供體襯底及制造方法和使用供體襯底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法
【專利摘要】供體襯底包括基層、設(shè)置在所述基層上的光熱轉(zhuǎn)換層、設(shè)置在所述基層上且釋放靜電的金屬顆粒層、以及設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層。
【專利說明】供體襯底及制造方法和使用供體襯底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法
[0001]本申請(qǐng)要求與2013年5月28日提交的第10-2013-0060489號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本公開涉及供體襯底、制造供體襯底的方法和使用供體襯底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。更具體地，本公開涉及釋放其自身靜電的供體襯底、制造該供體襯底的方法和使用該供體襯底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]一般地，激光誘導(dǎo)熱成像方法廣泛用于在目標(biāo)轉(zhuǎn)移襯底上形成有機(jī)/無(wú)機(jī)圖案(下文稱為轉(zhuǎn)移圖案)。例如，激光誘導(dǎo)熱成像方法用于制造有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0004]激光誘導(dǎo)熱成像方法可利用供體襯底。供體襯底典型地包括將從光源提供的光轉(zhuǎn)換成熱的光熱轉(zhuǎn)換層和設(shè)置于光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本公開提供了包括釋放靜電的金屬顆粒層的供體襯底的示例性實(shí)施方式。
[0006]本公開提供了制造所述供體襯底的方法。
[0007]本公開提供了使用所述供體襯底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。
[0008]在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中，供體襯底包括基層、被設(shè)置在所述基層上的光熱轉(zhuǎn)換層、以及被設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層。所述供體襯底進(jìn)一步包括釋放靜電的金屬顆粒層，設(shè)置在所述基層與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間或所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間。
[0009]在示例性實(shí)施方式中，所述基層可包括合成樹脂，并且所述金屬顆粒層可包括銀顆粒。
[0010]在示例性實(shí)施方式中，所述供體襯底還可包括中間層，在所述金屬顆粒層設(shè)置在所述基層與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的情況下所述中間層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間，在所述金屬顆粒層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間的情況下所述中間層設(shè)置在所述金屬顆粒層與所述轉(zhuǎn)印層之間。其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包括吸光材料，并且所述中間層有效地防止所述光熱轉(zhuǎn)換層的吸光材料擴(kuò)散到所述轉(zhuǎn)印層。
[0011]在示例性實(shí)施方式中，所述供體襯底還可包括被設(shè)置在所述轉(zhuǎn)印層上的保護(hù)層。
[0012]在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式中，制造供體襯底的方法包括:在基層上提供光熱轉(zhuǎn)換層；在所述光熱轉(zhuǎn)換層上提供金屬墨層；使用光燒結(jié)所述金屬墨層以形成金屬顆粒層；以及在所述金屬顆粒層上提供轉(zhuǎn)印層。
[0013]在示例性實(shí)施方式中，所述方法還可包括將微波輻射到所述金屬顆粒層上。
[0014]在示例性實(shí)施方式中，可在所述金屬顆粒層上提供中間層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包括吸光材料，以及所述中間層有效地防止所述光熱轉(zhuǎn)換層的吸光材料擴(kuò)散到所述轉(zhuǎn)印層。
[0015]在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式中，制造供體襯底的方法包括:在基層上提供金屬墨層；使用光燒結(jié)所述金屬墨層以形成金屬顆粒層；在所述金屬顆粒層上提供光熱轉(zhuǎn)換層；以及在所述光熱轉(zhuǎn)換層上提供轉(zhuǎn)印層。
[0016]在示例性實(shí)施方式中，所述方法還可包括將微波輻射到所述金屬顆粒層上。
[0017]在本發(fā)明的可選的示例性實(shí)施方式中，形成轉(zhuǎn)印層的方法包括:將供體襯底設(shè)置在目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底上，其中所述供體襯底包括基層、被設(shè)置在所述基層上的光熱轉(zhuǎn)換層、被設(shè)置在所述基層上且釋放靜電的金屬顆粒層、以及被設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層，其中所設(shè)置的供體襯底的轉(zhuǎn)印層與所述目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底接觸；將光照射到所述供體襯底上以允許轉(zhuǎn)印圖案被轉(zhuǎn)印到所述目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底上；以及從所述目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底移除所述供體襯底。
[0018]在示例性實(shí)施方式中，所述方法還可包括在將所述供體襯底設(shè)置在所述目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底上之前從所述供體襯底移除保護(hù)層，其中所述保護(hù)層被設(shè)置在所述供體襯底的轉(zhuǎn)印層上。
[0019]在示例性實(shí)施方式中，所述目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底可以是有機(jī)發(fā)光顯示襯底的襯底。
[0020]在示例性實(shí)施方式中，所述有機(jī)發(fā)光顯示襯底可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備，并且所述有機(jī)發(fā)光設(shè)備可包括所述轉(zhuǎn)印圖案。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，如本文所述，所述金屬顆粒層釋放在所述供體襯底的制造過程和所述轉(zhuǎn)印圖案的轉(zhuǎn)印過程期間產(chǎn)生的靜電。因此，外來(lái)物質(zhì)可被有效地防止附接至所述轉(zhuǎn)印層。在此實(shí)施方式中，集成于其上設(shè)置有所述轉(zhuǎn)印圖案的所述有機(jī)發(fā)光顯示襯底中的電氣部分可被保護(hù)免受所述靜電的影響。
[0022]在示例性實(shí)施方式中，如本文所述，所述金屬顆粒層可由比熱燒結(jié)工序更快執(zhí)行的光燒結(jié)工序形成。因此，所述金屬顆粒層的制造時(shí)間被縮短。在此實(shí)施方式中，所述燒結(jié)工序在低溫下執(zhí)行，因此所述基層可被有效地防止變形。在此實(shí)施方式中，所述金屬顆粒層吸收微波，使得所述金屬顆粒層的導(dǎo)電性得以改進(jìn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]通過參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的上面和其它特征將變得更加明顯，在附圖中:
[0024]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的示例性實(shí)施方式的平面視圖；
[0025]圖2A是沿圖1所示的供體襯底的線1-1’截取的截面視圖；
[0026]圖2B是示出了根據(jù)本發(fā)明的金屬顆粒層的示例性實(shí)施方式的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像；
[0027]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的可選的示例性實(shí)施方式的剖視圖；
[0028]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的另一可選的示例性實(shí)施方式的剖視圖；
[0029]圖5A至圖5F是示出了根據(jù)本發(fā)明制造供體襯底的方法的示例性實(shí)施方式的剖視圖；
[0030]圖6A至圖6D是示出了根據(jù)本發(fā)明形成轉(zhuǎn)印圖案的方法的示例性實(shí)施方式的剖視圖；以及
[0031]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明包括轉(zhuǎn)印圖案的有機(jī)發(fā)光顯示襯底的示例實(shí)施方式的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下文參考附圖更完整地描述本發(fā)明，在附圖中示出了各種實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該被解釋為受限于本文中所述的實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施方式被提供給使得此公告透徹和完整，并且將本發(fā)明的范圍完全轉(zhuǎn)達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在全文中相似的參考標(biāo)記指向相似的元件。
[0033]將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“位于”另一元件或?qū)印爸稀薄⒒颉斑B接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可直接位于另一元件或?qū)又稀⒒蛑苯舆B接或耦接至另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接位于”另一元件“之上”、或“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。在全文中相似的參考?biāo)號(hào)指向相似的元件。如本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括列出的相關(guān)項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任意或所有組合。
[0034]將理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二等可在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而不背離本文的教導(dǎo)。
[0035]為了方便描述可在本文中使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)例如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”和“上”等描述一個(gè)元件或特征與附圖中所示的其它元件或特征的關(guān)系。將理解，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)用于包含設(shè)備在除了附圖中描繪或的定向以外的使用或操作時(shí)的不同定向。例如，如果附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，被描述成在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件則被定向成在其它元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”可包括上和下兩個(gè)定向。設(shè)備可以其它方式被定向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它定向)并且本文中所使用的空間相對(duì)描述相應(yīng)地被解釋。
[0036]本文中所使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅用于描述具體的實(shí)施方式而不用于限制本發(fā)明。如本文中所使用的，單數(shù)形式“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”和“一個(gè)(the) ”也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出。還理解，術(shù)語(yǔ)“包括(includes)”和/或“包括(including) ”在本說明書中使用時(shí)指定所述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組合的存在或附加。
[0037]考慮到所討論的測(cè)量和與具體量的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的限制)，如本文中所使用的“大約”或“近似”包括所述的值或由本領(lǐng)域技術(shù)人員確定的具體值的可接受偏差范圍內(nèi)的均值。例如，“大約”可表示在一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)，或在所述值的±30%、20%、10%、5% 內(nèi)。
[0038]本文參考作為對(duì)理想化實(shí)施方式的示意性說明的截面圖解描述示例性實(shí)施方式。如此將預(yù)料到例如作為制造技術(shù)和/或容差結(jié)果的圖解的形狀的變型。因此，本文中描述的實(shí)施方式不應(yīng)該被解釋為受限于本文所示的區(qū)域的具體形狀，而是包括作為例如制造結(jié)果的形狀的偏差。例如，所示或所述的區(qū)域可典型地具有粗糙和/或非線性的特征。而且，所示的尖角可以是圓的。因此，附圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的并且它們的形狀不用于說明區(qū)域的精確形狀并且不用于限制權(quán)利要求書的范圍。
[0039]本文中所述的所有方法可以適當(dāng)?shù)捻樞驁?zhí)行，除非在辦完呢中另有說明或者以其它方式被上下文清楚否定。任意和所有實(shí)施例或示例性語(yǔ)言(如，“例如”)的使用僅用于更好地說明本發(fā)明并且不限制本發(fā)明的范圍，除非另有聲明。說明書中的語(yǔ)言不應(yīng)該被解釋為指示所謂所使用的本發(fā)明實(shí)現(xiàn)所必需的未聲明元件。
[0040]下文參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。
[0041]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的示例性實(shí)施方式的平面視圖，圖2A是沿圖1中所示的供體襯底的線1-1’截取的截面視圖，以及圖2B是示出了根據(jù)本發(fā)明的金屬顆粒層的示例性實(shí)施方式的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。下文參考圖1、圖2A和圖2B描述供體襯底的示例性實(shí)施方式。
[0042]參考圖1和圖2A，供體襯底100的示例性實(shí)施方式包括基層10、光熱轉(zhuǎn)換層20、金屬顆粒層30和轉(zhuǎn)印層40。在此實(shí)施方式中，功能層(未示出)可被設(shè)置在基層10與光熱轉(zhuǎn)換層20之間。
[0043]基層10是透明的，以透射入射到基層10的光?；鶎?0可包括合成樹脂。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，基層10包括聚酯、聚丙烯、聚環(huán)氧(類樹脂)、聚乙烯、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯中的至少一種。在可選的示例性實(shí)施方式中，基層10可包括玻璃或石英。在示例性實(shí)施方式中，基層10具有大約10微米(μπι)至大約500微米(ym)的厚度。
[0044]光熱轉(zhuǎn)換層20被設(shè)置在基層10上。光熱轉(zhuǎn)換層20吸收入射光并且將吸收的光轉(zhuǎn)換成熱。光熱轉(zhuǎn)換層20吸收入射光中具有特定波長(zhǎng)的光，例如紫外線波長(zhǎng)區(qū)域或可見光學(xué)波長(zhǎng)區(qū)域。
[0045]光熱轉(zhuǎn)換層20包括具有預(yù)定光學(xué)密度和光吸收率的材料。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，光熱轉(zhuǎn)換層20可包括金屬(例如，鋁(Al)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、錯(cuò)(Zr)、銅(Cu)、.凡(V)、鉭(Ta) (Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt))、它們的金屬氧化物、或它們的金屬硫化物。
[0046]在不例性實(shí)施方式中，光熱轉(zhuǎn)換層20可包括吸光材料和聚合物。光熱轉(zhuǎn)換層20的吸光材料可以是例如碳黑、石墨或紅外線染料。光熱轉(zhuǎn)換層20還可包括粘合劑。光熱轉(zhuǎn)換層20具有包括上述材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0047]金屬顆粒層30被設(shè)置在基層10上。在此實(shí)施方式中，如圖2Α所示，金屬顆粒層30被設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層20上。
[0048]參考圖2Β，金屬顆粒層30包括光燒結(jié)的金屬顆粒。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，金屬顆?？梢允倾y顆粒，但是不限于此。金屬顆粒層30是通過使用光燒結(jié)工序來(lái)合并金屬顆粒而提供的(例如，形成的)。
[0049]金屬顆粒層30具有很高的導(dǎo)電性以釋放靜電。銀顆粒層可具有例如銀塊的大約28%的導(dǎo)電性。金屬顆粒層30的導(dǎo)電性可基于光燒結(jié)工序的條件被控制。在此實(shí)施方式中，金屬顆粒層30的導(dǎo)電性可通過將微波輻射到金屬顆粒層30上得到改進(jìn)。金屬顆粒層30釋放在供體襯底100被制造且轉(zhuǎn)印圖案通過使用供體襯底100形成時(shí)產(chǎn)生的靜電。
[0050]如圖2Α所示，轉(zhuǎn)印層40被設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層20上。在此實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)印層40被設(shè)置在金屬顆粒層30上。轉(zhuǎn)印層40包括被所施加的熱能轉(zhuǎn)印的有機(jī)和無(wú)機(jī)材料。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，轉(zhuǎn)印層40包括濾色器的有機(jī)材料或包括在有機(jī)發(fā)光設(shè)備中的功能材料，但是不限于具體材料。
[0051]保護(hù)層PF被設(shè)置在轉(zhuǎn)印層40上。保護(hù)層PF在供體襯底100移動(dòng)時(shí)有效地防止轉(zhuǎn)印層40被損壞。保護(hù)層PF可包括可附接至轉(zhuǎn)印層40和可從轉(zhuǎn)印層40脫離的塑料膜。在保護(hù)層PF附接至轉(zhuǎn)印層40時(shí)可能產(chǎn)生的靜電通過金屬顆粒層30被釋放。
[0052]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的可選示例性實(shí)施方式的截面視圖，以及圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體襯底的另一可選示例性實(shí)施方式的截面視圖。圖3和圖4中所示的相同或相似元件被標(biāo)記有與如上用于描述圖2中所示的供體襯底的示例性實(shí)施方式具有相同的參考特征，并且它們的任意重復(fù)的詳細(xì)描述可被省略或簡(jiǎn)化。
[0053]參考圖3，供體襯底100-1的示例性實(shí)施方式包括基層10、光熱轉(zhuǎn)換層20、金屬顆粒層30和轉(zhuǎn)印層40。供體襯底100-1具有與圖2中所示的供體襯底100的層結(jié)構(gòu)不同的層結(jié)構(gòu)。
[0054]在此實(shí)施方式中，如圖3所示，金屬顆粒層30被直接設(shè)置在基層10的表面上。光熱轉(zhuǎn)換層20被設(shè)置在金屬顆粒層30上。在此實(shí)施方式中，另一功能層(未示出)可被設(shè)置在基層10與金屬顆粒層30之間。
[0055]參考圖4，供體襯底100-2的可選示例性實(shí)施方式還可包括中間層50。中間層50被設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層20與轉(zhuǎn)印層40之間。在這種實(shí)施方式中，中間層50有效地防止轉(zhuǎn)印層40被包括在光熱轉(zhuǎn)換層20中的吸光材料(例如，碳黑)污染。中間層50包括例如聚合物、金屬、無(wú)機(jī)材料、無(wú)機(jī)氧化物材料或有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合材料。
[0056]中間層50被設(shè)置在金屬顆粒層30上。在另一可選不例性實(shí)施方式中，金屬顆粒層30可被直接設(shè)置在基層10的表面上，并且中間層50可被直接設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層20的表面上。
[0057]圖5A至圖5F是示出了根據(jù)本發(fā)明制造供體襯底的方法的示例性實(shí)施方式的截面視圖。圖5A至圖5F示出了制造圖2A中所示的供體襯底100的方法的示例性實(shí)施方式。
[0058]參考圖5A，在基層10上提供(例如，形成)光熱轉(zhuǎn)換層20。提供光熱轉(zhuǎn)換層20的方法基于其材料被確定。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，可通過真空沉積工序、電子束沉積工序或?yàn)R射工序提供(例如形成)包括例如金屬氧化物、金屬硫化物、碳黑、石墨的光熱轉(zhuǎn)換層20。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，可通過輥涂方法、擠涂方法、旋涂方法、刮涂方法或噴涂方法提供(例如，形成)包括聚合物的光熱轉(zhuǎn)換層20。
[0059]參考圖5B，在光熱轉(zhuǎn)換層20上提供(例如，形成)金屬墨層30-1。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，可通過將金屬墨涂布在光熱轉(zhuǎn)換層20上形成金屬墨層30-1。在可選的示例性實(shí)施方式中，可通過輥涂方法、擠涂方法、旋涂方法、刮涂方法或噴涂方法形成金屬墨層30-1。
[0060]在此實(shí)施方式中，金屬墨包括有機(jī)溶劑和分布在有機(jī)溶劑中的金屬納米粒子。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，例如，金屬墨包括乙醇-乙二醇混合溶劑(ethanol-ethyleneglycol mixed solvent)和分布在乙醇-乙二醇混合溶劑中的銀納米粒子。金屬墨可包括約20重量百分?jǐn)?shù))的銀納米粒子。每個(gè)銀納米粒子具有大約30納米(nm)至大約50納米(nm)的直徑。
[0061]然后，如圖5C和圖所示，將金屬墨層30-1光燒結(jié)以提供金屬顆粒層30。在此實(shí)施方式中，可使用高強(qiáng)度閃光燈在金屬墨層30-1上間歇地若干次照射光LS。在此實(shí)施方式中，在每個(gè)照射階段將光LS照射幾微秒至幾毫秒。
[0062]在示例性實(shí)施方式中，可將可見光線波長(zhǎng)區(qū)域中的強(qiáng)脈沖光(IPL)照射到金屬墨層30-1上。在此實(shí)施方式中，可使用最大功率為1000瓦(W)且波長(zhǎng)范圍為大約350nm至大約900nm的閃光燈在金屬墨層30-1上照射32次光。在此實(shí)施方式中，可在每次照射階段照射大約10毫秒(ms)的光。
[0063]由此，有機(jī)溶劑被蒸發(fā)并且金屬前體(例如，銀前體)被熱轉(zhuǎn)換。熔點(diǎn)低于銀塊熔點(diǎn)的金屬前體被IPL快速燒結(jié)。光燒結(jié)方法可被應(yīng)用至輥對(duì)輥制造工序。
[0064]然后，參考圖5E，在金屬顆粒層30上提供(例如，形成)轉(zhuǎn)印層40?？苫诓牧贤ㄟ^真空沉積工序、濺射工序或涂布工序形成轉(zhuǎn)印層40。
[0065]參考圖5F，在轉(zhuǎn)印層40上提供(例如，形成)保護(hù)層PF。保護(hù)層PF可通過層壓工序附接到轉(zhuǎn)印層40上。在此實(shí)施方式中，在層壓工序期間產(chǎn)生的靜電通過金屬顆粒層30被釋放。在供體襯底100的可選示例性實(shí)施方式中保護(hù)層PF可被省略。
[0066]盡管未在附圖中示出，但是制造供體襯底100的示例性實(shí)施方式還可包括在提供轉(zhuǎn)印層40之前將微波照射到金屬顆粒層30上。在此實(shí)施方式中，可在金屬顆粒層30上輻射功率為幾瓦的微波若干秒。
[0067]在此實(shí)施方式中，在金屬墨層30-1被燒結(jié)以形成金屬顆粒層30之后，入射到金屬顆粒層30的光被反射。由此，在金屬墨層30-1的預(yù)定量被燒結(jié)之后，不論燒結(jié)時(shí)間多長(zhǎng)，金屬顆粒層30的導(dǎo)電性不會(huì)增加。在此實(shí)施方式中，微波被金屬顆粒層30吸收以增加金屬顆粒層30的電導(dǎo)率。因此，增加了金屬顆粒層30的導(dǎo)電性，從而實(shí)質(zhì)上改進(jìn)了供體襯底100的靜電釋放率。
[0068]通過調(diào)整圖5A至圖5F中所示的制造供體襯底的示例性實(shí)施方式的制造順序制造圖3中所示的供體襯底100-1。在此實(shí)施方式中，可在基層10上提供(例如，形成)金屬墨層30-1，并且對(duì)金屬墨層30-1進(jìn)行光燒結(jié)以形成金屬顆粒層30。在金屬顆粒層30上提供光熱轉(zhuǎn)換層20。下面的過程基本與圖5A至圖5F中所示的示例性實(shí)施方式的相應(yīng)過程相同。
[0069]可在圖5A至圖5F中所示的制造供體襯底的方法的示例性實(shí)施方式期間通過進(jìn)一步提供中間層50制造圖4中所示的供體襯底100-2的示例性實(shí)施方式。在此實(shí)施方式中，可使用例如真空沉積工序、熱沉積工序、狹縫涂布工序或旋涂工序在金屬顆粒層30上形成中間層50。
[0070]下面的過程基本與圖5A至圖5F中所示的示例性實(shí)施方式的相應(yīng)過程相同。在此示例性實(shí)施方式中，在先于光熱轉(zhuǎn)換層20提供金屬顆粒層30的情況下，可在光熱轉(zhuǎn)換層20上提供(例如，形成)中間層50。
[0071]圖6A至圖6D是示出了根據(jù)本發(fā)明形成轉(zhuǎn)印圖案的方法的示例性實(shí)施方式的截面視圖。圖6A至圖6D示出了在圖2A中所示的供體襯底100的示例性實(shí)施方式中形成轉(zhuǎn)印圖案的方法，但是可通過該方法制造圖3和圖4所不的供體襯底100-1和100-2的不例性實(shí)施方式。
[0072]參考圖6A，從轉(zhuǎn)印層40移除被設(shè)置在轉(zhuǎn)印層40上的保護(hù)層PF。在保護(hù)層PF被移除時(shí)產(chǎn)生的靜電通過金屬顆粒層30釋放。因此，可有效地防止外來(lái)物質(zhì)附接至轉(zhuǎn)印層40。在示例性實(shí)施方式中，在供體襯底100不包括保護(hù)層PF的情況下，保護(hù)層PF的移除過程可被省略。
[0073]參考圖6B，將供體襯底100設(shè)置在目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB上使得轉(zhuǎn)印層40與目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB接觸。目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB還可包括絕緣層(未示出)。絕緣層可包括有機(jī)層和/或無(wú)機(jī)層。目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB可充當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示襯底的一部分。
[0074]在轉(zhuǎn)印層40被設(shè)置為與目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB接觸時(shí)產(chǎn)生的靜電通過金屬顆粒層30釋放。因此，在有機(jī)發(fā)光顯示襯底中集成的電部件可被保護(hù)以免受靜電影響。
[0075]參考圖6C，將光(例如，紫外線或可見光線)照射到供體襯底100上。在此實(shí)施方式中，光可以是具有恒定波長(zhǎng)的激光束。
[0076]在此實(shí)施方式中，可將光照射到供體襯底100的一部分40-TP上以將轉(zhuǎn)印層40的部分40-TP轉(zhuǎn)印到目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB上。在此實(shí)施方式中，區(qū)域性提供光的光源可用于照射光。
[0077]在可選的示例性實(shí)施方式中，向供體襯底100的整個(gè)表面提供光的光源和從光源部分地發(fā)射光的掩模可用于將光照射到供體襯底100的部分40-TP上。在可選的示例性實(shí)施方式中，可將光照射到供體襯底100的基本整個(gè)表面上以轉(zhuǎn)印轉(zhuǎn)印層40的基本整個(gè)部分。
[0078]參考圖6D，在目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB上提供照射有光的、與供體襯底100的部分40-TP對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)印圖案TP。在此實(shí)施方式中，當(dāng)轉(zhuǎn)印圖案TP被設(shè)置在目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB上時(shí)，從目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB移除供體襯底100。
[0079]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的包括轉(zhuǎn)印圖案的有機(jī)發(fā)光顯示襯底的示例性實(shí)施方式的截面視圖。有機(jī)發(fā)光顯示襯底包括基襯底SUB10、被設(shè)置在基襯底SUBlO上的薄膜晶體管TFT、絕緣層IL和有機(jī)發(fā)光設(shè)備0LED。薄膜晶體管TFT和有機(jī)發(fā)光設(shè)備OLED被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光顯示襯底上限定的每個(gè)像素區(qū)域中。在示例性實(shí)施方式中，像素PXL基本呈矩陣形式被布置在基襯底SUBlO上。在此實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示襯底還包括將電信號(hào)應(yīng)用至像素的多個(gè)線(未示出)。
[0080]參考圖7，薄膜晶體管TFT的柵極GE被設(shè)置在基襯底SUBlO上?；r底SUBlO對(duì)應(yīng)于參考圖6A至圖6D描述的目標(biāo)轉(zhuǎn)印襯底SUB。
[0081]絕緣層IL的第一絕緣層ILl被設(shè)置在基襯底SUBlO上以覆蓋柵極GE。半導(dǎo)體層AL被設(shè)置在第一絕緣層ILl上。輸入電極SE和輸出電極DE被設(shè)置在第一絕緣層ILl上以與半導(dǎo)體層AL重疊。
[0082]絕緣層IL的第二絕緣層IL2被設(shè)置在第一絕緣層ILl上以覆蓋輸入電極SE和輸出電極DE。有機(jī)發(fā)光設(shè)備OLED包括被順序地堆疊在第二絕緣層IL2上的第一電極AE、空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、有機(jī)發(fā)光層EML、電子注入層EIL和第二電極CE。第一電極AE通過穿過第二絕緣層IL2被限定的接觸孔連接至輸出電極DE。
[0083]有機(jī)發(fā)光設(shè)備OLED的結(jié)構(gòu)不應(yīng)該受限于圖7中所示的有機(jī)發(fā)光設(shè)備OLED的示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。在可選的不例性實(shí)施方式中，電子注入層EIL可被省略,并且有機(jī)發(fā)光設(shè)備OLED還可包括被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層EML與電子注入層EIL之間的電子傳輸層。
[0084]在示例性實(shí)施方式中，如圖7所示，空穴注入層HIL和電子注入層EIL被共同地設(shè)置在相鄰的像素PXL之間。在可選的示例性實(shí)施方式中，空穴傳輸層HTL和有機(jī)發(fā)光層EML可被設(shè)置在每個(gè)像素PXL中。
[0085]在此實(shí)施方式中，空穴傳輸層HTL和有機(jī)發(fā)光層EML可通過參考圖6A至圖6D描述的方法的示例性實(shí)施方式提供。在此實(shí)施方式中，空穴注入層HIL和電子注入層EIL可通過如圖6C所述將光照射在供體襯底100的基本整個(gè)部分上來(lái)提供。
[0086]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但是將理解本發(fā)明不應(yīng)該受限于這些示例性實(shí)施方式，而是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種供體襯底，包括: 基層; 光熱轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述基層上；以及 轉(zhuǎn)印層，設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上， 其中，所述供體襯底進(jìn)一步包括釋放靜電的金屬顆粒層，設(shè)置在所述基層與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間或所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，其中所述基層包括合成樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的供體襯底，其中所述金屬顆粒層包括銀顆粒。
4.如權(quán)利要求1所述的供體襯底,還包括: 保護(hù)層，設(shè)置在所述轉(zhuǎn)印層上。
5.如權(quán)利要求1所述的供體襯底,還包括: 中間層，其中，在所述金屬顆粒層設(shè)置在所述基層與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的情況下所述中間層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間，在所述金屬顆粒層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述轉(zhuǎn)印層之間的情況下所述中間層設(shè)置在所述金屬顆粒層與所述轉(zhuǎn)印層之間， 其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包括吸光材料，以及 所述中間層有效地防止所述光熱轉(zhuǎn)換層的吸光材料擴(kuò)散到所述轉(zhuǎn)印層。
6.—種制造供體襯底的方法，所述方法包括: 在基層上提供光熱轉(zhuǎn)換層； 在所述光熱轉(zhuǎn)換層上提供金屬墨層； 使用光燒結(jié)所述金屬墨層以形成金屬顆粒層；以及 在所述金屬顆粒層上提供轉(zhuǎn)印層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括: 將微波輻射到所述金屬顆粒層上。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括: 在所述金屬顆粒層上提供中間層， 其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包括吸光材料，以及 所述中間層有效地防止所述光熱轉(zhuǎn)換層的吸光材料擴(kuò)散到所述轉(zhuǎn)印層。
9.一種制造供體襯底的方法，所述方法包括: 在基層上提供金屬墨層； 使用光燒結(jié)所述金屬墨層以形成金屬顆粒層； 在所述金屬顆粒層上提供光熱轉(zhuǎn)換層；以及 在所述光熱轉(zhuǎn)換層上提供轉(zhuǎn)印層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括: 將微波輻射到所述金屬顆粒層上。
【文檔編號(hào)】B41M5/46GK104175738SQ201410200422
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】權(quán)寧吉 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司