fā)射部附近的電場強(qiáng)度的工序。其后,以電場強(qiáng)度變小的通常驅(qū)動電壓Vdrv驅(qū)動通常的圖像顯示。可認(rèn)為,利用施加Vpre電壓的驅(qū)動,通過預(yù)先以大電場強(qiáng)度驅(qū)動元件的電子發(fā)射部,在短期間內(nèi)集中地發(fā)現(xiàn)作為經(jīng)時特性的不穩(wěn)定性的原因的結(jié)構(gòu)構(gòu)件的變化,可減少在用作顯示裝置時的以通常驅(qū)動電壓Vdrv驅(qū)動的顯示亮度的變動主要原因。
對于實施了預(yù)備驅(qū)動的元件,關(guān)于利用SCE顯示的電子發(fā)射特性的記憶功能進(jìn)行的電子發(fā)射特性的特性調(diào)整方法只進(jìn)行大概說明,詳細(xì)內(nèi)容在上述特開2000-243256號公報中有記載。
圖1為注目于構(gòu)成多電子源的元件中的一個,示出施加于一元件上的預(yù)備驅(qū)動及的特性調(diào)整信號的電壓波形的示圖,其中橫軸表示時間,縱軸表示施加于SCE上的電壓(以下記為元件電壓Vf)。
此處的驅(qū)動信號,使用如圖1A所示的連續(xù)的矩形電壓脈沖,將特性調(diào)整驅(qū)動期間的電壓脈沖的施加期間分成為第1期間~第3期間3個,在各期間內(nèi)施加脈沖1~1000個脈沖。依元件的不同,施加的脈沖波高值及脈沖數(shù)不同。圖1A的電壓脈沖的波形的一部分放大示于同圖B。
作為具體的驅(qū)動條件,設(shè)驅(qū)動信號的脈沖幅度T1=1[msec],脈沖周期T2=10[msec]。另外,為使施加到元件上的有效電壓脈沖的上升時間Tr及下降時間Tf在100[ns]以下,將從驅(qū)動信號源到元件的布線線路的阻抗充分降低進(jìn)行驅(qū)動。
此處,設(shè)元件電壓Vf在預(yù)備驅(qū)動期間Vf=Vpre,在特性調(diào)整期間中,在第1期間和第3期間設(shè)Vf=Vdrv,在第2期間Vf=Vshift。這些元件電壓Vpre,Vdrv,Vshift一起是大于元件的電子發(fā)射閾值電壓的電壓,加之設(shè)定滿足條件Vdrv<Vpre≤Vshift。但是,因為依SCE的線狀及材料的不同而電子發(fā)射閾值電壓不同,所以針對測定對象SCE而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
對于一個元件進(jìn)行上述驅(qū)動之后,通過對全部元件實施同樣的工序,結(jié)束對多電子源的特性調(diào)整工序。
可是,特性調(diào)整時施加的移動電壓的施加時間和特性的移動量是相關(guān)的。圖2為示意地示出施加超過電子發(fā)射閾值電壓移動電壓的大小的某一特性移動電壓時的特性移動量Shift和電壓的施加時間的相關(guān)曲線圖。曲線的X軸是以對數(shù)表示的移動電壓施加時間,Y軸是特性移動量Shirt。如圖2所示,特性移動量的增加大致正比于移動電壓的施加時間的對數(shù)。
圖3A為從另一個方面觀察圖2的關(guān)系,示出在第2期間中,隨著Vf=Vshift的施加脈沖數(shù)增多,發(fā)射電流特性向右方移動。示出移動脈沖施加前Iec(1)的特性的元件使Vshift的脈沖變化為1脈沖施加的狀態(tài)Iec(2)。在Vshift的脈沖變化為3脈沖施加時,發(fā)射電流特性曲線變?yōu)镮ec(3),在Vshift的脈沖變化為在0脈沖施加時,發(fā)射電流特性曲線變?yōu)镮ec(5),在Vshift的脈沖變化為100脈沖施加時,發(fā)射電流特性曲線變?yōu)镮ec(6)。發(fā)射電流特性曲線上的發(fā)射電流Iec(5)在通常驅(qū)動電壓Vdrv中變?yōu)榘l(fā)射電流Ie6。如利用此特性變化,增減對第2期間的元件的Vshift的脈沖的施加數(shù),使變化為所要求的發(fā)射電流特性曲線,就可以使第3期間的通常驅(qū)動電壓Vdrv的電子發(fā)射電流變?yōu)樘囟ㄖ怠?br> 在圖3A中,說明具有多電子源的元件的電子發(fā)射電流,在預(yù)備驅(qū)動后,施加Vf=Vdrv為Ie4,通過增加移動電壓(Vshift)的施加次數(shù),使施加Vf=Vdrv時電子發(fā)射量發(fā)生Ie3→Ie5→Ie6的變化。多電子源,由多個元件構(gòu)成,預(yù)備驅(qū)動施加后的特性也各不相同。本申請人,認(rèn)真研究了在對預(yù)備驅(qū)動后的電子發(fā)射特性各不相同的元件施加了特性移動電壓的場合,電子發(fā)射電流如何變化。結(jié)果,本申請人發(fā)現(xiàn),在施加特性移動電壓時的特性變化率,不依賴于移動電壓施加前的電子發(fā)射量的多少而大致一定。即,如圖3B所示,具有與圖3A不同的初始特性的元件的電子發(fā)射電流在預(yù)備驅(qū)動后,Vf=Vdrv施加時,是Ie4’,通過增加移動電壓(Vshift)的施加次數(shù),使Vf=Vdrv施加時電子發(fā)射量發(fā)生Ie3’→Ie5’→Ie6’的變化。此時,如著眼于圖3A及圖3B中所示的Ie的變化率,在圖3A的元件(1)上施加Vshift時的Ie及變化率的變化分別為Ie是Ie4(開始)→Ie3(1脈沖)→Ie5(10脈沖)→Ie6(100脈沖);Ie的變化率是Ie3/Ie4→Ie5/Ie4 → Ie6/Ie4。另外,在圖3B的元件(2)上施加Vshift時的Ie及變化率的變化分別為Ie是Ie4’(開始)→Ie3’(1脈沖)→Ie5’(10脈沖)→Ie6’(100脈沖);Ie的變化率是Ie3’/Ie4’→Ie5’/Ie4’→Ie6’/Ie4’。本申請人發(fā)現(xiàn),其中,如比較各個的變化率Ie3/Ie4和Ie3’/Ie4’,Ie5/Ie4和Ie5’/Ie4’,Ie6/Ie4和Ie6’/Ie4’,大致相等。如利用這一特性,即使是對初始Ie多少有些不同的元件,也可應(yīng)用同樣的發(fā)射電流特性曲線進(jìn)行元件特性的調(diào)整。
于是,可以了解,在多數(shù)元件之中,即使是同樣的發(fā)射電流特性變化曲線,上述變化率有很大的差異,一次Vshift電壓施加后的變化率,與發(fā)射電流特性曲線上的變化率相比,存在變化的比率非常慢的元件和非??斓脑?。已經(jīng)發(fā)現(xiàn),對這種元件的數(shù)目很少而變化率差別很大的元件,通過增減施加的脈沖幅度來施加脈沖,可應(yīng)用同樣的發(fā)射電流特性曲線,進(jìn)行元件特性的調(diào)整。
于是,在本發(fā)明中,首先利用多電子源的一部分元件,取得針對特性移動電壓施加的發(fā)射電流特性的變化曲線,以其為根據(jù)調(diào)整全體多電子源的特性。詳細(xì)情況見后述,施加的移動電壓值可以離散地在某一個階段選擇而取得數(shù)據(jù),并在要求的時間內(nèi)調(diào)整電子源整體特性。下面予以詳細(xì)說明。
圖4為示出將特性調(diào)整用波形信號施加于構(gòu)成采用多電子源的顯示屏301的各SCE上,用來改變各個SCE的電子發(fā)射特性的驅(qū)動電路的構(gòu)成框圖。在圖4中,301是顯示屏。在本實施方式中,假設(shè)在顯示屏301中多個SCE以單純矩陣狀布線,業(yè)已結(jié)束成形處理及活化處理,正處于穩(wěn)定化工序中。
顯示屏301,是將以矩陣狀配設(shè)多個SCE的基板和具有在此基板上分離設(shè)置的利用SCE發(fā)射的電子發(fā)光的熒光體的面板等在真空容器中進(jìn)行裝配的。并且,經(jīng)行方向布線端子Dx1~Dxn及列方向布線端子Dy1~Dym與外部的電氣電路相連接。301a是在顯示屏301內(nèi)以矩陣狀配設(shè)多個SCE的基板中的一部分,配設(shè)有用來取得特性調(diào)整用數(shù)據(jù)。
302是從高壓電源311向顯示屏301的熒光體施加高電壓用的端子。303,304是開關(guān)矩陣,通過分別選擇行方向布線和列方向布線來選擇用來施加脈沖電壓的SCE。306,307是脈沖發(fā)生電路,可產(chǎn)生脈沖波形信號Px,Py。308是脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路,通過輸出脈沖設(shè)定信號Lpx,Lpy,決定由脈沖發(fā)生電路306,307分別輸出的脈沖信號的波高值及脈沖幅值。309是控制電路,控制特性調(diào)整的流程,輸出數(shù)據(jù)Tv用來由脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308設(shè)定波高值及幅值。另外,309a是CPU,控制控制電路309的動作。CPU 309a的動作,將在后面參照圖5,圖6及圖11的流程圖予以敘述。
在圖4中,309b是用來存儲各元件的用來特性調(diào)整的特性的存儲器。具體說,309b存放施加通常驅(qū)動電壓Vdrv時的各元件的電子發(fā)射電流Ie。309c是在一部分元件301a上施加電壓取得數(shù)據(jù)而生成的參照用的查找表,供特性調(diào)整參照用(詳述見后)。309d是用來存儲各工序合起來的施加脈沖的波高值及幅值的脈沖設(shè)定存儲器,也用于對在特性調(diào)整時上述變化率差異很大的電子源脈沖幅度的再設(shè)定。310是開關(guān)矩陣控制電路,通過輸出開關(guān)切換信號Tx,Ty控制開關(guān)矩陣303,304的開關(guān)的選擇來選擇施加脈沖電壓的SCE。
下面對特性調(diào)整過程所必需的數(shù)據(jù)的取得予以說明。在本實施例中,為了調(diào)整元件的電子發(fā)射電流,對各元件的電子發(fā)射電流Ie進(jìn)行測定和存放。關(guān)于此電子發(fā)射電流Ie計測的詳細(xì)情況見后述。為了特性調(diào)整,至少有必要測定在施加通常驅(qū)動電壓Vdrv時流過的電子發(fā)射電流Ie,對此予以說明。根據(jù)控制電路309發(fā)出的開關(guān)矩陣控制信號Tsw,開關(guān)矩陣控制電路310選擇開關(guān)矩陣303及304確定的行方向布線或列方向布線,進(jìn)行切換連接以驅(qū)動所要求的SCE。
另一方面,控制電路309,向脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308輸出和通常驅(qū)動電壓Vdrv相對應(yīng)的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv。由此,從脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308向脈沖發(fā)生電路306,307分別輸出波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Lpx及Lpy。根據(jù)此波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Lpx及Lpy脈沖發(fā)生電路306,307分別輸出驅(qū)動脈沖Px及Py,此驅(qū)動脈沖Px及Py施加于由開關(guān)矩陣303,304選擇的元件。此處,此驅(qū)動脈沖Px及Py,對元件,設(shè)定為是通常驅(qū)動電壓Vdrv(波高值)的1/2振幅,并且極性互相不同的脈沖。并且,同時由高壓電源311向顯示屏301熒光體施加規(guī)定的電壓。
SCE的電子發(fā)射特性是在施加超過閾值電壓的元件電壓時電子發(fā)射電流Ie急劇增加,另一方面在施加低于閾值電壓的元件電壓時幾乎檢測不到電子發(fā)射電流Ie。就是說,SCE相對電子發(fā)射電流Ie是具有明確的閾值電壓Vth的非線性元件。因此,在驅(qū)動脈沖Px及Py的振幅值為Vdrv的1/2且極性互相不同的場合,只有由開關(guān)矩陣303,304選擇的元件有電子發(fā)射。于是,可以利用電流檢出器305來測定利用驅(qū)動脈沖Px及Py驅(qū)動元件時的電子發(fā)射電流Ie。
下面利用圖5、圖6及圖11說明構(gòu)成多電子源的各個SCE的電子發(fā)射特性的調(diào)整過程。在本實施例中,因為進(jìn)行了預(yù)備驅(qū)動和特性調(diào)整驅(qū)動,說明包含兩方的驅(qū)動過程。
該過程包括在顯示屏301的所有元件上施加預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre后,測定施加通常驅(qū)動電壓Vdrv時的電子發(fā)射特性,設(shè)定進(jìn)行特性調(diào)整時的基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t的階段I(與圖5的流程圖、圖1A的預(yù)備驅(qū)動期間和特性調(diào)整期間的第1期間相對應(yīng));當(dāng)利用在圖像顯示上幾乎不會產(chǎn)生障礙的場所301a的一部分的元件在元件上交互施加特性移動電壓Vshift和通常驅(qū)動電壓Vdrv時,導(dǎo)出電子發(fā)射電流變化量生成查找表的階段II(與圖6的流程圖、圖1A的特性調(diào)整期間的第2、第3期間相對應(yīng));根據(jù)用于特性調(diào)整的查找表施加特性移動電壓Vshift的脈沖波形信號及為了判定特性調(diào)整是否結(jié)束施加通常驅(qū)動電壓Vdrv測定電子發(fā)射特性的階段III(與圖11的流程圖、圖1A的特性調(diào)整期間的第2、第3期間相對應(yīng))。
首先,對階段I(圖5的流程圖)予以說明。在步驟S1中,輸出開關(guān)矩陣控制信號Tsw,利用開關(guān)矩陣控制電路310切換開關(guān)矩陣303,304從顯示屏301選擇一個元件。之后,在步驟S12中,將施加于所選擇的元件上的由脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv輸出到脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308。測定用脈沖的波高值是預(yù)備驅(qū)動電壓值Vpre=16V,脈沖幅值為1msec。于是,在步驟S13中,由脈沖發(fā)生電路306,307經(jīng)開關(guān)矩陣303,304向在步驟S11中選擇的元件施加預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre的脈沖信號。在步驟S14中,為了評價將執(zhí)行預(yù)備驅(qū)動電壓的元件降低到通常驅(qū)動電壓Vdrv進(jìn)行驅(qū)動時的電子發(fā)射特性,將脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的通常驅(qū)動電壓Vdrv=14.5V及脈沖幅值1msec設(shè)定為施加于所選擇的元件的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv。于是,在步驟S15中,對在步驟S11中所選擇的元件上施加通常驅(qū)動電壓Vdrv的脈沖信號。在步驟S16中,為了特性調(diào)整將通常驅(qū)動電壓Vdrv的電子發(fā)射電流Ie存放于脈沖設(shè)定存儲器309d中。
在步驟S17中,調(diào)查是否是對顯示屏301的所有的SCE都已經(jīng)進(jìn)行了測定,并且在不是時進(jìn)入步驟S18,設(shè)定選擇下一個元件的開關(guān)矩陣控制信號Tsw而進(jìn)入步驟S11。另一方面,在步驟S17中,對顯示屏301的全部SCE,比較通常驅(qū)動電壓Vdrv的電子發(fā)射電流Ie,設(shè)定基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t。
基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t采用以下的方法設(shè)定。
如圖3A所示,通過施加特性移動電壓,使任何元件的Ie-Vf曲線都向右方移動。所以,將目標(biāo)值設(shè)定為Vdrv施加時的Ie中的小者。然而,如目標(biāo)值過小,會使特性調(diào)整后的多電子源的平均電子發(fā)射量大大降低。在本實施例中,對整個元件的電子發(fā)射電流值進(jìn)行統(tǒng)計處理,計算出其平均電子發(fā)射電流Ie-ave和標(biāo)準(zhǔn)偏差σ-Ie。于是,基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t為Ie-t=Ie-ave-σ-Ie通過這樣設(shè)定基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t,可以使特性調(diào)整后的多電子源的平均電子發(fā)射電流不會有很大的降低,可以降低各個元件的電子發(fā)射量的偏差。
其次,對階段II(圖6的流程圖)予以說明。
在生成查找表時,選擇4階段(Vshift1~Vshift4)的離散電壓值作為特性移動電壓而分別觀測各個電壓的特性移動量。特性移動電壓的范圍,如前所述,Vshift≤Vpre,Vshift的電壓范圍可根據(jù)SCE的形狀及材料適當(dāng)?shù)卦O(shè)定,通??梢栽诖蠹s1V范圍內(nèi)分為數(shù)個階級設(shè)定來進(jìn)行特性調(diào)整。
首先,在圖6的流程圖中,對于在多個元件上施加具有各個4個特性移動電壓值Vshift1、Vshift2、Vshift3、Vshift4(1~100脈沖)時的電子發(fā)射電流Ie的變化量的計測步驟予以說明。
在步驟S21中,設(shè)定在多個SCE上施加4個特性移動電壓每一個的區(qū)域、元件數(shù)、各特性移動電壓值、脈沖幅值以及施加脈沖數(shù)。對多個元件施加的4個特性移動電壓每一個的顯示屏301內(nèi)的區(qū)域,選定在顯示圖像上幾乎不會招致障礙的場所301a,對一個特性移動電壓將元件數(shù)設(shè)定為20元件。在步驟S22中,輸出開關(guān)矩陣控制信號Tsw,由開關(guān)矩陣控制電路310對開關(guān)矩陣303,304進(jìn)行切換來從顯示屏301中選擇一個元件。在步驟S23中,將施加于所選擇的元件上的由脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv輸出到脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308。特性移動電壓用脈沖的波高值的預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre=16V,特性移動電壓為Vshift1=16.25V、Vshift2=16.5V、Vshift3=16.75V、Vshift4=17V中的任意一個,脈沖幅度哪一個都是1msec。于是,在步驟S24中,由脈沖發(fā)生電路306,307經(jīng)開關(guān)矩陣303,304向在步驟S21中選擇的元件施加預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre的脈沖信號作為特性移動電壓的首次。
在步驟S25中,為了評價將執(zhí)行特性移動電壓施加的元件降低到通常驅(qū)動電壓Vdrv進(jìn)行驅(qū)動時的電子發(fā)射電流特性,將脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的通常驅(qū)動電壓Vdrv=14.5V及脈沖幅值1msec設(shè)定為施加于所選擇的元件的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv。于是,在步驟S26中,對在步驟S22中所選擇的元件上施加通常驅(qū)動電壓Vdrv的脈沖信號。在步驟S27中,將Vdrv電壓的電子發(fā)射電流Ie作為相應(yīng)于特性移動電壓施加脈沖數(shù)的電子發(fā)射量變化數(shù)據(jù)存儲于存儲器309b。在步驟S28中,調(diào)查是否是對所選擇的元件施加了規(guī)定次數(shù)的特性移動電壓,并且在不是時進(jìn)入步驟S23。
另一方面,在步驟S28中,在特性移動電壓達(dá)到了規(guī)定的施加次數(shù)時,就進(jìn)入步驟S29。在步驟S29中,調(diào)查是否是對多個規(guī)定的元件都已經(jīng)進(jìn)行了測定,并且在不是時進(jìn)入步驟S30,設(shè)定選擇下一個元件的開關(guān)矩陣控制信號Tsw而進(jìn)入步驟S22。另一方面,在步驟S29中,在對規(guī)定的元件的測定處理結(jié)束時,將對多個規(guī)定的元件施加具有5個特性移動電壓值Vshift0(=Vpre)、Vshift1、Vshift2、Vshift3、Vshift4的每一個的特性移動電壓(1~100脈沖)時的元件發(fā)射電流的變化量以圖形表示。
圖7示出在將特性移動電壓值Vshift0(=Vpre)、Vshift1、Vshift2、Vshift3、Vshift4的每一個施加(1~100脈沖)于多個元件時的電子發(fā)射電流的變化量(平均值)的示圖。另外,此時的元件發(fā)射電流值是在各特性移動電壓每施加一個脈沖的通常驅(qū)動(Vdrv)時計測的值。5個特性移動電壓值的關(guān)系是Vshift4>Vshift3>Vshift2>Vshift1>Vpre。
如圖7所示,增加特性移動電壓施加數(shù)或增大特性移動電壓可使元件特性的變化量變大,即調(diào)整量變大。利用如圖7所示的特性變化曲線對多電子源全體進(jìn)行調(diào)整以下面的兩個步驟進(jìn)行。
(1)根據(jù)由圖5的Ie計測結(jié)果設(shè)定的目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t設(shè)定特性移動電壓范圍及平均施加脈沖數(shù)。就是說,到此為止,成為生成用來進(jìn)行特性調(diào)整的查找表的階段。
(2)根據(jù)由(1)決定的設(shè)定值,對各元件每一個設(shè)定特性移動電壓。于是,反復(fù)進(jìn)行特性移動電壓施加和電子發(fā)射電流特性計測,使特性移動到目標(biāo)值為止。也就是說,變成為為了判定,根據(jù)特性調(diào)整用的查找表,施加特性移動電壓Vshift的脈沖波形信號及特性調(diào)整是否結(jié)束,施加通常驅(qū)動電壓Vdrv測定電子發(fā)射特性的階段(與圖11的流程圖、圖1A的特性調(diào)整期間的第2、第3期間相對應(yīng))。
但是,如前所述,雖然數(shù)目少但存在具有相對如圖7所示的特性變化曲線的施加脈沖數(shù)的變化率差異很大的電子發(fā)射元件的電子源。對這樣的電子源,通過在大多數(shù)的電子源的特性調(diào)整(1)、(2)的步驟中納入后述的應(yīng)對方法,也可以進(jìn)行特性調(diào)整。
下面對(1)、(2)詳細(xì)說明。
(1)將在圖5中計測的最大電流值設(shè)為Iemax,則可利用下式求得在圖5中設(shè)定的目標(biāo)Ie-t的最大調(diào)整率Dmax。
Dmax=Ie-t/Iemax例如,如目標(biāo)Ie-t=0.9μA,Iemax=1.2μA,則Dmax=0.75是必定的。此時,由圖7可知,即使是施加最大移動電壓Vshift4,采用1脈沖,也不能調(diào)整全部。另一方面,如增加特性移動電壓施加脈沖數(shù),特性調(diào)整時間變長,也不能說最好。于是,在本實施例中的,通過平均施加10脈沖,可以進(jìn)行特性調(diào)整。此時,過程所需要的時間可估計為10脈沖的施加時間與具有超過目標(biāo)Ie-t的元件數(shù)的乘積。
由圖7可讀出10脈沖施加時的Ie的調(diào)整率D0~D4。
此處,在將某一特性移動電壓Vshift以10脈沖施加之后大概會立即達(dá)到目標(biāo)電子發(fā)射電流Ie-t,而在初次將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u可以以下式表示Ie-u=Ie-t/D即如假設(shè)以10脈沖施加特性移動電壓Vshift1時的調(diào)整率為D1,此時的將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u1,則有Ie-u1=Ie-t/D1同樣,如假設(shè)以10脈沖施加特性移動電壓Vshift2時的調(diào)整率為D2,此時的將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u2,則有Ie-u2=Ie-t/D2如假設(shè)以10脈沖施加特性移動電壓Vshift3時的調(diào)整率為D3,此時的將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u3,則有Ie-u3=Ie-t/D3如假設(shè)以10脈沖施加特性移動電壓Vshift4時的調(diào)整率為D4,此時的將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u4,則有Ie-u4=Ie-t/D4另外,如假設(shè)以10脈沖施加特性移動電壓Vshift0時的調(diào)整率為D0,此時的將預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加之后立即通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流上限值Ie-u0,則有Ie-u0=Ie-t/D0如利用這些各個電子發(fā)射電流上限值做成用來進(jìn)行特性調(diào)整的查找表,就成為圖8。在圖8中,施加預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre(=特性移動電壓Vshift0)而實施特性調(diào)整的預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加后在通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流范圍從目標(biāo)Ie-t變到Ie-u1。同樣,施加特性移動電壓Vshift1而實施特性調(diào)整的預(yù)備驅(qū)動(Vpre)以1脈沖施加后在通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流范圍從目標(biāo)Ie-u1變到Ie-u2,施加特性移動電壓Vshift2而實施特性調(diào)整的預(yù)備驅(qū)動Vpre以1脈沖施加后在通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流范圍從目標(biāo)Ie-u2變到Ie-u3,施加特性移動電壓Vshift3而實施特性調(diào)整的預(yù)備驅(qū)動Vpre以1脈沖施加后在通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流范圍從目標(biāo)Ie-u3變到Ie-u4,施加特性移動電壓Vshift4而實施特性調(diào)整的預(yù)備驅(qū)動Vpre以1脈沖施加后在通常驅(qū)動(Vdrv)時的電子發(fā)射電流范圍變得比目標(biāo)Ie-u4更大。在預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre后的通常驅(qū)動電壓Vdrv中的電子發(fā)射電流比Ie-u4更大的場合,施加Vshift4。
例如,在以10脈沖施加各個特性移動電壓時的調(diào)整率D0=0.9、D1=0.81、D2=0.72、D3=0.6、D4=0.5、目標(biāo)Ie-t=0.9μA、Ie最大值=1.55μA時,施加各個特性移動電壓的元件的Ie的范圍為0.9<Ie≤1.0μA(@Vshift0),1.0<Ie≤1.11μA(@Vshift1),1.11<Ie≤1.25μA(@Vshift2),1.25<Ie≤1.5μA(@Vshift3),1.5<Ie(@Vshift4)。
此處,對具有相對如圖7所示的特性變化曲線的施加脈沖數(shù)的變化率差異很大的電子發(fā)射元件的電子源的應(yīng)對方法予以說明。
如上所述,以圖7所示的特性變化曲線為基礎(chǔ)以平均施加脈沖數(shù)為10生成查找表,通過參照此表決定特性移動電壓,可以平均每個元件10數(shù)脈沖以下將電子發(fā)射特性大致設(shè)定于目標(biāo)Ie-t附近。在后述的特性調(diào)整實施中,也將平均施加脈沖數(shù)的2倍的20脈沖設(shè)定為最大施加脈沖數(shù)。此時,盡管實施了特性調(diào)整,未到達(dá)目標(biāo)Ie-t附近的元件,其一是雖然施加了最大施加脈沖數(shù)20脈沖,但未達(dá)到目標(biāo)Ie-t的元件,另一是在特性調(diào)整中低于目標(biāo)Ie-t過多的元件。即意味著相對圖7所示的特性變化曲線的施加脈沖數(shù)變化率差異很大的元件。
這樣,下面敘述減少這種特性調(diào)整未成的元件或電子源的方法。首先,為了推測是否是這種特性調(diào)整未成的元件,決定在初次施加特性移動電壓之后施加通常驅(qū)動電壓Vdrv并將測定的電子發(fā)射電流Ie值與設(shè)想的變化率的電子發(fā)射電流Ie值進(jìn)行比較。作為設(shè)想的變化率,下限為即使是施加最大施加脈沖數(shù)20脈沖也不能期待達(dá)到的目標(biāo)Ie-t的變化率D-ll,而上限為預(yù)測通過第二次脈沖施加仍舊低于目標(biāo)Ie-t的變化率D-ul。圖7所示的特性變化曲線,因為可以以對數(shù)函數(shù)表示,例如,在移動電壓Vshift0,脈沖幅度1[msec]的特性變化曲線可表示為y=A0·logx+B0其中x是脈沖數(shù),y是Ie的變化量,A0及B0是常數(shù)。
此處,下限的變化率D-ll0可表示如下。在初次施加特性移動電壓時的變化率為下限變化率D-ll0的場合,特性變化曲線y=A0·log1+D-100=D-100在此特性曲線中,脈沖施加20次時的變化率為y=A0·log20+D-ll0在此值超過當(dāng)初設(shè)定的特性變化曲線的施加10次脈沖時的變化率的值的場合,因為不能期待特性調(diào)整在最大施加脈沖數(shù)20脈沖施加中達(dá)到目標(biāo)Ie-t,可以表示為y=A0·log20+D-ll0<A0·log10+B0所以,下限的變化率D-ll0可表示為D-ll0<A0·log10+B0-A0·log20<B0-A0·log2≈B0-0.3·A0在初次施加脈沖電壓時的變化率小于此下限的變化率D-ll0的場合,可以期待在最大施加脈沖數(shù)20脈沖施加以內(nèi)達(dá)到目標(biāo)Ie-t,在大于下限變化率D-ll0的場合,不能期待達(dá)到目標(biāo)Ie-t。于是,在初次施加脈沖電壓時的變化率大于此下限的變化率D-ll0的場合,如圖9的特性調(diào)整期間的第2期間所示,在第2次以后施加脈沖時要將施加脈沖波形的寬度加大。這使每個1次脈沖施加的變化量加大,可期待在平均施加脈沖數(shù)前后達(dá)到目標(biāo)Ie-t。在本實施例中,第2次以后的施加脈沖的寬度此1[msec]變?yōu)?倍的2[msec]。
其次,上限變化率D-ul0可表示如下。在初次施加特性移動電壓時的變化率為上限變化率D-ul0的場合,特性變化曲線y=A0·log1+D-ul0=D-ul0在此特性曲線中,脈沖施加2次時的變化率為y=A0·log2+D-ul0在此值小于當(dāng)初設(shè)定的特性變化曲線的施加10次脈沖時的變化率的值的場合,因為預(yù)測特性調(diào)整在2次施加脈沖施加中低于目標(biāo)Ie-t,可以表示為y=A0·log2+D-ul0>A0·log10+B0所以,上限的變化率D-ul0可表示為D-ul0>A0·log10+B0-A0·log2>B0+A0·log5≈B0-0.7A0于是,在初次施加脈沖電壓時的變化率小于此上限的變化率D-ul0的場合,如圖10的特性調(diào)整期間的第2期間所示,在第2次以后施加脈沖時要將施加脈沖波形的寬度減小。這使每個1次脈沖施加的變化量減小,可期待在平均施加脈沖數(shù)前后達(dá)到目標(biāo)Ie-t。在本實施例中,第2次以后的施加脈沖的寬度從1[msec]變?yōu)槭种坏?.1[msec]。
同樣,在各特性移動電壓Vshift1~4中也可算出下限的變化量D-ll1~D-ll4及上限的變化率D-ul1~ul4,也可設(shè)定超過各下限的變化率的場合的脈沖幅值及小于各上限的變化率的場合的脈沖幅值。如上所述,為了對處對于圖7所示的特性變化曲線的施加脈沖數(shù)的變化率差異很大的元件,在生成上述查找表時,算出各移動電壓Vshift0~4的下限變化率D-ll0~D-ll4及上限變化率D-ul0~D-ul4,超過下限變化率的場合的脈沖幅值及低于上限變化率的場合的脈沖幅值一起存放于脈沖設(shè)定存儲器309d。
其次,對階段III(圖11的流程圖)予以說明。
首先,在步驟S51中,對顯示屏301中的實施特性調(diào)整的SCE的1元件在特性調(diào)整時施加的最大施加脈沖數(shù)進(jìn)行設(shè)定。最大施加脈沖數(shù)是平均施加脈沖數(shù)的2倍的20脈沖。之后,在步驟S52中,輸出開關(guān)矩陣控制信號Tsw,由開關(guān)矩陣控制電路310對開關(guān)矩陣303,304進(jìn)行切換來從顯示屏301中選擇一個元件。在步驟S53中,讀出對所選擇的元件的預(yù)備驅(qū)動后的通常驅(qū)動電壓Vdrv施加時的電子發(fā)射電流值。在步驟S54中,讀出特性調(diào)整查找表。在步驟S55中,將在步驟S53中讀出的所選擇的元件的電子發(fā)射電流值與特性調(diào)整的目標(biāo)值Ie-t比較,判斷是否是實施調(diào)整。在步驟S53中讀出的所選擇的元件的電子發(fā)射電流值與特性調(diào)整的目標(biāo)值Ie-t相等或小的場合,不實施特性調(diào)整進(jìn)入步驟S66。
在步驟S53中讀出的所選擇的元件的電子發(fā)射電流值比特性調(diào)整的目標(biāo)值Ie-t大的場合,參照在步驟S54中讀出的特性調(diào)整查找表在脈沖設(shè)定存儲器309d中設(shè)定所選擇的元件的電子發(fā)射電流值相對應(yīng)的特性移動電壓值Vshift0~Vshift4中的任何一個和脈沖幅度1[msec]。于是,在步驟S56中,將施加于所選擇的元件上的由脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv輸出到脈沖波高值及脈沖幅值設(shè)定電路308。在步驟S57中,由脈沖發(fā)生電路306,307經(jīng)開關(guān)矩陣303,304向在步驟S52中選擇的SCE施加特性移動電壓值Vshift0~Vshift4中的任何一個脈沖信號。例如,在步驟S52中選擇的SCE的電子發(fā)射電流值為Ie-p,如在下述范圍內(nèi),則由特性調(diào)整查找表圖8,特性移動電壓值為Vshift2。
Ie-u2<Ie-p≤Ie-u3在步驟S58中,為了對在低于通常驅(qū)動電壓Vdrv時驅(qū)動進(jìn)行了特性調(diào)整的元件進(jìn)行評價,將通常驅(qū)動電壓Vdrv、脈沖幅度1[msec]作為施加于所選擇的元件的由脈沖設(shè)定存儲器309d預(yù)先設(shè)定的脈沖信號的波高值及脈沖幅值數(shù)據(jù)Tv設(shè)定。于是,在步驟S590中,對在步驟S52中選擇的元件施加通常驅(qū)動電壓值Vdrv脈沖電壓。此時的電子發(fā)射電流在步驟S60中存放于計測存儲器。在步驟S61中,當(dāng)在步驟S60中計測的電子發(fā)射電流值不能小于特性調(diào)整目標(biāo)Ie-t的場合,就進(jìn)入步驟S62的初次脈沖施加檢查。另一方面,在步驟S60中計測的元件的電子發(fā)射電流值與特性調(diào)整的目標(biāo)值Ie-t相等或小的場合,不實施特性調(diào)整進(jìn)入步驟S66。
在步驟S62中,檢查脈沖施加是否是初次,在初次的場合,進(jìn)入步驟S63。在第2次以后的場合,進(jìn)入在步驟S65的特性調(diào)整驅(qū)動最大施加脈沖數(shù)的累積脈沖施加數(shù)檢查。在步驟S63中,為了判定所選擇的元件是否是如圖7所示的對特性變化曲線的施加脈沖數(shù)的變化率差異很大的元件,從上述脈沖設(shè)定存儲器309d讀出與施加到所選擇的元件的特性移動電壓相對應(yīng)的下限的變化率和上限的變化率。于是,對所選擇的元件的預(yù)備驅(qū)動后的通常驅(qū)動電壓Vdrv施加時的電子發(fā)射電流值與下限的變化率相乘的值作為下限Ie值,將與上限的變化率相乘的值作為上限Ie值,與在步驟S60中計測的電子發(fā)射電流值進(jìn)行比較。接著,在步驟S64中,當(dāng)在步驟S60中計測的電子發(fā)射電流值大于下限Ie值的場合,就對施加脈沖波形的幅值從1[msec]再設(shè)定為其2倍的2[msec],而在小于上限Ie值的場合,就對施加脈沖波形的幅值從1[msec]再設(shè)定為其1/10倍的1/10[msec],為了第2次進(jìn)行脈沖施加,進(jìn)入步驟S56。
另一方面,在步驟65中,檢查對第2次以后的脈沖施加所選擇的元件的累積脈沖施加數(shù)是否達(dá)到特性調(diào)整驅(qū)動最大施加脈沖數(shù)設(shè)定值,在未達(dá)到的場合,為了與前次的脈沖施加一樣施加脈沖,進(jìn)入步驟S56,而在達(dá)到的場合,進(jìn)入步驟S66。在步驟S66中,調(diào)查是否是對顯示屏301的所有的SCE都已經(jīng)進(jìn)行了特性調(diào)整,并且在不是時進(jìn)入步驟S67,輸出選擇下一個元件的開關(guān)矩陣控制信號Tsw而進(jìn)入步驟S52。在步驟S66中,對所有的元件,如流程結(jié)束,則特性調(diào)整完成,所有的元件的電子發(fā)射電流均一化。此處,步驟(2)結(jié)束。此時,過程所需要的時間,大致初期Ie為比目標(biāo)Ie-t大的元件數(shù)和10脈沖移動電壓施加時間的乘積的時間。
作為對在本實施例中敘述的圖7所示的特性變化曲線的施加脈沖數(shù)的變化率差異很大的電子發(fā)射元件的電子源的應(yīng)對方法,除上述方法以外,也可以采用對變化率差異很大的電子源施加的任何一個的特性移動電壓之Vshift0~4進(jìn)行電壓值增減通過第2次以后的脈沖施加接近設(shè)想的變化率而到達(dá)目標(biāo)Ie-t的方法。
另外,在本實施例中,對每個顯示屏301生成特性調(diào)整查找表,根據(jù)該特性調(diào)整查找表進(jìn)行調(diào)整的步驟和方法,在使同一批次內(nèi)的顯示屏301中SCE的目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t相同進(jìn)行特性調(diào)整的場合,只對最初的第1個顯示屏生成特性調(diào)整查找表,在第2個以后的顯示屏中,在顯示屏301的前部SCE施加預(yù)備驅(qū)動電壓Vpre后,假如通常驅(qū)動電壓Vdrv施加時的電子發(fā)射特性的測定結(jié)果是可以設(shè)定SCE的基準(zhǔn)目標(biāo)電子發(fā)射電流值Ie-t的范疇,即使是未取得圖7所示的特性變化曲線的全部而只取得確認(rèn)一部分的數(shù)據(jù),可以利用最初的第1個顯示屏的特性調(diào)整查找表進(jìn)行特性調(diào)整,可以削減第2個以后的顯示屏的特性調(diào)整過程的處理時間。
另外,在本實施例中,計測電子發(fā)射電流,使其均一化,進(jìn)行特性調(diào)整,但在測定由于從SCE發(fā)射的電子引起發(fā)光的熒光體的發(fā)光亮度時存在亮度偏差的場合,也可進(jìn)行校正使其均一化。即在驅(qū)動每個元件時,利用CCD等測定從該元件發(fā)射的電子引起發(fā)光的熒光體的發(fā)光亮度,將該測定的亮度變換為與上述電子發(fā)射電流相當(dāng)?shù)闹狄部蓪崿F(xiàn)均一化。
此外,在本實施例中,利用的是顯示屏內(nèi)301a的圖像顯示區(qū)域的元件,在圖像顯示時在作成不進(jìn)行驅(qū)動的空元件中,此處也可以取得數(shù)據(jù)。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明,在具有配設(shè)多個SCE的多電子源的電子發(fā)生裝置中,利用簡單的構(gòu)成,在可以使各個SCE的特性調(diào)整工序的時間均一化的同時,在量產(chǎn)制造工序中,可以抑制特性調(diào)整后的電子源顯示屏之間的電子發(fā)射特性及特性調(diào)整時間的偏差,制造工序容易管理。
權(quán)利要求
1.一種多電子源的特性調(diào)整方法,是將多個電子發(fā)射元件配置于基板上的多電子源的特性調(diào)整方法,其特征在于包括對上述各電子發(fā)射元件的電子發(fā)射特性進(jìn)行計測,設(shè)定特性調(diào)整目標(biāo)值的工序;對上述多個電子發(fā)射元件的一部分,施加具有離散的多個特性移動電壓值的特性移動電壓,而對上述各個電子發(fā)射元件的電子發(fā)射特性進(jìn)行計測,根據(jù)計測的電子發(fā)射特性的變化率對上述每個特性移動電壓值生成特性調(diào)整表的工序;對上述每個電子發(fā)射元件,參照上述特性調(diào)整表,通過從上述多個特性移動電壓值中選擇規(guī)定的特性移動電壓值施加于上述電子發(fā)射元件,使特性移動到特性調(diào)整目標(biāo)值的移動工序;以及監(jiān)視上述電子發(fā)射特性的變化,再設(shè)定特性移動條件的工序。
2.如權(quán)利要求1所記載的多電子源的特性調(diào)整方法,其特征在于上述特性調(diào)整表是利用上述多電子源的一部分,通過計測施加不同特性移動電壓時的發(fā)射電流的變化而生成的。
3.如權(quán)利要求1所記載的多電子源的特性調(diào)整方法,其特征在于上述電子發(fā)射特性是電子發(fā)射電流或發(fā)光亮度。
4.如權(quán)利要求1所記載的多電子源的特性調(diào)整方法,其特征在于上述特性移動條件的再設(shè)定工序包括判斷初次的特性移動脈沖施加后的電子發(fā)射特性的變化率是否在規(guī)定的范圍內(nèi),以及不在上述規(guī)定范圍內(nèi)時,對上述特性移動電壓的脈沖幅度進(jìn)行再設(shè)定的工序。
5.如權(quán)利要求4所記載的多電子源的特性調(diào)整方法,其特征在于上述規(guī)定的范圍,是施加根據(jù)上述計測的電子發(fā)射特性的變化率算出的、預(yù)先設(shè)定的最大施加脈沖數(shù)的特性移動電壓時的電子發(fā)射特性的變化率的上限值及下限值所確定的范圍。
6.一種多電子源的特性調(diào)整裝置,是調(diào)整將多個電子發(fā)射元件配置于基板上的多電子源的各電子發(fā)射元件的電子發(fā)射特性的特性調(diào)整裝置,其特征在于包括選擇構(gòu)成多電子源的上述電子發(fā)射元件的選擇控制電路;設(shè)定在上述各個電子發(fā)射元件上應(yīng)該施加的電壓的波高值及脈沖幅值的設(shè)定電路;在利用上述選擇電路選擇的上述電子發(fā)射元件上施加由上述波高值及脈沖幅值設(shè)定電路設(shè)定的電壓的驅(qū)動電路;測定在利用上述驅(qū)動電路驅(qū)動時從電子發(fā)射元件發(fā)出的電子發(fā)射電流的電路存放上述電子發(fā)射電流的測定值的存儲器;利用上述選擇控制電路選擇上述多個的電子發(fā)射元件的一部分,利用上述波高值及脈沖幅值設(shè)定電路設(shè)定離散的多個特性移動電壓而由上述驅(qū)動電路驅(qū)動其一部分的電子發(fā)射元件,根據(jù)在各特性移動電壓施加時的上述測定電路的測定值算出上述一部分的電子發(fā)射元件的電子發(fā)射特性的變化率的平均值,以此為基礎(chǔ)生成用來調(diào)整上述電子發(fā)射元件的電子發(fā)射電流特性的特性調(diào)整表的運算電路;存放上述特性調(diào)整表以及應(yīng)該施加于上述電子發(fā)射元件上的特性移動電壓波高值及脈沖幅值的存儲器;以及根據(jù)上述特性調(diào)整表及電子發(fā)射電流對上述波高值及脈沖幅值設(shè)定電路的設(shè)定值進(jìn)行再設(shè)定的控制電路。
全文摘要
一種電子源的特性調(diào)整方法及特性調(diào)整裝置,以簡易的工序使多電子源的電子發(fā)射特性及調(diào)整時間基本相同。上述方法包括設(shè)定特性調(diào)整目標(biāo)值的工序;對每個特性移動電壓值生成特性調(diào)整表的工序;對每個電子發(fā)射元件,使特性移動到特性調(diào)整目標(biāo)值的移動工序;以及監(jiān)視上述電子發(fā)射特性的變化,再設(shè)定特性移動條件的工序。
文檔編號G09G3/22GK1402294SQ02130200
公開日2003年3月12日 申請日期2002年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月27日
發(fā)明者青木修司, 小口高弘 申請人:佳能株式會社
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